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        航天器產(chǎn)品限流電阻保護(hù)設(shè)計(jì)方法研究

        2021-04-14 03:09:42王偉榮劉向陽(yáng)羅亞斌石慧杰
        載人航天 2021年1期
        關(guān)鍵詞:額定功率限流過(guò)流

        王 棟,王偉榮,劉向陽(yáng),羅亞斌,傅 巍,石慧杰

        (1.中國(guó)航天員科研訓(xùn)練中心,北京100094;2.中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十九研究所,哈爾濱150001;3.中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十八研究所,長(zhǎng)沙410111)

        1 引言

        航天器產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求明確指出,下游負(fù)載要具備過(guò)流保護(hù)功能。當(dāng)前,航天器產(chǎn)品過(guò)流保護(hù)措施一般分為固態(tài)功率電子開(kāi)關(guān)、熔斷器、限流電阻3種。其中,固態(tài)功率電子開(kāi)關(guān)主要應(yīng)用于100 V母線(xiàn)上的設(shè)備,具有壽命高、響應(yīng)快、無(wú)噪聲、可靠性高、加電可恢復(fù)等優(yōu)點(diǎn)。但由于半導(dǎo)體器件的固有特性,固態(tài)功率電子開(kāi)關(guān)又具有導(dǎo)通后管壓降大(一般功率場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通電阻也較機(jī)械觸點(diǎn)的接觸電阻大)、關(guān)斷后有微安到毫安的漏電流、體積大等缺點(diǎn)。熔斷器的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便,但熔體熔斷受電流、時(shí)間、熔化系數(shù)等多方面影響,實(shí)際工作中不容易有效熔斷。在載人航天器中,通常要求選用額定電流大于0.5 A以上的規(guī)格型號(hào)。上述2種過(guò)流保護(hù)措施均不適用于輸入電壓低、電流小的傳感器產(chǎn)品。

        航天器中很多傳感器單機(jī)供電電壓為12 V,電流大部分為毫安級(jí),往往選擇限流電阻實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)。當(dāng)前規(guī)范并沒(méi)有對(duì)限流電阻的設(shè)計(jì)方法提出具體要求,導(dǎo)致下游單機(jī)設(shè)計(jì)單位設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)不一致。本文對(duì)限流電阻的保護(hù)方法進(jìn)行深入分析,給出基本設(shè)計(jì)原則,提出限流電阻功率接近和遠(yuǎn)超額定功率2種工況下的詳細(xì)設(shè)計(jì)方法,并以3種常用傳感器限流電阻保護(hù)電路為例,采用不同阻值、同封裝和同阻值、不同封裝進(jìn)行試驗(yàn)驗(yàn)證。

        2 限流電阻設(shè)計(jì)方法

        2.1 基本設(shè)計(jì)原則

        限流電阻串聯(lián)在電路最前端,用以限制或隔斷電流,以防產(chǎn)品短路時(shí),電流過(guò)大影響上游設(shè)備。限流電阻根據(jù)產(chǎn)品短路時(shí)的功效可以分為2種過(guò)流保護(hù)模式:①短路時(shí)通過(guò)電阻限流保護(hù)上游配電器,此時(shí)限流電阻基本工作在額定功率內(nèi);②短路時(shí)電阻直接燒斷或近似開(kāi)路,隔離故障,保護(hù)上游配電器,限流電阻工作功率遠(yuǎn)大于額定功率。限流電阻的基本設(shè)計(jì)原則如下:

        1)一般情況下,航天器各分系統(tǒng)28 V和12 V的產(chǎn)品供電大部分來(lái)自子各分系統(tǒng)控制器DC/DC變換器二次變換,配電輸出。產(chǎn)品短路時(shí),在電阻過(guò)流保護(hù)期間,一定不要觸發(fā)上游DC/DC的保護(hù)。根據(jù)歐姆定律可得不等式(1)和(2):

        式中均默認(rèn)2個(gè)電阻并聯(lián),每個(gè)阻值為R。公式(1)適用于理論推導(dǎo),公式(2)適用于實(shí)際選用。式中,V為供電電壓,I為過(guò)流時(shí)2個(gè)電阻上流過(guò)的總電流(即過(guò)流時(shí)的保護(hù)電流),P為上游DC/DC的剩余保護(hù)功耗。上游剩余功耗固定時(shí),從式(1)可知,R越大越好。如果保護(hù)電阻總功率超過(guò)P,則會(huì)觸發(fā)上游DC/DC變換器的保護(hù),影響連接在同一DC/DC上的其他產(chǎn)品。假設(shè)上游DC/DC的保護(hù)電流為I,DC/DC下游負(fù)載的最大額定電流為I s,產(chǎn)品正常電流為I,則存在式(3):

        2)限流電阻采用多電阻并聯(lián),防止單點(diǎn)失效。限流電阻要充分考慮設(shè)備工作時(shí)自身功耗,嚴(yán)格按照元器件降額準(zhǔn)則執(zhí)行。

        假設(shè)I為產(chǎn)品正常電流,若2個(gè)限流電阻并聯(lián),則每個(gè)電阻上正常功耗為I×I×R/4。從公式(4)可知,選擇限流電阻時(shí),R越小越好,P越大越好。

        式中,β為降額因子,P為電阻的標(biāo)稱(chēng)額定功率。

        3)增加限流電阻后,要考慮電阻上的壓降不會(huì)影響后面電路的正常工作。從公式(5)可知,選擇限流電阻時(shí),R越小越好,這樣電阻上降壓越小,后端電路分壓越大。

        2.2 限流電阻功率接近額定功率時(shí)設(shè)計(jì)方法

        在產(chǎn)品發(fā)生短路故障時(shí),電阻起到限流作用,要求電阻上消耗的功率不要超過(guò)該電阻的標(biāo)稱(chēng)額定功率,如式(6)、(7)所示:

        從式(6)可知,如果電阻發(fā)揮限流作用,則R越大越好,并且P盡量大。

        實(shí)際設(shè)計(jì)中式(6)不容易滿(mǎn)足。考慮電阻分壓,一般情況下,電阻R不能選很大,其標(biāo)稱(chēng)額定功率也較小。尤其是供電電壓為28 V時(shí),更不容易滿(mǎn)足條件。當(dāng)V=28 V,選擇額定功率為0.25 W的電阻,其阻值R≥3136Ω,但是大阻值分壓會(huì)影響后級(jí)電路,所以這種限流模式適用于小電流電路,28 V的供電產(chǎn)品一般選擇熔斷器作為過(guò)流保護(hù)措施,而不推薦選用限流電阻。

        考慮電阻抗過(guò)載能力,電阻上消耗的功率不應(yīng)超過(guò)該電阻標(biāo)稱(chēng)額定功率的γ倍,如式(8)、(9)所示:

        式中,γ為功率允許倍數(shù),針對(duì)γ的設(shè)定,本文后續(xù)進(jìn)行了試驗(yàn)驗(yàn)證。

        綜上,限流電阻選擇要參考式(1)~(9),權(quán)衡給出合適的電阻。此外選擇電阻時(shí),還要考慮外形封裝尺寸的影響,同一阻值,推薦選用封裝大、額定功率大的電阻作為限流電阻。

        2.3 限流電阻功率遠(yuǎn)超額定功率時(shí)設(shè)計(jì)方法

        產(chǎn)品短路瞬間,若限流電阻實(shí)際功率遠(yuǎn)超額定功率,則電阻被瞬間燒斷或阻值變大近似開(kāi)路,實(shí)現(xiàn)瞬間故障隔離,短路后電阻瞬間功率遠(yuǎn)超于其額定功率,如式(10)所示:

        從公式(10)可知,瞬間熔斷需要電阻R值選小,P盡量小,α盡量大。其中α為燒斷倍數(shù),一般手冊(cè)上給出電阻的功率燒斷倍數(shù)為2.5倍,但是實(shí)際情況下,當(dāng)燒斷倍數(shù)達(dá)到2.5倍時(shí),電阻并不會(huì)被燒斷。并且,如果燒斷功率不夠,在過(guò)流過(guò)程中,電阻周?chē)腜CB、三防漆等非金屬材料可能會(huì)先于電阻而燒壞,存在隱患。

        選擇合適的限流電阻值還要參考公式(1)~(5)權(quán)衡得出,同時(shí)建議使用航天目錄電阻型號(hào)產(chǎn)品。

        3 試驗(yàn)驗(yàn)證及分析

        3.1 試驗(yàn)1

        某航天器分系統(tǒng)產(chǎn)品電導(dǎo)傳感器由分系統(tǒng)控制器提供28 V配電,其過(guò)流保護(hù)電路由2個(gè)電阻并聯(lián)實(shí)現(xiàn)。設(shè)計(jì)保證產(chǎn)品一旦過(guò)流,電阻便被燒斷,將故障隔離。圖1為試驗(yàn)原理圖。

        圖1 試驗(yàn)原理圖Fig.1 Schematic diagram of the test

        按照產(chǎn)品設(shè)計(jì),搭建一個(gè)由2個(gè)電阻和1個(gè)二極管組成的電路板(圖2),二極管加在產(chǎn)品前端,防止反向接反,PCB三防,元器件點(diǎn)膠,共設(shè)計(jì)3塊電路板。按照式(1)~(5)和式(10)的原則,選擇功率為0.1 W,電阻值為100Ω,封裝較小的2012片式膜固定電阻器為限流電阻。

        圖2 試驗(yàn)1的實(shí)物Fig.2 Photo of test verification 1

        輸入電壓從6 V開(kāi)始,逐漸增加,使電阻上的功耗增加,觀察瞬間燒斷倍數(shù)和規(guī)律,結(jié)果詳見(jiàn)表1。表1可以看出,選用2012片式/0.1 W/100Ω電阻,PCB電路板刷三防漆,單個(gè)電阻功耗在0.91~1.1055W時(shí)電路板冒微量煙,說(shuō)明三防漆等非金屬材料開(kāi)始燃燒;功耗到1.314 W時(shí),焊盤(pán)熔化燒焦;隨著能量積累,功耗逐漸增至1.54W左右,電阻冒煙,此時(shí)功耗為電阻額定功率的15.4倍,斷電后測(cè)量電阻為千歐級(jí);更換02號(hào)電路板重新試驗(yàn),單個(gè)電阻功耗到2.652 W時(shí),1個(gè)電阻燒斷,此時(shí)功耗為單個(gè)電阻額定功率的26.52倍;更換03號(hào)電路板,重新試驗(yàn),單個(gè)電阻功耗到5.4W,2個(gè)電阻直接從中間燒斷,此時(shí)功耗為單個(gè)電阻額定功率的54倍。

        3.2 試驗(yàn)2

        某航天器分系統(tǒng)大多數(shù)傳感器為12 V供電產(chǎn)品,按照產(chǎn)品設(shè)計(jì),搭建由2個(gè)電阻組成的電路板,總共4塊。與試驗(yàn)1相比,考慮減小電壓,在相同功耗下,選擇阻值為20Ω,同封裝2012/0.1 W片式膜固定電阻器為限流電阻。

        輸入電壓從1 V開(kāi)始逐漸增加,從而使得電阻上的功耗增加,考察瞬間燒斷倍數(shù)和規(guī)律。結(jié)果詳見(jiàn)表2。

        表1 試驗(yàn)1選用2012片式/0.1W/100Ω電阻試驗(yàn)結(jié)果Table 1 Results of test 1 w ith 2012/0.1W/100Ωresistor

        表2 試驗(yàn)2選用2012片式/0.1W/20Ω電阻試驗(yàn)結(jié)果Table 2 Results of test 2 w ith 2012/0.1W/20Ωresistor

        表2可以看出,選用2012片式/0.1 W/20Ω電阻,PCB電路板未刷三防漆,未點(diǎn)膠,直接裸板裸電阻,觀察電阻情況。當(dāng)單個(gè)電阻的功耗達(dá)到0.83W,即額定功率的8.3倍時(shí),電阻極燙,焊錫熔化,焊盤(pán)發(fā)黑,有少量煙;能量積累功耗逐漸增至1.25W,電阻損壞,斷電后電阻斷開(kāi);02電路板直接輸入12 V電壓,此時(shí)功耗為額定功率的72倍,電流瞬間變小,電阻損壞,由于損壞時(shí)間過(guò)快,電阻表面未看出異常,沒(méi)有出現(xiàn)烤焦變黃和冒煙情況;03、04電路板重復(fù)試驗(yàn),試驗(yàn)現(xiàn)象一致。

        3.3 試驗(yàn)3

        按照產(chǎn)品設(shè)計(jì),搭建一個(gè)由2個(gè)電阻組成的電路板,共2塊。仍然選擇12 V供電產(chǎn)品,額定功率為0.25W,電阻值為20Ω,封裝選用比較常見(jiàn)的3216片式膜固定電阻器為限流電阻。

        輸入電壓從2 V開(kāi)始逐漸增加,持續(xù)加電20 min,從而使得電阻上的功耗增加,考察瞬間燒斷倍數(shù)和規(guī)律,詳見(jiàn)表3。

        以納米粒度分析儀測(cè)得復(fù)方精油微膠囊的大小與分布,如圖所示,A樣品運(yùn)用異丙醇為脫水劑,最佳配方的粒徑為259.9±17.8 nm; B樣品以冷凍真空干燥直接脫水,最佳配方的粒徑為188.2±25.6 nm。后者粒徑明顯小于前者,分布更加均勻。

        表3 試驗(yàn)3選用3216片式/0.25W/20Ω試驗(yàn)結(jié)果Table 3 Results of test 3 w ith 33216/0.25W/20Ωresistor

        表3可以看出,選用3216片式/0.25 W/20Ω電阻,PCB電路板未刷三防漆,未點(diǎn)膠,直接裸板裸電阻,在這種封裝下,當(dāng)α=5倍時(shí),電阻極燙,焊錫熔化;當(dāng)α=7倍時(shí),電阻附近泄漏黑色疑似液體膠狀物(圖3),不斷有氣泡冒出,同時(shí)聞到明顯燒焦氣味;當(dāng)α=9.45倍時(shí),電阻損壞。02塊電路板α=28.8倍時(shí),電流突降,電阻損壞,由于燒斷時(shí)間過(guò)快,電阻表面未看出異常,沒(méi)有出現(xiàn)烤焦變黃和冒煙情況。

        圖3 試驗(yàn)3燒斷電阻照片(黑色膠狀物質(zhì))Fig.3 Photo of burnout resistor(black colloidal substance)in test 3

        3.4 試驗(yàn)分析

        1)通過(guò)試驗(yàn)1和試驗(yàn)2可看到,相同封裝,相同額定功率,阻值越小越容易燒斷。實(shí)際選擇限流電阻時(shí),不是阻值越小越好,要兼顧考慮上游變換器的能力和產(chǎn)品輸入電壓,在電壓為28 V情況下,電阻不能太小。

        2)通過(guò)試驗(yàn)2和試驗(yàn)3可看到,相同阻值,相比3216封裝,額定功率小的2012片式封裝電阻更容易燒壞,雖然不能燒斷,但是阻值變大,可以隔離故障。實(shí)際選擇限流電阻時(shí),還要根據(jù)式(1)~(5)、(10),參考其他因素,綜合考慮。

        3)手冊(cè)上燒斷倍數(shù)為2.5倍是不可靠的,試驗(yàn)中此時(shí)電阻沒(méi)有明顯變化;電阻功率在額定功率4倍之內(nèi)時(shí),電阻及周邊非金屬材料可靠;電阻功率超過(guò)額定功率4倍時(shí),焊錫開(kāi)始熔化,并冒煙;電阻功率超過(guò)額定功率54倍時(shí),可以可靠被瞬間熔斷或燒毀電阻。所以在設(shè)計(jì)時(shí)一定要避開(kāi)α在4~54倍范圍,因?yàn)檫@個(gè)范圍內(nèi),電阻阻值可能正常,但是周邊非金屬材料會(huì)有冒煙,燒糊現(xiàn)象,這會(huì)影響航天員及地面人員正常判斷,也有可能引起艙內(nèi)煙火報(bào)警,帶來(lái)更大隱患。

        4)限流電阻功率接近額定功率設(shè)計(jì)時(shí),考慮電阻抗過(guò)載能力,電阻上消耗的功率不應(yīng)超過(guò)該電阻標(biāo)稱(chēng)額定功率的γ倍。當(dāng)額定功率為0.25 W時(shí),功率允許倍數(shù)γ≤4;額定功率為0.1W時(shí),γ≤8,其他情況要保證單個(gè)電阻功率<0.8W。

        5)通過(guò)以上3項(xiàng)試驗(yàn)也證明了28 V和12 V供電的某型號(hào)傳感器限流電阻設(shè)計(jì)的合理性。該產(chǎn)品在完全短路的情況下,設(shè)計(jì)電阻瞬間燒斷或阻值變大,可以隔離短路故障。但由于電阻的離散性,并不是每個(gè)批次電阻都能可靠燒斷,所以在產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)一般不建議采用限流電阻工作遠(yuǎn)超額定功率設(shè)計(jì),尤其是不推薦在真空環(huán)境下使用。但若必須進(jìn)行此類(lèi)設(shè)計(jì),可以參考本文計(jì)算方法和試驗(yàn)數(shù)據(jù),并開(kāi)展相應(yīng)試驗(yàn)驗(yàn)證。

        4 結(jié)論

        1)使用限流電阻時(shí),相同封裝、相同額定功率下,阻值越小越容易燒斷;相同阻值,不同封裝下,額定功率越小的封裝,越容易燒壞;

        2)限流電阻功率在額定功率4倍之內(nèi),電阻及周邊非金屬材料可靠;功率超過(guò)額定功率4倍,焊錫開(kāi)始熔化并冒煙;功率超過(guò)額定功率54倍,電阻可以可靠被瞬間熔斷或燒毀。所以在設(shè)計(jì)時(shí)一定要避開(kāi)α在4~54倍范圍。

        3)限流電阻功率接近額定功率設(shè)計(jì)時(shí),考慮電阻抗過(guò)載能力,電阻上消耗的功率不應(yīng)超過(guò)該電阻標(biāo)稱(chēng)額定功率的γ倍,當(dāng)額定功率為0.25 W時(shí),功率允許倍數(shù)γ≤4,額定功率為0.1 W時(shí),γ≤8,其他情況要保證單個(gè)電阻功率<0.8W。

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