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        液晶顯示器的接口技術(shù)及其抗干擾對(duì)策研究

        2021-01-16 08:50:19孫啟超沈陽(yáng)火炬北泰數(shù)碼科技有限責(zé)任公司
        環(huán)球市場(chǎng) 2021年23期
        關(guān)鍵詞:接口技術(shù)儀表現(xiàn)象

        孫啟超 沈陽(yáng)火炬北泰數(shù)碼科技有限責(zé)任公司

        自重輕、能耗少、工作電壓低、呈現(xiàn)信息量大等均是液晶顯示器(LCD)的優(yōu)勢(shì),跟隨測(cè)控科技的發(fā)展進(jìn)程,LCD 在各類儀表、儀器及電子裝置生產(chǎn)中應(yīng)用范疇不斷拓展,被用在結(jié)果測(cè)量及人機(jī)對(duì)話等工作領(lǐng)域中。依照功能可以將LCD 分成筆段式、字符及圖像點(diǎn)陣式三種類型,相比之下,后兩種在測(cè)控儀表中應(yīng)用更多見(jiàn)。應(yīng)結(jié)合現(xiàn)實(shí)需求,選擇適宜的LCD,并有針對(duì)性的完善軟、硬件量大方面,進(jìn)而取得最佳的應(yīng)用效果。

        一、LCD和微控制器的接口技術(shù)

        (一)LCD 的并行接口

        大部分情況下,顯示模塊的外部接口應(yīng)用并行方法,畢竟采用如下模式執(zhí)行外接口線的讀寫(xiě)時(shí)序:(1)8080 模式:該模式的接口信號(hào)以工作主電源(Vcc)、偏置電源(Vee)、公共端(Vss)、寫(xiě)入及讀入數(shù)據(jù)控制線等為主。(2)6800 模式:該模式中,Vcc、Vee、Vss 各自的功能同上,還有其他信號(hào)線,比如讀寫(xiě)控制、允許信號(hào)等。在接口電路內(nèi),LCD 和微控制器的接口通常還會(huì)采用如下兩種方式[1]:

        一是總線式接口。這種方式在各種CPU 芯片與具備并行總線(地址、數(shù)據(jù)及控制總線)接口的單片機(jī)上表現(xiàn)出較高的適用性。在接口電路內(nèi),DB0~DB7 直接和數(shù)據(jù)總線連接,其他信號(hào)線采用地址線與控制線共同譯碼生成。在譯碼電路內(nèi),可以選用簡(jiǎn)潔邏輯去設(shè)計(jì)GAL 芯片。

        二是I/O 接口。這種方式在各類單片機(jī)設(shè)備上表現(xiàn)出較高的適用性,包括MCS-51、PIC、51LPC 系列內(nèi)。在接口電路內(nèi),采用對(duì)各條接口線進(jìn)行讀寫(xiě)的方式滿足LCD對(duì)時(shí)序提出的要求。

        (二)Vee 的生成

        在LCD 模塊,通常是采用調(diào)節(jié)Vee 值的方法去控制對(duì)比度。伴隨溫度改變,對(duì)比度大小也會(huì)出現(xiàn)一定變化,為確保調(diào)整的精準(zhǔn)度,應(yīng)增設(shè)溫度傳感器,利用補(bǔ)償電路進(jìn)行操作的。大部分應(yīng)用者通過(guò)將一個(gè)電位器增設(shè)到Vcc 與一個(gè)負(fù)電源V-之間,調(diào)節(jié)電位器使其輸出一個(gè)適宜的Vee,進(jìn)而去調(diào)控LCD 的對(duì)比度??梢岳靡粋€(gè)直流電源電路產(chǎn)生負(fù)電源V-。

        如果某測(cè)控儀表內(nèi)設(shè)計(jì)了RS232 接口,則就要有TTL 及RS232 電平配套的轉(zhuǎn)換電路。MAX202 芯是當(dāng)下常用的芯片類型,由MAXIM 公司研發(fā)制造的,能夠轉(zhuǎn)換TTL 和RS232 電平。本芯片內(nèi)置了電源提升泵,運(yùn)作時(shí)僅需有5V 電源的協(xié)助,不必外接12V電源,有性能安全、可靠及操作快捷等特點(diǎn)。芯片引腳處有負(fù)電源輸出,可以巧用這個(gè)引腳去將直流電源電路取代。

        二、抗干擾對(duì)策

        大部分情景下,會(huì)將LCD 顯示屏安置在儀表的面板上,利用單條扁平線纜和主控板連接。儀表運(yùn)行階段,內(nèi)部形成的電磁干擾會(huì)影響LCD 工作效率及穩(wěn)定性。可以嘗試采用如下抗干擾對(duì)策[2]:

        (1)盡量選擇驅(qū)動(dòng)能力較強(qiáng)的芯片作為主板上和LCD 模塊接口各自的邏輯電路;

        (2)在LCD 模塊的接口內(nèi),將一個(gè)人0.1μF 濾波電容接入Vcc 與Vss 之間;

        (3)LCD 模塊的作業(yè)電流極低,通常是幾個(gè)mA,但其背光局部所需的電流顯著高于其額定作業(yè)電流,盡可能實(shí)現(xiàn)作業(yè)及背光電源分別走線;

        (4)利用/RES 引腳定期對(duì)液晶屏進(jìn)行復(fù)位操作,這是確保晶顯示屏能在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)安全、穩(wěn)定運(yùn)作的重要基礎(chǔ)。如果不準(zhǔn)許執(zhí)行以上過(guò)程,則建議檢測(cè)檢驗(yàn)LCD 內(nèi)部工作寄存器和顯示RAM,如果探查到LCD出現(xiàn)異常,則可以對(duì)其進(jìn)行復(fù)位操作。

        三、CMOS自鎖現(xiàn)象與抑制方法

        在業(yè)內(nèi),自鎖現(xiàn)象還被叫做可控硅(SCR)現(xiàn)象,主要是由于器件中存有的pnpn 結(jié)構(gòu)生成了雙結(jié)型寄生晶閘管,這種類型閘管的電路結(jié)構(gòu)和SCR 結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出高度一致性。在檢測(cè)與應(yīng)用階段,如果有外來(lái)電壓或電流信號(hào)觸發(fā)動(dòng)作時(shí),CMOS 器件的漏極(Vdd)與源極(Vss)間便會(huì)形成較大的導(dǎo)通電流。如果電流流動(dòng),只有通過(guò)斷離電源或降壓才能阻斷流動(dòng)過(guò)程,內(nèi)部生成寄生雙極晶閘管是CMOS 電路出現(xiàn)自鎖效應(yīng)的主因。具體可以有內(nèi)外因之分,內(nèi)因主要是由于內(nèi)部雙寄生晶體管自體的特別構(gòu)造,外因有[3]:(1)輸入或輸出端的電平明顯低于Vss,或顯著高于Vdd;(2)Vdd端出現(xiàn)異常的浪涌電壓或噪聲引起的干擾;(3)電源電壓瞬時(shí)動(dòng)作,造成反偏下p 阱-襯底結(jié)電容形成較大的充放電電流,伴隨電源電壓變化加速,電流值也會(huì)增加;(4)在電離輻射的作用下,比如α、γ 射線的持續(xù)性照射,導(dǎo)致部分異常電流流經(jīng)襯底、阱等位置。

        為規(guī)避發(fā)生自鎖情況,一是要從CMOS器件的生產(chǎn)制造工藝上著手,對(duì)其基本機(jī)構(gòu)作出適度調(diào)整;而是改善電路設(shè)計(jì)工作,結(jié)合自鎖現(xiàn)象成因,運(yùn)用相應(yīng)的方法,具體如下:

        (1)如果輸入、出電源端形成浪涌電壓或電流時(shí),可以在相應(yīng)的斷口串聯(lián)電阻,對(duì)觸發(fā)電流能起到一定限制作用,也可以通過(guò)加粗電源線的方法處理以上情況。

        (2)如果檢測(cè)電源線阻抗值偏高時(shí),系統(tǒng)中電流開(kāi)關(guān)動(dòng)作引起電壓出現(xiàn)動(dòng)態(tài)式降低時(shí),也增加了自鎖現(xiàn)象的發(fā)生率。面對(duì)以上情況,可以把電容接到Vdd與Vss之間,用于提供動(dòng)態(tài)電流,降低電源線上的動(dòng)態(tài)壓降值。

        (3)因?yàn)楹芏嘧枣i現(xiàn)象是瞬間生成的,可以采用浪涌電壓或電流形成的強(qiáng)磁場(chǎng)內(nèi)前斷開(kāi)系統(tǒng)CMOS 器件提供電流,繞過(guò)強(qiáng)磁場(chǎng)后再進(jìn)行上電作業(yè)。

        四、結(jié)束語(yǔ)

        LCD 自身有很多優(yōu)勢(shì)特征,這也是其在電子產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?;瘧?yīng)用的主要原因。在實(shí)際中,應(yīng)結(jié)合LCD 使用場(chǎng)景的不同選擇適宜的類型,采用適宜的接口技術(shù),從多個(gè)方面應(yīng)用抗干擾對(duì)策方法等,分析自鎖現(xiàn)象的具體成因,有針對(duì)性的采用相關(guān)措施方法及時(shí)解除等,進(jìn)而確保LCD 能安全、穩(wěn)定應(yīng)用,將自身作用充分發(fā)揮出來(lái),為人們生產(chǎn)生活、社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展貢獻(xiàn)更多的力量。

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