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        基于GaN 的輸入諧波控制射頻功率放大器設(shè)計

        2021-04-24 11:36:52邵煜偉陶洪琪
        電子技術(shù)應(yīng)用 2021年4期
        關(guān)鍵詞:效率設(shè)計

        邵煜偉,陶洪琪

        (南京電子器件研究所 微波毫米波單片集成和模塊電路重點實驗室,江蘇 南京 210016)

        0 引言

        隨著電子通信技術(shù)的不斷發(fā)展,諧波控制射頻功率放大器由于其高效率的特性廣泛應(yīng)用于航天雷達(dá)等領(lǐng)域中。諧波控制是目前提高功放效率的重要技術(shù)之一。

        由于射頻功率放大器可以看成一個能量轉(zhuǎn)換器,為了提高功率放大器的工作效率,必須減小晶體管的自身損耗[1],即令Pdiss=0,如式(1)所示:

        傳統(tǒng)的功率放大器是通過減小導(dǎo)通角來減小管耗,進(jìn)而提升其效率。可以通過進(jìn)一步控制諧波,使放大器自身的電壓電流波形在一個周期上相互交錯開,從而減小晶體管的損耗以提高功率放大器的效率。比如F 類功率放大器就是通過調(diào)節(jié)負(fù)載諧波阻抗使其在偶次諧波短路,奇次諧波開路,從而形成沒有交疊的方波電壓波形和半正弦波電流波形[2]。常見的高效率功率放大器有E/逆E 類[3]、B[4]/J[5]類、F/逆F 類和S[6]類等。

        這些年以來,諧波控制類功放相關(guān)的研究愈發(fā)得到重視,研究成果眾多。2014 年,NIKANDISH G 設(shè)計了一款雙頻F 類功放,工作在5 GHz 和12 GHz,附加效率分別為58%和51%,對應(yīng)的輸出功率為28 dBm 和26.7 dBm[7]。2017年,MOHADESK-ASAEI S A 設(shè)計了一款高效率、高線性的J 類功率放大器,其工作于1.6~2.6 GHz,使用了源阻抗與器件的輸入阻抗共軛匹配,輸出功率為38~39.9 dBm,效率為60%~73%[8]。2020 年,Liu Guohua 設(shè)計了一種使二次諧波和三次諧波寬帶相匹配的新型寬帶F 類功率放大器,其工作于1.5~2.6 GHz,飽和輸出功率為10 W,漏極效率為60%~80%[9]。從目前的情況來看,在功率放大器的設(shè)計中,諧波控制技術(shù)是一項非常重要的技術(shù)[10],但是仍然有不少的提升空間。

        本文通過理論分析、負(fù)載牽引仿真、大信號仿真和電路設(shè)計驗證等幾個步驟,定性地分析了功放設(shè)計過程中輸入諧波控制的必要性,同時實現(xiàn)了輸入諧波控制理論在X 波段MMIC 功率放大器設(shè)計中的應(yīng)用[11]。

        1 原理分析

        不同的輸出電壓電流波形能夠使放大器工作時產(chǎn)生不同量的耗散功率。耗散功率越小,功率放大器能量轉(zhuǎn)化能力就越強(qiáng)。諧波控制類放大器便是通過對諧波分量的控制,來獲得最佳波形,以提升效率[12]。

        就實際器件來說,存在著反饋電容,由于其非線性因素的影響,功放輸出電路特性將受制于輸入電路特性,即輸入諧波成分是決定輸出波形的關(guān)鍵因素。所以在諧波類功放設(shè)計中,控制輸入諧波阻抗也將是很有必要的。工作在電流源模式下的FET 器件等效電路示意圖見圖1[13]。

        圖1 FET 等效電路

        當(dāng)電路處于B 類狀態(tài)下時,i(θ)為[14]:

        其中,σ0~σ5代表的都是電壓系數(shù)。同時,柵-源電壓波形函數(shù)Vgs(θ)為:

        其中,Vgs0和Vgs1分別是直流電源和基頻電壓幅度。

        以此為基礎(chǔ)可推導(dǎo)出式(4)~式(7):

        然后,將具有初始振幅Vgs2和相位為φ2的二次諧波電壓分量添加到晶體管的輸入節(jié)點。這種情況下的柵極電壓最終可以表示為:

        再將式(2)與式(8)相聯(lián)系,可以得出輸入二次諧波電流分量為:

        可以看出,由于在晶體管的輸入節(jié)點處存在二次諧波電壓,因此產(chǎn)生了更高的諧波電流分量。

        而電路的漏級電壓可以寫成:

        其中,VDC和Vk分別是直流電源電壓和膝點電壓。而通過負(fù)載阻抗?fàn)恳{(diào)節(jié)電路二次諧波的負(fù)載阻抗,就可以針對電流諧波含量進(jìn)行適當(dāng)?shù)男薷?,以減小更高的諧波電流分量帶來的影響。

        2 功放設(shè)計

        本文中使用的是南京電子器件研究所的GaN 0.25 μm工藝HEMT 器件,晶體管總柵寬為960 μm(4×4×60 μm)。本文選取的柵壓為-2.7 V,漏壓為28 V。

        射頻功率放大器的設(shè)計離不開ADS 的仿真[15],負(fù)載阻抗?fàn)恳鳛橐环N重要的方法,該方法可以在保證輸入阻抗匹配的同時,通過不斷變化負(fù)載阻抗,同時找到有源器件輸出功率最大的輸出阻抗和效率最高的輸出阻抗,本文選取的為效率最高的輸出阻抗。

        功放的輸出功率主要取決于有源器件的負(fù)載阻抗:通過改變負(fù)載阻抗的值來獲得功放不同的性能叫做負(fù)載阻抗?fàn)恳?;同理改變源阻抗的值來獲得功放不同的性能叫做源阻抗?fàn)恳?。計算機(jī)技術(shù)的進(jìn)步和微波EDA 技術(shù)的發(fā)展,利用ADS 仿真軟件來實現(xiàn)負(fù)載牽引無疑是一種非常便捷的選擇。

        在做負(fù)載牽引仿真時,先得到相應(yīng)的最佳負(fù)載阻抗點,再將這些最佳負(fù)載阻抗點帶入對應(yīng)的源牽引仿真,可以得到器件的源阻抗點。之后再以迭代的方式得出最終的最佳負(fù)載阻抗點。圖2 和圖3 以10 GHz 為例展示了負(fù)載牽引的結(jié)果,m1 為最佳的基波阻抗點。

        輸入諧波控制電路設(shè)計最重要的是找到最佳的輸入諧波阻抗。功放的效率會隨著輸入諧波阻抗的不同而產(chǎn)生相應(yīng)的差異。

        圖2 4×4×60 μm 管芯10 GHz 基波負(fù)載牽引仿真結(jié)果

        圖3 4×4×60 μm 管芯10 GHz 基波源牽引仿真結(jié)果

        以相同的方法可以得出8~12 GHz 最佳負(fù)載阻抗點,如表1 所示。

        表1 8~12 GHz 最佳負(fù)載阻抗點

        同時,效率對輸入二次諧波阻抗相位較為敏感。這也提醒我們需要精細(xì)地調(diào)節(jié)輸入二次諧波阻抗相位。通過牽引仿真得到了最佳的輸入二次諧波阻抗值,接著加以實現(xiàn)。圖4 以10 GHz 為例展示了最佳的基頻、二次、三次諧波阻抗相位點。

        圖4 4×4×60 μm 管芯10 GHz 二次諧波牽引測試結(jié)果

        輸出匹配網(wǎng)絡(luò)(OMN)采用了LC 匹配的方式,但是由于襯底的介電常數(shù)較大,導(dǎo)致了輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的損耗較大,在9~12 GHz 范圍內(nèi),輸出匹配網(wǎng)絡(luò)有0.55 dB 的損耗,如圖5 所示。

        圖5 輸出匹配網(wǎng)絡(luò)(OMN)損耗

        輸入匹配網(wǎng)絡(luò)(IMN)則是在多諧波負(fù)載牽引的基礎(chǔ)上,在不同位置添加了三個輸入諧波控制枝節(jié)電路,分別位于圖6 中的1、2、3 處。

        圖6 射頻功率放大器芯片版圖照片

        利用二次諧波控制枝節(jié),可以達(dá)到提高射頻功率放大器效率的目的;同時RC 并聯(lián)電路則可以提高該電路的穩(wěn)定性。其中,二次諧波控制枝節(jié)可以有效減小輸入二次諧波所造成的影響。整體的射頻功率放大器采用了電抗匹配方式。

        3 結(jié)果分析

        為了驗證前面的分析,設(shè)計了X 波段單級MMIC 功放,芯片尺寸2.4 mm×2.8 mm。芯片圖如圖7 所示。

        圖7 射頻功率放大器芯片實物照片

        該射頻功率放大器芯片的PAE 如圖8 所示。由圖可知,該功率放大器在二次諧波控制枝節(jié)的幫助(PAE1),和未添加二次諧波控制枝節(jié)(PAE2)的時候相比,功率附加效率提升了3%~10%。

        圖8 射頻功放芯片的功率附加效率

        而該射頻功率放大器芯片的輸出功率則如圖9 所示,可以看出,在頻帶范圍內(nèi),該功放有最大38.3 dBm的輸出功率。

        同理,該單級射頻功率放大器芯片的功率增益如圖10所示,在頻帶范圍內(nèi),該功放有最大9.3 dB 的增益。

        根據(jù)負(fù)載牽引的仿真結(jié)果,可以證明設(shè)計的功放在9.2 GHz~11.3 GHz 范圍內(nèi)因為諧波控制而實現(xiàn)了效率提升,在10.6 GHz 處達(dá)到最佳,且輸入駐波小于2。

        4 結(jié)論

        本文研究了利用輸入諧波控制提高射頻功率放大器的效率,通過諧波負(fù)載牽引對南京電子器件研究所的0.25 μm GaN HEMT 器件進(jìn)行負(fù)載牽引仿真,并以此數(shù)據(jù)設(shè)計了一款單級X 波段射頻功率放大器,在9.2 GHz~11.3 GHz 范圍內(nèi)PAE 最高可達(dá)52.88%。

        圖9 射頻功放芯片的輸出功率

        圖10 射頻功放芯片的增益

        同時,在后續(xù)的研究中,為了提高負(fù)載牽引對晶體管的精度,可以使用基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的DynaFET Model 技術(shù),以取得更好的結(jié)果。

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