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        二次等溫?zé)峥s聚改性對g-C3N4光催化劑性能的影響

        2021-06-26 07:36:46段麗媛李國強(qiáng)張舒婷王宏宇趙永樂張永發(fā)
        化工進(jìn)展 2021年6期
        關(guān)鍵詞:光生光催化劑光催化

        段麗媛,李國強(qiáng),張舒婷,王宏宇,趙永樂,張永發(fā)

        (1太原理工大學(xué)省部共建煤基能源清潔高效利用國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,山西太原030024;2太原理工大學(xué)煤科學(xué)與技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,山西太原030024)

        近年來,g-C3N4作為一種無金屬、廉價(jià)、易得的半導(dǎo)體光催化劑[1],具有合適的帶隙寬度、可見光利用率高、獨(dú)特的石墨平面層狀結(jié)構(gòu),在降解有機(jī)化學(xué)污染物、大氣凈化、光解水產(chǎn)氫等方面都有很好的應(yīng)用[2-5],是一種綠色、清潔、高效的新型光催化劑,已引起了各界的廣泛關(guān)注。目前,制備g-C3N4的主要前體為三聚氰胺、尿素、氰胺、二氰胺、硫脲等[6-10],同時(shí)人們也對NH4SCN熱解制g-C3N4光催化劑性能及通過形態(tài)修飾、元素?fù)诫s、構(gòu)建異質(zhì)結(jié)[14-16]改性開展了研究。

        Cui等[11]將硫氰酸銨在氨氣氣氛下高溫?zé)峤獾玫搅硕嗫譯-C3N4,所得樣品在可見光照射下表現(xiàn)出較高的產(chǎn)氫活性和穩(wěn)定性。Zhang和Larsen等[12-13]具體研究了NH4SCN在熱解過程中的結(jié)構(gòu)變化,隨著熱解溫度的提高,NH4SCN先進(jìn)行異構(gòu)化,依次形成熔融中間體二氰胺、三聚氰胺,脫氫縮聚形成具有三嗪環(huán)結(jié)構(gòu)的melem以及melam,繼續(xù)脫去氨基片段生成光催化劑g-C3N4,在此過程中會產(chǎn)生H2S、NH3、CS2等氣體,且不同熱解條件會對g-C3N4結(jié)構(gòu)產(chǎn)生重要影響。Cui等[17]以硫氰酸銨與納米二氧化硅直接熱聚合,得到納米多孔g-C3N4,利于光收集和傳質(zhì)以及氧化還原位點(diǎn)的增加。Zhang等[18]采用醋酸鎂存在下NH4SCN高溫自縮合法制備了MgO/g-C3N4,改善載流子分離效果,提高了催化活性。Chai等[19]通過NH4SCN與NH4PF6直接熱共縮聚法得到P摻雜的g-C3N4,導(dǎo)致光吸收增強(qiáng)。但NH4SCN直接熱聚合制得的g-C3N4仍存在晶體結(jié)構(gòu)聚合度低、催化劑表面團(tuán)聚結(jié)構(gòu)明顯、比表面及孔容積小、穩(wěn)定的π-共軛體系使光生電子-空穴在平面層內(nèi)隨機(jī)碰撞、不利于在層間遷移、載流子復(fù)合率高等問題,限制了其在各領(lǐng)域的應(yīng)用?;谝陨细男匝芯浚型ㄟ^簡便的改性方式,同時(shí)對g-C3N4表面形貌結(jié)構(gòu)和電荷轉(zhuǎn)移速率進(jìn)行改善,增強(qiáng)g-C3N4的光催化性能。

        因此,本文對NH4SCN熱解所得g-C3N4進(jìn)行了二次等溫?zé)峥s聚處理,旨在給g-C3N4表面提供豐富的孔洞缺陷結(jié)構(gòu),分散表面活性位點(diǎn),改變電荷轉(zhuǎn)移路徑,優(yōu)化電荷分布,利于其在表面及體相中遷移,并提高其對有機(jī)染料RhB的降解效果。同時(shí),NH4SCN是我國焦化脫硫的副產(chǎn)物,其大量堆積,是難處理的固體廢棄物[20-21]。

        1 材料和方法

        1.1 藥品與試劑

        硫氰酸銨(NH4SCN)、羅丹明B均購自上海阿拉丁生物化學(xué)技術(shù)有限公司。所用試劑均未進(jìn)一步提純。實(shí)驗(yàn)過程中使用的水為去離子水。

        1.2 分析測試儀器

        采用丹東方圓儀器有限公司DX-2700型X射線衍射儀,掃描速度為8°/min,掃描范圍為5°~70°。FTIR分析采用Vertex 70傅里葉變換紅外光譜儀,透射譜波長范圍為400~4000cm-1。采用3H-2000PS2型靜態(tài)容量法比表面及孔徑分析儀測定樣品的比表面積、平均孔徑、孔容積。采用Tescan Mira 3型高分辨率場發(fā)射掃描電子顯微鏡觀測樣品的微觀形貌。采用日本jem 2100透射電子顯微鏡進(jìn)行透射電子顯微鏡(TEM)表征。采用有機(jī)元素分析儀Elementar對樣品中的C、H、N、S元素進(jìn)行定量測定,利用差減法得到O元素含量。采用Thermo ESCALAB 250 XiX射線光電子能譜儀獲得樣品中的C、N、S以及O元素的化學(xué)表面價(jià)電子結(jié)構(gòu)。PL光譜采用島津RF-6000型熒光分光光度計(jì),激發(fā)波長為400nm,熒光光譜測定范圍為400~700nm。紫外-可見分光光度計(jì)(U-3900)測定了樣品的紫外可見漫反射光譜(DRS),掃描范圍為200~800nm。并使用Kubelka-Munk函數(shù)將反射數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為吸收光譜。

        1.3 催化劑的制備

        將10g硫氰酸銨(NH4SCN)置于高溫裂解爐中的剛玉坩堝中,于氬氣氣氛下以3℃/min的速率由室溫升溫至500℃,恒溫3h、4h,得到黃色塊狀樣品,研磨成粉,分別命名為CN-3h、CN-4h。取0.8g上述CN-3h樣品,均勻地鋪在石英舟上,在管式加熱爐中從室溫加熱到500℃,升溫速率為3℃/min,在氮?dú)鈿夥罩泻銣?h、2h、3h、4h,得到的樣品分別命名為CN-3h-1h、CN-3h-2h、CN-3h-3h、CN-3h-4h。

        1.4 催化劑活性評價(jià)

        通過樣品CN-3h、CN-4h、CN-3h-1h、CN-3h-2h、CN-3h-3h、CN-3h-4h對RhB水溶液(25mg/L)的降解速率來評價(jià)光催化劑的光催化性能。光源為300W氙燈(北京泊菲萊科技有限公司PLS-SXE300),帶有420nm截止濾光片。在室溫條件下進(jìn)行了光催化降解實(shí)驗(yàn)。將0.2g催化劑樣品放入200mL反應(yīng)液中,暗處理50min使體系達(dá)到吸附-脫附平衡,光照90min,每隔10min取反應(yīng)液6.0mL。采用北京中儀匯豐科技有限公司HC-3018高速臺式離心機(jī)(10000r/min,5min)離心分離反應(yīng)液,取上層清液。紫外/可見分光光度計(jì)(上海美析儀器有限公司UV-1500)測定其吸光度,并進(jìn)行相應(yīng)濃度轉(zhuǎn)換,測定波長為553nm。根據(jù)RhB溶液的初始吸光度和不同光照時(shí)間后的RhB反應(yīng)液吸光度,在可見光照射下對RhB的光降解可由式(1)計(jì)算。

        式中,R為光降解率,%;C為反應(yīng)t時(shí)間后RhB溶液的濃度,mg/L;C0為RhB溶液的初始濃度,mg/L。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 催化劑樣品結(jié)構(gòu)

        2.1.1 催化劑的FTIR分析

        圖2為 樣 品CN-3h、CN-4h、CN-3h-1h、CN-3h-4h的傅里葉變紅外光譜(FTIR)圖。如圖所示,所有樣品具有相似的吸收峰位置,二次等溫?zé)峥s聚方式對樣品的結(jié)構(gòu)沒有造成明顯影響。位于810cm-1的吸收峰歸屬于三嗪環(huán)的彎曲振動的特征吸收(B1);位于1100~1700cm-1的吸收峰,歸屬于C—N和C==N雜環(huán)伸縮振動(B2);位于3000~3700cm-1的吸收峰,對應(yīng)于未縮合氨基中殘留的N—H和來自吸附水分子中的—OH鍵的振動信號(B3)[22-24]。與CN-3h樣品相比,CN-4h樣品在B1、B2處峰值更弱,但CN-3h-1h峰值較強(qiáng),說明二次等溫?zé)峥s聚方式更利于構(gòu)建穩(wěn)定的三嗪環(huán)特征結(jié)構(gòu)。且增加二次熱縮聚處理時(shí)間至4h,樣品CN-3h-4h在B1、B2處的峰值增強(qiáng),提高了催化劑聚合度,使樣品晶體結(jié)構(gòu)中層與層之間排列緊密,縮短了光生電荷遷移至催化劑表面的距離。圖中樣品CN-3h-4h的B3吸收峰出現(xiàn)較大凹型,表明樣品—NH—、—NH2和—OH基團(tuán)結(jié)構(gòu)多,O2吸附位點(diǎn)增加[25],有利于二次熱縮聚樣品在反應(yīng)過程中產(chǎn)生更多的活性超氧自由基。

        圖2 樣品CN-3h、CN-4h、CN-3h-1h和CN-3h-4h的FTIR圖

        2.1.2 催化劑的XRD分析

        采用X射線衍射儀對所制備的樣品晶相結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征。圖3中各樣品均出現(xiàn)位于13.3°和27.6°處的衍射峰,分別屬于連續(xù)七嗪骨架的平面內(nèi)重復(fù)單元(100)和共軛芳香結(jié)構(gòu)的堆積(002)[26-28],g-C3N4基本結(jié)構(gòu)形成。CN-3h、CN-4h、CN-3h-1h的(002)晶面的峰位置分別為27.3°、27.6°、27.6°,呈現(xiàn)出右移趨勢,向高2θ方向移動,表明二次等溫?zé)峥s聚使樣品層間距減小。此外,與CN-3h、CN-4h相比,CN-3h-1h、CN-3h-4h樣品(100)峰強(qiáng)度逐漸降低至幾乎消失,(002)晶面衍射峰型則更加平緩[29],可歸因于二次等溫?zé)峥s聚后結(jié)晶度降低,催化劑樣品表面產(chǎn)生大量缺陷結(jié)構(gòu),增加了反應(yīng)活性中心位點(diǎn)。

        圖3 樣品CN-3h、CN-4h、CN-3h-1h和CN-3h-4h的XRD圖

        2.1.3 催化劑的BET分析

        圖4為樣品的N2吸附-脫附等溫線及BJH孔徑分布曲線,所有樣品的吸附解析曲線均屬于Ⅳ型(BDDT分類)等溫線并具有H3型滯后回環(huán),樣品孔徑分布在4nm左右,存在有序介孔[30-33]。如表1所示,催化劑樣品CN-3h、CN-4h、CN-3h-1h和CN-3h-4h的比表面積依次為12.95m2/g、13.40m2/g、15.42m2/g、29.83m2/g,孔容積依次為0.072mL/g、0.071mL/g、0.094mL/g、0.334mL/g。所有樣品均屬于介孔結(jié)構(gòu),主要集中在4nm處,屬于小孔隙結(jié)構(gòu)。催化劑CN-3h-4h在孔徑10~50nm范圍內(nèi)的分布含量明顯高于其他樣品,且存在中孔隙結(jié)構(gòu)。樣品CN-4h與CN-3h相比,比表面積和孔容積無明顯變化;而樣品CN-3h-1h與CN-3h相比,比表面積和孔容積分別增加了1.19倍和1.3倍,說明二次等溫?zé)峥s聚方式比直接增加熱聚合恒溫時(shí)間更利于增加光催化劑的比表面積及孔容積。增加二次熱縮聚的處理時(shí)間,樣品CN-3h-4h與CN-3h-1h相比,比表面積和孔容積分別增加了1.9倍和3.5倍,說明二次等溫?zé)峋酆咸幚頃r(shí)間對調(diào)控光催化劑的比表面積和孔容積有顯著效果。擁有更大的孔隙體積和比表面積使光催化劑吸附性能增強(qiáng),進(jìn)而促進(jìn)反應(yīng)過程中活性自由基在催化劑表面的快速生成并反應(yīng)。光催化劑比表面積及孔容積、高孔隙率是影響光催化效果的重要因素,可通過增加二次熱縮聚的處理時(shí)間,進(jìn)行有效調(diào)控。

        圖4 樣品CN-3h、CN-4h、CN-3h-1h、CN-3h-4h的氮吸附-脫附等溫線(嵌入圖為BJH孔隙大小分布曲線)

        表1 CN-3h、CN-4h、CN-3h-1h和CN-3h-4h樣品的比表面積、孔容積、平均孔徑和RhB降解率

        2.1.4 催化劑的SEM/TEM分析

        通過掃描電鏡(SEM)得到所有樣品表面形貌,如圖5所示,清楚地展現(xiàn)了二次等溫?zé)峥s聚對催化劑樣品表面形貌的影響。CN-3h樣品表面存在大量塊狀堆積、團(tuán)聚。增加直接熱聚合的反應(yīng)時(shí)間1h,CN-4h樣品表面結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)出凹凸有致的連續(xù)片狀堆疊特點(diǎn),而通過增加二次等溫?zé)峥s聚反應(yīng)時(shí)間1h,CN-3h-1h樣品顯示出有序的疏松彎曲的細(xì)長片結(jié)構(gòu),錯落排布且片層上有孔洞分布。當(dāng)繼續(xù)增加二次熱縮聚反應(yīng)時(shí)間至4h時(shí),CN-3h-4h樣品表面出現(xiàn)了大量明顯的蜂窩狀孔結(jié)構(gòu),且表面粒子尺寸變小、孔容積增大,如圖6中樣品CN-3h-4h的TEM圖像進(jìn)一步證實(shí)了密集的孔狀結(jié)構(gòu)均勻地形成在薄片層上。因此,二次熱縮聚方式可對催化劑形貌結(jié)構(gòu)進(jìn)行有效設(shè)計(jì)。這是由于二次等溫?zé)峥s聚方式使氣體與催化劑表面充分接觸,經(jīng)過高溫持續(xù)熱膨脹[34-35],破環(huán)了其原來團(tuán)聚、堆積的表面結(jié)構(gòu),構(gòu)建了蓬松、交錯、多孔的表面形貌特征,且其對光的折射效果增強(qiáng),使更多的入射光到達(dá)催化劑表面及體相,可見光響應(yīng)能力增強(qiáng)。

        圖5 不同處理?xiàng)l件得到的樣品的SEM圖

        圖6 樣品CN-3h-4h的TEM圖

        如圖7所示,與樣品CN-3h相比,CN-3h-4h中C、N兩種元素在催化劑表面分布更加密集均勻,增加了反應(yīng)活性位的空間分布密度。同時(shí),CN-3h-4h表面C元素暴露更多,N元素則更多存在于孔隙缺陷結(jié)構(gòu)中[36],這對光生電荷產(chǎn)生一定的吸引捕獲,且待降解物質(zhì)更易附著在催化劑缺陷空位處,利于表面催化反應(yīng)速率的提高。通過上述分析可知,二次等溫?zé)峥s聚方式成功地合成了蜂窩孔洞薄納米片層結(jié)構(gòu)的g-C3N4,對催化劑表面形貌的優(yōu)化,有利于催化活性的提高。

        圖7 樣品CN-3h和CN-3h-4h的SEMmapping圖

        2.1.5 催化劑的XPS譜圖分析及有機(jī)元素分析(EA)利用XPS譜圖和對催化劑結(jié)構(gòu)中C、N元素所處環(huán)境進(jìn)行定性分析,并通過元素分析(EA)定量分析催化劑表面C/N原子比。其中N 1s的XPS譜圖可以擬合為3個明顯的特征峰,分別為C—N==C(398.5eV)、N—(C)3(399.8eV)和C—N—H(401eV)的峰[37][圖8(a)]。由XPS擬合結(jié)果可知,二次等溫?zé)峥s聚后,催化劑樣品C—N==C/N—(C)3含量之比由CN-3h的6.09分別減小至CN-3h-1h的4.81和CN-3h-4h的5.27,三嗪環(huán)結(jié)構(gòu)單元中明顯出現(xiàn)部分N結(jié)構(gòu)位缺失,且N缺陷主要在邊緣三嗪環(huán)結(jié)構(gòu)單元中的C—N==C位置上。催化劑體相中的孔隙結(jié)構(gòu)中N缺陷空位可以吸引、捕獲光生電子[38],光生電子與吸附氧生成超氧自由基,形成新的表面反應(yīng)活性位。如表2所示,C—NH中N元素與總N含量相比,數(shù)值由10%減至7%,結(jié)構(gòu)中孤對電子含量減少,N原子周圍電子密度降低。C 1s的高分辨率XPS峰可分為3個峰,分別為N—C==N(288.0eV,來自三嗪sp2雜化C)、C—C(284.6eV,來自石墨碳物種)和C—NH(286.2eV,來自C邊緣碎片)[39],如圖8(b)所示。其中N—C==N/C—C含量之比由3.29%增至3.53%,表明樣品體系中石墨碳物種減少。CN-3h與CN-4h、CN-3h-4h相比,C—NHx含量由1.7%增加至3.2%、2%,邊緣結(jié)構(gòu)碎片增多。體系中穩(wěn)定的π-共軛體系破壞,光生電荷傳輸通道改變,利于光生電荷在層間移動,減少在層內(nèi)隨機(jī)遷移復(fù)合概率。

        表2 CN-3h、CN-4h、CN-3h-1h和CN-3h-4h催化劑表面C、N組成

        圖8 樣品CN-3h、CN-4h、CN-3h-1h和CN-3h-4h的XPS分析譜圖

        如圖9(a)所示,樣品CN-3h、CN-4h、CN-3h-1h及CN-3h-4h的C/N比分別為0.673、0.664、0.686、0.687,數(shù)值先減小后增大。如圖9(b)所示,所有樣品中均含有C、H、O、N及微量的S元素,C元素含量增加,N元素含量減少,H元素含量先增大后減小,O元素含量先減小后增大,且說明二次熱縮聚方式可促進(jìn)催化劑樣品中C/N的增加,缺陷N空位的產(chǎn)生使催化劑體相內(nèi)環(huán)境呈缺電子、帶正電趨勢,削弱了光生電子-空穴的復(fù)合消耗,結(jié)果與XPS分析結(jié)果一致。PL熒光光譜也證實(shí)了更低的光生載流子復(fù)合率。

        圖9 樣品CN-3h、CN-4h、CN-3h-1h和CN-3h-4h的元素含量分析圖

        2.2 催化劑的光學(xué)性質(zhì)

        2.2.1 催化劑的紫外-可見漫反射光譜分析

        用紫外-可見漫反射光譜分析了樣品的光學(xué)性能,如圖10(a)所示。所有樣品的吸收光譜均在可見光區(qū)約450~460nm處呈現(xiàn)出波長突變[40-41],CN-4h與CN-3h相比,吸收邊帶出現(xiàn)藍(lán)移,但其余樣品均相對于CN-3h出現(xiàn)吸收邊帶紅移趨勢,二次熱縮聚方法使樣品具有更強(qiáng)的可見光吸收能力,激發(fā)更多光生電子-空穴對成對出現(xiàn),是樣品光催化活性的基礎(chǔ)。

        圖1 樣品CN-3h、CN-4h、CN-3h-1h、CN-3h-4h的制備示意圖

        此外,光催化劑的帶隙(Eg)可由式(2)估算得到。

        式中,A、h、v、Eg分別代表吸光度、普朗克常數(shù)、光子頻率、帶隙[42-43]。以hv為橫坐標(biāo),(Ahv)2為縱坐標(biāo)作圖。切線與x軸相交值,即為樣品帶隙值,如圖10(b)所示。樣品CN-3h、CN-4h、CN-3h-1h帶隙寬度分別約為2.77eV、2.79eV、2.80eV,增加第二次熱縮聚處理方式的時(shí)間,帶隙寬度依舊增加,CN-3h-4h帶隙寬度增加至

        圖10 樣品CN-3h、CN-4h、CN-3h-1h及CN-3h-4h的紫外-可見漫反射光譜圖和能帶帶隙圖

        2.81eV。

        催化劑材料的價(jià)帶和導(dǎo)帶可分別通過式(3)和式(4)計(jì)算。

        2.2.2 催化劑的PL光譜分析

        光生電子-空穴對的分離和傳遞效率是決定半導(dǎo)體催化劑催化效果的關(guān)鍵因素。采用PL熒光光譜法對樣品CN-3h、CN-4h、CN-3h-1h、CN-3h-4h的光生電子-空穴分離效率進(jìn)行了評價(jià),測定其光學(xué)性質(zhì),光致發(fā)光強(qiáng)度越低,說明光致電子空穴對的復(fù)合能力越弱[47-49]。如圖12所示,所有樣品在400nm的激發(fā)光源下光致發(fā)光,發(fā)射范圍在400~700nm,其強(qiáng)度順序?yàn)镃N-3h>CN-4h>CN-3h-1h>CN-3h-4h。與CN-3h相比,CN-3h-1h熒光光譜峰值下降幅度遠(yuǎn)大于CN-4h,說明單純增加熱聚合時(shí)間無法使載流子復(fù)合率明顯降低。而采用二次等溫?zé)峥s聚方式可有效降低載流子復(fù)合率,這可歸因于引入N結(jié)構(gòu)空位和構(gòu)建薄層孔缺陷結(jié)構(gòu)對電荷遷移路徑的改善。增加二次熱縮聚處理時(shí)間,樣品CN-3h-4h熒光光譜峰值強(qiáng)度繼續(xù)降低,有助于光催化反應(yīng)速率進(jìn)一步提高。

        圖12 樣品CN-3h、CN-4h、CN-3h-1h和CN-3h-4h的PL熒光光譜圖

        2.3 催化劑的活性評價(jià)

        通過可見光照射下在水溶液中RhB(25mg/L)的降解效果(C/C0),評價(jià)了樣品的光催化性能。樣品的RhB降解曲線如圖13(a)、(b)所示,經(jīng)過二次等溫?zé)峥s聚后,樣品對RhB反應(yīng)液吸附降解性能提高了10%,這與樣品比表面積及孔容積增大有關(guān),與BET表征結(jié)果一致。樣品在420nm可見光照射90min后,對羅丹明B溶液降解率排序?yàn)镃N-3h<CN-4h<CN-3h-1h<CN-3h-3h<CN-3h-4h<CN-3h-2h,其中CN-3h-2h、CN-3h-3h及CN-3h-4h的降解效果均達(dá)到90%以上,分別為99%、97%、98%。突出說明了二次等溫?zé)峥s聚方法對光催化劑樣品進(jìn)行處理的優(yōu)越性。根據(jù)一階反應(yīng)動力學(xué)方程ln(C0/C)=kt,確定了反應(yīng)速率常數(shù)k[50-52]。所有樣品的動力學(xué)方程曲線均線性關(guān)系良好,說明光催化降解RhB反應(yīng)為一級動力學(xué)反應(yīng)[53],如圖13(c)、(d)所示。樣品光催化降解RhB反應(yīng)速率常數(shù)k值 排 序 為CN-3h<CN-4h<CN-3h-1h<CN-3h-3h<CN-3h-4h<CN-3h-2h,經(jīng)過二次熱縮聚方式,樣品CN-3h-2h、CN-3h-3h及CN-3h-4h比CN-3h分別提高了5.5倍、4.8倍、5.2倍,光催化反應(yīng)速率提升明顯,其良好的光催化性能應(yīng)歸功于其強(qiáng)烈的可見光響應(yīng)能力、抑制光生載流子復(fù)合、吸附容量。

        圖13 樣品CN-3h、CN-4h、CN-3h-1h、CN-3h-2h、CN-3h-3h和CN-3h-4h在可見光照射下光催化活性評價(jià)圖

        樣品CN-3h直接增加熱聚合恒溫時(shí)間1h后得到CN-4h,降解率僅提高了16%,而CN-3h采用二次等溫?zé)峥s聚方式處理1h后得到CN-3h-1h,降解率提高了29%。表明二次等溫?zé)峥s聚方式更有利于有機(jī)污染物羅丹明B降解率的提高。結(jié)合表征結(jié)果分析,其降解速率提高的原因在于明顯降低的光生電子-空穴復(fù)合率,N空位的存在、π-共軛體系的破壞及層間距的縮短,共同改變了電荷遷移路徑,這是光催化劑催化效果提升的基礎(chǔ)。增加二次等溫?zé)峥s聚處理時(shí)間至4h,樣品CN-3h-4h與CN-3h-1h相比,降解率提高了27%,在此過程中,對催化劑表面的修飾起到關(guān)鍵作用,N空位的蜂窩孔洞薄片層結(jié)構(gòu)在催化劑表面形成電子捕獲位;另外,增加二次等溫?zé)峋酆咸幚頃r(shí)間使—NH—、—NH2等氨基基團(tuán)明顯增多,吸附氧含量增加[54],強(qiáng)氧化性的超氧自由基生成速率加快,同時(shí)激發(fā)更多光生空穴(h+)參與反應(yīng),催化效果增強(qiáng)。綜上所述,樣品CN-3h-4h與CN-3h相比,降解率提高了56%,說明在降低光生電子-空穴復(fù)合率的基礎(chǔ)上,改變催化劑表面結(jié)構(gòu),使反應(yīng)活性基團(tuán)快速參與反應(yīng),可有效改善光催化效果。載流子復(fù)合率與催化劑表面結(jié)構(gòu)可協(xié)同促進(jìn)光催化反應(yīng)性能,需綜合考慮。二次等溫?zé)峋酆戏绞?,可同時(shí)設(shè)計(jì)g-C3N4表面形貌,構(gòu)建N空位和表面缺陷位來抑制光生載流子復(fù)合率的方法,具有廣泛應(yīng)用前景。

        2.4 催化劑的自由基捕獲機(jī)理

        圖14 樣品CN-3h-4h的電子捕獲實(shí)驗(yàn)中羅丹明B的降解率

        3 結(jié)論

        本文開發(fā)了一種簡單的二次等溫?zé)峥s聚改性g-C3N4的方法。二次等溫?zé)峥s聚改性NH4SCN所制得g-C3N4的紅外光譜中810cm-1處峰強(qiáng)度明顯增強(qiáng),結(jié)構(gòu)聚合度增強(qiáng),3000~3700cm-1范圍處出現(xiàn)明顯凹陷,大量—NH—、—NH2和—OH基團(tuán)產(chǎn)生,XRD譜圖中(002)峰位置由27.3向右偏移至27.6,樣品層間距縮小,峰位置的下移也顯示了催化劑缺陷結(jié)構(gòu)產(chǎn)生,且XPS分析中C—N==C/N—(C)3含量之比由6.09減小至4.81,邊緣三嗪環(huán)結(jié)構(gòu)單元中C—N==C位置上N元素缺失也證實(shí)了這一點(diǎn)。SEM/TEM顯示二次等溫?zé)峥s聚可對樣品表面形貌進(jìn)行調(diào)控,由塊狀堆積轉(zhuǎn)變?yōu)榉涓C孔洞薄片層結(jié)構(gòu),同時(shí)使比表面積和孔容積分別增加了2.3倍和4.7倍,上述結(jié)構(gòu)的改變使樣品光學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。UV-vis DRS顯示樣品帶隙寬度最高拓寬至2.81eV,導(dǎo)帶位置更負(fù),為-1.185eV,價(jià)帶位置更正,為+1.625eV,光生電子-空穴具有更強(qiáng)的氧化還原能力。PL熒光光譜顯示了明顯降低的光生載流子復(fù)合率,更多的光生電荷由催化劑體相遷移至體表參與反應(yīng),載流子利用率提高。動力學(xué)計(jì)算表明,光催化反應(yīng)速率常數(shù)由0.006提高到0.031,反應(yīng)速率提高了5.2倍,在420nm的可見光下照射90min,對羅丹明B的降解率由42%提高到98%。二次等溫?zé)峥s聚處理法是開發(fā)低成本、高活性的綠色g-C3N4光催化劑的新方法,也為大量危廢脫硫廢液中主要鹽NH4SCN的處理提供了新思路。

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