蘇步升,呂立明
(中國(guó)工程物理研究院電子工程研究所,四川 綿陽(yáng) 621999)
近年來(lái),封裝技術(shù)的功能一體化,體積小型化趨勢(shì)發(fā)展迅速,同時(shí)對(duì)封裝產(chǎn)品的穩(wěn)定性與可靠性提出了高標(biāo)準(zhǔn)、嚴(yán)要求。軍用射頻SiP產(chǎn)品有著小批量、高價(jià)值、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、工作環(huán)境極端等特點(diǎn)。而射頻SiP產(chǎn)品由于自身結(jié)構(gòu)特點(diǎn):置球徑小、密度高、置球間距小、數(shù)目多,無(wú)underfill,置球應(yīng)力更集中,因此,比普通的SiP電子器件追求更高的可靠性與穩(wěn)定性。
SiP產(chǎn)品的失效符合木桶效應(yīng),大多是由于SiP內(nèi)可靠性最薄弱器件,引線,或置球的失效直接導(dǎo)致的。從長(zhǎng)期來(lái)看,SiP產(chǎn)品在服役過(guò)程中受到周期載荷或隨機(jī)載荷的作用,逐漸積累損傷導(dǎo)致失效,其中可靠性最薄弱的層間BGA置球陣列的失效是直接原因。文獻(xiàn)[1]中田野等人的研究指出了熱循環(huán)載荷下BGA陣列的薄弱點(diǎn)關(guān)鍵置球是最外側(cè)邊角處置球。徐幸等人的研究表明,由于熱膨脹系數(shù)的不匹配,關(guān)鍵位置置球與焊盤(pán)界面外緣處應(yīng)力最大,是置球中最易損傷的薄弱點(diǎn)。引起置球失效的載荷中有55%來(lái)自熱載荷。在熱循環(huán)載荷的長(zhǎng)時(shí)間作用下,置球發(fā)生蠕變應(yīng)變等,產(chǎn)生缺陷損傷累加效應(yīng),導(dǎo)致裂紋等缺陷愈演愈烈,從而疲勞失效。在失效物理學(xué)領(lǐng)域有多種研究置球裂紋生長(zhǎng)規(guī)律的方法。近年來(lái),Darveaux提出的基于應(yīng)變能的疲勞壽命公式被廣泛認(rèn)可,它將裂紋擴(kuò)展速率使用應(yīng)變能及其他參數(shù)表示,將裂紋貫穿置球直徑作為置球失效標(biāo)準(zhǔn)。文獻(xiàn)[4]中邵陳?;贒arveaux壽命公式,使用有限元方法研究了置球?qū)Νh(huán)境溫度載荷以及熱源載荷的響應(yīng),并計(jì)算了疲勞壽命值。文獻(xiàn)[5]中TM.Alghoul深入研究了置球的蠕變失效物理機(jī)制,表明置球通過(guò)蠕變致使裂紋擴(kuò)展進(jìn)而失效的過(guò)程存在三個(gè)階段:(1)裂紋萌生階段;(2)裂紋線性擴(kuò)展階段;(3)裂紋加速擴(kuò)展階段。同時(shí)指出置球疲勞壽命跟裂紋的三個(gè)階段有很大關(guān)系。
本文基于置球裂紋演化的載荷響應(yīng),分析了SiP中薄弱點(diǎn)置球球體裂紋尺寸與裂紋尖端響應(yīng)的關(guān)系,進(jìn)一步計(jì)算預(yù)測(cè)球體裂紋的壽命,進(jìn)而預(yù)測(cè)SiP器件疲勞壽命可靠性。
SiP是集成多個(gè)功能芯片器件在一個(gè)封裝內(nèi),包括處理器、存儲(chǔ)器等器件。結(jié)構(gòu)上使用同層并排、多層堆疊的方式實(shí)現(xiàn)芯片高度集成。有提高封裝效率、降低系統(tǒng)成本、減小物理尺寸、增強(qiáng)電性能、降低功耗等多重優(yōu)勢(shì)。層間植入BGA(Ball Grid Array)來(lái)支撐物理結(jié)構(gòu),并起到傳遞短延遲、高保真、低噪聲信號(hào)的功能。據(jù)Electronics Academy Webinar公布,由于置球失效(占比46.69%)而導(dǎo)致的電子產(chǎn)品失效概率最大,一定程度上置球的可靠性即保證了SiP的可靠性,BGA中的置球成為SiP中可靠性的薄弱點(diǎn)(圖1)。
圖1 SiP截面示意圖
置球失效有多種原因,包括疲勞、脆性斷裂、塑性變形和蠕變等。其中由于周期性的載荷導(dǎo)致的裂紋擴(kuò)展疲勞失效是最主要的失效形式。置球中裂紋的產(chǎn)生有多種原因,在SiP產(chǎn)品生產(chǎn)階段,包括制作工藝過(guò)程中升溫淬火等殘余的氣泡內(nèi)部裂紋;熱載荷加持下高應(yīng)力集中區(qū)域影響產(chǎn)生裂紋;置球與上下基板之間熱膨脹系數(shù)的差異導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)應(yīng)力產(chǎn)生裂紋等。裂紋的擴(kuò)展原因,大多的是在SiP產(chǎn)品的服役階段,由于溫度等載荷循環(huán)加載,置球的應(yīng)力分布響應(yīng)也呈周期性,進(jìn)而導(dǎo)致裂紋等缺陷的惡化。
置球裂紋按位置及擴(kuò)展方向一般劃分為兩種類(lèi)型,頭部裂紋和球體裂紋。頭部裂紋位于置球與上焊盤(pán)連接處附近水平擴(kuò)展,這是服役過(guò)程中由于CTE不匹配常出現(xiàn)的裂紋。球體裂紋位于置球內(nèi)部,一般沿置球直徑45度方向擴(kuò)展,這是生產(chǎn)階段常見(jiàn)殘留的短裂紋,且后續(xù)擴(kuò)展為球體裂紋危害極大。圖2展示了置球兩種裂紋的截面簡(jiǎn)圖。左圖的兩條黑色線段從上到下分別表示頭部裂紋以及球體裂紋,右圖展示裂紋頭部的形狀。
圖2 置球頭部裂紋與球體裂紋(左)裂紋尖端俯視圖(右)
關(guān)于置球裂紋擴(kuò)展導(dǎo)致的疲勞失效最大壽命的眾多研究中,Darveaux提出的基于能量的疲勞壽命模型被廣泛用于預(yù)測(cè)BGA和CSP的置球疲勞壽命。模型描述了兩段壽命,其中N0描述裂紋萌生時(shí)的壽命值,另一段為從裂紋萌生至裂紋斷裂的壽命值,模型采用置球直徑a與裂紋擴(kuò)展速率da/dN的比值表示。
經(jīng)過(guò)大量壽命實(shí)驗(yàn)統(tǒng)計(jì)繪制的壽命曲線如圖3所示,置球裂紋失效過(guò)程存在三個(gè)階段:(1)裂紋萌生階段;(2)裂紋線性擴(kuò)展階段;(3)裂紋加速擴(kuò)展階段。在第二和第三階段之間存在一個(gè)非線性轉(zhuǎn)折,即裂紋從某一長(zhǎng)度Nx加速擴(kuò)展導(dǎo)致置球失效。使用Darveaux模型估計(jì)的壽命循環(huán)數(shù)在統(tǒng)計(jì)大多數(shù)器件壽命時(shí)的可靠性會(huì)稍微偏低一些。這是由于大多使用模型預(yù)測(cè)的壽命使用的是置球與焊盤(pán)連接處的直徑,而一旦出現(xiàn)球體裂紋,對(duì)壽命的可靠性影響就非常大。
圖3 實(shí)際壽命與裂紋長(zhǎng)度關(guān)系曲線
本章將模擬裂紋演化擴(kuò)展過(guò)程中的熱載荷響應(yīng),來(lái)分析球體裂紋尺寸與疲勞壽命的關(guān)系。首先,對(duì)SiP中的單層組件建模仿真,找出關(guān)鍵置球,根據(jù)文獻(xiàn)[1],關(guān)鍵置球位于邊角位置,即靠近外側(cè)的置球所受應(yīng)力響應(yīng)最大,最有可能先出現(xiàn)失效。然后對(duì)此關(guān)鍵位置單個(gè)置球進(jìn)行子模型分析,并植入球體裂紋,設(shè)置每種裂紋類(lèi)型尺寸做為變量,通過(guò)改變裂紋尺寸來(lái)做多組仿真實(shí)驗(yàn),得到對(duì)應(yīng)裂紋尖端應(yīng)力及應(yīng)變能密度響應(yīng)。
對(duì)SiP器件內(nèi)單層置球陣列進(jìn)行對(duì)稱(chēng)1/4建模,如圖4所示,3行3列置球陣列置于下基板上,置球陣列上方由下至上分別為焊盤(pán)、BT基板、芯片、塑性外殼,結(jié)構(gòu)幾何參數(shù)如表1所示。
表1 SiP單層組件幾何參數(shù)
圖4 SiP單層置球陣列建模
置球使用Sn63Pb37釬料,并設(shè)置如表2所示的Anand本構(gòu)模型參數(shù)來(lái)描述置球的粘塑性力學(xué)行為。設(shè)置各組件材料參數(shù),對(duì)置球使用多域切分有限元網(wǎng)格,在1/4分界面添加對(duì)稱(chēng)約束,底部中心對(duì)稱(chēng)點(diǎn)添加全約束。隨后子模型分析中對(duì)圖4中最外側(cè)邊角處置球分離,建立如圖5所示的球體裂紋模型,插入切割邊界位移響應(yīng)后進(jìn)行單獨(dú)分析。
表2 Sn63Pb37的Anand參數(shù)
圖5 單置球子模型植入裂紋剖面圖
基于IPC-9701文件中CT4熱循環(huán)條件施加熱載荷。起始零應(yīng)力溫度設(shè)置為25℃,溫度變化階段升溫降溫速率為0.2℃/s,溫度保持階段持續(xù)900s。單個(gè)循環(huán)周期為3600s,由于溫度載荷加載多個(gè)循環(huán)過(guò)程中,置球的應(yīng)力應(yīng)變能等呈周期性變化,且?guī)讉€(gè)循環(huán)后熱響應(yīng)值會(huì)趨于穩(wěn)定,因此本文共加載計(jì)算三個(gè)熱循環(huán)10800s,溫度范圍為-55~125℃,在三個(gè)熱循環(huán)結(jié)束后回到初始室溫25℃,其溫度載荷與加載時(shí)間的變化曲線如圖6所示。
圖6 熱循環(huán)載荷設(shè)置
首先對(duì)單層SiP的置球陣列加3個(gè)溫度循環(huán)載荷找出關(guān)鍵置球,跟文獻(xiàn)[6]的仿真結(jié)果一致,關(guān)鍵置球位于陣列的最外側(cè)邊角處,然后使用子模型分析法對(duì)關(guān)鍵置球植入圓弧形球體裂紋建模。圖7和圖8展示了裂紋尺寸為0.02mm和0.13mm時(shí)的熱響應(yīng)von-mise應(yīng)力云圖。
圖7 裂紋尺寸為0.02mm時(shí)的mise應(yīng)力分布圖
圖8 裂紋尺寸為0.13mm時(shí)的mise應(yīng)力分布圖
仿真結(jié)果得出:
在裂紋尺寸較短時(shí),最大應(yīng)力值響應(yīng)仍出現(xiàn)在置球與頭部焊盤(pán)或IMC之間連接處附近,如裂紋為0.02mm時(shí)最大應(yīng)力響應(yīng)為25.779MPa,而此時(shí)裂紋尖端的應(yīng)力響應(yīng)值較小一些。
當(dāng)裂紋尺寸逐漸增加,置球的最大應(yīng)力點(diǎn)從頭部連接處附近轉(zhuǎn)移至裂紋尖端,如裂紋為0.13mm時(shí)最大應(yīng)力響應(yīng)為28.531MPa。圖9展示了裂紋尺寸為0.02mm和0.13mm時(shí),裂紋尖端附近的應(yīng)力分布。長(zhǎng)尺寸裂紋尖端附近高應(yīng)力響應(yīng)密度更大,說(shuō)明了裂紋尖端存在應(yīng)力集中,裂紋尺寸越長(zhǎng)應(yīng)力就越集中。同時(shí)也會(huì)導(dǎo)致置球其他位置的應(yīng)力響應(yīng)更小。
圖9 不同尺寸裂紋尖端附近應(yīng)力響應(yīng)
隨著裂紋尺寸的增加,裂紋尖端應(yīng)力響應(yīng)及平均黏塑性能量密度變化趨勢(shì)如圖10、圖11所示。
圖10中,置球內(nèi)部裂紋尖端的應(yīng)力響應(yīng)值隨著裂紋尺寸先呈線性增長(zhǎng)趨勢(shì),這對(duì)應(yīng)了裂紋的線性增長(zhǎng)階段。當(dāng)繼續(xù)增大裂紋尺寸,置球裂紋尖端應(yīng)力響應(yīng)值不再線性增長(zhǎng),而是突然大幅增加后保持水平。表明此時(shí)裂紋尖端最大應(yīng)力響應(yīng)值接近于設(shè)置的材料強(qiáng)度極限參數(shù),此時(shí)認(rèn)為置球失效的可能性將加大,可靠性降低。
圖10 不同裂紋尺寸的裂紋尖端應(yīng)力響應(yīng)
圖11中,置球內(nèi)部球體裂紋尖端的應(yīng)變能密度響應(yīng)值分三個(gè)階段。
圖11 不同裂紋尺寸的裂紋尖端應(yīng)變能響應(yīng)
小幅線性增長(zhǎng)階段:此時(shí),裂紋尖端應(yīng)變能密度幅值不高且呈線性增長(zhǎng),對(duì)應(yīng)了置球的最大應(yīng)力響應(yīng)點(diǎn)位于頭部而不是裂紋尖端。裂紋尖端累積應(yīng)變能密度小幅增長(zhǎng)。
穩(wěn)定階段:此時(shí),裂紋尖端應(yīng)變能密度幅值基本穩(wěn)定。根據(jù)Darveaux疲勞公式理論,此時(shí)的裂紋尺寸增長(zhǎng)率恒定,并正比于單個(gè)循環(huán)內(nèi)的平均應(yīng)變能密度。
大幅非線性增長(zhǎng)階段:此時(shí),裂紋尖端應(yīng)變能密度幅值有較大的階躍性,對(duì)應(yīng)的應(yīng)力響應(yīng)也有較大的變動(dòng)。裂紋尺寸增長(zhǎng)率也增加,對(duì)應(yīng)于疲勞曲線的不穩(wěn)定階段。
由仿真結(jié)果得出,裂紋尺寸在Nx=0.25mm左右的熱載荷響應(yīng)發(fā)生跳躍。根據(jù)此裂紋特征斷裂長(zhǎng)度,使用文獻(xiàn)[6]的常系數(shù)如表3所示,基于Darveaux疲勞模型計(jì)算,計(jì)算時(shí)要注意mm與inch,psi和MPa的單位轉(zhuǎn)換。
表3 Darveaux中K1~4常數(shù)數(shù)值
經(jīng)計(jì)算預(yù)測(cè)置球總壽命為783個(gè)循環(huán),比文獻(xiàn)[6]中使用頭部裂紋直徑作為特征長(zhǎng)度的預(yù)測(cè)壽命縮減了19.77%。
(1)置球球體裂紋尺寸較小時(shí),裂紋尖端的應(yīng)力響應(yīng)小于置球頭部與焊盤(pán)連接處附近的應(yīng)力響應(yīng)。隨著裂紋尺寸的增加,裂紋尖端的應(yīng)力響應(yīng)呈線性增加,并在超過(guò)頭部附近的應(yīng)力響應(yīng)后,最大應(yīng)力響應(yīng)點(diǎn)從置球頭部附近與轉(zhuǎn)移到了裂紋尖端。
(2)隨著裂紋尺寸的增加,置球裂紋尖端附近區(qū)域內(nèi)的高應(yīng)力分布更加密集,其他低應(yīng)力區(qū)域變大,整個(gè)置球的應(yīng)力分布更加集中在裂紋尖端。
(3)隨著裂紋尺寸的增加,大約在過(guò)半徑大小后,裂紋尖端應(yīng)力響應(yīng)出現(xiàn)從線性增長(zhǎng)變?yōu)榉蔷€性變化的轉(zhuǎn)折點(diǎn),此后維持穩(wěn)定。基于轉(zhuǎn)折點(diǎn)尺寸做為特征斷裂長(zhǎng)度計(jì)算Sn63Pb37置球的Darveaux的疲勞壽命比使用頭部裂紋長(zhǎng)度做為失效標(biāo)準(zhǔn)要短20%左右。