楊歡歡

摘 要：檢索是專利實(shí)質(zhì)審查過(guò)程中的一個(gè)關(guān)鍵步驟，檢索的結(jié)果直接影響后續(xù)審查的質(zhì)量。本文通過(guò)結(jié)合專利審查工作中的實(shí)際案例來(lái)說(shuō)明如何挖掘?qū)＠暾?qǐng)文件信息，準(zhǔn)確提取關(guān)鍵詞，構(gòu)建檢索式，獲得有效的對(duì)比文件，從而實(shí)現(xiàn)高效檢索的檢索策略。

關(guān)鍵詞：檢索策略;高效檢索

中圖分類號(hào)：G306 ? ?文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A? ?文章編號(hào)：1003-5168（2021）21-0142-03

Talking about the Search Strategy in Patent Examination

YANG Huanhuan

（Patent Examination Cooperation Center of the Patent Office， CNIPA， Guangzhou Guangdong 510555）

Abstract： Searching is a key step in the process of patent substantive examination， and the result of search directly affects the quality of subsequent examination. This article combined with the actual cases in patent examination work to explain how to mine patent application document information， extract keywords accurately， construct search formulas， and obtain effective comparative documents， thereby realizing efficient search strategies.

Keywords： search strategy; efficient search

1 引言

檢索是發(fā)明專利申請(qǐng)實(shí)質(zhì)審查程序中的一個(gè)關(guān)鍵步驟[1]。對(duì)發(fā)明進(jìn)行檢索，其中一個(gè)主要目的是要找出評(píng)價(jià)發(fā)明的技術(shù)方案是否具備新穎性或創(chuàng)造性的對(duì)比文件，檢索的結(jié)果直接影響后續(xù)審查的質(zhì)量。常規(guī)檢索主要是采用分類號(hào)和關(guān)鍵詞的組合檢索，而各種檢索策略、檢索技巧的運(yùn)用有助于提高檢索效率。本文通過(guò)專利審查工作中的幾個(gè)案例來(lái)說(shuō)明如何挖掘?qū)＠暾?qǐng)文件信息，準(zhǔn)確提取關(guān)鍵詞，構(gòu)建檢索式，獲得有效的對(duì)比文件，以實(shí)現(xiàn)高效檢索。

2 挖掘申請(qǐng)文件內(nèi)容，實(shí)現(xiàn)高效檢索

2.1 采用發(fā)明構(gòu)思關(guān)鍵手段進(jìn)行檢索

案例1：一種穩(wěn)壓電路（如圖1所示）

權(quán)利要求：1.一種穩(wěn)壓電路，其特征在于，包括：雙極型晶體管Q1、雙極型晶體管Q2、雙極型晶體管Q3;PMOS晶體管M30、PMOS晶體管M31、PMOS晶體管M32、PMOS晶體管M33;NMOS晶體管M40、NMOS晶體管M41;電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R41;運(yùn)算放大器A1，緩沖器B1、緩沖器B2;電容Cc。

其中，PMOS晶體管M30、PMOS晶體管M31、PMOS晶體管M32、PMOS晶體管M33的源極連接電源VDD端，PMOS晶體管M30的柵極分別連接PMOS晶體管M31、PMOS晶體管M32、PMOS晶體管M33的柵極;PMOS晶體管M30的漏極分別連接雙極型晶體管Q1的發(fā)射極和電阻R1的一端，電阻R1的另一端分別連接電阻R2的一端和緩沖器B1的輸入端，緩沖器B1的輸出端連接雙極型晶體管Q1、雙極型晶體管Q2的基極;電阻R2的另一端和雙極型晶體管Q1的集電極接地。

PMOS晶體管M31的漏極分別連接雙極型晶體管Q2的發(fā)射極和運(yùn)算放大器A1的反相輸入端，雙極型晶體管Q2的集電極接地;運(yùn)算放大器A1的輸出端連接PMOS晶體管M31的柵極;運(yùn)算放大器A1的正相輸入端連接NMOS晶體管M41的柵極。

NMOS晶體管M40的漏極連接PMOS晶體管M32的柵極;NMOS晶體管M40的柵極分別連接電阻R41的一端和NMOS晶體管M41的漏極，NMOS晶體管M40的源極接地;PMOS晶體管M32的漏極連接雙極型晶體管Q3的發(fā)射極，雙極型晶體管Q3的基極連接緩沖器B2的輸出端，雙極型晶體管Q3的集電極接地;電阻R41的一端連接電源VDD端，另一端連接NMOS晶體管M41的漏極;NMOS晶體管M41的源極接地。

電容Cc的一端連接電源VDD端，另一端連接PMOS晶體管M33的柵極;PMOS晶體管M33的源極連接電源VDD端，漏極連接電阻R3的一端，并作為穩(wěn)壓電路的輸出端;電阻R3的另一端連接緩沖器B2的輸入端和電阻R4的一端，電阻R4的另一端接地。

說(shuō)明書：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)勢(shì)：

1.本發(fā)明采用了低輸出阻抗單位增益緩沖器輸入至雙極型晶體管的基極，提高了輸出電壓的整體穩(wěn)定性，并且其輸出電壓與環(huán)境溫度無(wú)關(guān)。

2.本發(fā)明采用的運(yùn)算放大器的輸出隨電源電壓紋波變化，從而使輸出電流維持不變，使基準(zhǔn)輸出保持恒定值，這種設(shè)計(jì)電路結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單，而且能夠在高頻段也具有較高的PSRR。

【案例分析】該案權(quán)利要求記載的是電路的具體結(jié)構(gòu)，主要包括晶體管、電阻、電容、放大器等元件，采用這些元件構(gòu)建檢索式進(jìn)行檢索，檢索結(jié)果文獻(xiàn)量大且噪聲大，很難有效命中對(duì)比文件。通過(guò)閱讀說(shuō)明書“本發(fā)明采用了低輸出阻抗單位增益緩沖器輸入至雙極型晶體管的基極，提高了輸出電壓的整體穩(wěn)定性，并且其輸出電壓與環(huán)境溫度無(wú)關(guān)。”可知，本案發(fā)明構(gòu)思為：采用低輸出阻抗單位增益緩沖器輸入至雙極型晶體管的基極來(lái)提高輸出電壓的整體穩(wěn)定性;因此，采用“低輸出阻抗單位增益緩沖器”作為關(guān)鍵詞在CNABS庫(kù)中進(jìn)行檢索，檢索式為“低輸出阻抗單位增益緩沖器”，通過(guò)該檢索式即可獲得評(píng)述本案權(quán)利要求1—5新穎性的對(duì)比文件：CN106652881A。