專利名稱：一種降低二硫化鉬基催化析氫電極電荷轉(zhuǎn)移阻抗的方法
2021-04-04 13:23:12
中國鉬業(yè) 2021年1期
關(guān)鍵詞：效率
專利申請?zhí)枺篊N201811060352
公開號：CN109112565A
申請日：2018.09.12
公開日：2019.01.01
申請人：電子科技大學
本發(fā)明屬于催化析氫技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種降低二硫化鉬基催化析氫電極電荷轉(zhuǎn)移阻抗的方法。針對現(xiàn)有的二硫化鉬納米薄片間及其與底部電極之間載流子傳輸效率低、半導體2H相二硫化鉬催化析氫活性低的問題，本發(fā)明的技術(shù)核心包括如下內(nèi)容：(1)摻入聚乙烯吡咯烷酮，使二硫化鉬產(chǎn)生由半導體2H相到金屬1T相的轉(zhuǎn)變；(2)均勻引入還原氧化石墨烯形成三維導電網(wǎng)絡(luò)，改善二硫化鉬片層間及與底部電極的電接觸；(3)銅薄膜電極作為導電基底，其與催化活性功能層有優(yōu)良電接觸，可有效提升電荷轉(zhuǎn)移效率。本發(fā)明適用于常溫下酸性溶液中的催化析氫反應。
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