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        鋅摻雜氧化鎳空心球的制備

        2021-01-06 02:40:34彭子童姚軍龍江學(xué)良
        化肥設(shè)計 2020年6期

        彭子童,姚軍龍,姚 楚,江學(xué)良

        (武漢工程大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,湖北 武漢 430205)

        隨著科技的發(fā)展,超級電容器逐漸發(fā)展成為了介于傳統(tǒng)超級電容器和電池之間的一種可以快速充放電,同時還具備與電池相同的儲能機理、環(huán)境友好且無可替代的新型儲能器件[1-3]。與傳統(tǒng)電容器不同,超級電容器不僅能快速傳輸能量,有高的功率密度和能量密度,同時還具有壽命長和可回收性良好等特點[4-6]。作為新型儲能器件,普通超級電容器的電極材料包括過渡金屬氧化物、導(dǎo)電聚合物以及各種形式的碳材料等。其中,金屬氧化物基于活性物質(zhì)的氧化還原反應(yīng)可以存儲電荷,通常表現(xiàn)出比其他材料更高的比電容性能。最近的研究表明,由于過渡金屬氧化物氧化鎳具有較高比電容量、低成本和環(huán)境友好等特點,已經(jīng)成為了一種有前途的超級電容器電極材料[7-8]。但是,NiO本身是一種電化學(xué)可逆性差、極化率低的p型半導(dǎo)體,由于其內(nèi)部結(jié)構(gòu)糾纏,NiO的載流子無法流動,從而導(dǎo)致電導(dǎo)率較低[9]。

        為了克服NiO自身特性帶來的限制,進行了許多相關(guān)研究。結(jié)果表明,中空多孔結(jié)構(gòu)可提供豐富的三維介孔,增加活性物質(zhì)與電解質(zhì)的接觸面積,拓寬離子擴散通道,促進電解質(zhì)離子的快速擴散,提高電化學(xué)反應(yīng)效率和NiO的電導(dǎo)率[10-12]。龐[13]使用草酸鎳鈷水合物作為前驅(qū)體,通過簡單的沉淀法合成以及退火法獲得了分層結(jié)構(gòu),表現(xiàn)出更豐富的介孔和較高的比表面積[14-16]。然而,沉淀法具有許多缺點,例如所制得的膠體狀樣品難以洗滌,產(chǎn)物易與雜質(zhì)混合,且粒度難以控制。 Ahmed[17]以十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)為表面活性劑,通過溶膠-凝膠法制備了一系列新型的介孔NiO/TiO2納米粒子。與沉淀法不同,溶膠-凝膠法具有控制粒徑均一、在較低溫度下易于反應(yīng)的優(yōu)點。但是,通常用溶膠-凝膠法制備樣品的原料價格昂貴、對健康有害、反應(yīng)時間過長,且煅燒過程中氣體和有機物的逸出容易導(dǎo)致孔隙塌陷。 Hao[18]以檸檬酸鋅為模板,通過離子交換和化學(xué)蝕刻成功地制備了具有多孔結(jié)構(gòu)的空心NiO微球。這種獨特的中空多孔納米結(jié)構(gòu)提高了傳質(zhì)速率,緩解氧化鎳空心球在循環(huán)過程中體積的急劇變化,有利于電化學(xué)性能的提高。但是,以模板法制備存在成本過高的問題[19]。因此,迫切需要開發(fā)一種新穎的制備NiO空心微球的有效方法。

        以六水合硫酸鎳(NiSO4·6H2O)為原料,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)為表面活性劑,通過一步水熱法成功合成了鋅摻雜氧化鎳空心球(Zn-NiOHS)。從材料設(shè)計的角度來看,導(dǎo)電性良好的過渡金屬元素Zn被摻入NiO中,解決了充放電反應(yīng)不完全的問題,可以降低電阻,提高放電效率,從而達到提高材料循環(huán)性能的效果。通過SEM、TEM對鋅摻氧化鎳空心球(Zn-NiOHS)的形貌結(jié)構(gòu)進行了表征,并對其進行了電化學(xué)性能測試,研究了空心球的形貌和不同摻雜量對Zn-NiOHS電化學(xué)性能的影響。

        1 實驗部分

        1.1 主要試劑和原料

        主要試劑和原料包括葡萄糖(C6H12O6,國藥集團化學(xué)試劑有限公司,AR)、甲醛溶液(國藥集團化學(xué)試劑有限公司,AR)、六水合硫酸鎳(Ni(SO4)2·6H2O,國藥集團化學(xué)試劑有限公司,AR)、六水合硝酸鋅(Zn(NO3)3·6H2O,國藥集團化學(xué)試劑有限公司,AR)、環(huán)六亞甲基四胺(C6H12N4,國藥集團化學(xué)試劑有限公司,AR)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP,西隴化工股份有限公司,AR)和尿素(CO(NH2)2,西隴化工股份有限公司,AR)。

        1.2 主要儀器和設(shè)備

        主要儀器和設(shè)備包括D8 Advance 型X射線衍射儀(德國Bruker公司)、JSM-5510LV型掃描電子顯微鏡(日本JEOL公司)、JEM-2100型透射電子顯微鏡(日本JEOL公司)和上海辰華CH6700型電化學(xué)工作站。

        1.3 鋅摻雜氧化鎳空心球的制備

        將4 g葡萄糖和100 mL去離子水加入到250 mL的燒瓶中,磁力攪拌10 min,加入4 g甲醛溶液、2 mL已配好的0.1 mmol/L的硫酸鎳溶液、3 g尿素以及3 g環(huán)六亞甲基四胺,常溫磁力攪拌至固體完全溶解,緩慢加入PVP以及不同質(zhì)量分數(shù)的Zn(NO3)3溶液(Zn:Ni=1%,2%,3%和4%),邊加入,邊攪拌,直至所有原料混合均勻。將混合溶液倒入帶有聚四氟乙烯內(nèi)襯的高溫高壓反應(yīng)釜中,升溫到180℃,反應(yīng)6h。待反應(yīng)結(jié)束后,自然冷卻到常溫,取出反應(yīng)后的混合液,分別用無水乙醇和去離子水清洗3次,在80℃下,烘干6h后得到褐色物質(zhì),即為前軀體/C球復(fù)合微球。將得到的前軀體/C球復(fù)合微球放入馬弗爐中,500℃煅燒2h后自然冷卻,得到最終產(chǎn)物為Zn-NiOHS。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 X射線衍射分析

        圖1a所示為NiOHS、1%Zn-NiOHS、2%Zn-NiOHS和4%Zn-NiOHS的X射線衍射圖。從圖中可以看出,衍射峰的位置與標準衍射卡(JCPDS#47-1049)基本一致,衍射角2θ在37°,43°,63°,75°和79°處的衍射峰分別對應(yīng)于(110),(200),(220),(311)和(222)晶面,無其他衍射峰出現(xiàn),證明實驗已經(jīng)成功制備出立方相NiO。圖1b是位于(200)晶面的衍射峰,從圖中可以看出,摻雜使得位于(200)晶面上NiO衍射峰的半峰變寬,衍射峰向小角度偏移,導(dǎo)致樣品的晶格常數(shù)增加。主要是因為Zn2+的半徑(0.74 nm)與Ni2+的半徑(0.72 nm)相似,Zn2+可以進入到NiO晶格內(nèi)部替代Ni2+,導(dǎo)致發(fā)生晶格畸變和晶格膨脹,在晶體框架內(nèi)或在NiO表面處形成Zn-O-Ni鍵,并且通過限制晶體之間的接觸來抑制微晶的生長。

        圖1 不同樣品的X射線衍射譜圖

        2.2 掃描電鏡分析

        圖2是NiOHS和不同Zn含量的Zn-NiOHS的SEM圖像。圖2a為NiOHS的SEM圖像,可以清楚地看到,NiOHS粒徑大小均一,且分散性良好。圖2b、圖2c和圖2d分別是1%,2%和4%Zn摻雜量的Zn-NiOHS,可以看出1%Zn-NiOHS的形態(tài)沒有顯著變化,與NiOHS同樣具有均一的尺寸和良好的分散性(圖2b);2%Zn-NiOHS的形狀最規(guī)則,沒有明顯的團聚,并且粒徑分布均勻,平均粒徑約為2 μm左右(圖2c)。隨著鋅摻雜量的增加,NiOHS逐漸開始團聚,當(dāng)Zn的摻雜率達到4%時,Zn-NiOHS出現(xiàn)部分團聚,粒徑變大,表面粗糙,說明過量的Zn摻雜會使得NiOHS分散性變差,容易出現(xiàn)團聚(圖2d)。

        圖2 不同樣品的掃描電鏡圖

        2.3 透射電鏡分析

        圖3是NiOHS和2%Zn-NiOHS的TEM圖像。與NiOHS相比,2%Zn-NiOHS的粒徑尺寸更大,表面更光滑。由圖3b可以看出,球體內(nèi)部為明顯的中空結(jié)構(gòu),球體邊緣顏色明暗對比強烈,且平均粒徑大約為2 μm,壁厚約50 nm。證明所制備的2%Zn-NiOHS為獨特的空心球結(jié)構(gòu)。

        圖3 不同樣品的透射電鏡圖

        2.4 電化學(xué)測試分析

        圖4為不同樣品分別在掃速為5mV/s、10 mV/s、15 mV/s、20 mV/s和30 mV/s下的循環(huán)伏安曲線。圖4a是粉體NiO的循環(huán)伏安曲線,圖4b是NiOHS的循環(huán)伏安曲線,圖4c,4d和4e是不同Zn含量的Zn-NiOHS的循環(huán)伏安曲線,圖4f是不同樣品在不同掃速下的比電容量。通過圖4a-e中循環(huán)伏安曲線可知,相關(guān)電極材料的比電容來自于NiO基電極材料快速可逆的氧化還原反應(yīng),從圖中可以看出,位于0.45 V左右的氧化還原峰對應(yīng)Ni2+→Ni3+的氧化反應(yīng),位于0.3 V左右的還原峰對應(yīng)Ni3+→Ni2+的還原反應(yīng),在電壓掃描方向快速轉(zhuǎn)變時,電流具有很快的響應(yīng)速度,說明電極材料擁有很好的可逆性和電容性。通過積分CV曲線計算樣品的比容量,計算出不同樣品在不同掃速下的比電容量(Cs),具體計算結(jié)果見圖4f,在5 mV/s 掃速下,NiOHS的比電容量為294.32 F/g,隨著Zn元素的摻雜,Zn-NiOHS的比電容開始提高,并且2%Zn-NiOHS的比電量最高達到357.08 F/g,但是,4%Zn-NiOHS的比電容量開始下降到256.68 F/g??梢?,適量的Zn摻雜量可以提高樣品的比容量,但是過多的Zn摻入反而會引起比容量的下降。當(dāng)掃描速度較快時,只有少數(shù)電解質(zhì)離子能夠通過通道達到活性物質(zhì)的內(nèi)部,使得活性物質(zhì)的氧化還原反應(yīng)程度不高,比容量下降。

        圖4 不同樣品在不同掃速下的循環(huán)伏安曲線

        圖5 為不同樣品在低頻區(qū)的交流阻抗譜圖,可以明顯看出,商業(yè)粉體NiO的斜率最小,隨著Zn元素的摻雜,Zn-NiOHS的內(nèi)阻相較NiOHS有所降低;Zn-NiOHS在高頻區(qū)的直徑都小于NiOHS,這表明了Zn的摻入可以促進電荷的轉(zhuǎn)移;2%Zn-NiOHS在低頻區(qū)的斜率達到最大,證明離子的擴散程度最佳,而過多的Zn摻入反而會阻礙NiOHS中電荷及離子的傳遞。

        圖5 不同試樣的交流阻抗譜圖

        圖6是2%Zn-NiOHS在不同電流密度下的放電曲線,根據(jù)GCD計算比電容量公式可得在0.5A/g的充放電流密度下,2%Zn-NiOHS比電容量最大,為255.28 F/g。此外,在電流密度為1 A/g時,2%Zn-NiOHS的比電容量為167.3 F/g。而在充放電電流的密度為2 A/g、3 A/g時,比電容量分別是97.44 F/g、54 F/g。以3 mol/L KOH溶液為電解質(zhì)溶液,在1A/g電流密度下對2%Zn-NiOHS進行1 000次重復(fù)充放電性能測試。圖7為2%Zn-NiOHS充放電循環(huán)次數(shù)-電容保持量曲線,曲線反應(yīng)了2%Zn-NiOHS的循環(huán)壽命。從圖中可知,2%Zn-NiOHS在第一次充放電時比電容就達到最大值,且隨著循環(huán)次數(shù)的增加,比電容量逐漸減小。這是因為在充電和放電測試期間,樣品上的應(yīng)力增加使得電極材料本身的結(jié)構(gòu)塌陷。當(dāng)循環(huán)300次時達到穩(wěn)定,保持在80%左右。這表明2%Zn-NiOHS循環(huán)1 000次后表現(xiàn)出良好的化學(xué)穩(wěn)定性和一定的可逆性。

        圖6 2%Zn-NiOHS在不同電流密度下的恒流放電曲線

        圖7 在1A/g電流密度下的循環(huán)次數(shù)-電容保持量曲線

        2.5 Zn摻雜氧化鎳空心球的合成機理分析

        圖8為Zn-NiOHS的合成機理。以葡萄糖、硫酸鎳為原料,硝酸鋅作為摻雜鋅源,在表面活性劑PVP的作用下,通過水熱反應(yīng)將陽離子(Ni2+和Zn2+)吸附到碳層表面,然后煅燒除去碳層,最終得到Zn-NiOHS。根據(jù)氫氧化物沉淀的理論,因為Zn(OH)2的溶度積常數(shù)(Ksp=3.47×10-17)小于Ni(OH)2的溶度積常數(shù)(Ksp=6.31×10-16),所以Zn(OH)2與Ni(OH)2相比,更容易生成,在水熱反應(yīng)過程中,碳層更容易被Zn(OH)2覆蓋。此外,Zn2+半徑(0.074nm)和Ni2+半徑(0.072nm)相似,Zn2+可能會替換氧化鎳晶格部分Ni2+,形成Ni-O-Zn鍵,引起晶格畸變,但不會改變氧化鎳的最終晶型[20-21]。因此,適量的Zn摻雜使得鋅離子在煅燒過程中更容易在碳層的表面附著,并且反應(yīng)速度更快。然而,當(dāng)摻雜量較小時,反應(yīng)速度相對較慢,并且在煅燒過程中很可能發(fā)生結(jié)構(gòu)崩塌。當(dāng)摻雜量較大時,晶格畸變嚴重,容易引起表面粗糙。

        圖8 水熱法合成Zn-NiOHS的合成機理

        3 結(jié)語

        本文以葡萄糖、硫酸鎳為原料,硝酸鋅作為摻雜鋅源、PVP為表面活性劑,利用水熱法制備出了粒徑約為2 μm的氧化鎳空心球。結(jié)果表明,當(dāng)鋅的摻雜量為2%時,所得空心球沒有明顯的團聚,且粒徑分布均勻,摻雜和未摻雜的氧化鎳空心球都是純立方相。電化學(xué)性能測試結(jié)果表明,當(dāng)掃速為5 mV/s時,2%Zn-NiOHS的比電容量達到最大,為357.08 F/g。根據(jù)計算可知,Zn摻雜氧化鎳空心球的比電容量始終要高于未摻雜氧化鎳空心球。當(dāng)Zn的摻雜量達到2%時,在1A/g的電流密度下進行1 000次重復(fù)充放電性能測試,容量保持率可以維持約80%。

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