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        三維氯化鈉離子晶體的嵌套結(jié)構(gòu)和馬德隆常數(shù)的迭代計算

        2021-11-05 06:37:20周群益莫云飛侯兆陽周麗麗
        衡陽師范學(xué)院學(xué)報 2021年3期

        周群益,莫云飛,侯兆陽,周麗麗

        (1.廣州理工學(xué)院 通識教育學(xué)院,廣東 廣州 510540;2.長沙學(xué)院 電子信息與電氣工程學(xué)院,湖南 長沙 410022;3.長安大學(xué) 理學(xué)院應(yīng)用物理系,陜西 西安 710064;4.贛南醫(yī)學(xué)院 信息工程學(xué)院,江西 贛州 341000)

        三維氯化鈉結(jié)構(gòu)的馬德隆常數(shù)的累加法公式是

        這是一個無窮級數(shù),在實際計算中往往取有限項的和近似的來表示α,累加法的主要缺陷是計算效率低和收斂速度慢。

        三維結(jié)構(gòu)離子晶體的馬德隆常數(shù)很難求出解析解或者沒有解析解,因此,數(shù)值計算就是常用的方法。

        為了提高三維氯化鈉結(jié)構(gòu)馬德隆常數(shù)的計算效率,國外有許多學(xué)者提出了各種計算方法[1-5],這些方法或者存在精確位數(shù)不高的問題,或者存在計算過程十分復(fù)雜的問題,相對而言,埃夫琴法是一種比較簡單實用的方法。

        國內(nèi)也有許多學(xué)者提出了各種計算方法[6-9],有些論文還列出計算機(jī)程序。由于計算方法的限制,有的程序計算效率低,有的程序不夠精練。

        本文提出晶胞嵌入-外埃夫琴法,采用MATLAB設(shè)計程序[10],用迭代算法快速計算三維氯化鈉結(jié)構(gòu)的各級馬德隆常數(shù),得出其多位精確值。

        晶胞嵌入-外埃夫琴法還能計算三維氯化銫晶體結(jié)構(gòu),二維氯化鈉晶體結(jié)構(gòu)和二維氯化銫晶體結(jié)構(gòu),以及二維六角離子晶體結(jié)構(gòu)的各級馬德隆常數(shù)[11-13]。

        1 三維氯化鈉離子晶體的嵌套結(jié)構(gòu)

        如圖1所示,以氯離子(點)為中心取一個晶胞,周圍由鈉離子和氯離子包裹,鈉離子(圈)在面心和頂點,氯離子在線心,這種晶胞稱為氯心晶胞。平面上的每個離子對晶胞電荷的貢獻(xiàn)是1/2,邊線離子的貢獻(xiàn)是1/4,頂點離子的貢獻(xiàn)是1/8,晶胞內(nèi)共有1+12/4=4個負(fù)離子和6/2+8/8=4個正離子,因此,這種晶胞的內(nèi)部是電中性的,稱為埃夫琴晶胞。

        圖1 三維氯化鈉離子晶體結(jié)構(gòu)的氯心晶胞(第1級晶體)

        如果將鈉離子與氯離子互換,氯心晶胞就變成了鈉心晶胞,其內(nèi)部仍然是電中性的,也稱為埃夫琴晶胞(圖略)。不論哪種晶胞,通過堆積,都能組成完整的晶體。

        設(shè)晶格常數(shù)為2a,兩種晶胞的體積都是V0=8a3。氯心晶胞和鈉心晶胞可以相互嵌入,使氯心晶胞的一個頂點位于鈉心晶胞的中心,同時使鈉心晶胞的一個頂點位于氯心晶胞的中心,重疊部分的體積是V0。這兩種晶胞又稱為互嵌晶胞。

        如果取氯離子為參考離子,就取氯心晶胞為中心晶胞,稱為第1級晶體。

        取23個鈉心晶胞,組成鈉心晶體,稱為第2級晶體,如圖2所示。第2級晶體內(nèi)部嵌套了第1級晶體(實線),其表面離子包裹了第1級晶體中的全部離子,參考離子還是氯離子。第2級晶體也可以看作以第1級晶體的8個頂點鈉離子為中心,嵌入8個鈉心晶胞形成的。

        圖2 三維氯化鈉離子晶體嵌套結(jié)構(gòu)的第2級晶體

        取33個氯心晶胞,組成氯心晶體,稱為第3級晶體,如圖3所示。第3級晶體內(nèi)部嵌套了第2級晶體(實線),其表面離子包裹了第2級晶體中的全部離子,參考離子仍然是氯離子。第3級晶體也可以看作以第2級晶體表面的氯離子為中心,嵌入26個氯心晶胞形成的。

        圖3 三維氯化鈉離子晶體嵌套結(jié)構(gòu)的第3級晶體

        氯心晶體是由奇數(shù)個氯心晶胞組成,面心和頂點都是鈉離子;鈉心晶體是由偶數(shù)個鈉心晶胞組成,面心和頂點都是氯離子。兩種晶體的參考離子都是氯離子,但是表面離子的分布規(guī)律是不同的。一個氯心晶體嵌套了較小的鈉心晶體,又嵌套在較大的鈉心晶體中;而一個鈉心晶體嵌套了較小的氯心晶體,又嵌套在較大的氯心晶體中。這種嵌套稱為循環(huán)嵌套。通過晶胞嵌入,新晶體的表面離子包裹了原來晶體中的全部離子。

        設(shè)n為正整數(shù),在第n級晶體的表面嵌入晶胞就形成第n+1級晶體。這種形成高一級晶體的方法稱為晶胞嵌入法,其優(yōu)點就是能夠說明各級晶體的形成過程并且充分展現(xiàn)表面離子的分布規(guī)律。

        注意:如果取鈉離子為參考離子,就取鈉心晶胞為中心晶胞,也能夠通過晶胞嵌入形成多級晶體。最后的計算結(jié)果是完全相同的。

        2 三維氯化鈉離子晶體的電學(xué)性質(zhì)

        由n3個埃夫琴晶胞組成一個n級晶體,內(nèi)部和表面共有Nn=(2n+1)3個正負(fù)離子。當(dāng)n是奇數(shù)時,晶體由奇數(shù)個氯心晶胞組成,6個面心和8個頂點是正離子,正離子和負(fù)離子的個數(shù)分別為

        當(dāng)n是偶數(shù)時,晶體由偶數(shù)個鈉心晶胞組成,6個面心和8個頂點是負(fù)離子,Nn+和Nn-分別表示負(fù)離子和正離子的個數(shù)。

        當(dāng)n是偶數(shù)時,在Nn=(2n+1)3個正負(fù)離子中,內(nèi)部有Nn-1=(2n-1)3個正負(fù)離子,其中,正離子和負(fù)離子的個數(shù)分別為8個頂點是負(fù)離子Nn-C=8。

        平面離子電荷有1/2在晶體內(nèi),邊線離子電荷有1/4在晶體內(nèi),頂點離子電荷有1/8在晶體內(nèi)。晶體內(nèi)的凈電荷為

        因此,晶體內(nèi)部是電中性的。

        當(dāng)n是奇數(shù)時,同樣可證明:由奇數(shù)個氯心晶胞組成的氯心晶體的內(nèi)部也是電中性的。

        3 馬德隆常數(shù)的遞推公式

        設(shè)晶格常數(shù)為2a,則鈉離子和氯離子的最近距離d=a。建立三維坐標(biāo)系,取一個氯離子為參考離子,將參考離子放置在坐標(biāo)原點。取a為單位長度,離子無量綱的坐標(biāo)可用整數(shù)i,j和k表示:i=x/a,j=y/a,k=z/a。取n3個埃夫琴晶胞,組成第n級電中性晶體,設(shè)內(nèi)部離子對馬德隆常數(shù)的貢獻(xiàn)為αn-1,則所有離子對馬德隆常數(shù)的貢獻(xiàn)為

        (7)式是遞推公式。在需要逐級計算馬德隆常數(shù)時,由于內(nèi)部離子的貢獻(xiàn)已經(jīng)計算,就只要計算表面離子的貢獻(xiàn),再進(jìn)行迭代計算。迭代計算的最大好處是節(jié)省內(nèi)存,提高效率。

        由圖4可以看出,一個離子平面從面心離子開始,由從里到外的方形離子邊線所組成(邊線和頂角離子除外)。(8)式可化為

        圖4 氯化鈉嵌套結(jié)構(gòu)第4級晶體一個側(cè)面的離子分布規(guī)律

        其中,第1項是6個面心離子的貢獻(xiàn),第2項是平面其他離子的貢獻(xiàn)。用此式計算平面離子貢獻(xiàn)的效率更高。

        4 埃夫琴法的馬德隆常數(shù)

        平面離子電荷有1/2在晶體里面,邊線離子電荷有1/4在晶體里面,頂點離子電荷有1/8在晶體里面,埃夫琴法的馬德隆常數(shù)為

        這種方法只考慮內(nèi)部離子和內(nèi)表面離子對馬德隆常數(shù)的貢獻(xiàn),因此,埃夫琴法又可稱為內(nèi)埃夫琴法。利用(7)式,上式可化為

        可見:晶體平面離子有1/2在晶體外面,邊線離子電荷有3/4在外面,頂點離子電荷有7/8在外面。這是外埃夫琴法的公式。外表面離子對馬德隆常數(shù)的影響或負(fù)面貢獻(xiàn)可當(dāng)作表面效應(yīng),外埃夫琴法就是通過消除表面效應(yīng)計算馬德隆常數(shù)的方法,是對累加法的直接修正。將晶胞嵌入法和外埃夫琴法相結(jié)合,形成晶胞嵌入-外埃夫琴法。

        注意:外埃夫琴法是由內(nèi)埃夫琴法推導(dǎo)出來的,兩種方法的計算結(jié)果是相同的,但是,外埃夫琴法說明了表面效應(yīng)的存在,也為編程計算帶來了極大的便利。

        5 計算結(jié)果

        采用MATLAB設(shè)計程序,根據(jù)表面離子對馬德隆常數(shù)的貢獻(xiàn)和遞推公式,可以用向量和迭代算法計算累加法的各級馬德隆常數(shù)αn,再根據(jù)外埃夫琴法公式計算埃夫琴法的各級馬德隆常數(shù)βn。

        對于三維氯化鈉結(jié)構(gòu),αn和βn隨n的變化如圖5所示。αn隨n的增加呈現(xiàn)鋸齒形減幅波動,奇數(shù)項的αn大于極限值,偶數(shù)項的αn小于極限值,但是幅度的減小量很小,說明累加法收斂很慢。鋸齒形波動的原因是隨著n的增加,兩種不同表面會交替出現(xiàn),不同表面的離子對馬德隆常數(shù)的貢獻(xiàn)是不同的。βn隨n的增加也呈現(xiàn)很微小的鋸齒形減幅波動,其中,奇數(shù)項的βn較小,偶數(shù)項的βn較大。β1到β2的增加幅度很大,當(dāng)n>2時,βn隨n的增加波動很小,說明埃夫琴法更快地趨近于極限α。當(dāng)n=10時,βn=1.747 6,精確到小數(shù)點后面3位。

        圖5 三維氯化鈉離子晶體的各級馬德隆常數(shù)

        奇數(shù)和偶數(shù)分別表示晶體的兩類不同表面,隨著n的增加,兩種表面交替出現(xiàn),取平均值可減少累加法馬德隆常數(shù)的波動。作為平均效果的馬德隆常數(shù)為

        通過分析數(shù)值可以發(fā)現(xiàn):βn也有很小的波動,這也是因為不同的表面造成的。為了求多位精確值,最好取平均值

        最后一個數(shù)字是不可靠數(shù)字。與各種文獻(xiàn)提供的值相比,本文計算的數(shù)值要精確得多。采用MATLAB計算小數(shù)點后面12位精確數(shù)字,花費時間不到1 s。

        6 結(jié)論

        本文通過三維氯化鈉結(jié)構(gòu)說明了晶胞嵌入-外埃夫琴法。離子晶體至少存在兩種互嵌晶胞,通過晶胞嵌套形成晶體,這就是晶體的嵌套結(jié)構(gòu)。某級晶體包裹著低一級的晶體,又被高一級的晶體所包裹。根據(jù)晶體表面離子的分布規(guī)律,就能建立馬德隆常數(shù)的累加法的遞推公式,進(jìn)而用埃夫琴法計算馬德隆常數(shù)。晶胞嵌入-外埃夫琴法的基本步驟是

        表1 三維氯化鈉結(jié)構(gòu)的埃夫琴法的各級馬德隆常數(shù)

        (1)選擇互嵌晶胞;

        (2)確定參考離子和中心晶胞;

        (3)用晶胞嵌入法形成多級晶體和嵌套結(jié)構(gòu);

        (4)歸納晶體表面離子的分布規(guī)律,說明晶體的電性;

        (5)推導(dǎo)累加法的馬德隆常數(shù)的遞推公式;

        (6)分析表面離子的貢獻(xiàn),推導(dǎo)外埃夫琴法的馬德隆常數(shù)的公式;

        (7)設(shè)計MATLAB程序,計算繪圖;

        (8)分析數(shù)據(jù),說明結(jié)果。

        晶胞嵌入-外埃夫琴法具有通用性,對于更加復(fù)雜的離子晶體,例如鈣鈦礦結(jié)構(gòu)等,也能研究其各級嵌套結(jié)構(gòu),計算各級馬德隆常數(shù)。

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