范昌模 程春悅
(北京無線電計量測試研究所,北京100039)
有源冷噪聲源(Active Cold Noise Source,ACNS)無需制冷就可以產(chǎn)生穩(wěn)定的低溫噪聲,具有廣泛應(yīng)用前景,1981年澳大利亞Frater 等人設(shè)計實物電路驗證其提出的冷場效應(yīng)管理論[1]并預(yù)言了這類電路的應(yīng)用。冷場效應(yīng)管理論是指通過電感負(fù)反饋抵消掉晶體管輸入阻抗容性分量,讓其輸入阻抗等效成一個很小的電阻,因而柵極向外界輸出一個極小的等效噪聲溫度。
輻射計定標(biāo)需要兩個參考源,即高溫源和冷源,其中冷源獲取相對困難。ACNS 的出現(xiàn)能降低傳統(tǒng)微波噪聲源獲取低溫噪聲的難度,有效節(jié)約定標(biāo)成本,將ACNS 作為微波輻射計的低溫參考源契合實際。
目前,國外研制的有源冷噪聲器件工作范圍覆蓋L-W 頻段[1-4],這些器件的成功研制驗證了冷場效應(yīng)管理論的準(zhǔn)確性。國內(nèi)外有源冷噪聲器件的成功設(shè)計表明冷場效應(yīng)管理論已趨于成熟,接下來的發(fā)展方向是推動ACNS 向應(yīng)用方向前進(jìn),克服ACNS 在工程技術(shù)應(yīng)用上的困難,推進(jìn)部分關(guān)鍵指標(biāo)的實現(xiàn)。
在傳統(tǒng)低頻電路中,一個放大器的輸入端的等效噪聲輸出亮溫可以表示為[5]
從式(1)可以看出,輸入端做到噪聲匹配可以使場效應(yīng)晶體管得到一個最小反向噪聲溫度。
設(shè)計噪聲匹配本質(zhì)是讓噪聲源阻抗實際值(可以通過負(fù)反饋改變)等于最佳源阻抗,在ADS 仿真中的表達(dá)就是最佳反射系數(shù)。這是用于設(shè)計ACNS 最小反向輸出噪聲溫度的第一個指標(biāo)。有源冷噪聲源的二端口網(wǎng)絡(luò)微波噪聲模型框圖如圖1 所示。
圖1 二端口網(wǎng)絡(luò)微波噪聲模型框圖Fig.1 Block diagram of two-port network microwave noise model
圖1 表明ACNS 柵極經(jīng)過匹配網(wǎng)絡(luò)將向接收機(jī)饋入一個很小的噪聲信號,等效成噪聲溫度為[6]
式中:T2——負(fù)載物理溫度;T1——和輸入端相連的系統(tǒng)的物理溫度;G12——正向(柵極到漏極)功率增益;G21——反向(漏極到柵極)功率增益。
Ta和Tb由式(4) ~式(5)表示
式中:Rn——晶體管的等效噪聲電阻;Gopt——最佳噪聲電導(dǎo)。
非最佳噪聲匹配狀態(tài)下,Γ′opt與Γopt的關(guān)系為
在此條件下,化簡Ta和Tb并代入式(3),可以得到新的TS,1表達(dá)式。對求偏導(dǎo)并整理得到
輸入功率匹配的條件下有
根據(jù)式(10)調(diào)節(jié)參考平面3 和4 之間的S 參數(shù)矩陣可以得到一個最小ΓL值,對應(yīng)可以獲得一個最小的TS,1。這是設(shè)計ACNS 最小輸出噪聲溫度的第三個指標(biāo)的公式表達(dá),可以應(yīng)用于ADS 仿真環(huán)節(jié)。
綜上所述,有源冷噪聲源的反向輸出噪聲溫度的貢獻(xiàn)有三項:接收機(jī)系統(tǒng)和二端口網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)輸入噪聲信號饋入再反射的噪聲信號;晶體管自身的反向輸出噪聲信號;二端口網(wǎng)絡(luò)輸出端饋入和負(fù)載饋入的噪聲信號。設(shè)計過程對每一項噪聲信號進(jìn)行最小化處理,從而完成有源冷噪聲源的設(shè)計目標(biāo)。
有源冷噪聲源的目的在于獲取如圖1 二端口網(wǎng)絡(luò)微波噪聲模型中一個最小的TS,1。根據(jù)以上分析,整個設(shè)計流程如下。
1)選取擁有良好反向隔離度和低噪聲阻抗的場效應(yīng)管;
2)根據(jù)廠商提供的晶體管測試數(shù)據(jù)確定偏置電路;
3)保證系統(tǒng)處于絕對穩(wěn)定條件下調(diào)諧源極反饋電感的值尋求一個最小的負(fù)載反射系數(shù);
4)設(shè)計輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò);
5)對輸入阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行調(diào)諧和優(yōu)化,同時滿足輸入功率匹配和噪聲匹配兩個條件;
6)添加直流隔離電容,并綜合調(diào)諧使3 個設(shè)計指標(biāo)達(dá)到最優(yōu)效果。
以上步驟在設(shè)計中可以反復(fù)迭代,力求達(dá)到最佳效果。
根據(jù)調(diào)研,高電子遷移率場效晶體管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)適合作為有源冷噪聲源設(shè)計的核心晶體管,此次選取了ATF54143型和ATF35143 型pHEMT 管作為設(shè)計冷噪聲源的核心器件。這兩款芯片符合設(shè)計要求,兩者在性能上有著共同點和差異點。
整個設(shè)計過程利用ADS(Advance Design System)仿真實現(xiàn),其中以ATF54143 為核心設(shè)計的ACNS 在Vds =2.12V,Id =144mA,Vgs =0.693V 偏置下,于1.414GHz頻率點有最小噪聲系數(shù)NF =0.437dB;最佳輸入噪聲阻抗Zopt =49.800-j ×1.446Ω;最小負(fù)載反射系數(shù)→0,系統(tǒng)穩(wěn)定因子滿足絕對穩(wěn)定:stabfact1=1.146>1,0<stabmeas1=0.656<1。在(1.4 ~1.43)GHz 范圍內(nèi),輸入反射系數(shù)S11<-29dB,同時此頻帶范圍內(nèi)系統(tǒng)處于絕對穩(wěn)定狀態(tài)。
以ATF54143 為核心設(shè)計的ACNS 三個優(yōu)化指標(biāo)及噪聲系數(shù)如圖2 所示。
圖2 ATF54143 仿真數(shù)據(jù)示意圖Fig.2 Simulation data of ATF54143
以ATF35143 為核心設(shè)計的ACNS 在Vds =2.03V,Id=14.7mA,Vgs=-0.58V 偏置下,于1.414GHz頻率點有最小噪聲系數(shù)NF =0.564dB;最佳輸入噪聲阻抗Zopt=49.271+ j ×2.827Ω;最小負(fù)載反射系數(shù)0,系統(tǒng)穩(wěn)定因子滿足絕對穩(wěn)定:stabfact1=1.085>1,0<stabmeas1=0.424<1。在(1.4~1.43)GHz范圍內(nèi),輸入反射系數(shù)S11<-23dB,同時此頻帶范圍內(nèi)系統(tǒng)處于絕對穩(wěn)定狀態(tài)。
以ATF35143 為核心設(shè)計的ACNS 三個優(yōu)化指標(biāo)及噪聲系數(shù)如圖3 所示。
后續(xù)還需要對實物進(jìn)行封裝和測試,有源冷噪聲源輸出亮溫的測量主要利用搭建的周期定標(biāo)輻射計完成。此處選取的兩款應(yīng)用于ACNS 設(shè)計的芯片的主要不同在于柵極偏置電壓(第二款芯片柵極電壓為負(fù)),目前已經(jīng)通過PCB 制作實現(xiàn)了實物,后期將利用本文第4 節(jié)搭建的輻射計系統(tǒng)測量輸出亮溫等參數(shù)來分析兩款芯片用于ACNS 設(shè)計的差異。
圖3 ATF35143 仿真數(shù)據(jù)示意圖Fig.3 Simulation data of ATF35143
定標(biāo)是微波輻射計測量的前提,相應(yīng)地,定標(biāo)精度的高低直接決定微波輻射計對環(huán)境參數(shù)的遙感的質(zhì)量[7]。輻射計兩點定標(biāo)過程利用如圖4 所示的原理搭建系統(tǒng),通過搭建的系統(tǒng)對設(shè)計的有源冷噪聲源的低輸出噪聲溫度特性進(jìn)行驗證。
根據(jù)圖4 輻射計定標(biāo)原理計算出待測目標(biāo)亮溫為
對接收機(jī)定標(biāo)可以檢驗接收機(jī)的線性度,并對接收機(jī)的靈敏度、穩(wěn)定性等性能進(jìn)行測試,建立起接收機(jī)輸出電壓與接收機(jī)輸入噪聲溫度的線性關(guān)系。
圖4 輻射計定標(biāo)原理圖Fig.4 Radiometer calibration schematic
在接收機(jī)定標(biāo)的基礎(chǔ)上,利用開關(guān)在冷源、熱源、ACNS 之間切換,通過周期循環(huán)測量,最終得出待測ACNS 的輸出噪聲溫度。本文設(shè)計的輻射計系統(tǒng)框圖如圖5 所示[8]。
傳統(tǒng)定標(biāo)冷源主要利用液氮或液氦制冷來達(dá)到輸出低輻射亮溫的目的,這類技術(shù)具有原理簡單、技術(shù)穩(wěn)定等優(yōu)點,但是同時具有器件笨重、維護(hù)不便、使用成本高等明顯缺點。相比之下有源冷噪聲器件在定標(biāo)之后作為冷參考可以滿足絕大部分輻射計定標(biāo)需求,這將有效降低輻射計使用成本。
圖5 輻射計系統(tǒng)框圖Fig.5 Block diagram of radiometer system
有源冷噪聲源是基于場效應(yīng)晶體管(FET)等效電路模型和雙端口微波噪聲模型而設(shè)計出的微波冷噪聲器件,其本質(zhì)是在常溫條件下輸出低噪聲溫度,表明其在微波輻射計定標(biāo)領(lǐng)域有巨大應(yīng)用價值。文中基于兩種pHEMT 型芯片設(shè)計的ACNS 仿真得到的噪聲參數(shù)、S 參數(shù)、輸入阻抗、負(fù)載反射系數(shù)、穩(wěn)定因子等指標(biāo)符合設(shè)計預(yù)期,后期還需利用輻射計確定兩款器件輸出亮溫的值,測定兩款器件輸出亮溫的短、長期穩(wěn)定性。