藺小軍,張 允,崔 彤,楊 銳,辛曉鵬

(西北工業(yè)大學 機電學院,陜西 西安 710072)

1 問題的描述

整體噴嘴環(huán)是火力發(fā)電機組中汽輪機的核心部件，作為典型的閉式整體構(gòu)件，它將原本獨立的多個噴嘴葉片與內(nèi)、外緣板設(shè)計成一個整體結(jié)構(gòu)，如圖1所示。整體噴嘴環(huán)一般具有以下特點[2]：①根據(jù)功能不同可分為中壓噴嘴、高壓噴嘴和超高壓噴嘴環(huán)，根據(jù)旋向不同可分為左旋噴嘴環(huán)和右旋噴嘴環(huán)；②為了方便裝配，整環(huán)一般分成兩個完全相同的半環(huán)；③噴嘴環(huán)尺寸較大，直徑達到1 000～2 200 mm；④噴嘴環(huán)排氣邊喉道寬度較窄，一般為12～22 mm。

傳統(tǒng)整體噴嘴環(huán)葉片與緣板間的過渡區(qū)域為等半徑圓弧面，且半徑大小一般在3 mm以上,如圖2a所示。為了進一步減小氣流損失，提高氣動效率，新型噴嘴環(huán)過渡區(qū)域的圓弧半徑減小到1 mm以內(nèi)，甚至被改進為其他形狀的變半徑弧面，如圖2b和2c所示。銑削清根加工方法要求刀具的等效半徑小于或等于清根區(qū)域的最小曲率半徑。對于整體噴嘴環(huán)這種典型的多約束復雜曲面通道結(jié)構(gòu)而言，若采用傳統(tǒng)切削方法對新型噴嘴環(huán)過渡區(qū)域進行清根加工，存在兩個主要問題：①由于通道狹窄且彎扭程度大，過渡區(qū)域刀具可達性差，刀具極易產(chǎn)生干涉；②所要求刀具半徑非常小，需要定制專用刀具，小刀具剛性差且加工效率低。

電火花加工(Electrical Discharge Machining, EDM)靠放電腐蝕達到加工目的，具有成型精度高、材料適應(yīng)性廣等優(yōu)點[3-4]。與傳統(tǒng)銑削加工不同，電火花加工時“刀具”與工件之間的宏觀作用力很小，可以盡可能減少工件材質(zhì)與幾何形狀的影響。電火花成形加工是型面“拷貝”加工，利用成型電極作為“刀具”，能加工出數(shù)控銑削難以加工的復雜曲面通道類零件。

眾多學者對閉式復雜流道類零件的電火花加工進行了研究，并在多種零件上取得了成功應(yīng)用。李剛等[4]以專用 CAD/CAM 系統(tǒng)( BliskCad/Cam ) 為輔助工具，對某帶冠(閉式)整體渦輪盤電火花加工成形電極的設(shè)計和制造工藝進行了研究;劉曉等[5]針對帶葉冠整體式渦輪盤的電火花加工，論述了電極設(shè)計及軌跡搜索等關(guān)鍵技術(shù);吳彥農(nóng)等[6]以某型三元流閉式整體葉輪葉間流道的數(shù)控電火花加工為例，在分析其復雜閉式流道可加工性的基礎(chǔ)上，進行了工具電極及加工運動軌跡的設(shè)計，并探討了減小因搖動補償造成加工誤差的方法，在四軸聯(lián)動數(shù)控電火花加工機床上完成了零件試制，驗證了設(shè)計方法的可行性;趙建社等[7]從電極運動位姿變換的角度出發(fā)，提出一種基于軌跡搜索的電極設(shè)計方法，并通過加工仿真將該方法成功應(yīng)用于某型三元流閉式整體葉輪葉間氣流通道的電火花加工電極的設(shè)計中;劉辰等[8-10]針對無法采用數(shù)控銑削加工且若完全采用電火花則加工效率很低的三元流閉式整體葉輪，提出了采用數(shù)控電解和數(shù)控電火花組合加工的新工藝方案，該方案結(jié)合預加工階段數(shù)控電解效率高、精加工階段數(shù)控電火花加工精度高的優(yōu)點，既提高了加工效率，大大減少了電極損耗，降低了生產(chǎn)費用，又有利于保證葉片型面的最終加工精度。對于數(shù)控電解預加工，提出了采用多個陰極分區(qū)域加工流道的方法，利用先層切再疊加的方法將三維問題簡化為二維問題處理，實現(xiàn)了陰極加工型面的數(shù)值求解。對于數(shù)控電火花精加工，介紹了包括工具電極、運動軌跡以及工裝夾具設(shè)計的關(guān)鍵技術(shù)，基于組合工藝各項關(guān)鍵技術(shù)的解決，試制加工出了合格的零件。

可以看出，對于閉式整體構(gòu)件的加工，關(guān)鍵在于針對這一類零件的結(jié)構(gòu)及材料特點，選擇合適的加工方法，必要時采用組合加工工藝，揚長避短，才能實現(xiàn)零件的高效低成本制造。目前整體噴嘴環(huán)的數(shù)控銑削加工技術(shù)已經(jīng)較為成熟，通過加工區(qū)域劃分、最佳刀軸方向確定、高效粗加工、通道型面精加工等關(guān)鍵技術(shù)的研究[2]，結(jié)合多年的實際加工經(jīng)驗，已經(jīng)形成了成熟高效的數(shù)控銑削加工工藝。新型整體噴嘴環(huán)的加工難點在于小半徑/變半徑過渡內(nèi)圓角的加工受到銑削刀具的限制，而電火花加工能得到的最小角部半徑等于加工間隙，最小可達0.02 mm以內(nèi)。依靠成形電極拷貝加工的方法相比受刀具半徑限制的傳統(tǒng)銑削加工而言，在加工半徑較小或變化的曲面過渡內(nèi)圓弧面時，具有較大的優(yōu)勢。采用數(shù)控銑削+電火花清根的組合工藝，將電火花加工方法應(yīng)用于新型整體噴嘴環(huán)過渡圓角區(qū)域的加工，在現(xiàn)有成熟工藝的基礎(chǔ)上進行改進，是實現(xiàn)新型零件加工的有效途徑。

本文以某新型整體噴嘴環(huán)過渡圓角的加工為研究對象，提出在現(xiàn)有整體噴嘴環(huán)數(shù)控銑削加工的基礎(chǔ)上，對數(shù)控銑削難以加工的過渡圓角區(qū)域進行電火花清根加工，對電火花清根加工關(guān)鍵技術(shù)進行研究。

2 新型整體噴嘴環(huán)過渡圓角加工工藝及特點

采用數(shù)控銑削+電火花清根加工的組合工藝對新型整體噴嘴環(huán)過渡圓角區(qū)域進行加工，能在保證加工效率的前提下完成異型圓角加工。

(1)數(shù)控銑削加工 選取半徑通常為2～5 mm的球頭刀具，在不過切的前提下，以橢圓弧過渡圓角為例，半徑Rm的刀具銑削后理論上留下的殘留區(qū)域如圖3所示。在一個流體通道內(nèi)包括葉盆與內(nèi)緣板、葉盆與外緣板、葉背與內(nèi)緣板、葉背與外緣板共4處過渡圓角區(qū)域。

(2)電火花清根加工 將銑削后的殘留區(qū)域作為電火花清根加工的目標區(qū)域。根據(jù)目標區(qū)域設(shè)計清根加工專用成型電極，由電極型面拷貝的方式去除銑削后的殘余材料，完成新型噴嘴環(huán)過渡區(qū)域的加工。

對于閉式流道類零件的電火花加工，最關(guān)鍵的部分在于電極結(jié)構(gòu)及運動軌跡的設(shè)計，這將直接決定理論上能否進行加工。相比全通道型面的電火花加工而言，電火花清根加工的特點體現(xiàn)在以下方面：

(1)由于電極型面只需包括小部分圓角過渡確定的加工目標區(qū)域，對其余型面的要求為加工時不與非加工面干涉，故在電極結(jié)構(gòu)的設(shè)計上靈活性更大。

(2)由于電極結(jié)構(gòu)設(shè)計上的靈活，有利于無干涉加工軌跡的生成和電極材料的高效利用。

(3)清根加工較小的材料去除量使得無需過多考慮加工效率問題，實際加工中能直接選取較小的放電參數(shù)來保證加工質(zhì)量。

3 清根加工電極結(jié)構(gòu)設(shè)計

電火花加工工具為成形電極，與被加工表面有凹凸相反而形狀相同的截面或端面。利用電火花加工的方法，能將原本零件上難加工的內(nèi)凹面轉(zhuǎn)換為電極上容易加工的外凸面進行加工。要得到加工流體通道過渡區(qū)域的電極，需要從通道實體下手，通道實體由前一個葉片葉背、后一個葉片葉盆、內(nèi)外緣板和進排氣口包裹而成。電火花清根加工要求為去除銑削后葉片與內(nèi)外緣板過渡區(qū)域的殘留材料。

3.1 電極剖分

當流體通道彎扭嚴重時，采用一個電極可能無法對整個通道進行加工。在這種情況下,就必須對電極進行剖分，采用多個電極對通道進行分區(qū)域加工[4]，電極剖分的合理性直接影響電極結(jié)構(gòu)的優(yōu)劣和運動軌跡的復雜程度，從而影響加工效果。電極剖分時要注意以下問題：

(1)剖分的電極能夠精確地復制待加工區(qū)域，即由銑削殘留情況確定的葉片與緣板的過渡區(qū)域；

(2)剖分的電極能夠從噴嘴環(huán)流體通道外無干涉地進給到通道內(nèi)的加工目標位置；

(3)平衡電極數(shù)量與加工軌跡復雜程度之間的關(guān)系，盡可能減少電極數(shù)量；

(4)各電極邊界應(yīng)有一定重合，避免加工中出現(xiàn)搭接臺階，破壞曲面連續(xù)性；

(5)對于相鄰區(qū)域邊界的確定，如剖分從進氣邊和從排氣邊加工的電極時，要平衡兩區(qū)域電極的剛性和加工軌跡復雜程度，避免兩側(cè)差距較大。

某新型整體噴嘴環(huán)，由于通道彎扭嚴重，將通道上下剖分，分別從進排氣邊兩側(cè)加工。其次，由于從進氣口到排氣口通道逐漸變窄，從排氣邊加工時需要再分為加工葉背側(cè)和加工葉盆側(cè)的兩處區(qū)域。根據(jù)區(qū)域的劃分結(jié)果，將整個通道實體拆分就得到電極的初步形狀。整個通道分為進氣邊加工電極、排氣邊加工葉背側(cè)電極和排氣邊加工葉盆側(cè)電極3部分，目標清根加工區(qū)域完全被包含在這3部分之中，如圖4所示為對整體噴嘴環(huán)單個流體通道電極剖分的結(jié)果。

3.2 電極壓縮設(shè)計

對于清根加工電極，可在保留過渡圓角區(qū)域的前提下，通過壓縮使得電極體積變小，從而獲得運動空間。使電極能從通道外無干涉的運動到通道內(nèi)的加工目標位置，但過分追求運動空間可能使電極厚度過小、強度過低，制造過程中容易出現(xiàn)變形，難以保證電極型面精度[4]；運動空間過小則電極從加工起始位置運動到目標位置的軌跡相對復雜，機床伺服系統(tǒng)難以滿足，甚至根本不存在無干涉的運動軌跡。因此，需要同時兼顧電極強度和運動空間進行電極結(jié)構(gòu)設(shè)計與優(yōu)化。針對清根加工電極，提出徑向壓縮和周向壓縮兩種縮小電極的設(shè)計方法。

3.2.1 周向壓縮

周向壓縮是通過減小電極的周向厚度來獲得電極沿噴嘴環(huán)圓周方向的運動空間，其原理如圖5所示。將電極實體以噴嘴環(huán)軸線為旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)一定的角度，并將旋轉(zhuǎn)后的實體與原位置實體進行布爾求交運算，這樣得到的電極實體在保留原有實體全部幾何信息的同時體積變小，電極獲得圓周方向的運動空間。周向壓縮適用于電極兩面為同軸回轉(zhuǎn)面的情況，角度的選擇受電極周向厚度和移出空間的限制。

3.2.2 徑向壓縮

徑向壓縮是通過減小電極的徑向厚度來獲得電極沿噴嘴環(huán)徑向的運動空間。壓縮平移方向是平行于噴嘴環(huán)端面的某一半徑方向。同樣，通過布爾求交運算獲得壓縮后的實體，如圖6所示。這樣處理后的電極，葉盆葉背的部分型面已經(jīng)丟失，為了在徑向壓縮電極的同時保留4處待加工的過渡圓角區(qū)域，需要選取合適的壓縮方向和壓縮距離。

如圖7所示，以平行于噴嘴環(huán)端面的通道截面線為分析目標。整個通道截面線可分為3部分：①內(nèi)外緣板截面線；②四處過渡圓角截面線；③葉片葉盆葉背截面線。在葉盆葉背兩側(cè)，由兩處過渡圓角和葉片截面線組成的曲線均呈現(xiàn)向通道外凸的形狀。正是由于整體噴嘴環(huán)通道的這種結(jié)構(gòu)特點，可實現(xiàn)徑向壓縮電極的同時保留圓角過渡區(qū)域。銑削加工后，通道在4個角處存在殘留區(qū)域。刀具半徑確定后，內(nèi)外緣板與葉型之間的夾角越大，銑削加工殘留的區(qū)域越小。

首先考慮保留內(nèi)外緣板與葉背型面兩處過渡區(qū)域的壓縮可行域。A、B點為葉背側(cè)殘留區(qū)域臨界點，位置由銑削刀具半徑?jīng)Q定。連接AB，得到壓縮方向1，方向1為在此截面內(nèi)保留內(nèi)外緣板與葉背型面兩處過渡區(qū)域的最大距離壓縮方向。最大壓縮距離為線段AB的長度。假設(shè)同時兼顧電極強度和運動空間的壓縮距離為d，以A點、B點為圓心，以d為半徑作圓，分別交葉背截面線于點C和點D，連接AC，BD得到壓縮方向2和壓縮方向3，則壓縮方向2和壓縮方向3為能滿足壓縮距離d的臨界壓縮方向，在截面內(nèi)介于兩方向之間的方向域即為能滿足壓縮距離d的壓縮方向域。d值越大，則對應(yīng)的方向域越小。據(jù)此原理，實際上葉背側(cè)保留兩處過渡圓角的壓縮可行域可以表示為：將無需保留的葉背截面線AB曲線段繞AB直線段中點旋轉(zhuǎn)180°，與原曲線段組成封閉區(qū)域Sb作為壓縮可行域。要獲得可行壓縮方向和在此壓縮方向下的最大壓縮距離，可以連接可行域Sb的任意一個端點O和邊界點M,則線段OM的方向為壓縮可行方向，線段OM的長度為在此方向下的最大壓縮距離。

同理，求得保留內(nèi)外緣板與葉盆型面兩處過渡區(qū)域的壓縮可行域Sp，則S=Sb∩Sp為在此截面內(nèi)同時保留4處過渡區(qū)域的壓縮可行域。將可行域中壓縮距離最大的方向定義為徑向最佳壓縮方向，如圖8所示。在該方向下，徑向壓縮距離有最大的選擇空間。

由不同高度截面線求得的壓縮可行域不同，通過不斷增加限制截面的數(shù)量，對徑向壓縮方向進行修正，得到整個電極的徑向最佳壓縮方向，流程圖如圖9所示。

徑向壓縮后，內(nèi)外緣板截面線已經(jīng)不再是同心圓。從進氣邊加工的電極要同時獲得電極徑向和周向的運動空間，需要對電極先進行周向壓縮，再進行徑向壓縮。從排氣邊加工的已經(jīng)剖分為加工葉盆或葉背的電極則只需進行徑向壓縮，且只需考慮保留單側(cè)的兩處過渡區(qū)域。

4 加工軌跡設(shè)計

加工軌跡與電極的形狀密切相關(guān)，如果無法生成無干涉的加工軌跡或者加工軌跡過于復雜，機床伺服系統(tǒng)無法滿足，則需要對成形電極的結(jié)構(gòu)設(shè)計進行修改。加工時，成形電極的最終位置是確定的。只要電極在理論模型中能從最終位置無干涉的移出到通道外，電極的實際進給軌跡只不過是沿電極抽出軌跡反向運動，在運動過程中，將待去除材料去除，完成型面的拷貝。趙萬生等[11]將軌跡搜索問題描述為一個坐標變換的約束優(yōu)化問題，約束條件為電極移動過程中不與通道干涉，優(yōu)化目標為電極減厚量(對應(yīng)本文中的周向壓縮)最小;李剛等[12]提出了沿“主運動軸”搜索電極運動路徑的方法。劉曉等[13]提出使電極盡量沿流道中心曲線運動，相比沿“主運動軸”搜索電極運動路徑的方法，可得到更飽滿的電極。

4.1 整體噴嘴環(huán)單通道無干涉移出軌跡設(shè)計

本文提出一種“易干涉特征點”沿“邊界參考線”移動的軌跡生成方法。充分利用運動空間的邊界，在電極移出通道的過程中使易干涉部分處于臨界不干涉狀態(tài)，充分利用運動空間，以達到減少電極尺寸縮減量的目的。

(1)根據(jù)實際電極可運動的自由度確定電極移出通道時的主運動(一般為電極向通道出口的平移運動)和輔助運動(一般為電極旋轉(zhuǎn)運動)。

(2)分析得出電極在沿主運動方向移出通道時，最容易與通道型面干涉的部分，并提取特征點(一般為邊界曲線的端點、中點，曲面上沿某一方向的最高點)，提取依據(jù)為電極按一定規(guī)則移出過程中，如果特征點不干涉時，電極某一部分就基本不與此通道型面干涉。

(3)將該通道型面向通道內(nèi)偏置一定距離(考慮放電間隙和安全距離)，結(jié)合電極主運動方向生成特征點對應(yīng)的邊界參考線，即得到了電極移出通道的參考軌跡線。在電極移出過程中將電極以特征點為參考點，沿參考軌跡線運動，通過輔助運動調(diào)整電極姿態(tài)或選擇新的特征點，避免干涉的同時向通道外移動，必要時對電極結(jié)構(gòu)進行修改(增大縮減量)。

該方法適合于對壓縮參數(shù)有較大選擇范圍的整體噴嘴環(huán)清根加工電極的移出軌跡設(shè)計，選擇較小的初始壓縮參數(shù)可以獲得較小縮減量的電極結(jié)構(gòu)設(shè)計參數(shù)，也可選擇相對較大的初始壓縮參數(shù)來快速生成移出軌跡。初始位置可以根據(jù)壓縮參數(shù)設(shè)置在通道中間，該方法的流程圖如圖10所示。

4.2 多通道圓周循環(huán)軌跡計算

對于通道個數(shù)多，通道完全相同的整體構(gòu)件的數(shù)控加工，一般將工件安裝在回轉(zhuǎn)工作臺上，通過單個通道的加工軌跡結(jié)合工作臺的分度回轉(zhuǎn)，完成整個零件的加工。一般電火花機床難以滿足像整體噴嘴環(huán)這樣大直徑尺寸零件的回轉(zhuǎn)加工條件?；蛘咝枰O(shè)計復雜的專用工裝夾具。在零件位置固定的情況下，由一個通道的加工軌跡點計算出所有相同可加工通道的加工軌跡點來實現(xiàn)圓周循環(huán)加工，從而降低對機床的要求并能簡化工裝夾具。

以四軸電火花加工為例，單個通道的加工軌跡由一系列坐標點P=[XYZ]和電極的角向位置U=[θ]控制。坐標數(shù)值由電火花加工時的加工坐標系決定，角向位置由電極設(shè)計時的定位基準與坐標軸夾角決定。可根據(jù)式由單個通道的加工坐標計算其他相同通道的加工坐標，根據(jù)式計算電極角向位置。

P′=(P-O)×R+O，

(1)

U′=U+i×α。

(2)

其中：O為加工坐標系下噴嘴環(huán)中心坐標，O=[xo，yo，0]；R為旋轉(zhuǎn)矩陣，

i為代表通道相對位置的數(shù)值，順時針取負值，逆時針取正值；α為相鄰葉片間的中心角，α=2π/葉片個數(shù)。

5 整體噴嘴環(huán)電火花清根加工實驗

本文的清根加工實驗在四軸電火花機床上進行，機床包括X、Y、Z三個移動軸和繞Z旋轉(zhuǎn)的U軸，加工時噴嘴環(huán)零件軸線與Z軸平行安裝在工作臺上，電極周向的角度調(diào)整通過U軸實現(xiàn)，在進給過程中繞X軸和Y軸的旋轉(zhuǎn)自由度被限制。運動軌跡通過沿X、Y、Z的平移和繞Z的旋轉(zhuǎn)運動實現(xiàn)。

5.1 電極的設(shè)計與加工

采用本文提出的電極設(shè)計方法，對剖分后的進氣邊加工電極進行壓縮處理并生成加工軌跡。周向壓縮1.6°后按照圖9流程計算徑向最佳壓縮方向并壓縮12 mm。進氣邊雙向壓縮電極的4個最終位置如圖11所示，實際加工時電極從外部移入通道內(nèi)，并向4個位置進給完成加工。

為確定電極移出(移入)通道的軌跡，分析電極和通道沿圓周方向的截面線，如圖12所示，電極的運動表現(xiàn)為電極截面線的平動。約束邊界為兩條通道邊界線1和2。只要運動空間足夠，分別沿水平和豎直方向平移電極截面線，最終電極可沿豎直方向完全移出通道。圖12中階梯線為以電極角點P為參考點的移動軌跡?？梢钥闯?，P點為電極與通道邊界2(葉背側(cè)曲線)的干涉特征點，只要P點位于通道邊界2左側(cè)，移出過程中電極就不會與通道邊界2發(fā)生干涉。

獲取葉背偏置面，在流道平均半徑截面內(nèi)，使得電極角點P在葉背等距面的截面線上移動，直至截面線切向量豎直，電極脫離截面線改為豎直向上移動，如圖13所示。移動過程中電極的角向位姿通過輔助運動軸U調(diào)整。應(yīng)用本文提出的軌跡設(shè)計方法，在給定的初始壓縮參數(shù)下，生成了一條無干涉移出軌跡，結(jié)合4個位置的加工坐標，將最終得到的軌跡點信息處理為G代碼。

電極結(jié)構(gòu)和軌跡確定后，采用數(shù)控銑削方法加工電極，電極材料為紫銅，電極型面縮小偏置0.08 mm，補償放電間隙的同時為后續(xù)拋光工藝留下少量余量。對加工出的電極進行三坐標測量機(Coordinate Measuring Machine, CMM)測量，檢驗電極加工精度，如圖14所示。經(jīng)檢驗，電極圓角面的型面誤差小于0.02 mm，可用于電火花加工。

5.2 清根加工實驗

電火花加工對象為精銑后型面留有0.1 mm余量的整體噴嘴環(huán)。由于清根加工去除量較小，根據(jù)手冊直接選取放電間隙較小的電火花精加工放電參數(shù)，如表1所示，手冊給出的放電間隙參考值為0.061 mm。如圖15所示為清根加工實驗現(xiàn)場。

表1 放電條件參數(shù)

對清根加工后的噴嘴環(huán)進行CMM測量，取3個高度截面對4處過渡圓角區(qū)域進行測量，測點布置如圖16所示，測量結(jié)果如表2所示。零件過渡圓角處的面輪廓度公差為0.05 mm，電火花清根加工出的圓角能滿足設(shè)計要求。如圖17所示為電火花清根加工前后的噴嘴環(huán)零件。

表2 CMM測量結(jié)果

6 結(jié)束語

本文以新型整體噴嘴環(huán)過渡區(qū)域的加工為研究對象，研究了電火花清根加工關(guān)鍵技術(shù)并進行了加工實驗。主要貢獻如下：

(1)提出一種電火花清根專用電極設(shè)計方法，采取周向壓縮和徑向壓縮的策略，針對徑向壓縮求解得到最佳壓縮方向，使得電極在保留流體通道過渡圓角區(qū)域型面的同時，體積大小在一定范圍內(nèi)可調(diào)。

(2)提出一種“易干涉特征點”沿“邊界參考線”移動的運動軌跡設(shè)計方法，有效利用運動空間，減小了路徑搜索時的干涉情況，能快速得到無干涉軌跡。

(3)在數(shù)控精銑的基礎(chǔ)上進行的清根加工實驗表明，電火花精加工得到的過渡圓角區(qū)域滿足設(shè)計要求。采用數(shù)控銑削+壓縮電極清根的加工工藝，完成了僅靠傳統(tǒng)銑削難以加工的特殊過渡圓角噴嘴環(huán)的加工，為同類難加工零件提供了可參考的加工方案。

本文針對清根加工提出了壓縮電極的設(shè)計方法，然而電極的形狀誤差直接影響電火花成形加工精度。為了提高電極的加工精度，同時實現(xiàn)電極材料的高效利用，下一步需要對電極結(jié)構(gòu)、尺寸的優(yōu)化方法進行研究。另外，針對不可避免的電極形狀誤差和電極損耗，可進一步研究如何通過合理調(diào)整加工軌跡使電火花加工誤差最小化。