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        PLD法硫化物半導(dǎo)體敏化TiO2納米棒陣列薄膜的研究進(jìn)展

        2021-04-05 11:04:56
        當(dāng)代化工研究 2021年5期
        關(guān)鍵詞:效率

        (西北民族大學(xué)化工學(xué)院 甘肅 730106)

        1.引言

        隨著社會經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,全球能源消耗大幅度增加,人類正面臨著嚴(yán)重的能源危機(jī)。以煤、石油、天然氣為首的傳統(tǒng)能源不但對環(huán)境的污染較大,還將要面臨資源耗竭的危機(jī)。因此,無毒環(huán)保且具有較高利用率的清潔能源是人類目前迫切需要的[2]。

        量子點(diǎn)敏化太陽能電池(QDSSC)近年來受到太陽能業(yè)界的廣泛關(guān)注,其優(yōu)點(diǎn)是可以降低太陽能發(fā)電的成本以及縮小太陽能電池的體積,與之前的硅基太陽能相比,薄膜的吸收層厚度可以降到微米級,還具有制備方法簡單且成品體積較小的優(yōu)勢,由于薄膜比較薄,所以成本低、消耗少,生產(chǎn)工藝易于大面積量產(chǎn)化等優(yōu)點(diǎn),同時也是西方部分發(fā)達(dá)國家新興的光伏一體化建筑所使用的主要太陽能電池類型。

        2.量子點(diǎn)敏化太陽能電池概述

        (1)量子點(diǎn)敏化太陽能電池簡介

        量子點(diǎn)敏化太陽能電池由染料敏化太陽能電池分化而來,且結(jié)構(gòu)為:光陽極、電解液、對電極。其中,吸附于光陽極的敏化材料是將傳統(tǒng)廣泛應(yīng)用的有機(jī)染料更改為量子點(diǎn)材料,與傳統(tǒng)的有機(jī)染料相比,QDs具有更大的吸光系數(shù)和可調(diào)節(jié)的帶隙寬度,并且量子點(diǎn)特有的尺寸效應(yīng)、多激子效應(yīng)和能增強(qiáng)電子空穴分離的寬偶極矩增加了電池的光電轉(zhuǎn)換效率等優(yōu)點(diǎn)。

        (2)量子點(diǎn)敏化太陽能電池原理

        QDs原理就是光生伏特效應(yīng)。如圖,太陽能電池主要是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體(TiO2是目前發(fā)展最成熟的N型電子傳輸材料)組成。首先在無光照條件下使N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體相接觸,由于P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體存在載流子濃度的差異,P型半導(dǎo)體中的空穴(多子)向N區(qū)擴(kuò)散與N區(qū)的電子(多子)中和,N型半導(dǎo)體同理。最終導(dǎo)致P型半導(dǎo)體中留下了不可移動的負(fù)離子,N型半導(dǎo)體中留下了不可移動的正離子。在熱平衡狀態(tài)下,兩者費(fèi)米能級統(tǒng)一,而在界面的PN結(jié)將會彎曲,形成內(nèi)置電場。PN結(jié)就是離子薄層形成的空間電荷層,當(dāng)光被施加到P-N結(jié)時,太陽能轉(zhuǎn)化為電能,形成電流。

        圖1 P-N結(jié)的形成

        3.薄膜制備方法

        一般來說,薄膜的制備方法有很多種,其制備方法的選擇直接影響半導(dǎo)體和量子點(diǎn)間的連接和相互作用、量子點(diǎn)的覆蓋率、電子傳輸和復(fù)合過程。按照制備過程可分為化學(xué)法和物理法。物理方法包括真空濺射法、真空蒸發(fā)法、分子束外延和脈沖激光沉積。化學(xué)方法包括化學(xué)氣相沉積法、化學(xué)浴沉積、電沉積法等。其中化學(xué)浴原位合成法是目前較為普遍且電池效率較高的一種方法。然而僅采用化學(xué)浴原位合成法具有較多的不確定性,制備出來的薄膜致密性不一,無法實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的工業(yè)生產(chǎn),同時由于量子點(diǎn)團(tuán)聚使其光陽極的性能受到“量子點(diǎn)/量子點(diǎn)界面濃度過高”的因素限制,這使得化學(xué)浴原位合成法在提高太陽能光電轉(zhuǎn)化效率上進(jìn)入了瓶頸期。脈沖激光沉積(Pulsed Laser Deposition,PLD)技術(shù)實(shí)質(zhì)上是PVD方法的一種。激光具有一定的能量,靶材在脈沖激光儀中旋轉(zhuǎn)時吸收足夠的能量后會產(chǎn)生等離子體羽輝,其溫度和密度都很高,最后到達(dá)靶材對面的基底,經(jīng)過成核、凝聚等過程最終在基底表面形成致密的納米薄膜。PLD技術(shù)制備工藝大致可以分為三個階段:靶材在激光處獲得能量,然后靶材上形成高溫高密度的氣態(tài)分子,最后氣態(tài)分子在基底上生成致密的薄膜。PLD技術(shù)可以在不同基底上沉積半導(dǎo)體或金屬薄膜,它的制備過程簡單、干凈無污染、成本低廉,可以實(shí)現(xiàn)QDs在不同納米結(jié)構(gòu)上的原位生長,并且可以得到高質(zhì)量的化學(xué)計(jì)量比薄膜,因此受到廣大研究者的青睞。

        圖2 脈沖激光儀器示意圖

        4.脈沖激光技術(shù)

        王文勇課題組[3]采用PLD技術(shù)在Zn2SnO4納米線上沉積得到了CdSeQDs,通過控制脈沖激光的流量(數(shù)量)可以有效調(diào)節(jié)QDs在納米線表面的覆蓋率和光電及內(nèi)部電荷的收集效率。El Khakani等人利用PLD技術(shù)制備了PbS-QDs/SWCNTs納米異質(zhì)結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)可以促進(jìn)載流子的快速傳輸和分離,使其光響應(yīng)最高可達(dá)1350%[4]。而且,他們還利用PLD技術(shù)制備了PbS QDSSCs,這種方法制備得到的QDs具有一定動能,無需任何鏈接劑便可以與基底表面的分子結(jié)合緊密,使QDSSCs光電轉(zhuǎn)換效率和光穩(wěn)定性得到提高。因此采用脈沖激光技術(shù)制備的QDSSCs的敏化層,使電子傳輸效率在薄膜制備中得到了有效保證,以彌補(bǔ)化學(xué)浴法制備薄膜的缺陷。其優(yōu)勢在于可以制備高品質(zhì)的化合物薄膜材料,并且厚度在一定范圍內(nèi)可控。

        5.脈沖激光技術(shù)制備硫化物半導(dǎo)體薄膜

        目前,有關(guān)電荷的行為特性的研究已經(jīng)取得初步進(jìn)展,大部分研究均針對于Cd系硫化物量子點(diǎn)展開[5-6]。然而Cd系硫化物具有較高毒性,特別是表面未經(jīng)過鈍化的Cd系硫化物容易分解,導(dǎo)致重金屬在生物細(xì)胞區(qū)域積累,限制了Cd系硫化物量子點(diǎn)在太陽能電池方面的應(yīng)用。因此,無毒且環(huán)保的硫化物量子點(diǎn)例如CuS、Sb2S3等,其帶隙為1.5-2.2eV,與太陽輻射有很好的光譜匹配,是做太陽能電池吸收劑的良好選擇,因而受到科研工作者的廣泛關(guān)注[7]。

        鄭皓天[8]通過Sb2S3和Sb2Se3結(jié)合的方式,用PLD法制備出厚度可調(diào)的Sb2S3薄膜,將生成的Sb2S3薄膜作為吸收層運(yùn)用于完整的太陽能電池之中。利用PLD法制備出致密平整的Sb2S3薄膜與Sb2S3-Sb2Se3混合薄膜,其中Sb2S3薄膜通過在混有Se的密閉通道中進(jìn)行退火處理,Sb2S3-Sb2Se3混合薄膜直接生成Sb2(S1-xSex)3化合物,有效調(diào)節(jié)了光電轉(zhuǎn)化效率。

        6.結(jié)論與展望

        綜上分析可知,PLD(脈沖激光)法在制備薄膜方面具有較大的優(yōu)勢,有效的提高了光電轉(zhuǎn)化效率,相較于其他方法具有較強(qiáng)的可控性,且操作簡單,成本較低,有望實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的工業(yè)生產(chǎn)。但是雖然PLD法提高了量子點(diǎn)敏化太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化效率,但是距離其理論值仍具有較大的差距,通過嘗試改變設(shè)備的各項(xiàng)參數(shù)或者改變電池結(jié)構(gòu)來進(jìn)行提升均是以后研究的重點(diǎn)方向。

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