武華乙,陳曉曉,陳歡生,王雪穎,林怡婷
(1.廈門醫(yī)學(xué)院藥學(xué)系,福建 廈門 361023;2.廈門醫(yī)學(xué)院 廈門市中藥工程重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,福建 廈門 361023)
近年來,半導(dǎo)體光催化劑因其在水污染(有機(jī)物和微生物污染)處理方面的應(yīng)用而受到研究者的廣泛關(guān)注[1]。其中,ZnO因具有較高的光催化性能和抗菌性能、低毒、無二次污染等特點(diǎn),已成為光催化降解污染物和抗菌領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)[2]。然而,ZnO光催化劑帶隙較寬(3.2 eV),只能吸收紫外光,在催化過程中光生電子-空穴復(fù)合率高,從而限制了其實(shí)際應(yīng)用[3-4]。此外,在光照下光腐蝕現(xiàn)象的出現(xiàn)也會(huì)降低ZnO光催化劑的活性。因此,拓寬吸光范圍、促進(jìn)光生電子-空穴分離及提高光穩(wěn)定性對(duì)提高ZnO光催化劑的性能具有非常重要的意義。
石墨烯是一種獨(dú)特的具有二維層狀結(jié)構(gòu)的材料,具有零帶隙、大比表面積及高遷移率載流子等特點(diǎn),被認(rèn)為是最具應(yīng)用前景的載體材料之一[5-6]。在半導(dǎo)體中加入石墨烯,是提高半導(dǎo)體光催化劑穩(wěn)定性和光量子產(chǎn)率的有效策略[7]。Bai等[8]將TiO2與石墨烯復(fù)合并用于光催化反應(yīng)中,結(jié)果發(fā)現(xiàn)復(fù)合物表現(xiàn)出比純TiO2更優(yōu)的光催化性能;Zhao等[9]制備了ZnO/rGO復(fù)合物,rGO(還原氧化石墨烯)既作為電子接受體又作為電子運(yùn)輸體,從而實(shí)現(xiàn)了光生電子-空穴的有效分離,提高了ZnO的光催化性能;Ravichandran等[10]采用溶液法制備了Cu及石墨烯活化的ZnO復(fù)合物,石墨烯不僅起到了促進(jìn)光生電子-空穴分離及提高ZnO穩(wěn)定性的作用,而且提高了ZnO的抗菌性能。因此,將ZnO與氧化石墨烯(GO)復(fù)合對(duì)于提高ZnO的穩(wěn)定性和抗菌性能都有著重要意義。然而,二元復(fù)合物的應(yīng)用仍面臨一些問題,如不能利用可見光。有報(bào)道[11-12]指出,將ZnO與窄帶隙的半導(dǎo)體復(fù)合是一種非常有效的拓寬ZnO吸光范圍和提高其光催化性能的方法。AgBr是一種窄帶隙的半導(dǎo)體(Eg=2.6 eV),具有較強(qiáng)的可見光吸收、較高的光催化性能和抗菌性能。有研究者將AgBr與Bi2MoO6、TiO2、g-C3N4等進(jìn)行復(fù)合,發(fā)現(xiàn)AgBr能有效拓寬后者的吸光范圍并促進(jìn)光生電子-空穴的分離,從而提高Bi2MoO6、TiO2、g-C3N4的光催化性能和抗菌性能[13-16]。
基于此,作者采用水熱法制備AgBr/ZnO/GO復(fù)合物,采用XRD、UV-Vis、SEM、TEM、EDS及XPS對(duì)復(fù)合物進(jìn)行表征;以亞甲基藍(lán)(MB)為模型研究復(fù)合物在可見光照射下的光催化降解性能,以大腸桿菌(E.coli)和金黃色葡萄球菌(S.aureus)為模型研究復(fù)合物的抗菌性能;通過比較ZnO、ZnO/GO及AgBr/ZnO/GO的光催化降解性能和抗菌性能,研究AgBr及GO在催化過程中的作用,探究AgBr/ZnO/GO復(fù)合物的光催化機(jī)理。
GO,純度約99%,南京先豐納米材料科技有限公司;乙酸鋅、硝酸銀、尿素、十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)、乙二醇、無水乙醇、氫氧化鉀,分析純,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司;所有試劑使用前均未進(jìn)行純化。
Rigaku Miniflex 600型X-射線多晶衍射分析儀;Hitachi HT7700 EXALEN型透射電子顯微鏡;Hitachi SU1000型掃描電子顯微鏡;Agilent Cary 5000型紫外可見近紅外分光光度計(jì);Escalab 250Xi型光電子能譜儀。
1.2.1 ZnO/GO及ZnO的制備
ZnO/GO的制備:將10 mg GO超聲分散至10 mL水中,滴加10 mL 0.2 mol·L-1乙酸鋅溶液,劇烈攪拌30 min;然后將6 mL 0.5 mol·L-1氫氧化鉀溶液滴加至混合液中,劇烈攪拌1 h;再將其轉(zhuǎn)移至反應(yīng)釜中,120 ℃下反應(yīng)10 h;取出,冷卻至室溫,離心,洗滌,60 ℃干燥12 h,即得ZnO/GO。
不加GO,同法制備ZnO。
1.2.2 AgBr/ZnO/GO的制備
取0.1 g ZnO/GO超聲分散至20 mL乙二醇中,劇烈攪拌20 min后加入0.09 g CTAB,攪拌至完全溶解,得溶液A。將0.04 g AgNO3溶于8 mL乙二醇中,加入0.028 g尿素,避光攪拌至完全溶解,得溶液B。將B液逐滴滴入A液中,超聲5 min,劇烈攪拌30 min;將混合液移至反應(yīng)釜中,120 ℃下反應(yīng)6 h;取出,冷卻至室溫,離心,用大量水及無水乙醇洗滌,60 ℃干燥12 h,即得AgBr/ZnO/GO。
以亞甲基藍(lán)(MB)為模型,研究催化劑(ZnO、ZnO/GO或AgBr/ZnO/GO)在可見光照射下的光催化降解性能。具體步驟如下:取催化劑50 mg分散于裝有100 mL 10 mg·L-1MB溶液的燒杯中,暗處放置30 min以達(dá)到吸附-脫附平衡;隨后將溶液置于可見光下照射(以300 W氙燈為光源,讓光線通過濾光片以過濾紫外光),每隔一定時(shí)間從燒杯中吸取4 mL溶液,離心分離后進(jìn)行紫外可見光譜測試,通過朗伯-比爾定律分析溶液中MB的濃度。
以大腸桿菌及金黃色葡萄球菌為模型,采用濾紙片擴(kuò)散法研究抗菌材料(ZnO、GO、ZnO/GO或AgBr/ZnO/GO)的抗菌性能。具體操作如下:無菌條件下,將大腸桿菌或金黃色葡萄球菌稀釋至5×106CFU·mL-1,取50 μL菌液涂布在培養(yǎng)基上;將抗菌材料分散于無菌水中,取適量浸濕濾紙片,將濾紙片晾干后放入上述培養(yǎng)基上,于37 ℃培養(yǎng)箱中培養(yǎng),測量抑菌圈直徑,評(píng)價(jià)抗菌性能。實(shí)驗(yàn)前所用玻璃儀器均在121 ℃的高壓滅菌鍋中滅菌,以浸有生理鹽水的無菌濾紙為對(duì)照。
2.1.1 晶相分析
ZnO、ZnO/GO及AgBr/ZnO/GO的XRD圖譜如圖1所示。
圖1 ZnO、ZnO/GO及AgBr/ZnO/GO的XRD圖譜
由圖1可以看出,在ZnO的XRD圖譜中,31.9°、34.5°、36.4°、47.7°、56.7°、63.2°、68.2°處均出現(xiàn)了ZnO的特征衍射峰,分別對(duì)應(yīng)于六方ZnO晶體的(100)、(002)、(101)、(102)、(110)、(103)、(112)晶面[17];在ZnO/GO的XRD圖譜中,除了ZnO的特征峰外,在24.2° 處可觀察到一個(gè)較寬的衍射峰,歸屬為GO的(002)晶面,表明ZnO和GO的共存[17];在AgBr/ZnO/GO的XRD圖譜中,31.0°、44.5°處出現(xiàn)2個(gè)歸屬為AgBr晶體(200)及(220)晶面的特征衍射峰[15],這意味著AgBr顆粒成功修飾到了ZnO/GO上。
2.1.2 紫外可見漫反射光譜分析
ZnO、ZnO/GO及AgBr/ZnO/GO的紫外可見漫反射光譜如圖2所示。
圖2 ZnO、ZnO/GO及AgBr/ZnO/GO的紫外可見漫反射光譜(a)及能帶間隙圖譜(b)
由圖2a可以看出,ZnO、ZnO/GO及AgBr/ZnO/GO在200~400 nm處的紫外區(qū)均有很強(qiáng)的吸收,AgBr的存在使AgBr/ZnO/GO在紫外區(qū)的吸收增強(qiáng);相對(duì)于純ZnO,ZnO/GO在可見光區(qū)的吸收增強(qiáng),這表明GO的存在使ZnO/GO的表面電荷增加[18];AgBr的存在使AgBr/ZnO/GO在400~700 nm處出現(xiàn)了比ZnO/GO更寬更強(qiáng)的吸收峰。
通過Kubelka-Munk公式計(jì)算ZnO、ZnO/GO及AgBr/ZnO/GO的帶隙寬度分別為3.10 eV、2.85 eV、2.68 eV(圖2b)。AgBr/ZnO/GO和ZnO/GO的帶隙寬度比ZnO分別降低了0.42 eV和0.25 eV,表明AgBr及GO的存在能夠拓寬ZnO的吸光范圍,進(jìn)而改善ZnO的性能。
2.1.3 形貌分析
AgBr/ZnO/GO的TEM及SEM照片如圖3所示。
圖3 GO(a)、AgBr/ZnO/GO(b)的TEM照片及AgBr/ZnO/GO的SEM照片(c)
由圖3可以看出,GO為片狀結(jié)構(gòu)(圖3a);而在AgBr/ZnO/GO復(fù)合物中(圖3b、c),ZnO為類似柱狀結(jié)構(gòu),AgBr為粒徑較小的顆粒狀物質(zhì),它們很好地沉積在GO的片層結(jié)構(gòu)上,GO則像網(wǎng)布一樣包裹著ZnO和AgBr。
對(duì)AgBr/ZnO/GO進(jìn)行元素分析,結(jié)果如圖4所示。
圖4 AgBr/ZnO/GO的EDS圖譜
由圖4可以看出,AgBr/ZnO/GO所含元素為Ag、Br、Zn、O及C,表明AgBr/ZnO/GO確為AgBr、ZnO及GO形成的復(fù)合物,與XRD結(jié)果相一致。
2.1.4 光電子能譜分析
為了研究AgBr/ZnO/GO復(fù)合物的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),測定了復(fù)合物中Ag及Br的光電子能譜,結(jié)果如圖5所示。
圖5 AgBr/ZnO/GO的高分辨Ag3d(a)和Br3d(b)的XPS圖譜
由圖5a可以看出,Ag3d5/2和Ag3d3/2的光電子峰分別位于367.3 eV和373.3 eV處,這與單質(zhì)Ag的光電子峰位置完全不同[19],表明AgBr/ZnO/GO復(fù)合物中Ag主要以AgBr形式存在,與XRD結(jié)果相一致。由圖5b可以看出,Br3d5/2和Br3d3/2的光電子峰分別位于68.5 eV和69.2 eV處,與文獻(xiàn)[20]報(bào)道相一致。
ZnO、ZnO/GO及AgBr/ZnO/GO在可見光照射下對(duì)MB的光催化降解曲線如圖6所示。
由圖6a可以看出,在可見光照射下,未加催化劑時(shí),MB幾乎未被降解;加入ZnO后,MB在80 min內(nèi)的降解率為88%;加入ZnO/GO后,MB在80 min內(nèi)的降解率有所提高,為90%;而加入AgBr/ZnO/GO后,MB在80 min內(nèi)的降解率可以達(dá)到98%。
由圖6b可以看出,在可見光照射下,ZnO、ZnO/GO及AgBr/ZnO/GO催化降解MB的-ln(ρ/ρ0)與t之間均符合一級(jí)動(dòng)力學(xué)模型,三者的動(dòng)力學(xué)常數(shù)(k)分別為0.024 6 min-1、0.029 0 min-1、0.044 2 min-1,AgBr/ZnO/GO的k值為ZnO的1.8倍。表明GO和AgBr的加入能夠顯著提高ZnO的光催化降解性能。
圖6 ZnO、ZnO/GO及AgBr/ZnO/GO在可見光照射下對(duì)MB的光催化降解曲線(a)及-ln(ρ/ρ0)-t曲線(b)
催化劑的穩(wěn)定性在實(shí)際應(yīng)用中十分重要。將AgBr/ZnO/GO重復(fù)使用4次,考察其光催化降解性能的穩(wěn)定性,結(jié)果如圖7所示。
圖7 AgBr/ZnO/GO的光催化降解穩(wěn)定性實(shí)驗(yàn)結(jié)果
由圖7可以看出,重復(fù)使用4次后,AgBr/ZnO/GO的光催化降解性能變化不大。表明,AgBr/ZnO/GO具有較好的光催化穩(wěn)定性。
為了進(jìn)一步研究重復(fù)使用對(duì)催化劑結(jié)構(gòu)的影響,對(duì)使用后的AgBr/ZnO/GO進(jìn)行XRD分析,結(jié)果如圖8所示。
圖8 AgBr/ZnO/GO使用前后的XRD圖譜
由圖8可以看出,使用后,AgBr/ZnO/GO中的GO及ZnO的晶型保持不變,除了保有AgBr的特征峰外,還出現(xiàn)了Ag單質(zhì)的特征峰,可能是反應(yīng)過程中AgBr分解生成了Ag單質(zhì)所致。
AgBr/ZnO/GO光催化降解MB的可能機(jī)理如圖9所示。
圖9 AgBr/ZnO/GO光催化降解MB的可能機(jī)理
在AgBr/ZnO/GO光催化降解MB的過程中,一定量的AgBr會(huì)分解生成Ag單質(zhì)。在可見光照射下,AgBr被激發(fā)產(chǎn)生光生電子-空穴,同時(shí)Ag由于SPR效應(yīng)也會(huì)產(chǎn)生光生電子-空穴。光生電子由AgBr的導(dǎo)帶轉(zhuǎn)移至Ag上,與Ag上的空穴結(jié)合,而Ag上剩余電子則轉(zhuǎn)移至ZnO的導(dǎo)帶上,隨后電子再由ZnO導(dǎo)帶轉(zhuǎn)移至GO上,從而實(shí)現(xiàn)光生電子-空穴的有效分離[10]。之后,AgBr/ZnO/GO在光激發(fā)下產(chǎn)生的光生電子-空穴能夠與H2O或O2結(jié)合形成各種活性氧物種(ROS),從而將MB氧化降解。
ZnO、GO、ZnO/GO、AgBr/ZnO/GO對(duì)大腸桿菌及金黃色葡萄球菌的抗菌性能測試結(jié)果如圖10所示,相應(yīng)的抑菌圈直徑如表1所示。
A.對(duì)照 B.ZnO C.GO D.ZnO/GO E.AgBr/ZnO/GO
表1 ZnO、GO、ZnO/GO、AgBr/ZnO/GO對(duì)大腸桿菌及金黃色葡萄球菌的抑菌圈直徑/cm
由圖10和表1可以看出,對(duì)照組均未出現(xiàn)抑菌圈,而ZnO、GO、ZnO/GO及AgBr/ZnO/GO組均出現(xiàn)了抑菌圈;ZnO和GO的抗菌強(qiáng)度相似,二者復(fù)合后形成的復(fù)合物ZnO/GO的抗菌性能明顯增強(qiáng),而三元復(fù)合物AgBr/ZnO/GO的抗菌性能最強(qiáng)。這可能與ZnO、GO、AgBr三者的協(xié)同作用有關(guān),一方面ZnO在抗菌過程中可產(chǎn)生ROS,破壞細(xì)菌的增殖能力,從而抑制或殺滅細(xì)菌[10];另一方面GO、AgBr本身具有一定的抗菌性能,與ZnO復(fù)合后可產(chǎn)生更多ROS,因此AgBr/ZnO/GO的抗菌性能最強(qiáng)。
通過水熱法制備了ZnO、ZnO/GO及AgBr/ZnO/GO,研究了其光催化降解性能和抗菌性能。結(jié)果表明,AgBr及GO的加入使AgBr/ZnO/GO復(fù)合物展現(xiàn)出比ZnO更高的吸光強(qiáng)度和更寬的吸光范圍,而且AgBr/ZnO/GO復(fù)合物有著比ZnO、ZnO/GO更好的光催化降解性能和抗菌性能,同時(shí)AgBr/ZnO/GO復(fù)合物有著良好的光催化穩(wěn)定性。AgBr/ZnO/GO復(fù)合物光催化降解性能的提高歸因于AgBr及GO的加入能夠拓寬ZnO的吸光范圍,促進(jìn)反應(yīng)過程中光生電子-空穴的分離;而其抗菌性能的提高與AgBr/ZnO/GO復(fù)合物在反應(yīng)過程中產(chǎn)生較多的ROS有關(guān)。AgBr/ZnO/GO復(fù)合物具有較好的光催化降解性能和抗菌性能,有望在水污染處理中得到應(yīng)用。