杜 偉,汪 超,郭振斌,張 帆
(江蘇省電力公司淮安供電公司,江蘇淮安 223022)
近年來由電力電纜缺陷引發(fā)的輸配電線路事故越來越多,電纜受潮是導(dǎo)致事故的主要原因之一[1-3]。例如,2021年3月新疆石河子多段線路接連發(fā)生電纜擊穿故障,故障起因均為電纜長期埋在地下,受雪水浸泡受潮,引發(fā)絕緣層擊穿造成停電,后經(jīng)20多名搶修人員144 h的連續(xù)搶修,才避免了進一步損失[4,5]。以往的調(diào)研發(fā)現(xiàn),在城市地下電纜供電系統(tǒng)中,平均每300 m就會設(shè)置一個中間接頭,通過電纜事故的事后溯源發(fā)現(xiàn),中間接頭受潮是導(dǎo)致電纜線路事故的主要原因之一[5-7]。
文獻[8-10]指出中間接頭受潮會形成水樹,引起絕緣材料的老化,最終導(dǎo)致接頭被擊穿。水樹的生長速率與pH值和溶質(zhì)有關(guān),偏酸性和偏堿性的溶液都會加快水樹生長的進程,中性環(huán)境下水樹生長最慢,但水樹染色最深,在不同溶質(zhì)中,氫根和氫氧根離子會導(dǎo)致水樹的尺寸更大,鈉離子和氯離子則會導(dǎo)致染色更深。產(chǎn)生水樹,材料的物理參數(shù)發(fā)生變化,主要表現(xiàn)為機械性能下降、絕緣裕度下降等,電纜的壽命降低。這類線路因雷擊等因素出現(xiàn)過電壓時極易被擊穿。文獻[11]將水樹的發(fā)展分為3個階段:初始階段、滯長階段以及后續(xù)階段。初始階段時,水樹在缺陷處產(chǎn)生,以樹枝狀向外擴散,擴散速率較快,但樹枝密集程度稀疏;滯長階段時,水分含量增加,向外擴散速率降低,樹枝逐漸變得密集;達到后續(xù)階段時,水樹繼續(xù)加速向外擴張。整個水樹從形成到擴散再到擊穿需要大量的時間,多出現(xiàn)在運行年限15年以上的電纜中[12]。
為此,本研究通過ANSYS多物理場有限元仿真軟件建立接頭不同位置、不同程度受潮的三維模型,分析不同受潮情況下的電場分布規(guī)律,其中重點分析接頭絕緣材料受潮和主絕緣內(nèi)側(cè)受潮電場的分布情況。
當界面上出現(xiàn)水膜時,界面上水膜所在位置的介電常數(shù)發(fā)生了變化?,F(xiàn)將水膜和某種電介質(zhì)組合成一個整體,模擬該電介質(zhì)受潮時的情況。水與電介質(zhì)的橫截面積S相等,長度分別為d1和d2,電容分別為C1和C2,介電常數(shù)分別為ε1和ε2,對該組合體的兩端施加交流電壓U,則水膜上的電場模值E1和電介質(zhì)上的電場模值E2分別為:
根據(jù)電容的定義可知:
聯(lián)立式(1)和(2)可得:
(3)中兩式相除:
在交流電下,電場強度與介電常數(shù)呈負相關(guān)的關(guān)系,且由于水分的介電常數(shù)相較于一般電介質(zhì)要大得多,即ε1>>ε2,可知水膜處的電場強度比電介質(zhì)處要低得多。當用電介質(zhì)填充原水膜的位置,其余條件不變,即電介質(zhì)未受潮時電場強度為:
由式(4)和(5)可知E2>E0>E1,即水膜處的電場強度相比未受潮時要低,而與水膜串聯(lián)的電介質(zhì)上的電場強度相比正常時提高。水膜存在時,整個電場發(fā)生了畸變,電場不均勻程度增加,水膜處電場極低,但水膜周圍容易發(fā)生電荷的聚集,使局部場強超過界面的擊穿場強,復(fù)合界面上形成放電和閃絡(luò),若接頭長期在受潮狀態(tài)下運行易造成界面頻繁放電,嚴重時可能會被擊穿。
將某廠商制造的10 kV單芯冷縮式XLPE電纜中間接頭按1∶1的比例建立的10 kV中間接頭的三維仿真模型,模型如圖1所示。接頭的銅網(wǎng)、半導(dǎo)電層和硅脂層較薄。中間接頭仿真模型的材料參數(shù)如表1所示。
圖1 中間接頭三維模型
當電纜長期工作在浸水環(huán)境中時,水分將會以結(jié)合水的形式附著于XLPE和硅橡膠內(nèi),其介電常數(shù)會隨著浸水的時間而變化。水分的介電常數(shù)極高,所以在浸水環(huán)境下工作的時間越長,電介質(zhì)的介電常數(shù)會越大。硅橡膠在浸水后3~4天其相對介電常數(shù)由原來的3.5迅速提升至4.5,之后硅橡膠的介電常數(shù)在4.5上下小幅波動。XLPE的介電常數(shù)與浸水時間的關(guān)系如圖2所示。
圖2 不同浸水時間下XLPE介電常數(shù)
在復(fù)合界面上沒有水膜時,應(yīng)力錐-XLPE界面上的水平電場分量趨近于0,且應(yīng)力錐本身具有極高的介電常數(shù),所以主要研究硅橡膠-XLPE界面上的電場分布。設(shè)置浸水時間為0天、4天、8天和12天的電纜接頭,施加電壓后其電場分布如圖3所示。
圖3 絕緣材料受潮時的電場分布
由圖3(a)可知,浸水時間為0天、4天、8天和12天時,絕緣材料上的場強略微降低,由圖3(b)和圖3(c)可知浸水時間為0天、4天、8天和12天后復(fù)合界面上的平均場強分別為0.23 MV/m、0.25 MV/m、0.26 MV/m和0.27 MV/m,復(fù)合界面上的水平分量最大值均為100 kV/m左右。由以上數(shù)據(jù)可知,當絕緣材料受潮時,復(fù)合界面上的電場模值總體增大,浸水時間越長,電場畸變的程度越大。但電場的水平分量未發(fā)生明顯變化,所以對沿面閃絡(luò)的影響有限。
設(shè)置覆蓋面積為930 mm2的水膜放置主絕緣內(nèi)側(cè),主絕緣層電場分布如圖4所示。由圖4(a)可知水膜對周圍的電場分布幾乎沒有影響,由圖4(b)知,當水膜出現(xiàn)在主絕緣內(nèi)側(cè)時,水膜所在位置電場增大,但場強最高僅為2.8×10-2MV/m,相對于主絕緣外側(cè)場強較低,這是由于主絕緣外的半導(dǎo)電層介電常數(shù)大,而水也同樣具有這種特點,從而整個線芯外側(cè)依然保持著極低的電勢差。
圖4 主絕緣內(nèi)側(cè)受潮時的電場分布
界面在受潮后電場變得更加不均勻,水膜周圍的電場會明顯增大,可能會引起界面局部放電或沿面閃絡(luò)。當接頭絕緣材料受潮時,復(fù)合界面上的電場增大,接頭浸水時間越長,畸變程度越大。主絕緣內(nèi)側(cè)受潮時水膜對周圍的電場分布幾乎沒有影響,水膜處電場增大,但場強依然保持在極低的水平。