吳笑非,姚建省,王麗麗,董龍沛,武振強(qiáng),沈 濱,楊小薇
(中國(guó)航發(fā)北京航空材料研究院 先進(jìn)高溫結(jié)構(gòu)材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京 100095)
精密鑄造是高溫合金成型的重要手段之一,是制備航空發(fā)動(dòng)機(jī)渦輪葉片的主要方法。而陶瓷型殼技術(shù)亦是精密鑄造過程的關(guān)鍵技術(shù),其技術(shù)水平的高低直接決定渦輪葉片的尺寸精度、冶金質(zhì)量及合格率水平。在渦輪葉片研制過程中,陶瓷型殼將與1500 ℃以上的高溫熔體直接接觸,時(shí)間長(zhǎng)達(dá)數(shù)十分鐘甚至一兩個(gè)小時(shí)。這不但要求型殼具有足夠的高溫強(qiáng)度及尺寸穩(wěn)定性,同時(shí)還要求其具有優(yōu)異的熱化學(xué)穩(wěn)定性[1-3],惡劣的使用環(huán)境對(duì)陶瓷型殼提出了更高的要求。
隨著高溫合金成分設(shè)計(jì)的日趨復(fù)雜,葉片內(nèi)腔結(jié)構(gòu)也由空心逐漸過渡到更加復(fù)雜的雙層壁冷卻結(jié)構(gòu),這對(duì)定向凝固工藝要求更為苛刻,高溫熔體與陶瓷型殼的界面反應(yīng)問題逐漸顯現(xiàn)[4-7],高溫合金與陶瓷材料的相互作用機(jī)制成為渦輪葉片定向凝固的研究熱點(diǎn)之一[8-10]。Dina等[11]研究了CMSX-4單晶合金與陶瓷材料的界面反應(yīng)問題,認(rèn)為合金中的Cr元素在界面反應(yīng)過程中具有重要作用,Cr元素的氧化物通過氣相傳遞的方式摻雜到陶瓷表面,而并非與陶瓷組分發(fā)生氧化還原反應(yīng); Wang等[12]也對(duì)CMSX-4單晶高溫合金的界面反應(yīng)問題進(jìn)行了系統(tǒng)研究,認(rèn)為合金中的Hf,Al,Ti,C等活性元素在界面反應(yīng)中起到了至關(guān)重要的作用,但沒有提到Cr元素對(duì)界面反應(yīng)的影響;李飛等[13]研究了DZ22B高溫合金與陶瓷型殼的界面反應(yīng),認(rèn)為粘砂機(jī)制是以高溫界面反應(yīng)為輔,熱機(jī)械滲透為主,并提出添加一定比例的粘砂抑制劑能夠有效抑制葉片的粘砂缺陷;陳曉燕等[14]研究了Hf對(duì)一種單晶高溫合金與陶瓷材料潤(rùn)濕性及界面反應(yīng)的影響,認(rèn)為Hf元素含量顯著影響合金熔體與陶瓷材料的潤(rùn)濕性,并通過計(jì)算得出Hf與SiO2滿足發(fā)生置換反應(yīng)的熱力學(xué)條件。
IC10合金是以金屬間化合物Ni3Al為基研發(fā)出的高溫合金材料,也是我國(guó)自主研發(fā)的新型高溫材料,合金中含有1.5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同)Hf元素,鑄造性能良好,可進(jìn)行大櫞板、薄壁(0.6 mm)復(fù)雜內(nèi)腔結(jié)構(gòu)導(dǎo)向葉片的整體定向凝固成型[15]。該合金葉片研制過程中,氧化鋁陶瓷型殼材料與IC10合金的界面反應(yīng),是導(dǎo)致渦輪葉片出現(xiàn)表面粘砂、內(nèi)部出現(xiàn)夾雜等問題的主要原因之一。如何控制IC10合金與陶瓷材料的界面反應(yīng),消除界面反應(yīng)的不利影響,是精密鑄造工藝研究人員亟須解決的工程問題之一,而IC10合金與陶瓷型殼的界面反應(yīng)研究鮮見相關(guān)報(bào)道。因此,本研究選取了渦輪葉片研制過程中Al2O3型殼與IC10合金界面反應(yīng)樣本,分析了界面反應(yīng)產(chǎn)物以及反應(yīng)層厚度,探討了界面反應(yīng)機(jī)理,對(duì)控制型殼原材料成分,減少陶瓷型殼與合金熔體的界面反應(yīng),提高葉片質(zhì)量等具有重要的指導(dǎo)意義。
本研究選取的IC10合金是以金屬間化合物Ni3Al為基研發(fā)出的高溫合金材料,也是我國(guó)自主研發(fā)的新型高溫材料,使用溫度在1100 ℃以下。合金的高溫持久性能、抗冷熱疲勞性能較好,高溫下組織穩(wěn)定。合金具有良好的抗氧化和耐腐蝕性能。IC10合金的化學(xué)成分見表1。
表1 IC10合金名義成分(質(zhì)量分?jǐn)?shù)/%)Table 1 Nominal compositions of alloy IC10(mass fraction/%)
實(shí)驗(yàn)選用的陶瓷型殼是以電熔白剛玉粉作為面層材料,硅溶膠作為黏結(jié)劑,并加入一定比例的Al2O3-SiO2-CaO系礦化劑調(diào)節(jié)型殼的室溫、高溫性能。面層材料電熔白剛玉粉主要成分如表2所示,礦化劑的主要成分如表3所示。
表2 電熔白剛玉粉的化學(xué)成分(質(zhì)量分?jǐn)?shù)/%)Table 2 Chemical compositions of the white fused alumina(mass fraction/%)
表3 礦化劑的化學(xué)成分(質(zhì)量分?jǐn)?shù)/%)Table 3 Chemical compositions of the mineralizers(mass fraction/%)
陶瓷型殼采用逐層涂覆工藝制備,涂制層數(shù)為7層,經(jīng)高壓蒸汽脫蠟及900 ℃的焙燒后,在真空定向凝固爐內(nèi)按照IC10合金澆注工藝進(jìn)行澆注、凝固冷卻,澆注溫度為1500 ℃,抽拉速率為3 mm/min。在試板冷卻至室溫后,提取界面反應(yīng)分析試樣。采用配有能譜分析系統(tǒng)(型號(hào)Link ISIS 6498)的FEIQVANT600型掃描電子顯微鏡對(duì)合金與陶瓷型殼的界面反應(yīng)產(chǎn)物的表面、截面進(jìn)行形貌分析;采用能譜分析系統(tǒng)對(duì)試樣的界面反應(yīng)表面、截面進(jìn)行成分分析。
圖1為IC10合金與陶瓷型殼界面反應(yīng)表面的微觀形貌??梢钥闯?,澆注后合金表面由淺色的界面反應(yīng)層及深色裸露的合金基體共同組成。隨著界面反應(yīng)的進(jìn)行,一部分反應(yīng)產(chǎn)物黏附到型殼表面并隨之脫落,一部分與金屬基體結(jié)合,形成如圖1所示的反應(yīng)表面。圖2為裸露的金屬基體表面形貌,由于表面反應(yīng)層的剝落,反應(yīng)層下方的金屬基體呈現(xiàn)出凹凸不平的形態(tài)。由放大圖可以看到界面反應(yīng)層剝落后,留下了類四邊形的金屬表面形貌,同時(shí)還存在尚未完全剝落的反應(yīng)層。圖3為界面反應(yīng)層不同放大倍數(shù)的形貌照片,可以看出,反應(yīng)層將金屬基體完全覆蓋,反應(yīng)層表面并不光滑,局部存在凸起及孔洞。由圖3還可以看出反應(yīng)層存在球狀及溝壑狀兩類反應(yīng)產(chǎn)物,同時(shí)局部有裂紋產(chǎn)生,裂紋是導(dǎo)致反應(yīng)層剝落的主要原因。
圖1 IC10合金與陶瓷型殼的界面反應(yīng)表面Fig.1 Interface reaction surface between IC10 alloy and ceramic mold
圖2 反應(yīng)層剝落后的基體形貌Fig.2 Matrix morphologies after peeling off reaction layer
圖3 界面反應(yīng)層形貌Fig.3 Morphologies of interfacial reaction layer
對(duì)圖2中反應(yīng)層剝落后的金屬表面進(jìn)行了能譜分析,由區(qū)域1能譜分析(見圖4(a))結(jié)果可以看出,反應(yīng)層剝落后,并未直接裸露出合金材料,而是一層富(Al,Ta,Nb)氧化物層,其中Al的氧化物占反應(yīng)產(chǎn)物的80%以上。由區(qū)域2的能譜分析(見圖4(b))結(jié)果可以看出,界面反應(yīng)層局部剝落并不徹底,有的區(qū)域存在反應(yīng)層的殘留。對(duì)圖3中反應(yīng)產(chǎn)物表面進(jìn)行了能譜分析,由區(qū)域3界面反應(yīng)層“溝壑狀”反應(yīng)產(chǎn)物的能譜分析(見圖4(c))結(jié)果可以看出,界面反應(yīng)產(chǎn)物為富(Hf,Nb)的氧化物,合金中的Hf,Nb等元素與型殼面層材料Al2O3接觸時(shí),易發(fā)生氧化還原反應(yīng)。在氧化初始階段,活性元素與型殼材料接觸,奪取型殼中的氧元素,在合金表面形成保護(hù)性的HfO2氧化物膜。隨著界面反應(yīng)的進(jìn)行,氧化物在氧化膜-金屬界面處生成并在氧化膜中逐漸產(chǎn)生應(yīng)力[16],由于合金元素氧化過程中伴隨著體積增大,反應(yīng)層達(dá)到一定厚度后會(huì)產(chǎn)生裂紋并開裂,發(fā)生“失穩(wěn)”線性氧化?;钚栽豀f的存在促進(jìn)氧化膜形成時(shí)氧化反應(yīng)的進(jìn)行,Nb元素氧化體積增大幅度顯著高于Hf元素,Nb的氧化是導(dǎo)致氧化膜開裂的主要原因。由區(qū)域4球形反應(yīng)產(chǎn)物的能譜分析(見圖4(d))可以看出,球狀反應(yīng)產(chǎn)物的主要成分為富(Fe,Si)的化合物,同時(shí)含有少量的Nb,Hf,Cr等元素。合金基體中的Fe一般是均勻分布的,而型殼中的Fe2O3往往是不均勻的,會(huì)出現(xiàn)局部富集,可以判斷富(Fe,Si)的化合物為型殼中Fe2O3,SiO2等元素與金屬元素發(fā)生置換反應(yīng),逐漸滲透至型殼界面反應(yīng)層內(nèi)部,形成球形的反應(yīng)物。
圖4 不同區(qū)域能譜分析結(jié)果(a)區(qū)域1;(b)區(qū)域2;(c)區(qū)域3;(d)區(qū)域4Fig.4 EDS analysis results in different regions(a)region 1;(b)region 2;(c)region 3;(d)region 4
圖5為IC10合金與陶瓷型殼的界面反應(yīng)截面微觀形貌。由圖5可以看出,界面反應(yīng)的進(jìn)行并非均衡發(fā)展,部分區(qū)域呈現(xiàn)出斷斷續(xù)續(xù)反應(yīng)層,而部分區(qū)域則呈現(xiàn)出平直連續(xù)的反應(yīng)層。界面反應(yīng)層進(jìn)一步放大可以看出,界面反應(yīng)層與合金基體并非緊密地結(jié)合在一起,而是存在一定的剝離情況。圖5標(biāo)示區(qū)域能譜分析結(jié)果如表4所示,截面外層反應(yīng)產(chǎn)物(區(qū)域5)的主要成分為Hf,O兩種元素,由原子分?jǐn)?shù)可計(jì)算得知界面反應(yīng)產(chǎn)物為HfO2。因?yàn)镠f元素氧化過程中,存在一定的體積膨脹,隨著反應(yīng)層厚度的增加,持續(xù)膨脹的HfO2反應(yīng)層出現(xiàn)開裂、剝落的情況。從圖5還可以看出,除最外層的HfO2反應(yīng)層外,HfO2層與金屬基體之間還存在很小的一層氧化層(區(qū)域6和區(qū)域7),能譜分析結(jié)果表明,該反應(yīng)層為(Al,Ta,Nb)的氧化物區(qū),同時(shí)還有少量(Ni,Al)的氧化物區(qū)。Al,Ta,Nb等元素在1500 ℃以上高溫與緩慢抽拉的特定條件下逐漸向反應(yīng)界面聚集,形成尖角狀、塊狀的富集物區(qū)域。這與反應(yīng)表面觀察到的外層反應(yīng)層剝落區(qū)域的反應(yīng)產(chǎn)物成分是一致的。反應(yīng)截面的形貌及能譜分析結(jié)果表明,IC10合金與型殼界面反應(yīng)產(chǎn)物呈現(xiàn)出雙氧化層,外層為HfO2反應(yīng)層,內(nèi)層為富(Al,Ta,Nb)氧化物層,并伴隨少量(Ni,Al)的氧化物,反應(yīng)層平均厚度一般為5~8 μm。
圖5 IC10合金與陶瓷型殼的界面反應(yīng)截面(a)不連續(xù)反應(yīng)層;(b)連續(xù)反應(yīng)層Fig.5 Cross-section of interface reaction between alloy IC10 and ceramic mold(a)discontinuous reaction layer;(b)continuous reaction layer
表4 圖5中標(biāo)注區(qū)域的能譜分析結(jié)果(質(zhì)量分?jǐn)?shù)/%)Table 4 EDS analysis results of the marked regions in fig.5 (mass fraction/%)
2.2.1 界面反應(yīng)的氧化行為
合金元素與陶瓷型殼發(fā)生界面反應(yīng),歸根到底還是合金元素奪取陶瓷材料中的氧元素,發(fā)生氧化還原反應(yīng)的過程。圖6給出了合金元素被氧化的簡(jiǎn)化模型。由圖6可以看出,界面反應(yīng)初始階段,合金元素與型殼接觸,生成界面反應(yīng)層。其中,固態(tài)反應(yīng)產(chǎn)物MO必定將兩種反應(yīng)物隔離開來。對(duì)IC10合金而言,初始形成的反應(yīng)產(chǎn)物應(yīng)該是HfO2,HfO2反應(yīng)層會(huì)在合金表面形成一層保護(hù)性的氧化物膜。如果反應(yīng)想要繼續(xù)發(fā)生,需要反應(yīng)物穿過界面反應(yīng)層,二者繼續(xù)接觸才能使反應(yīng)進(jìn)行下去。因此,反應(yīng)物通過界面反應(yīng)層的傳輸機(jī)制是界面反應(yīng)機(jī)理的重要組成部分,合金組元在反應(yīng)層中的擴(kuò)散能力是影響界面反應(yīng)程度的重要因素。
圖6 合金元素氧化的簡(jiǎn)化模型Fig.6 Simplified model for oxidation of alloying elements
金屬的氧化過程必然帶來體積膨脹,隨著反應(yīng)的進(jìn)行,應(yīng)力增大到一定程度,反應(yīng)層產(chǎn)生剪切斷裂,導(dǎo)致反應(yīng)層逐漸與金屬基體剝離。反應(yīng)層對(duì)金屬基體的應(yīng)力水平可能與Pilling-Bedworth比(Pilling-Bedworth ratio,PBR)有關(guān)[16-17]:
PBR=VOX/VM
(1)
式中:VOX為氧化時(shí)所生成的金屬氧化膜體積;VM為生成氧化膜所消耗的金屬的體積。當(dāng)PBR值大于1時(shí)(大多數(shù)金屬屬于此類),則認(rèn)為該元素的氧化物能夠形成保護(hù)性氧化膜;反之,則不能形成保護(hù)性氧化膜[16]。一些常見氧化物的PBR值如表5所示。由表5可以看出,HfO2反應(yīng)產(chǎn)物的PBR值為1.47,而Nb2O5反應(yīng)產(chǎn)物的PBR值則為2.68。PBR值越大,界面反應(yīng)層厚度增加越明顯,界面反應(yīng)過程對(duì)基體產(chǎn)生的壓應(yīng)力越大。IC10合金發(fā)生界面反應(yīng)的初始階段,由于Hf元素氧化的體積效應(yīng)較小,在合金表面形成一層保護(hù)性的氧化物膜,隨著Nb元素參與到氧化反應(yīng)中,合金元素界面反應(yīng)的體積效應(yīng)顯著增大,最終導(dǎo)致表面反應(yīng)層的開裂與剝落。
表5 常見金屬氧化物的P-B比Table 5 PBR of common metal oxides
2.2.2 界面反應(yīng)熱力學(xué)分析
由能譜分析結(jié)果可以看出,IC10合金與陶瓷型殼發(fā)生了氧化還原反應(yīng),生成一定量的HfO2和(Al,Ta,Nb)O產(chǎn)物。在高溫合金精密鑄造過程中,發(fā)生界面反應(yīng)時(shí)氧的來源只可能有3個(gè):合金材料基體、型殼面層材料或者真空定向凝固爐內(nèi)的氣氛。一般IC10合金的氧含量少于0.004%,澆注過程中定向凝固爐內(nèi)的真空度控制在10-1Pa以下,氧分壓很低,而且界面反應(yīng)產(chǎn)物僅出現(xiàn)在合金/型殼的接觸面,合金內(nèi)部未發(fā)現(xiàn)氧化物。因此可以斷定,氧化反應(yīng)中的氧來源于陶瓷型殼基體。
表6為IC10合金中的活性元素與型殼材料可能發(fā)生的界面反應(yīng)的吉布斯自由能計(jì)算結(jié)果[18]。根據(jù)熱力學(xué)計(jì)算可知,合金中的Al,Hf等活性元素可以與型殼材料中的SiO2發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成Al2O3,HfO2的反應(yīng)層。由于IC10合金中含有1.5%左右的Hf元素,Hf元素反應(yīng)活性高于Al元素,合金與陶瓷型殼接觸的過程中優(yōu)先發(fā)生反應(yīng),因此在反應(yīng)界面上形成的主要反應(yīng)產(chǎn)物為HfO2。由于型殼面層的氧化鋁及礦化劑中含有一定的雜質(zhì)如Fe2O3,合金中的Al,Nb等可以在高溫下奪取Fe2O3中的氧,形成富Al,Nb的氧化物,同時(shí)反應(yīng)過程伴有抗氧化元素Ta的析出。隨著界面反應(yīng)的進(jìn)行,IC10合金中的Hf,Al會(huì)有一定的消耗,尤其是在反應(yīng)界面上。隨著反應(yīng)層厚度的增加以及反應(yīng)界面處活性元素濃度的降低,后續(xù)反應(yīng)也受到了一定的阻礙和抑制??梢灶A(yù)測(cè),隨著合金中活性元素含量的增加,或者型殼材料中雜質(zhì)元素含量的增加,界面反應(yīng)的程度會(huì)隨之增大。界面反應(yīng)的直接后果是使葉片的表面質(zhì)量大幅度降低,為后續(xù)葉片表面處理增加負(fù)擔(dān),同時(shí)也易產(chǎn)生表面夾雜缺陷。
表6 界面反應(yīng)的吉布斯自由能計(jì)算結(jié)果[18]Table 6 Calculation results of Gibbs free energy of interface reactions[18]
(1)Al2O3型殼與IC10合金發(fā)生界面反應(yīng),合金表面粘砂嚴(yán)重;反應(yīng)產(chǎn)物主要有HfO2和(Al,Ta,Nb)的氧化物。
(2)界面反應(yīng)層厚度約5~8 μm,反應(yīng)區(qū)分成內(nèi)、外兩層,外層為HfO2反應(yīng)層,內(nèi)層為富(Al,Ta,Nb)氧化物層,Al含量占80%。
(3)Hf,Al是IC10合金與Al2O3型殼界面反應(yīng)的主導(dǎo)元素。