陳偉琪, 肖定邦, 蒲金飛,2, 李 凱, 毛善國
(1.國防科技大學(xué) 智能科學(xué)學(xué)院,湖南 長沙 410073; 2.唐智科技湖南發(fā)展有限公司,湖南 長沙 410007;3.湖南天羿領(lǐng)航科技有限公司,湖南 長沙 410100)
工業(yè)過程狀態(tài)監(jiān)測常通過振動數(shù)據(jù)對機械的運行狀態(tài)進行檢測,其振動信號的獲取多采用振動傳感器。隨著微機電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical system,MEMS)技術(shù)的發(fā)展,具有靈敏度高、體積小、易集成、可批量加工等優(yōu)勢的MEMS電容式振動傳感器,已經(jīng)成為MEMS振動傳感器領(lǐng)域的主流應(yīng)用。
應(yīng)用于工業(yè)過程狀態(tài)監(jiān)測的MEMS振動傳感器要求具有高量程、寬振動帶寬、小尺寸、良好的環(huán)境溫度適應(yīng)性以及抗干擾和接口防護能力。而現(xiàn)有的MEMS振動傳感器產(chǎn)品[1]很難滿足以上所有的應(yīng)用需求。國內(nèi)外已有諸多MEMS電容式振動傳感器研究成果[2~4]提到,通過優(yōu)化傳感器差分電容結(jié)構(gòu)和電容檢測電路可以減小寄生電容影響、提高機械靈敏度和零偏穩(wěn)定性能。一種雙差動扭擺式MEMS加速度計[5,6]利用反相對稱激勵電壓進行驅(qū)動,再采用調(diào)制解調(diào)技術(shù)將差分電容敏感的振動信號調(diào)制到髙頻段,然后經(jīng)過電荷放大器轉(zhuǎn)換為與之成線性的加速度電壓信號,有效避免低頻噪聲的干擾,減小了 MEMS 器件與電路結(jié)合處寄生電容的影響,同時可以使溫度造成加速度計輸出的緩慢漂移得到抑制,提高溫度穩(wěn)定性。
本文依據(jù)實際的應(yīng)用需求,基于蝶翼式MEMS差分電容敏感結(jié)構(gòu),對MEMS振動傳感器信號檢測電路進行優(yōu)化設(shè)計。
MEMS電容檢測電路原理按對電容變化檢測方式主要有檢測電容的電流、電容兩端的電壓、電容存儲的電荷以及電容構(gòu)成的振蕩諧振頻率等4種,其中,電荷檢測基于電荷的轉(zhuǎn)移原理(電荷存儲、電荷轉(zhuǎn)換),其對寄生電容不敏感,且有多種電荷檢測電路形式,研究應(yīng)用較多。
蝶翼式MEMS振動傳感器信號檢測電路主要由反相對稱激勵、蝶翼式MEMS振動敏感結(jié)構(gòu)、C/V模塊和接口電路模塊組成,其原理框圖見圖1。
圖1 信號檢測電路原理框圖
檢測電路原理是:通過微控單元(micro-controller unit,MCU)產(chǎn)生頻率和幅度相同、相位相反的兩路對稱激勵信號vm。將反相對稱激勵信號vm施加于蝶翼式MEMS振動敏感結(jié)構(gòu)的固定極板,當物理環(huán)境的振動激起MEMS振動敏感結(jié)構(gòu)(差分電容對)的可動極板與固定極板之間產(chǎn)生微弱的電容變化輸出,其輸出攜帶有隨振動加速度變化的載波調(diào)制信號iAM,其等效電荷量正比于振動加速度大小,頻率等于反相對稱激勵信號vm頻率。已調(diào)制信號VAM再經(jīng)過C/V模塊中的電荷放大、濾波電路處理,將等效電荷轉(zhuǎn)換、放大成電壓信號vq,并通過開關(guān)同步相敏解調(diào)技術(shù)去除載波信息和濾除噪聲,提取出與振動加速度成正比的直流電壓va。最后,通過接口電路轉(zhuǎn)換為對應(yīng)采集系統(tǒng)接口要求的電壓vo或電流信號io輸出。其中,為減小環(huán)境溫度對MEMS振動傳感器輸出的影響,將獲取的片內(nèi)溫度傳感器信號及解調(diào)輸出后的電壓信號實時反饋至MCU,MCU通過全溫區(qū)補償算法進行零偏補償和標度因數(shù)修正,實現(xiàn)振動加速度信號準確的敏感和輸出。
C/V模塊在雙載波調(diào)制解調(diào)電容檢測技術(shù)[7~10]基礎(chǔ)上優(yōu)化設(shè)計,其輸入的調(diào)制信號iAM經(jīng)過電荷放大器、開關(guān)同步相敏解調(diào)電路輸出與加速度呈線性的電壓va,其電路設(shè)計框圖見圖2。
圖2 C/V模塊電路設(shè)計框圖
基于電荷轉(zhuǎn)移的原理,已調(diào)制信號iAM可以等效為一個與差分電容變化量ΔC相并聯(lián)的電流信號。其經(jīng)過電荷放大器電容深度負反饋形成高增益放大,轉(zhuǎn)換為正比于輸入電流的電壓輸出vq,其輸出電壓主要決定于輸入電荷以及反饋電路參數(shù)Cf,Rf
(1)
當作為電荷放大器的運算放大器增益Av足夠大,信號頻率ω很高時,1/Rf?ωCf,1/Rf可忽略,輸出電為壓vq
(2)
C/V模塊電路的調(diào)制信號采用反相對稱激勵信號激勵差分電容對,其輸出電荷只與差分電容變化量ΔC有關(guān),而與初始電容無關(guān),則電荷放大器輸出信號變化量
(3)
開關(guān)同步相敏解調(diào)電路利用與已調(diào)制信號同頻的載波信號控制開關(guān)通斷進行信號解調(diào),數(shù)學(xué)上等同于調(diào)制信號與頻率相同且幅值為±1的方波信號相乘。從電荷放大器輸出的電壓信號vq中解調(diào)出蝶翼式MEMS振動敏感結(jié)構(gòu)的“低頻”振動信號va,其包含高通濾波、開關(guān)解調(diào)和低通濾波差分放大電路。
通過TINA-TI仿真軟件搭建C/V模塊仿真電路見圖3,模擬ΔC為差分電容總變化量為0.19 pF,其仿真結(jié)果見圖4。仿真結(jié)果顯示:已調(diào)制信號微弱10-15A,而經(jīng)過電荷放大后輸出為約100 mV,符合電荷放大器轉(zhuǎn)換系統(tǒng)數(shù)-1/Cf,改變Cf即可方便調(diào)節(jié)電荷放大器的輸出。再經(jīng)過低通濾波差分放大后,得到解調(diào)信號va。圖5模擬了ΔC為差分電容變化頻率為1 kHz時的調(diào)制及解調(diào)輸出。
圖3 C/V轉(zhuǎn)換電路仿真
圖4 C/V轉(zhuǎn)換電路仿真結(jié)果
圖5 模擬輸入為1 kHz的調(diào)制解調(diào)
接口電路是為滿足后級系統(tǒng)采集的匹配要求、環(huán)境適應(yīng)性應(yīng)用要求,設(shè)計了用于直流參考電平調(diào)整和靈敏度放大的零偏及放大電路、電流/電壓選擇電路和接口防護電路。接口電路原理圖見圖6。
圖6 接口電路
其中,零偏及放大電路用于匹配后級采集系統(tǒng)不同的接口要求,通過兩級差分放大電路可靈活的調(diào)整零偏和靈敏度(標度因數(shù)),其電路模型見圖7。
圖7 零偏及放大電路
圖7中,MEMS振動傳感器輸出為Ui(包括直流電平Ei和標度因數(shù)Si),通過零偏及放大信電路輸入到后級檢測系統(tǒng),須接口匹配信號為Uo(包括直流電平Eo和標度因數(shù)So),設(shè)直流電平零偏系數(shù)K和交流放大系數(shù)As,則:
交流放大系數(shù)As
(4)
零偏系數(shù)K
(5)
式(4)、式(5)中,r為MEMS輸出阻抗,G為參考電平。通過此系數(shù)法可靈活地對直流參考電平進行上、下平移,同時對標度因數(shù)進行調(diào)整。如圖8為電平零偏系數(shù)為4,交流放大系數(shù)為5,即直流參考電平從2.5 V平移至10 V,靈敏度為100 mV/gn的仿真結(jié)果。
圖8 零偏及放大電路
接口保護電路形式見圖9。其通過瞬態(tài)抑制二極管、空氣放電管、ESD管、防反接二極管等組合形式,能有效防止現(xiàn)場接線錯誤、開關(guān)浪涌脈沖、靜電等引起傳感器故障。
圖9 接口保護電路
MEMS振動傳感器的差分電容敏感結(jié)構(gòu)易受環(huán)境溫度的影響而導(dǎo)致零偏和標度因數(shù)輸出發(fā)生漂移。本電路在蝶翼式差分電容結(jié)構(gòu)自身良好的機械特性基礎(chǔ)上,采用硬件電路和軟件算法綜合構(gòu)建補償模型。其補償模型見圖10。
圖10 零偏及標度因數(shù)補償模型
零偏補償包括硬件電路補償和軟件算法補償,通過蝶翼式差分電容結(jié)構(gòu)的片上補償電容Cb+,Cb-進行零偏初補,再通過MCU讀取溫度傳感器Sensor_Temp實時采集的溫度反饋信號和差分放大器AMP輸出的零偏電壓,通過軟件多項式插值算法逐次迭代計算出各溫度點應(yīng)輸出的補償電壓或控制信號,再通過圖10零偏補償電路進行補償。
蝶翼式差分電容微機械結(jié)構(gòu)標度因數(shù)在各溫度點呈線性,在不同溫度區(qū)間,MCU對應(yīng)的線性調(diào)整反相對稱激勵電壓的幅度即可修正標度因數(shù)。
為了驗證電路的可行性,加工了印刷電路板(printed circuit board,PCB),并依據(jù)設(shè)計參數(shù)搭建檢測電路,采用兩個信號發(fā)生器分別模擬載波和調(diào)制信號,利用微分電路搭建了電荷發(fā)生器,并將信號輸入電荷放大器,其輸入輸出測試如圖11,可見被調(diào)制信號能被較好解調(diào)出來,同頻同相且信號被放大。
圖11 電荷放大器輸入輸出
在正、負電源之間施加浪涌2.5 kVac,其輸入接口保護電路的系統(tǒng)接口端電壓被鉗位在17.2~19.6 V之間,圖9中的V/I接口端電壓被鉗位在7.52~8.40 V,測試結(jié)果見圖12,結(jié)果表明接口保護電路能有效保護電路受開關(guān)浪涌等現(xiàn)場環(huán)境的影響。
圖12 接口浪涌測試
用直流穩(wěn)壓電源和三用表、示波器等構(gòu)建檢測常規(guī)檢測系統(tǒng)。并在不同恒定溫度下的檢測MEMS振動傳感器零偏輸出,經(jīng)測試零偏輸出為10V且穩(wěn)定,見表1。
表1 各溫度下零偏輸出 V
采用B&K 3629校準系統(tǒng)對安裝有檢測電路的蝶翼式振動傳感器樣機進行靈敏度和幅頻響應(yīng)的測試,其校準系統(tǒng)如圖13。
圖13 B&K 3629振動校準系統(tǒng)
設(shè)置B&K 3629校準系統(tǒng)輸出激勵信號為160 Hz,1 Grms定頻正弦測試,檢測電路標度因數(shù)輸出:1#~5#標度因數(shù)分別為100.36,99.92,100.08,99.83 mV/gn。
設(shè)置B&K 3629校準系統(tǒng)輸出5~5 000 Hz頻率,加速度均方值5 Grms的隨機振動激勵,MEMS振動傳感器的幅頻響應(yīng)曲線見圖14。
圖14 幅頻響應(yīng)曲線
經(jīng)測試驗證,本文MEMS振動傳感器信號檢測電路對微弱電容具有較好的檢測放大作用,結(jié)合硬件和軟件補償方法具有良好的溫度補償效果,接口保護電路適應(yīng)性和防護能力強。基于本電路設(shè)計的MEMS振動傳感器滿足工業(yè)過程狀態(tài)監(jiān)測和工業(yè)自動化領(lǐng)域大量程、寬帶寬和嚴苛溫度環(huán)境等條件下的應(yīng)用。