鄭麗君, 劉春娟, 汪再興, 孫霞霞, 劉曉忠

(蘭州交通大學(xué)電子與信息工程學(xué)院, 甘肅 蘭州 730070)

0 引 言

混合肖特基/PIN(MPS)二極管將傳統(tǒng)的PIN 二極管嵌入至肖特基二極管中形成并行結(jié)構(gòu),結(jié)合肖特基二極管的開啟壓降小、開關(guān)靈敏以及PIN 二極管反向擊穿電壓大、整流特性好等優(yōu)點(diǎn),同時(shí)消除二者的缺點(diǎn),表現(xiàn)出開啟電壓低、浪涌能力高、反向漏電流低、擊穿電壓高、快速轉(zhuǎn)換等特點(diǎn)[1-3]。這些優(yōu)良特性為MPS 的發(fā)展創(chuàng)造了良好條件。MPS 正向偏置下分為三大部分:肖特基和PIN 均未開啟、肖特基開啟單極模式和PIN 開啟雙極模型[4,5]。三種模式之間存在一定的過渡,因此電流輸運(yùn)機(jī)制也是相對(duì)復(fù)雜的過程,其中勢(shì)壘高度Φ 和理想因子n是影響正向傳輸機(jī)制的兩個(gè)重要參數(shù)。Yu 等[6]主要從新材料和器件制備的方面對(duì)具有高電流密度的金剛石肖特基勢(shì)壘二極管進(jìn)行研究。Li 等[7]認(rèn)為肖特基勢(shì)壘的形成主要是由于費(fèi)米能級(jí)中的釘扎效應(yīng),且熱電子激發(fā)是肖特基勢(shì)壘中主要的電流傳輸機(jī)制。Wu等[8]對(duì)無凹槽AlGaN/GaN 肖特基勢(shì)壘二極管的正向電流輸運(yùn)機(jī)制進(jìn)行研究,也認(rèn)為熱電子發(fā)射是其主要輸運(yùn)機(jī)制,且勢(shì)壘高度橫向不均一是由高密度的螺位錯(cuò)造成的。

目前對(duì)肖特基接觸載流子輸運(yùn)機(jī)制的研究主要集中在熱電子發(fā)射、橫向勢(shì)壘不均一以及理查德常數(shù)的修訂等三方面。但對(duì)于MPS 結(jié)構(gòu)M/S 界面處正向輸運(yùn)機(jī)制,以及存在雙勢(shì)壘的研究較少。

新型半導(dǎo)體材料碳化硅(6H-SiC)具有禁帶寬度大(大于3.0 eV)、電子飽和漂移速率高等優(yōu)點(diǎn),因此是制備MPS 功率器件的理想材料,本文以6H-SiC 為襯底建立MPS 基本結(jié)構(gòu)模型,通過采取不同的陽(yáng)極金屬證明雙勢(shì)壘的存在以及勢(shì)壘不均一現(xiàn)象。對(duì)陽(yáng)極金屬Ni 和Ti 進(jìn)行變溫仿真,探究溫度對(duì)雙勢(shì)壘高度(DBH)和理想因子的影響,從而得出相應(yīng)的電流輸運(yùn)機(jī)制。并對(duì)MPS 進(jìn)行反向變溫開關(guān)特性測(cè)試,探究其對(duì)反向峰值電壓、反向峰值電流以及軟度因子的影響。

1 器件結(jié)構(gòu)

6H-SiC 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度、高臨界擊穿電場(chǎng)、高輻射強(qiáng)度和耐化學(xué)腐蝕等獨(dú)特優(yōu)點(diǎn),成為制備大功率電子、航天和軍工等領(lǐng)域功率器件的最佳選材之一[9]。與傳統(tǒng)的Si 肖特基二極管(SBD)和PIN 二極管相比,6H-SiC MPS 結(jié)構(gòu)具有SBD 的低開啟壓降、快速轉(zhuǎn)換和PIN 的低漏電流和高擊穿電壓,元胞結(jié)構(gòu)示意圖如Fig.1 所示?；镜慕Y(jié)構(gòu)參數(shù)如下:器件厚度為50 μm,元胞寬度為15 μm,三個(gè)陽(yáng)極電極寬度均為1 μm,橫向元胞寬度網(wǎng)格步徑為0.5 μm,縱向器件厚度網(wǎng)格步徑為0.5 μm,襯底N+區(qū)厚度為10 μm,摻雜濃度為2.0×1020/cm3,均勻分布;P+區(qū)寬度W1為11 μm,結(jié)深4 μm,峰值摻雜濃度為8.0×1018/cm3,呈高斯分布;肖特基區(qū)域?qū)挾萕2為4 μm,漂移區(qū)雜質(zhì)濃度為5.0×1016/cm3,均勻分布。在建模過程中,分別采用不同的肖特基接觸金屬(即金屬功函數(shù)不同)、金屬接觸溫度,探究其對(duì)正向電流傳導(dǎo)機(jī)制、雙勢(shì)壘及不同溫度對(duì)反向恢復(fù)特性的影響。

圖1 MPS元胞結(jié)構(gòu)示意圖Fig.1 Schematic diagram of MPS cell structure

建模過程中采用以下物理模型: 遷移率模型為濃度依賴遷移率(conmob)、載流子濃度依賴(ccsmob)、平行電場(chǎng)依賴模型(fldmob);復(fù)合模型為Shockley-Read-Hall 和俄歇復(fù)合;載流子生成模型為Selberrherr 碰撞電離;P+和N+均為高摻雜區(qū),摻雜濃度大于1017/cm3,能帶寬度會(huì)降低,故載流子統(tǒng)計(jì)模型為能帶變窄統(tǒng)計(jì)模型;考慮變溫測(cè)試,采用晶格加熱模型;仿真過程中,為提高收斂性、準(zhǔn)確度,采用Newton 迭代法。

圖2 肖特基接觸能帶圖Fig.2 Energy band diagram of Schottky contact

2 理論基礎(chǔ)

2.1 MPS 金屬-半導(dǎo)體接觸

金屬-半導(dǎo)體接觸是功率元件與外電路連接時(shí)必不可少的,器件端子通常都是金屬-半導(dǎo)體接觸,一般可分為肖特基整流接觸和歐姆接觸。Fig.2 為典型的N型肖特基接觸的能帶圖,其中χ 為N型半導(dǎo)體電子親和能,是電子從導(dǎo)帶底提升至真空能級(jí)同時(shí)將晶體中的能量釋放所需要的能力。ΦM為金屬的功函數(shù),ΦS為半導(dǎo)體的功函數(shù),在熱平衡狀態(tài)下,費(fèi)米能級(jí)EFi處處一致,qVb為半導(dǎo)體一側(cè)的勢(shì)壘高度,可表示為

然而,半導(dǎo)體一側(cè)的勢(shì)壘高度為

故勢(shì)壘高度與金屬的功函數(shù)與半導(dǎo)體的電子親和能密切相關(guān)。

2.2 MPS 二極管的正向電流輸運(yùn)

MPS 二極管混合肖特基和PIN 結(jié)構(gòu),在正向?qū)〞r(shí)肖特基區(qū)域?yàn)槎鄶?shù)載流子輸運(yùn)產(chǎn)生電流,而PIN區(qū)域?yàn)樯贁?shù)載流子輸運(yùn)產(chǎn)生電流。MPS 兩端加正向偏壓后,其正向?qū)ㄟ^程主要分為三大部分:肖特基部分和PIN 均未導(dǎo)通;隨外加偏壓增大,多數(shù)載流子電子大量輸運(yùn),肖特基部分導(dǎo)通并起主要作用,從而進(jìn)入單極工作模式;偏壓繼續(xù)增大,PIN 導(dǎo)通,少數(shù)載流子空穴通過PIN 結(jié)勢(shì)壘形成PIN 結(jié)電流,從而進(jìn)入雙極模型。而在正向偏壓下M/S 界面的載流子傳輸主要有以下機(jī)制:

1)熱電子發(fā)射(TE)模型

1942 年Bethe 首次提出熱電子發(fā)射模型[10,11],適用于類SiC、GaN 等載流子遷移率較高的半導(dǎo)體。當(dāng)電子的平均自由射程遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過耗盡區(qū)的寬度時(shí),載流子在勢(shì)壘區(qū)的電離碰撞可忽略,載流子的輸運(yùn)主要決定因素為勢(shì)壘高度,當(dāng)V+＞3knT/q時(shí),基于泊松方程,與連續(xù)性方程求解,得出TE 的I-V表達(dá)式

式中V+為器件所加的正向壓降,n為理想因子,Is為飽和電流,即

式中A*=4πqm*k2/h3,A*為有效理查德常數(shù),6H-SiC 的A*為156 A·cm-2·K-2,kB為玻爾茲曼常數(shù),由(1)式可得

2)熱場(chǎng)發(fā)射(TEF)模型

Ahaitouft 等[12]提出在較低偏壓下載流子的輸運(yùn)主要以熱電場(chǎng)發(fā)射(TEF)為主。當(dāng)摻雜濃度較高時(shí),低偏壓下部分施主雜質(zhì)從M 側(cè)隧穿至S 側(cè),忽略串聯(lián)電阻時(shí),I-V表達(dá)式為

式中Φ 為勢(shì)壘高度,為電子有效質(zhì)量,εs為介電常數(shù),E00為隧穿因子。3)場(chǎng)發(fā)射(FT)模型能量處于費(fèi)米能級(jí)附近的載流子的輸運(yùn)稱為FT。通常將knT與E00的大小對(duì)比作為判斷依據(jù)。E00/(knT)＜0.5 時(shí)是熱電子發(fā)射;0.5＜E00/(knT)＜5 時(shí)是場(chǎng)致熱電子發(fā)射;E00/(knT)＞5 是場(chǎng)發(fā)射[13]。

2.3 雙勢(shì)壘的提取

MPS 作為一典型的雙極型器件,肖特基部分開啟時(shí)的I-V斜率與PIN 部分開啟時(shí)I-V斜率不同,此現(xiàn)象很大程度上是由于雙勢(shì)壘高度DBH 的產(chǎn)生,從而導(dǎo)致載流子輸運(yùn)的不同。MPS 的正向輸運(yùn)并不是單一模型,而是基于TE、TEF 和FT 的混合模型,是非理想特性行為,故MPS 中雙勢(shì)壘DBH 和理想因子n均與金屬功函數(shù)和T呈現(xiàn)一定的關(guān)系。雙勢(shì)壘行為即勢(shì)壘高度的不均一現(xiàn)象。就目前而言,DBH 產(chǎn)生的原因有材料缺陷(螺位錯(cuò)、微管、胡蘿卜和生長(zhǎng)坑)、表面態(tài)、界面化合、界面缺陷等。DBH 對(duì)提取關(guān)鍵的電學(xué)特性尤為重要,傳統(tǒng)的提取方法有熱電子發(fā)射理論、平行傳導(dǎo)和Tung 模型,前兩者均不適用于MPS 中DBH 的提取,電流輸運(yùn)并非單一的熱電子發(fā)射,高低勢(shì)壘并非簡(jiǎn)單的平行關(guān)系,故選用Tung模型進(jìn)行DBH 中勢(shì)壘高度1(Φ1)、勢(shì)壘高度2(Φ2)和理想因子的提取。

3 MPS 的DBH 仿真結(jié)果與分析

3.1 不同陽(yáng)極金屬

由于功函數(shù)是金屬固有的,在仿真過程中采用不同的陽(yáng)極金屬如Al、Ti、W、Ni、Pt 等。Fig.3 給出了不同陽(yáng)極金屬6H-SiC MPS 的正向I-V特性曲線。由Fig.3 可見,可將正向?qū)ㄇ€分為三大區(qū)域:第I 區(qū)域,肖特基區(qū)域和PIN 區(qū)域均未開啟,整個(gè)器件電流幾乎為零;第II 區(qū)域,肖特基部分開啟,少許電流通過器件,電流隨外加正向電壓的增大而增大,此刻器件處于單極模型,所加偏壓繼續(xù)增大時(shí),P+區(qū)開始逐漸向漂移區(qū)注入少數(shù)載流子,這是一個(gè)動(dòng)態(tài)平衡的過程,器件逐漸由單極過渡到雙極模式從而進(jìn)入第III 區(qū)域,電流呈指數(shù)增長(zhǎng)。

結(jié)合Fig.3 和插圖(將縱坐標(biāo)設(shè)為指數(shù)式部分放大圖),存在典型的雙勢(shì)壘,第II 區(qū)域的斜率較小,說明勢(shì)壘高度Φ1較小;第III 區(qū)域的斜率大,Φ2偏高。仿真過程中,從Fig.3 中采用電流-電壓法提取相關(guān)的參數(shù)得出勢(shì)壘高度Φ1和Φ2,繪制如Fig.4 不同陽(yáng)極金屬下的DBH 曲線。Fig.4 中,陽(yáng)極金屬?gòu)腁l～Pt 金屬的功函數(shù)增大,Φ1和Φ2均呈增長(zhǎng)趨勢(shì),且呈雙高斯分布,金屬功函數(shù)由ΦM-Al=4.28 eV 增加至ΦM-Pl= 5.65 eV,Φ1由0.6487 eV 增至2.0187 eV,Φ2由0.7959 eV 增至2.1659 eV,功函數(shù)增大(Φ1增大),肖特基的開啟電壓逐漸增大,由Von1-Al的0.45 V 增至Von1-Pt的1.85 V,增長(zhǎng)率為311.12%,而Φ2增大,PIN 的開啟電壓(即所謂的轉(zhuǎn)折電壓)呈現(xiàn)負(fù)相關(guān),由Von2-Al的5.49 V 下降至Von2-Pt的3.75 V,而下降率為31.69%。

結(jié)合Fig.3 和Fig.4,6H-SiC 基MPS 正向偏壓下,仿真實(shí)驗(yàn)證明MPS 存在明顯的雙勢(shì)壘且勢(shì)壘高度不均一現(xiàn)象,勢(shì)壘高度Φ1、Φ2均隨功函數(shù)的變化而變化且變化趨勢(shì)一致。究其原因,其一為器件結(jié)構(gòu),雙極性器件載流子的輸運(yùn)不同,肖特基部分主要是多數(shù)載流子的擴(kuò)散輸運(yùn),重?fù)诫s的PIN 部分是空間電荷區(qū)的少數(shù)載流子的輸運(yùn),中間存在多數(shù)載流子和少數(shù)載流子輸運(yùn)的過渡。其二,Fig.3 第I 和第II 區(qū)域的曲線相對(duì)密集,斜率變化范圍較小,且Fig.4 中Φ1和Φ2兩條曲線間距差基本保持一致,由此可推斷金屬的類型對(duì)勢(shì)壘橫向不均一的影響較小,這與文獻(xiàn)[14]相一致。DBH 的存在源于界面態(tài)缺陷狀態(tài),如M/S 界面處的缺陷或深能級(jí)的電活性缺陷,以及橫向分布的不均勻性導(dǎo)致雙勢(shì)壘的形成。而M/S 界面處呈現(xiàn)相關(guān)的晶體缺陷,這絕大部分是由于界面處的懸空鍵或底板中存在的雜質(zhì)造成,這些缺陷中心和陷阱造成了勢(shì)壘的不均一,陷阱中心的相關(guān)能量位于禁帶中,通過電子的發(fā)射和捕獲與導(dǎo)帶、價(jià)帶交換電荷,施主型陷阱可以顯正電性或中性,受主型陷阱可以顯負(fù)電性或中性,經(jīng)過一系列的捕獲與發(fā)射活動(dòng),從而使陷阱中心的阱密度發(fā)生變化,影響了電荷的密度分布。當(dāng)內(nèi)部系統(tǒng)達(dá)到一定的動(dòng)態(tài)平衡時(shí),外觀表現(xiàn)為電流電壓的變化。Fig.4 中兩條曲線均呈上升趨勢(shì),主要原因是金屬不同,這是金屬的本質(zhì)特性。

3.2 陽(yáng)極金屬變溫仿真

針對(duì)Ni 陽(yáng)極和Ti 陽(yáng)極的6H-SiC MPS 進(jìn)行了變溫正向I-V特性仿真,溫度范圍為250 ～500 K,變溫間距為50 K,結(jié)果如Fig.5 所示,Fig.5(a)為Ni 陽(yáng)極的6H-SiC MPS 二極管正向I-V隨溫度T變化的關(guān)系圖,Fig.5(b)為Ti 陽(yáng)極的6H-SiC MPS 二極管正向I-V隨溫度T變化的關(guān)系,6H-SiC MPS 二極管的正向I-V曲線與溫度T存在強(qiáng)依賴關(guān)系,溫度T增大對(duì)第I 區(qū)域的影響較小,此時(shí)肖特基和PIN 均未開啟。第II 和III 區(qū)域隨著T增大呈明顯的負(fù)相關(guān)性,曲線斜率逐漸降低,同時(shí)PIN 的開啟電壓也呈現(xiàn)負(fù)相關(guān),Ni 陽(yáng)極由Von2-250的4.7 V 下降至Von2-500的4.25 V,下降了約9.57%,Ti 陽(yáng)極由Von2-250的5.71 V 下降至Von2-500的5.1 V,下降了約10.68%,溫度升高加速PIN 提前導(dǎo)通,進(jìn)入雙極模式。T增大,第II 和III 區(qū)域的電流密度也隨之減小,其原因是晶格散射(聲子散熱)引起載流子遷移率的下降。晶格散射與原子的熱運(yùn)動(dòng)密切相關(guān),在熱平衡狀態(tài)下,載流子既發(fā)射聲子,同時(shí)又吸收聲子,能量的凈交換基本為零,且能量呈麥克斯韋分布。當(dāng)存在電場(chǎng)時(shí),載流子從電場(chǎng)中獲得能量,由于此時(shí)發(fā)射的聲子大于吸收的聲子,從而將能量損耗傳給聲子,發(fā)生聲子散射。溫度上升加速原子的熱運(yùn)動(dòng),晶格內(nèi)空穴、電子、原子的碰撞加劇,晶格的振動(dòng)頻率增強(qiáng),碰撞的平均時(shí)間間隔降低,意味著聲子散射的概率增強(qiáng),從而載流子的遷移率下降,導(dǎo)致相應(yīng)的電流密度下降,呈現(xiàn)負(fù)相關(guān)。

圖3 不同陽(yáng)極金屬下的電流-電壓曲線Fig.3 I-V curves under different anode metals

圖4 不同陽(yáng)極金屬下的雙勢(shì)壘曲線Fig.4 DBH curves under different anode metals

圖5 不同溫度下的電流-電壓曲線。(a)Ni;(b)TiFig.5 I-V curves under different temperature.(a)Ni;(b)Ti

勢(shì)壘高度和理想因子對(duì)于器件而言是兩個(gè)重要的參數(shù),提取相關(guān)參數(shù),繪制如Fig.6 所示,其中(a)、(b)為Ni 陽(yáng)極金屬的DBH-n圖,(c)、(d)為Ti 陽(yáng)極金屬的DBH-n圖,(a)、(c)為不同溫度下的Φ1-n1圖,Φ1和n1均與溫度呈現(xiàn)負(fù)相關(guān)性,(b)、(d)為不同溫度下的Φ2-n2圖,Φ2隨溫度T的增大而增大,與此相反,n2隨T的增大而下降。Φ1和n2隨溫度的變化趨勢(shì)符合熱電子發(fā)射電流傳輸機(jī)制,與理論分析一致。Φ2和n2兩條曲線的交匯點(diǎn)位于350 K,因此可以通過此溫度進(jìn)行理查德常數(shù)A*的修訂,關(guān)于此點(diǎn),此處不作詳細(xì)敘述。

Fig.6(a)、(c)關(guān)于Φ1和n1的兩圖中,溫度T上升,Φ1反而下降,由此證明在低勢(shì)壘區(qū)電流輸運(yùn)模式并非單一的TE 模型,而存在較復(fù)雜的復(fù)合輸運(yùn)模式,此期間存在的輸運(yùn)模式有熱場(chǎng)發(fā)射、場(chǎng)發(fā)射模型,量子隧穿模型、以及載流子的復(fù)合等,導(dǎo)致溫度與勢(shì)壘呈現(xiàn)負(fù)相關(guān),這些復(fù)雜的混合模型基于鏡像力原因,促使界面穩(wěn)定性下降,界面態(tài)密度Nss上升,從而Φ 下降。Fig.6 中,同一溫度下n1略高于n2,也進(jìn)一步說明Φ1區(qū)并非簡(jiǎn)單的單一模式,存在多重復(fù)雜模型。由Fig.6 可知,T上升,理想因子均呈下降趨勢(shì),DBH 不均勻分布,其主要原因來源于界面態(tài),可能的原因有界面的缺陷密度、材料出現(xiàn)簇團(tuán)缺陷密度、化學(xué)計(jì)量的不均一、界面電荷成分的轉(zhuǎn)變、界面電荷的非均勻分布等,以上都會(huì)造成勢(shì)壘的不均勻分布,導(dǎo)致理想因子迅速下降。

圖6 不同溫度下的雙勢(shì)壘曲線和理想因子曲線。(a)Ni-Φ1-n1;(b)Ni-Φ2-n2;(c)Ti-Φ1-n1;(d)Ti-Φ2-n2Fig.6 DBH curves and n curves under different temperature.(a)Ni-Φ1-n1;(b)Ni-Φ2-n2;(c)Ti-Φ1-n1;(d)Ti-Φ2-n2

3.3 不同溫度下反向恢復(fù)特性

對(duì)Ni 陽(yáng)極的6H-SiC MPS 二極管的兩端加反向偏壓,變溫反向恢復(fù)特性曲線如Fig.6 所示,插圖為部分放大曲線。對(duì)MPS 加反向偏壓時(shí),對(duì)存在于漂移區(qū)中的大量少數(shù)載流子進(jìn)行抽運(yùn),直至反向恢復(fù)電流達(dá)到峰值后耗盡層開始形成,結(jié)電容反向充電,反向恢復(fù)峰值電流、反向恢復(fù)峰值電壓減小,最后至器件完全關(guān)斷。由兩個(gè)插圖明顯可知,溫度增大,反向恢復(fù)峰值電流和反向恢復(fù)峰值電壓明顯增大,從中提取相關(guān)參數(shù),得出Table 1,其中IRM表示反向恢復(fù)峰值電流,VRM表示反向恢復(fù)峰值電壓,S表示軟度因子(衡量二極管開關(guān)特性的重要指標(biāo)),溫度增大,IRM由120.7 A 增至264.43 A,增長(zhǎng)了119.08%;VRM由12.74 V 增至23.91 V,增長(zhǎng)了87.67%,而軟度因子逐漸下降趨近于1。溫度增大,一方面正向時(shí)存儲(chǔ)在空間電荷區(qū)的少數(shù)載流子的濃度增大,加劇了p+區(qū)少數(shù)載流子的擴(kuò)散,需要在反向時(shí)抽運(yùn)的載流子濃度增大,從而使IRM和VRM增大;另一方面,溫度上升,少數(shù)載流子濃度增大,導(dǎo)致擴(kuò)散系數(shù)增大,從而擴(kuò)散速率增強(qiáng),電流密度增大,使耗盡層形成時(shí)間縮短,從而使軟度因子更接近于1。

圖7 不同溫度下反向恢復(fù)特性曲線。(a)瞬態(tài)過程時(shí)間與電流的曲線;(b)瞬態(tài)過程時(shí)間與電壓的曲線Fig.7 Reverse recovery characteristic curves under different temperature.(a)Transient time and current curvrs;(b)Transient time and voltage curvrs

表1 不同溫度下反向恢復(fù)特征參數(shù)Table 1 Characteristic parameters of reverse recovery under different temperature

4 結(jié) 論

研究了6H-SiC MPS 二極管的正向電流傳導(dǎo)機(jī)制、雙勢(shì)壘以及溫度對(duì)反向恢復(fù)特性的影響。金屬功函數(shù)不同,勢(shì)壘高度也因此不同,仿真驗(yàn)證了DBH 現(xiàn)象的存在以及勢(shì)壘的不均勻分布。變溫下的雙勢(shì)壘仿真測(cè)試,證實(shí)了在MPS 的正向傳導(dǎo)過程中存在不同的輸運(yùn)機(jī)制,溫度增大,Φ2增大,n2下降,此時(shí)電流傳輸機(jī)制主要以熱電子發(fā)射模型為主,而溫度增大時(shí),Φ1和n1均呈下降趨勢(shì),此時(shí)電流輸運(yùn)為基于熱場(chǎng)發(fā)射、場(chǎng)發(fā)射模型、量子隧穿模型及載流子的復(fù)合的多重輸運(yùn)方式,是一個(gè)相對(duì)復(fù)雜的過程。DBH 的存在主要是由于界面態(tài)以及界面態(tài)中出現(xiàn)的大量缺陷。在反向過程中,溫度增大,反向恢復(fù)峰值電壓和電流增大,但軟度因子會(huì)逐漸趨于1。