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        鈣鈦礦材料制備工藝的研究現(xiàn)狀

        2021-11-30 14:42:29易澤川
        中國金屬通報 2021年16期
        關鍵詞:傳輸層鈣鈦礦氣相

        崔 璇,回 屹,易澤川

        (華北理工大學冶金與能源學院,河北 唐山 063000)

        1 溶液法

        1.1 一步法

        一步法是指按一定化學計量數(shù)將PbX2和CH3NH3X溶解在溶劑中形成前驅(qū)體溶液,后將其直接旋涂在電子傳輸層上,最后經(jīng)過退火處理,PbX2和CH3NH3X反應形成鈣鈦礦薄膜材料。

        Mitzi[1]等將SnI2、NH2CN和CH3NH3I溶解至氫碘酸溶液中,后通過加熱過濾直接得到CH3NH3SnI3和(C4H9NH3)2(CH3NH3)n-1SnnI3n+1等鈣鈦礦結構晶體。Kojima[2]等將CH3NH3X和PbX2(X=Br、I)溶解至N,N-二甲基甲酰胺(DMF)或γ-丁內(nèi)酯(GBL)中,后通過旋涂法沉積到TiO2電子傳輸層上,后通過退火處理,得到CH3NH3PbI3鈣鈦礦結構晶體。早期一步法工藝存在鈣鈦礦結晶速度過快、表面易生成大顆粒不連續(xù)結晶、晶體表面粗糙等問題,不利于鈣鈦礦層對電子傳輸層的完全覆蓋,極大的影響了鈣鈦礦太陽電池的光電轉(zhuǎn)化效率[3]。

        Liang[4]等將PbCl2和CH3NH3I溶解至混有雙齒螯合劑1,8-二碘辛烷的DMF溶液中,有效控制了鈣鈦礦晶體的生長速度,所得鈣鈦礦晶體表面光滑,提高了光的吸收率且降低電荷復合率,薄膜覆蓋率也有所提高。Jeno[5]等將PbCl2和CH3NH3I溶解至混有二甲基亞砜(DMSO)的DMF溶液中,形成DMSOPbI2-CH3NH3I配合物。然后將其滴加在TiO2電子傳輸層上,并在高速旋轉(zhuǎn)的過程中滴加甲苯使得配合物結晶析出,最后通過退火處理,制得高覆蓋度的CH3NH3PbI3鈣鈦礦薄膜。Ahn[6]等采用乙醚替換甲苯作為誘導鈣鈦礦材料結晶的溶劑,制得的CH3NH3PbI3鈣鈦礦電池的效率達到20%左右。

        一步法工藝簡單且操作方便,但鈣鈦礦薄膜的形貌變化較大,性能難以控制,使得電池的轉(zhuǎn)化效率偏低。存在結晶速度快、薄膜形態(tài)存在晶粒尺寸小、覆蓋率低等缺點。

        1.2 兩步法

        兩步法是指先在電子傳輸層上涂覆CH3NH3I溶液,再涂覆PbI2溶液,通過控制CH3NH3I溶液的濃度來控制CH3NH3PbI3晶粒尺寸,從而實現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率。

        Mitzi[7]等首次采用兩步法在石英基底上成功制備CH3NH3PbI3鈣鈦礦薄膜。主要制備流程:先將PbI2通過真空蒸鍍法或旋涂法進行沉積,再將其與添加異丙醇(IPA)的CH3NH3I的溶液充分浸漬,后經(jīng)干燥處理,制備CH3NH3PbI3鈣鈦礦薄膜。Burschka[8]等在70℃的條件下,在介觀或平面二氧化鈦上旋涂含有高濃度PbI2的DMF溶液,然后將TiO2/PbI2復合層與添加2-丙醇溶液的CH3NH3I的溶液充分浸漬,最后制備有著較高覆蓋度(相較于一步法)的CH3NH3PbI3鈣鈦礦薄膜。趙一新[9]等在含PbI2的DMF旋涂溶液中添加少量CH3NH3I,有效降低了轉(zhuǎn)化過程中的膨脹率,所得的CH3NH3PbI3薄膜表面更加平整,PSCs的光電轉(zhuǎn)化效率(PCE)達到17.2%。

        兩步法相較于一步法不需要退火處理,薄膜具有良好的晶體和表面形貌。溶液法具有操作簡單、方便調(diào)控的特點,但成膜質(zhì)量較差,存在較多的薄膜缺陷,導致載流子難以分離和擴散。兩步法僅對介孔結構鈣鈦礦電池的薄膜缺陷有改善作用,對平面結構鈣鈦礦電池無明顯作用。

        2 真空氣相沉積法

        Liu[10]等以CH3NH3PbI3和PbCl2為原料,通過真空氣相沉積法制備CH3NH3PbI3薄膜,薄膜均一性優(yōu)于液相法制備的薄膜。主要制備工藝:在10-5Pa的真空條件下,加熱并蒸發(fā)雙氣體源蒸發(fā)系統(tǒng)中置于兩個陶瓷坩堝中的CH3NH3I和PbCl2,將CH3NH3PbI3-xClx沉積在二氧化鈦膜表面,最后在100℃、N2保護的條件下,對其進行退火處理45min使鈣鈦礦材料結晶。Malinkiewicz[11]等采用該法成功制備光電轉(zhuǎn)化效率為14.8%的大面積有機結構反式鈣鈦礦太陽能電池。Xing[12]等在真空密閉條件下,采用雙源氣相蒸發(fā)法同時蒸發(fā)PbI2晶體和CH3NH3I晶體,蒸發(fā)氣體在致密的二氧化鈦襯底表面進行沉積,所得薄膜晶粒大小均勻、薄膜覆蓋率高,基本無缺陷。Li[13]等采用真空氣相沉積法將碳納米管沉積在鈣鈦礦薄膜上,碳納米管可有效提高電極的功函數(shù)和導電率,PCE達到6.78%。

        真空氣相沉積法制備的鈣鈦礦薄膜具有無孔、致密、均一性好等特點,可沉積出高質(zhì)量的鈣鈦礦薄膜,但工藝復雜、真空設備價格高昂、產(chǎn)出率低、電池效率無顯著提升。

        3 氣相輔助溶液法

        Chen[14]等采用了氣相輔助溶液法(VASP)制備CH3NH3PbI3鈣鈦礦薄膜。主要流程:首先采用液相法將PbI2沉積在TiO2電子傳輸層上,然后在150℃的條件下,將沉積得到的薄膜靜置在CH3NH3I和N2氣氛中,通過結晶反應生成CH3NH3PbI3鈣鈦礦薄膜,由該薄膜制備的PSCs的PCE達到了12.1%。Sasagawa[15]等采用噴霧熱解法升級簡化該工藝。首先在FTO基底上制備一層致密的二氧化鈦,然后將混有PbI2的N,N-二甲基甲酰胺溶液旋涂在二氧化鈦致密層上,將基底放置在充滿氮氣的密閉容器的頂部,密閉容器底部放置熱板,熱板上放置甲基碘化胺粉末,最后將熱板加熱到170℃將甲基碘化胺粉末蒸發(fā),蒸器與頂部的基底反應生成鈣鈦礦晶體。

        氣相輔助溶液法制備的薄膜具有表面均勻、覆蓋率高(100%)、粗糙度低、晶粒尺寸大的特點,但制備過程較為復雜。

        4 總結與展望

        未來鈣鈦礦太陽電池的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化應用的主要研究方向應集中在以下方面:紫外光、水蒸氣、氧氣等因素嚴重影響鈣鈦礦太陽能電池的穩(wěn)定性,在上述環(huán)境下的鈣鈦礦材料很容易分解并失效,光電轉(zhuǎn)化效率衰減嚴重。國內(nèi)外學者仍需提高鈣鈦礦太陽能電池材料穩(wěn)定性以及優(yōu)化器件封裝的方法;光電轉(zhuǎn)化效率較高的鈣鈦礦太陽能電池均基于含鉛雜化材料,金屬鹵化物鈣鈦礦材料中鉛元素會造成環(huán)境污染,現(xiàn)已有學者對代替材料展開研究,但得到的器件性能仍無法達到基于含鉛雜化材料的水平,需要廣大學者進行更加深入地研究;報道的高效率鈣鈦礦太陽能電池制備面積均局限在平方厘米級,保證高效率的前提下提高電池面積是至關重要的。

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