溫林潔,張麗楠,周宗熠,李運剛,楊海麗
(華北理工大學(xué)冶金與能源學(xué)院,現(xiàn)代冶金技術(shù)教育部重點實驗室,河北唐山063210)
Ni‐Co 合金具有良好的延展性、軟磁性,被廣泛應(yīng)用于各種磁性器件領(lǐng)域[1]。但仍存在硬度較低、高溫穩(wěn)定性較差等問題,限制了其更廣泛的應(yīng)用[2]。W 及其合金具有良好的摩擦性能、硬度和高溫穩(wěn)定性[3]。在鎳基合金中加入W 元素可以有效地提高其硬度和高溫穩(wěn)定性[4]。電沉積法具有操作簡便、設(shè)備簡單及成本低等優(yōu)點[5],是制備 Ni‐Co‐W 合金的主要手段。M.A.Farzaneh 等[2]研究了電流密度對Ni‐Co‐W 合金晶粒尺寸的影響;郭躍萍等[4]研究了pH 值對 Ni‐Co‐W 合金軟磁性的影響 ;Caio Felipe Baldessin 等[6]研究了 Ni 和 Co 的含量對 Ni‐Co‐W 合金結(jié)晶度的影響。目前有關(guān)Ni‐Co‐W 合金的電沉積機理尚未研究,本文采用電沉積法制備Ni‐Co‐W合金,通過循環(huán)伏安、陰極極化曲線、電化學(xué)阻抗譜、計時電流等方法對Ni‐Co‐W 合金的電沉積行為及成核機理進行研究。
單金屬Ni 電沉積的電解液組成為:150 g/LNiSO4·7H2O + 300 g/L 檸檬酸鈉;Ni‐W 合金電沉積的 電 解 液 組 成 為 :150 g/L NiSO4·6H2O + 30 g/L Na3WoO4·2H2O + 294 g/L 檸檬酸鈉 ;Ni‐Co‐W 合金電沉積的電解液為 :150 g/L NiSO4·6H2O + 15 g/L CoSO4·7H2O+20 g/L Na3WoO4·2H2O+294 g/L 檸檬酸鈉。
測試時,上述電解液均用質(zhì)量分?jǐn)?shù)均為15%的稀硫酸和NaOH 溶液調(diào)節(jié)電解液的pH 值為5.0,并控制電解液溫度為30 ℃
采用德國ZAHNER 公司IM6eX 電化學(xué)工作站對Ni‐Co‐W 合金的電沉積行為和成核機理進行研究,選用三電極體系:工作電極為玻碳旋轉(zhuǎn)圓盤電極(美國 BASi,RDE‐2 型,電極面積約 7.07 mm2,轉(zhuǎn)速1 ~ 10000 rpm 可調(diào)),參比電極為 Ag/AgCl 電極,對電極為鉑絲電極。循環(huán)伏安曲線測試電位掃速為20、40、60和80 mV/s,掃描范圍在0.2~?1.5 V之間;陰極極化曲線測試電位掃速為5 mV/s,掃描范圍為?0.4~?1.6 V,旋轉(zhuǎn)圓盤電極轉(zhuǎn)速為100、400、900和1600 r/min;電化學(xué)阻抗譜測試擾動信號振幅5 mV,測試頻率范圍100 mHz~100 kHz。
圖1 Ni、Ni‐W、Ni‐Co‐W 循環(huán)伏安曲線Fig.1 Cyclic voltammetry curves of Ni,Ni‐W,Ni‐Co‐W
圖1(a)、(b)和(c)分別為 Ni、Ni‐W、Ni‐Co‐W 電沉積循環(huán)伏安曲線。由圖1 可知,Ni、Ni‐W、Ni‐Co‐W 的沉積電位分別為?1.11 V(沉積電流顯著增大)、?1.2 V 和?1.1 V,且均存在成核環(huán),說明三者的沉積均存在成核行為[7],Ni‐Co‐W合金的沉積電位最正。
圖2(a)是不同掃速下 Ni‐Co‐W 合金的循環(huán)伏安曲線。由圖2(a)可知,隨著掃速的增大,Ni‐Co‐W合金還原峰電位負(fù)移。圖2(b)是還原峰峰電位(Ep,c)與掃速的對數(shù)(lnv)的關(guān)系曲線。由圖2(b)可知,Ep,c~lnv關(guān)系曲線呈良好的線性關(guān)系,說明 Ni‐Co‐W合金的電沉積反應(yīng)為不可逆過程[8]。
圖2 不同掃速下Ni‐Co‐W 合金電沉積的循環(huán)伏安曲線和Ep,c~lnv關(guān)系曲線Fig.2 Cyclic voltammetry curves and Ep,c~lnv relation‐ship of Ni‐Co‐W alloy electrodeposited with differ‐ent scan rate
圖3 是不同轉(zhuǎn)速下 Ni‐Co‐W 合金電沉積的陰極極化曲線。由圖3可知,隨著轉(zhuǎn)速的增大,沉積電流變大,這是因為轉(zhuǎn)速的增大可減薄擴散層,使金屬離子更易到達(dá)電極表面放電,電極反應(yīng)速率加快[9]。
圖3 不同轉(zhuǎn)速下Ni‐Co‐W合金電沉積陰極極化曲線Fig.3 Cathodic polarization curves of Ni‐Co‐W alloy electrodeposited with different rotation rate
為了研究不同電位下Ni‐Co‐W 合金電沉積反應(yīng)的速率控制步驟,做?1.1 V 和?1.2 V 時(混合控制區(qū))I‐1~ω‐1/2關(guān)系曲線 ,如圖4 所示。由圖4 可知 ,I‐1~ω‐1/2均呈良好的線性關(guān)系,滿足 Koutecky‐Levich關(guān)系[10],說明反應(yīng)受擴散和動力學(xué)混合控制。
圖4 不同電位下I‐1~ω‐1/2關(guān)系曲線Fig.4 I‐1~ω‐1/2curves with different potentials
圖5 是不同電位下 Ni‐Co‐W 合金電沉積的電化學(xué)阻抗譜。由圖5 可知,當(dāng)電位為?1.1 V 時,阻抗譜高頻端依然是由Cdl和Rct并聯(lián)造成的容抗弧,低頻端是由吸附作用造成的小容抗弧,由吸附電阻Rads和吸附電容Qads組成。當(dāng)電位增大到?1.2 V時,阻抗譜變成了一個容抗弧,反應(yīng)變?yōu)榱酥挥须娀瘜W(xué)極化電阻時阻抗譜。均未出現(xiàn)Warburg 擴散電阻特征[11],說明合金的電沉積主要受動力學(xué)過程控制,當(dāng)電位為?1.1 V 時,動力學(xué)過程由電化學(xué)極化和吸附過程組成;當(dāng)電位為?1.2 V時,動力學(xué)過程僅為電化學(xué)極化過程。
圖5 不同電位下Ni‐Co‐W合金電沉積的電化學(xué)阻抗譜Fig.5 Electrochemical impedance spectra of Ni‐Co‐W alloy electrodeposited with different potentials
圖6(a)是不同電位下 Ni‐Co‐W 合金電沉積的計時電流I~t曲線。由圖6(a)可知,隨著電位的負(fù)移,反應(yīng)達(dá)到最大沉積電流(Im)所需的時間(tm)縮短,說明成核速率逐漸加快,這是因為電位的負(fù)移會導(dǎo)致陰極極化加大,成核的驅(qū)動力變大,合金的成核率上升。
通過檢驗恒電位階躍初期I~tn暫態(tài)曲線的線性關(guān)系 ,可以判斷 Ni‐Co‐W 合金電沉積結(jié)晶成核機理。當(dāng)n=1/2 時,為瞬時成核機制;當(dāng)n=3/2 時,為連續(xù)成核機制。根據(jù)圖6(a)中I~t曲線數(shù)據(jù),取n=1/2得到 Ni‐Co‐W 合金電沉積初期I~t1/2暫態(tài)曲線,如圖6(b)所示。由圖6(b)可知,不同電位下,I與t1/2明顯呈線性關(guān)系,表明在?1.1 V、?1.2 V 電位下,Ni‐Co‐W合金電沉積結(jié)晶機制為瞬時成核[12]。
圖6 不同電位下 Ni‐Co‐W 合金電沉積 I~t 和 I~t1/2暫態(tài)曲線Fig.6 I~t and I~t1/2 curves of Ni‐Co‐W alloy electrode‐posited with different potentials
為研究不同電位下Ni‐Co‐W 合金的成核機制,作不同電位下合金電沉積的(I/Im)2~t/tm無因次曲線,如圖7 所示。電位為?1.1 V 和?1.2 V 時的無因次曲線與理論瞬時成核曲線更加相近,說明Ni‐Co‐W 合金的成核機制為瞬時成核,這與檢驗恒電位階躍初期I~t1/2暫態(tài)曲線的線性關(guān)系所得結(jié)論一致。
圖7 不同電位下 Ni‐Co‐W 合金電沉積的(I/Im)2~t/tm無因次曲線Fig.7 (I/Im)2~t/tm dimensionless curve of Ni‐Co‐W alloy electrodeposited with different potentials
(1)Ni‐Co‐W 合金的電沉積過程存在成核行為,電極反應(yīng)是一個不可逆過程。
(2)Ni‐Co‐W 合金的電沉積過程由動力學(xué)和擴散混合控制,主要受動力學(xué)控制。
(3)Ni‐Co‐W合金的成核機制為瞬時成核。