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        正弦表面結(jié)構(gòu)的薄膜失穩(wěn)形貌有限元分析和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

        2021-11-09 06:57:46楊璽琳劉海東吳良科
        重慶大學(xué)學(xué)報(bào) 2021年10期
        關(guān)鍵詞:有限元

        楊璽琳,劉海東,賈 飛,吳良科,古 斌

        (1.西南科技大學(xué) 制造科學(xué)與工程學(xué)院,四川 綿陽 621010;2.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 航天科學(xué)與力學(xué)系,哈爾濱 150001;3.重慶大學(xué) 航空航天學(xué)院,重慶 400044)

        表面褶皺現(xiàn)象在自然界中廣泛存在,特殊的表面微形貌可以賦予材料不同的功能[1-3],因此如何構(gòu)筑復(fù)雜的表面形貌具有十分重要的理論與實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。近年來,研究人員通過表面失穩(wěn)、化學(xué)刻蝕、光誘導(dǎo)的高分子交聯(lián)技術(shù)、納米壓印、等離子體處理等手段構(gòu)筑材料表面微結(jié)構(gòu)[4-8]。其中,表面失穩(wěn)以其形貌和尺度易于調(diào)控、構(gòu)筑方法簡易、成本低廉和大量潛在應(yīng)用等優(yōu)點(diǎn)受到學(xué)者青睞[9-11]。

        (1)

        (2)

        式中,μf和μs分別為薄膜和基底的剪切模量,h為薄膜厚度,薄膜和基底的泊松比均取為0.5。在此基礎(chǔ)上,Cai等[13]探討了微小曲率對(duì)平面薄膜臨界失穩(wěn)載荷和波長的影響,并給出了修正后的值為

        (3)

        (4)

        式中Ω為與曲率相關(guān)的量,可表示為:

        (5)

        式中R為薄膜的初始曲率半徑。

        1 有限元分析

        1.1 有限元模型

        圖1 具有正弦表面結(jié)構(gòu)的薄膜基底系統(tǒng)示意圖Fig. 1 Schematic diagram of a film-soft substrate system with a sinusoidal structure

        模糊綜合評(píng)判法中的權(quán)重向量W=(w1,w2,w3,w4)反映了對(duì)各信任因素的關(guān)注程度,w1、w2、w3、w4分別為4個(gè)信任因素的權(quán)重,需滿足w1+w2+w3+w4=1。本文采用常用的常值權(quán)重,且令w1=w2=w3=w4=1/4。

        1.2 數(shù)值結(jié)果和討論

        圖2 當(dāng)A=0.25 mm,h=0.05 mm,ξ=0.2時(shí),正弦薄膜失穩(wěn)形貌隨薄膜基底模量比的變化Fig. 2 When A=0.25 mm, h=0.05 mm, ξ=0.2, the instability of the sinusoidal film changes with the film-substrate modulus ratio

        1.2.2 預(yù)拉伸變形量的影響

        選定變量A=0.25 mm,h=0.05 mm,η=80,預(yù)拉伸變形量在0.15≤ξ≤0.35范圍內(nèi)取值,正弦表面結(jié)構(gòu)波峰和波谷處的失穩(wěn)波長及兩位置間失穩(wěn)波長差值的變化分別如圖3(a)和圖3(b)所示。圖中結(jié)果表明預(yù)拉伸變形量的增加會(huì)導(dǎo)致波峰和波谷處失穩(wěn)波長的減小,而兩位置間的失穩(wěn)波長差值則輕微增大。波峰和波谷處失穩(wěn)波長的變化近似符合線性規(guī)律,可分別用線性擬合函數(shù)λ=-0.90ξ+0.81(波峰處)和λ=-1.08ξ+0.77(波谷處)表示,(如圖3(a)中虛線所示)。

        圖3 當(dāng)A=0.25 mm,h=0.05 mm,η=80時(shí),正弦薄膜失穩(wěn)形貌隨預(yù)拉伸變形量的變化Fig. 3 When A=0.25 mm, h=0.05 mm, η=80, the instability of the sinusoidal film changes with the pre-stretch deformation

        1.2.3 薄膜厚度的影響

        為研究薄膜厚度對(duì)失穩(wěn)波長的影響,取A=0.25 mm,η=80,ξ=0.2以及0.05 mm≤h≤0.1 mm。相應(yīng)的有限元模擬結(jié)果見圖4(a)和圖4(b)。從圖4(a)可以看出,波峰和波谷處的失穩(wěn)波長均隨著薄膜厚度的增加而增加,且變化規(guī)律可近似用線性擬合函數(shù)表示,即λ=12.87h(波峰處)和λ=11.60h(波谷處)。此外,波峰與波谷間的失穩(wěn)波長差值也隨著薄膜厚度的增加而增大,但變化不明顯,如圖4(b)所示。

        圖4 當(dāng)A=0.25 mm,η=80,ξ=0.2時(shí),正弦薄膜失穩(wěn)形貌隨薄膜厚度的變化Fig. 4 When A=0.25 mm, η=80, ξ=0.2, the instability of the sinusoidal film changes with the thickness of the film

        1.2.4 正弦表面結(jié)構(gòu)幅值的影響

        當(dāng)h=0.25 mm,η=80,ξ=0.2時(shí),正弦表面結(jié)構(gòu)波峰和波谷處的失穩(wěn)波長隨正弦表面結(jié)構(gòu)幅值的變化如圖5(a)所示,其中正弦表面結(jié)構(gòu)幅值的變化范圍為0≤A≤1 mm。圖中可以看出,隨著正弦表面結(jié)構(gòu)幅值的增大,波峰處的失穩(wěn)波長呈整體增大的趨勢,而波谷處的失穩(wěn)波長呈整體減小的趨勢。兩者都不隨正弦表面結(jié)構(gòu)幅值的改變而單調(diào)變化。兩位置間的失穩(wěn)波長差值隨正弦表面結(jié)構(gòu)幅值的改變發(fā)生顯著變化,且表現(xiàn)出隨正弦表面結(jié)構(gòu)幅值增加而近似線性增大的規(guī)律。該規(guī)律可用擬合函數(shù)Δλ=0.36A表示,見圖5(b)。另外注意到,當(dāng)正弦表面結(jié)構(gòu)幅值大于一定值時(shí),如A≥0.8 mm,在波峰處將不發(fā)生表面失穩(wěn),相應(yīng)的失穩(wěn)波長差值也未給出。

        圖5 當(dāng)h=0.25 mm,η=80,ξ=0.2時(shí),正弦薄膜失穩(wěn)形貌隨正弦表面結(jié)構(gòu)幅值的變化Fig. 5 When h=0.25 mm, η=80, ξ=0.2, the instability of the sinusoidal film changes with the amplitude of the sinusoidal surface structure

        1.3 膜基系統(tǒng)表面失穩(wěn)波長的經(jīng)驗(yàn)公式

        λ=kh(ξ+c)ηb。

        (6)

        圖6 當(dāng)h=0.05 mm,ξ=0.2時(shí),平面膜基系統(tǒng)的失穩(wěn)形貌Fig. 6 When h=0.05 mm, ξ=0.2, the instability morphology of the planar film-based system

        圖7 當(dāng)ξ=0.2, η=80時(shí),平面膜基系統(tǒng)的失穩(wěn)波長隨薄膜厚度的變化Fig. 7 Variation of the instability wavelength of film-substrate system of flat surface with the film thickness when ξ=0.2, η=80

        2 表面失穩(wěn)形貌的調(diào)控以及實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

        2.1 表面失穩(wěn)形貌調(diào)控的有限元模擬

        前述有限元分析表明,利用不同的參數(shù)組合可以對(duì)薄膜表面失穩(wěn)形貌進(jìn)行調(diào)控。此外,通過賦予波峰和波谷區(qū)域薄膜不同的性質(zhì),如剪切模量和厚度,也能改變薄膜的表面失穩(wěn)形貌。圖8顯示了當(dāng)λ0=10 mm,A=0.5 mm,h=0.05 mm,ξ=0.2時(shí),波峰和波谷區(qū)域薄膜取不同剪切模量引起的表面失穩(wěn)形貌。在本文中考慮了4種情況:1)μb∶μt∶μs=50 ∶500 ∶1;2)μb∶μt∶μs=1 ∶20 ∶1;3)μb∶μt∶μs=200 ∶20 ∶1;4)μb∶μt∶μs=20 ∶1 ∶1。μb和μt分別為波谷和波峰處薄膜的剪切模量,基底的剪切模量保持不變且μs=1.0 MPa[15]。由圖8(a)和(c)可知,當(dāng)μb≠μt>μs時(shí),正弦薄膜表面出現(xiàn)類似雙波長正余弦條紋的形貌[15]。而且某區(qū)域剪切模量越大,該區(qū)域產(chǎn)生的失穩(wěn)波長越長,這與圖2中均勻薄膜(μb=μt>μs)的結(jié)果一致。但由于波峰與波谷處薄膜的剪切模量不同,兩位置間的失穩(wěn)波長差值也有很大的差異。這與均勻薄膜時(shí)薄膜剪切模量幾乎不影響失穩(wěn)波長差值不同。因此,通過控制薄膜不同區(qū)域的剪切模量,可實(shí)現(xiàn)對(duì)局部失穩(wěn)波長和區(qū)域間失穩(wěn)波長差值的調(diào)控。特別是當(dāng)μt>μb=μs或μb>μt=μs時(shí),僅有波峰或波谷區(qū)域產(chǎn)生表面失穩(wěn),如圖8(b)和(d)所示。

        圖8 波峰、波谷與基底不同剪切模量的失穩(wěn)模態(tài)Fig. 8 Instability modes of different Young’s modulus of the crest, trough and base

        與調(diào)節(jié)剪切模量類似,改變薄膜不同區(qū)域處的厚度也能改變薄膜的表面失穩(wěn)形貌,實(shí)現(xiàn)對(duì)失穩(wěn)波長和失穩(wěn)波長差值的調(diào)控,如圖9所示。此時(shí)λ0=10 mm,A=0.5 mm,η=50,ξ=0.2,考慮4種薄膜厚度組合:(a)hb=0.05 mm,ht=0,(b)hb=0.05 mm,ht=0.02 mm,(c)hb=0,ht=0.05 mm,(d)hb=0.02 mm,ht=0.05 mm。hb和ht分別為表面波谷和波峰區(qū)域的薄膜厚度。當(dāng)hb≠ht時(shí),正弦薄膜表面同樣出現(xiàn)類似雙波長正余弦條紋的形貌,如圖9(b)和(d)所示。而且表面薄膜越厚的區(qū)域,失穩(wěn)波長越長,波峰與波谷間的失穩(wěn)波長差值也與不同區(qū)域的薄膜厚度相關(guān)。特別當(dāng)表面薄膜厚度為0時(shí),該區(qū)域?qū)⒉粫?huì)發(fā)生表面失穩(wěn),如圖9(a)和(c)所示。

        圖9 波峰與波谷位置處薄膜厚度不同時(shí)的失穩(wěn)模態(tài)Fig. 9 Instability modes when the film thickness at the peak and trough is different

        2.2 表面失穩(wěn)形貌調(diào)控的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

        實(shí)驗(yàn)以道康寧公司生產(chǎn)的硅橡膠-PDMS184為原材料。主要儀器包括行星攪拌機(jī)(型號(hào)AR-100,日本THINKY公司)、干燥箱(型號(hào)DHG-9075A,上海一恒科學(xué)儀器有限公司)、UV表面照射裝置(型號(hào)BZZ250G-T,匯沃科技有限公司)和掃描電子顯微鏡(型號(hào)7610F,日本電子株式會(huì)社)等。

        圖10 具有正弦結(jié)構(gòu)表面的PDMS樣品 Fig. 10 PDMS sample with sinusoidal surface

        圖11 正弦結(jié)構(gòu)波峰與波谷位置處失穩(wěn)形貌差異化的制備方法Fig. 11 Preparation method of differential instability at the peak and trough positions of a sinusoidal structure

        利用場發(fā)射掃描電鏡觀測樣品表面失穩(wěn)形貌并測量波峰和波谷處的失穩(wěn)波長,不同輻照時(shí)長的樣品表面失穩(wěn)形貌如圖12所示。其中樣品1波谷處失穩(wěn)波長為29.813 μm,波峰處失穩(wěn)波長為124.219 μm,如圖12(a)和(b)所示。樣品2波谷處失穩(wěn)波長為97.031 μm,波峰處失穩(wěn)波長為37.688 μm,如圖12(c)和(d)所示。由于硬化處理時(shí)間越長,薄膜的剪切模量和厚度越高。樣品1對(duì)應(yīng)圖8中算例(a)和圖9中算例(d),樣品2對(duì)應(yīng)圖8中算例(c)和圖9中算例(b)。比較可知,實(shí)驗(yàn)結(jié)果與有限元模擬結(jié)果定性吻合。即薄膜剪切模量和厚度越高(硬化處理時(shí)間越長),失穩(wěn)波長越長,而且改變不同區(qū)域的輻照時(shí)間,可以有效調(diào)控波峰與波谷區(qū)域失穩(wěn)波長的差值。因此,實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了所提出的有限元模型和結(jié)果的正確性,同時(shí)該實(shí)驗(yàn)工藝對(duì)于實(shí)際構(gòu)筑特殊表面微形貌具有一定的參考價(jià)值。另外必須指出:由于實(shí)驗(yàn)中薄膜的彈性模量和厚度同時(shí)受輻照時(shí)間影響,且難以精確測量,無法為數(shù)值模擬提供準(zhǔn)確的參數(shù)。現(xiàn)階段實(shí)驗(yàn)結(jié)果僅能定性地驗(yàn)證數(shù)值模擬結(jié)果,實(shí)現(xiàn)定量驗(yàn)證還需進(jìn)一步的系統(tǒng)研究。

        圖12 不同輻照時(shí)長正弦樣品波峰與波谷位置的失穩(wěn)形貌SEM圖像Fig. 12 SEM images of the instability of the peak and trough positions of long sinusoidal samples at different irradiation times

        3 結(jié) 論

        3)根據(jù)有限元結(jié)果提出了利用非均勻薄膜調(diào)控表面失穩(wěn)形貌的方案,并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,實(shí)驗(yàn)結(jié)果與數(shù)值結(jié)果定性吻合。同時(shí),實(shí)驗(yàn)工藝提供了一種可用于構(gòu)筑特殊表面微形貌的簡便方法。

        研究成果有助于理解自然界中某些特殊表面形貌的形成機(jī)理,在物理、仿生以及超疏水材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

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