劉凱龍 彭冬生

(深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院,深圳 518000)

單層二硫化鉬是制作各種微納元器件及柔性電子器件較為理想的材料.然而在實(shí)踐和應(yīng)用中,材料受到環(huán)境所導(dǎo)致的應(yīng)變是一個(gè)無(wú)法避免的關(guān)鍵問(wèn)題,材料的電子結(jié)構(gòu)也會(huì)隨應(yīng)變而發(fā)生改變.本文基于第一性原理并結(jié)合濕法轉(zhuǎn)移后的拉伸實(shí)驗(yàn),研究了拉伸應(yīng)變對(duì)單層二硫化鉬光電特性的影響.結(jié)果表明:1)本征單層二硫化鉬為直接帶隙半導(dǎo)體,禁帶寬度為1.68 eV;吸收系數(shù)曲線最強(qiáng)峰位于10.92 eV 附近,最大吸收系數(shù)為1.66 × 105 cm—1.2)開(kāi)始施加拉應(yīng)變(1%)時(shí),其能帶結(jié)構(gòu)從直接帶隙轉(zhuǎn)變?yōu)殚g接帶隙;隨著應(yīng)變的增大,能帶仍然保持間接帶隙的特征,且禁帶寬度呈現(xiàn)線性下降的趨勢(shì);當(dāng)拉應(yīng)變?yōu)?0%時(shí),禁帶寬度降為0 eV.吸收系數(shù)曲線隨應(yīng)變施加而發(fā)生紅移.3)通過(guò)對(duì)濕法轉(zhuǎn)移后的單層二硫化鉬進(jìn)行拉伸實(shí)驗(yàn),拉曼光譜中的面內(nèi)模式 和面外模式A1g 峰都會(huì)隨拉伸而發(fā)生紅移,且兩峰的峰值頻率差保持在18.6 cm—1 左右;在光致發(fā)光譜1.83 eV 處觀察到單層二硫化鉬的A 激子的強(qiáng)發(fā)射峰.隨著拉應(yīng)變的變大,峰值相對(duì)強(qiáng)度降低并且線性紅移,代表帶隙的線性減小,與理論計(jì)算結(jié)果相符.

1 引言

隨著近年來(lái)石墨烯研究熱潮的興起,具有層間范德瓦耳斯力限制的原子級(jí)厚度的二維材料受到廣泛關(guān)注.因此以二硫化鉬(MoS2)為代表的具有天然帶隙的二維材料在微納電子學(xué)領(lǐng)域也開(kāi)始嶄露頭角.基于MoS2獨(dú)特的電學(xué)、光學(xué)、熱學(xué)和力學(xué)特性,在很多應(yīng)用領(lǐng)域都是極具吸引力的材料[1-6].與石墨烯類似,單層二硫化鉬是一種彈性力很強(qiáng)的材料,目前從實(shí)驗(yàn)和理論層面研究了本征二硫化鉬的各項(xiàng)基本力學(xué)特性,表明其能滿足柔性電子器件各種復(fù)雜的拉伸場(chǎng)景,是制備柔性電子器件較為理想的襯底材料[7-10].然而在實(shí)踐和應(yīng)用中,材料受到環(huán)境所導(dǎo)致的應(yīng)變是一個(gè)無(wú)法避免的關(guān)鍵問(wèn)題,材料的電子結(jié)構(gòu)也會(huì)隨應(yīng)變而發(fā)生改變,所以在實(shí)際應(yīng)用中必須深刻了解其應(yīng)變機(jī)制,探究應(yīng)變對(duì)材料性能的影響具有非常重要的意義,并能為單層MoS2的柔性器件提供理論依據(jù).

國(guó)內(nèi)外若干研究單位相繼開(kāi)展了關(guān)于單層MoS2性能受應(yīng)變影響的研究工作.例如,Liu 等[10]研究了單層MoS2原子層中的應(yīng)變和結(jié)構(gòu)異質(zhì)性,并證明了單晶單層MoS2中的不均勻應(yīng)變和應(yīng)變誘導(dǎo)的帶隙工程.Pak 等[11]研究了單層MoS2接觸能壘的應(yīng)變工程和光響應(yīng)行為.Conley 等[12]研究了機(jī)械剝落的單層和雙層MoS2應(yīng)變的帶隙變化.Dadgar 等[13]研究了單層過(guò)渡金屬二硫?qū)僭鼗锏膽?yīng)變工程和拉曼光譜.李明林等[14]研究了單層MoS2性能隨溫度的變化趨勢(shì)以及手性效應(yīng)的影響.Kuc 等[15]研究了MoS2層間相互作用對(duì)其能帶結(jié)構(gòu)的影響.吳木生等[16]研究了2.5%拉伸范圍內(nèi)應(yīng)變對(duì)單層MoS2能帶影響.Wu 等[17]研究了晶粒尺寸對(duì)單層多晶MoS2拉伸強(qiáng)度的影響.由于單層MoS2樣品僅0.65 nm 厚,在制備和測(cè)試過(guò)程中存在諸多困難和挑戰(zhàn)[18-20],因此以第一性原理計(jì)算為代表的納米尺度計(jì)算模擬方法成為分析單層MoS2材料結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能的重要手段[21,22].

本文基于第一性原理計(jì)算得出了本征單層MoS2的電子能帶結(jié)構(gòu)和吸收系數(shù).分析了拉應(yīng)變和壓應(yīng)變的影響;并結(jié)合實(shí)驗(yàn)和表征研究了拉伸對(duì)單層MoS2光學(xué)特性的影響.

2 計(jì)算方法及實(shí)驗(yàn)

2.1 計(jì)算方法

本文計(jì)算采用基于密度泛函理論的第一性原理方法[23],使用VASP (Viennaab-initiosimulation package)程序包完成[24],選擇廣義梯度近似平面波贗勢(shì)方法,結(jié)合Perdew-Burke-Ernzerhof交換關(guān)聯(lián)勢(shì),原子實(shí)和價(jià)電子之間的相互作用通過(guò)映射綴加波勢(shì)來(lái)描述.VASP 軟件采用超原胞模型,在實(shí)際計(jì)算中,將超原胞劃分為足夠細(xì)的網(wǎng)格點(diǎn),在每個(gè)網(wǎng)格點(diǎn)上給定一組初始波函數(shù),并計(jì)算出電荷密度ρ(r)和交換關(guān)聯(lián)勢(shì),然后根據(jù)本征方程求出一組波函數(shù)和本征能量.根據(jù)求得的波函數(shù),再次求出下一組波函數(shù)和本征能量,一直迭代直到兩次求出的本征能量之差小于某一預(yù)設(shè)值(自洽),則得到體系的總能量.計(jì)算過(guò)程中,把Mo 原子的4d 電子作為價(jià)電子處理,計(jì)算時(shí)平面波截?cái)嗄芰繛?50 eV,采取9 × 9 × 1 的倒空間k點(diǎn)網(wǎng)格,這些參數(shù)使得總能收斂.使用共軛梯度法優(yōu)化MoS2結(jié)構(gòu),直到每個(gè)原子間的受力收斂精度不超過(guò)0.01 eV/? (1 ?=0.1 nm).為模擬單層MoS2,把單層MoS2放置在超原胞結(jié)構(gòu)中,為消除層間相互作用引起的干擾,真空層大小取為2 nm.

單層MoS2是由一層Mo 原子層和上下兩層S 原子堆積而成,單層MoS2的結(jié)構(gòu)圖如圖1 所示.藍(lán)色虛線平行四邊形表示MoS2的原胞,每個(gè)原胞中含有1 個(gè)Mo 原子和2 個(gè)S 原子,無(wú)應(yīng)變時(shí)2 個(gè)硫原子層的垂直距離為d0.

圖1 單層MoS2 晶體結(jié)構(gòu)示意圖 (a)頂視圖;(b)側(cè)視圖Fig.1.Structure diagram of monolayer MoS2:(a) Top view;(b) side view.

本文研究了在0%—10%范圍的平拉伸應(yīng)變對(duì)單層MoS2的物理性質(zhì)的影響,由于在水平方向的應(yīng)變會(huì)引起平面內(nèi)晶格常數(shù)的變化,在每個(gè)應(yīng)變之下,都優(yōu)化了平面內(nèi)的晶格常數(shù),采用的方法是計(jì)算一系列的平面內(nèi)晶格常數(shù),得到該應(yīng)變之下總能與平面內(nèi)晶格常數(shù)的關(guān)系,總能最小值所對(duì)應(yīng)的平面內(nèi)晶格常數(shù),即為該水平應(yīng)變之下平面內(nèi)的晶格常數(shù).體系在平面內(nèi)晶格常數(shù)a0在3.183 ?時(shí)的總能最低.此時(shí),單層MoS2中的S—Mo 鍵長(zhǎng)為2.413 ?,兩個(gè)硫原子層的垂直間距h0為3.127 ?,和Ramakrishna 等[25]的計(jì)算結(jié)果比較接近.

2.2 實(shí)驗(yàn)流程

實(shí)驗(yàn)所用的單層MoS2連續(xù)薄膜通過(guò)化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)在具有300 nm 厚的SiO2的Si 襯底上.將單層MoS2轉(zhuǎn)移到柔性聚二甲基硅氧烷(PDMS)襯底上并測(cè)試光學(xué)性能.柔性PDMS 制備流程如下:1)制作樣品模板,倒入質(zhì)量比為10∶1的PDMS 原液∶固化劑,放置在100 ℃加熱臺(tái)上加熱0.5 h;2)加脫模劑,繼續(xù)熱熏1 h;3)通過(guò)超聲波、真空脫泡機(jī)進(jìn)行脫泡處理;4)放置在80 ℃干燥箱中固化6 h,冷卻完畢,取樣.

采用濕法轉(zhuǎn)移的方法將MoS2膜轉(zhuǎn)移到柔性PDMS 襯底上,利用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作為支撐層.單層MoS2的轉(zhuǎn)移流程如圖2 所示.1)在MoS2膜上旋涂一層40 mg/mL 的PMMA,然后放置在加熱臺(tái)(100 °C)上加熱30 min 固化PMMA;2)用2 mol/L 的NaOH 溶液腐蝕SiO2層直到薄膜分離為止.將漂浮的PMMA/MoS2膜轉(zhuǎn)移到DI 水中清洗殘留的NaOH 溶液;3)取合適大小的PDMS 襯底,用丙酮、乙醇進(jìn)行清洗;4)通過(guò)等離子體清洗機(jī)進(jìn)行PDMS 襯底表面親水性處理,用PDMS 襯底把漂浮的MoS2薄膜撈出,放入手套箱傾斜放置自然晾干4 h 以上,再放入100 °C的干燥箱中1 h 蒸發(fā)殘留水分,改善MoS2和襯底的結(jié)合;5)分多次放入丙酮溶液浸泡2 h 以除去PMMA,然后用乙醇、去離子水清洗,最后用氮?dú)獯蹈?

圖2 單層MoS2 濕法轉(zhuǎn)移流程圖Fig.2.Flow chart of wet transfer of monolayer MoS2.

實(shí)驗(yàn)采用的單層MoS2膜由深圳六碳科技公司通過(guò)化學(xué)氣相沉積法進(jìn)行生長(zhǎng).轉(zhuǎn)移過(guò)后的薄膜通過(guò)Renishaw 公司生產(chǎn)的、型號(hào)InVia 的拉曼光譜儀進(jìn)行拉曼光譜(Raman spectra)和光致發(fā)光光譜(photoluminescence spectroscopy,PL)的測(cè)量,使用532 nm DPSS 激光進(jìn)行激發(fā).

3 結(jié)果及分析

3.1 計(jì)算結(jié)果及分析

圖3(a)是計(jì)算得到的本征單層MoS2的能帶結(jié)構(gòu)(以費(fèi)米能級(jí)為0 eV),可以看出,單層MoS2為直接帶隙,價(jià)帶最高點(diǎn)和導(dǎo)帶最低點(diǎn)均為K點(diǎn),禁帶寬度為1.68 eV,略低于實(shí)驗(yàn)值1.73 eV[26].因?yàn)樵谑褂妹芏确汉椒ㄇ蠼夥匠痰倪^(guò)程中,沒(méi)有考慮激發(fā)態(tài),這是采用密度泛函理論計(jì)算能帶的常見(jiàn)現(xiàn)象,并不會(huì)影響對(duì)能帶和電子結(jié)構(gòu)的分析.

在能帶計(jì)算的基礎(chǔ)上,對(duì)單層MoS2的光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了計(jì)算.介電函數(shù)ε(ω)能夠反映出固體的光譜信息,ε(ω)是1 個(gè)虛數(shù),分為實(shí)部和虛部?jī)刹糠諿27]:

介電函數(shù)的虛部ε2(ω)可以由能帶進(jìn)行計(jì)算得到[27]:

其中,Ω代表原胞的體積,q為入射波的布洛赫矢量,wk是k=1 時(shí)的權(quán)重,σ為狄拉克函數(shù),εck和εvk分別為導(dǎo)帶、價(jià)帶的介電函數(shù)值,uck+eq和uvk代表贗波函數(shù)原胞的導(dǎo)帶、價(jià)帶部分,矢量e表示為3 個(gè)笛卡兒方向的單位向量.

對(duì)虛部ε2(ω)進(jìn)行Kramer-Kronig 變換能得到介電函數(shù)的實(shí)部ε1(ω)[27]:

其中,P表示主值,為ω的導(dǎo)數(shù).

計(jì)算得到的本征單層MoS2的介電函數(shù)的虛部ε2(ω)如圖3(b)所示.最大峰值出現(xiàn)在2.7 eV處,是由價(jià)帶頂?shù)綄?dǎo)帶底的躍遷所決定的,代表單層MoS2在入射光頻率為2.7 eV 左右時(shí)達(dá)到最大吸收峰值.對(duì)介電函數(shù)的實(shí)部ε1(ω)與虛部ε2(ω)進(jìn)行計(jì)算可以得到固體的吸收系數(shù)α(ω):

圖3 本征MoS2 的(a)能帶結(jié)構(gòu)圖和(b)介電函數(shù)虛部Fig.3.(a) Energy band structure of intrinsic MoS2;(b) imaginary part of the intrinsic monolayer MoS2 dielectric function.

圖4 是不同拉應(yīng)力下計(jì)算得到的單層MoS2能帶結(jié)構(gòu)圖.從圖4 可以看出,當(dāng)開(kāi)始施加拉應(yīng)變(1.0%)時(shí),價(jià)帶的最高點(diǎn)便發(fā)生了轉(zhuǎn)移,從布里淵區(qū)的K點(diǎn)轉(zhuǎn)移到Γ點(diǎn),但是導(dǎo)帶的最低點(diǎn)依舊保持在K點(diǎn)處,因此單層MoS2的能帶從直接帶隙轉(zhuǎn)變成了間接帶隙.隨著拉伸的增大,其禁帶寬度逐漸變小,并且一直保持為間接帶隙的特點(diǎn).從未施加應(yīng)變到施加5.0%的應(yīng)變的過(guò)程中,單層MoS2的禁帶寬度從1.68 eV 減小到0.912 eV.當(dāng)拉伸應(yīng)變?yōu)?0%時(shí),禁帶寬度降為0 eV,此時(shí)單層MoS2由半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘?

圖4 不同拉應(yīng)變下(1.0%-10%)單層MoS2 的能帶結(jié)構(gòu)圖Fig.4.Band structure diagram of monolayer molybdenum disulfide under different tensile strains (1.0%-10%).

圖5(a)給出了價(jià)帶最高點(diǎn)K和次高點(diǎn)Γ點(diǎn)隨應(yīng)力變化的能量值.當(dāng)拉伸不斷施加時(shí),價(jià)帶次高點(diǎn)Γ點(diǎn)的能量值僅從—0.085 eV 緩慢上升到—0.081 eV;而K點(diǎn)的絕對(duì)能量由—0.066 eV 下降到—0.645 eV.可以得知轉(zhuǎn)變?yōu)殚g接帶隙的原因:價(jià)帶位置處的K點(diǎn)和Γ點(diǎn)的能量變化對(duì)拉伸的敏感程度不同.其根本原因在于拉伸應(yīng)變改變了原子位置的弛豫,間接影響原子間的成鍵性質(zhì)和成鍵強(qiáng)度,能帶結(jié)構(gòu)隨之發(fā)生改變[28].單層MoS2的禁帶寬度隨拉應(yīng)變的變化關(guān)系如圖5(b)所示,數(shù)據(jù)顯示禁帶寬度隨拉應(yīng)變的增大而線性減小.

圖5(a) 最高價(jià)帶(VBM) 上Γ 點(diǎn)與K 點(diǎn)的能量隨應(yīng)力增大的變化情況;(b)單層MoS2 的禁帶寬度隨拉應(yīng)變的變化曲線Fig.5.(a) Variation of energy of point Γ and point K on the maximum price band (VBM) with the increase of stress;(b) variation curve of band gap width of monolayer MoS2 with tensile strain.

圖6 為單層MoS2在本征狀態(tài)和拉應(yīng)變5%下的總態(tài)密度(DOS)和部分態(tài)密度(PDOS)圖,其中黑色為DOS 圖,彩色為PDOS 圖.價(jià)帶的最高點(diǎn)主要有兩種原子的軌道貢獻(xiàn),分別為鉬原子的d 軌道和硫原子的p 軌道.在能級(jí)—6 eV 到—1 eV 的范圍內(nèi),Mo-d 軌道和S-p 軌道態(tài)密度形狀相似,表明兩者間共用電子程度高,對(duì)應(yīng)于Mo-d 軌道和S-p 軌道間形成的類似于σ 鍵的相互作用.在—1 eV 到Fermi能級(jí)范圍內(nèi),Mo-d 軌道和S-p 軌道間形成強(qiáng)度較弱的類π 鍵的相互作用.這種作用對(duì)應(yīng)變極為敏感,導(dǎo)致施加應(yīng)變后能帶結(jié)構(gòu)發(fā)生顯著變化[16,29].

圖6 單層MoS2 在(a)無(wú)應(yīng)變和(b)拉應(yīng)變5%下的態(tài)密度圖Fig.6.Electron density of states of monolayer MoS2 for (a)zero strain and (b) 5% tensile strain.

圖7 給出了計(jì)算得到的單層MoS2在不同拉應(yīng)變下的吸收系數(shù),由本征吸收系數(shù)曲線(0.0%)可見(jiàn),長(zhǎng)波吸收邊對(duì)應(yīng)的光子能量約為1.5 eV,對(duì)應(yīng)于導(dǎo)帶和價(jià)帶之間的電子直接躍遷能量,其中最強(qiáng)峰位于10.92 eV 附近,最大吸收系數(shù)為1.66 ×105cm—1,吸收系數(shù)在8.478 eV 處有1 個(gè)低谷.α(ω)的第1 個(gè)峰值在2.8 eV 附近,處于可見(jiàn)光中紫光的能量附近,這解釋了MoS2晶體呈現(xiàn)深紫色的原因.單層MoS2拉應(yīng)變的吸收系數(shù)的結(jié)果都與本征MoS2吸收系數(shù)圖像在趨勢(shì)上非常接近,拉應(yīng)變吸收系數(shù)曲線隨應(yīng)變?cè)龃蠖w紅移.

圖7 不同拉應(yīng)變下的單層MoS2 吸收系數(shù)圖Fig.7.Monolayer MoS2 absorption coefficients under different tensile and compressive strains.

3.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析

圖8(a) 和圖8(b)分別為通過(guò)濕法轉(zhuǎn)移到Si 襯底的單層MoS2的光學(xué)顯微鏡(optical microscope,OM)圖像和PL 光譜圖,圖8(c)和圖8(d)分別為轉(zhuǎn)移到PDMS 襯底上的單層MoS2的OM 圖像和實(shí)物圖.在PL 光譜的1.83 eV 處觀察到單層 MoS2的A 激子的強(qiáng)發(fā)射峰,這表明轉(zhuǎn)移后的單層MoS2膜仍然是高質(zhì)量的.單層MoS2的A 激子的PL 峰可歸因于1.84 eV 的負(fù)三極峰和1.88 eV 的中性激子峰的共同作用,PL 光譜中負(fù)三極峰的存在能表明1L MoS2具有電n 型特征[30].

圖8 單層MoS2 連續(xù)膜通過(guò)濕法轉(zhuǎn)移后,(a)轉(zhuǎn)移到Si 襯底上的OM 圖像,(b)轉(zhuǎn)移到Si 襯底上的PL 光譜,(c)轉(zhuǎn)移到PDMS 襯底上的OM 圖像,(d)轉(zhuǎn)移到PDMS 襯底上的實(shí)物圖Fig.8.(a) OM images transferred to Si substrates,(b) PL spectra transferred to Si substrates,(c) OM images transferred to PDMS substrates,(d) real figures transferred to PDMS substrates when monolayer MoS2 continuous film is transferred by wet method.

對(duì)轉(zhuǎn)移到柔性PDMS 上的單層MoS2通過(guò)拉曼光譜儀(使用532 nm DPSS 激光進(jìn)行激發(fā))下進(jìn)行不同拉伸應(yīng)變下的測(cè)試,所施加的應(yīng)變近似為ε=τ/R,其中2τ是這項(xiàng)工作中使用的PDMS襯底的厚度.圖9 給出了單層MoS2/PDMS 的拉曼光譜、PL 光譜及相應(yīng)峰位在不同拉伸應(yīng)變下的變化趨勢(shì)圖.隨著拉應(yīng)變的增大,拉曼光譜圖中面內(nèi)模式和面外模式A1g峰之間的峰值頻率差始終保持在18.6 cm—1左右,兩峰都會(huì)發(fā)生紅移,是由于拉伸應(yīng)變引起的聲子軟化[11].PL 譜峰值強(qiáng)度隨著拉應(yīng)變的增大而降低,PL 峰位紅移,代表光學(xué)帶隙的減小,觀察到的PL 峰位置的移動(dòng)趨勢(shì)以及所施加的應(yīng)變的光譜強(qiáng)度降低歸因于應(yīng)變引起的帶隙和PL 效率的下降,這與理論預(yù)測(cè)一致,峰值紅移近似線性改變.

圖9 對(duì)單層MoS2/PDMS 進(jìn)行0%-1.8%拉伸應(yīng)變時(shí)的(a)拉曼光譜,(b)拉曼峰的改變,(c) PL 光譜,(d) PL 峰的改變Fig.9.(a) Raman spectroscopy,(b) change of Raman peak position,(c) PL spectroscopy,(d) change of PL peak position when monolayer MoS2/PDMS is stretched by 0%-1.8%.

4 結(jié)論

本文基于第一性原理并結(jié)合濕法轉(zhuǎn)移后的拉伸實(shí)驗(yàn),研究了拉伸應(yīng)變對(duì)單層MoS2光電特性的影響.主要得出以下結(jié)論:1)計(jì)算得出本征單層MoS2為直接帶隙半導(dǎo)體,禁帶寬度為1.68 eV.由吸收系數(shù)曲線可見(jiàn),長(zhǎng)波吸收邊對(duì)應(yīng)的光子能量約為1.5 eV,最強(qiáng)峰位于10.92 eV 附近,最大吸收系數(shù)為1.66×105cm—1.從未施加應(yīng)變到施加5.0%的應(yīng)變的過(guò)程中,單層MoS2由直接帶隙轉(zhuǎn)變?yōu)殚g接帶隙,禁帶寬度從1.68 eV 隨應(yīng)變?cè)龃蠖€性減小到0.912 eV.轉(zhuǎn)變?yōu)殚g接帶隙的原因是價(jià)帶位置處的K點(diǎn)和Γ點(diǎn)的能量變化對(duì)拉伸的敏感程度不同,在—1 eV 到Fermi 能級(jí)范圍內(nèi),Mo-d 軌道和Sp 軌道間形成強(qiáng)度較弱的類π 鍵的相互作用.這種作用對(duì)應(yīng)變極為敏感.當(dāng)拉應(yīng)變?yōu)?0%時(shí),禁帶寬度降為0 eV,此時(shí),單層MoS2由半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘傩再|(zhì).吸收系數(shù)曲線隨拉應(yīng)變的增大而整體紅移.2)結(jié)合濕法轉(zhuǎn)移工藝將單層MoS2連續(xù)膜轉(zhuǎn)移到了柔性PDMS 襯底上并進(jìn)行拉伸測(cè)試.在拉曼光譜中,面內(nèi)模式和面外模式A1g峰都會(huì)隨拉伸發(fā)生紅移,兩峰之間的峰值頻率差始終在18.6 cm—1附近.在PL 光譜的1.83 eV 處觀察到單層MoS2的A 激子的強(qiáng)發(fā)射峰,這表明轉(zhuǎn)移后的單層MoS2膜仍然是高質(zhì)量的.隨著拉應(yīng)變的增大,PL 峰的峰值強(qiáng)度降低且峰位線性紅移,代表帶隙的線性減小,實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論計(jì)算結(jié)果相符.