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        隨鉆測井技術(shù)中耐高溫電路系統(tǒng)的研究

        2020-12-28 11:20:39殷鑫魯超
        中國化工貿(mào)易·中旬刊 2020年7期

        殷鑫 魯超

        摘 要:為了深入了解測井過程中由于高溫環(huán)境給電子元件制造以及電路設(shè)計帶來的新的挑戰(zhàn),本文以實際工作中應(yīng)用到的電路為例,針對高溫環(huán)境(≥175℃)下電路性能的影響因素進(jìn)行了綜合分析,分別闡述了在電路設(shè)計時的注意事項與基本要求;同時,針對井下隨鉆測控的工況環(huán)境,進(jìn)行了電路設(shè)計、電路焊接以及制作工藝等環(huán)節(jié)的相關(guān)研究。結(jié)果表明,針對井下高溫環(huán)境這一特殊的應(yīng)用場景,在電路的設(shè)計方面不可單獨(dú)依照器件文檔給定參數(shù)進(jìn)行,應(yīng)結(jié)合井下環(huán)境綜合考慮并以最終實驗數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。

        關(guān)鍵詞:高溫;隨鉆測量;熱損傷;可靠性;電路工藝

        隨著石油工業(yè)的不斷發(fā)展和持續(xù)多年來的開采,目前容易開采的資源越來越少,更多的油氣田要在更大的深度下進(jìn)行,通常更深的位置其溫度更高。目前,針對井下高溫環(huán)境下的電子設(shè)備應(yīng)用國內(nèi)外都進(jìn)行了不同程度的研究,Jeff Watson和Gustavo Castro從器件應(yīng)用、高溫元器件制作、高溫電路系統(tǒng)設(shè)計考量等幾個方面對高溫環(huán)境下的電路進(jìn)行了分析。近年來更多的研究側(cè)重于耐高溫半導(dǎo)體材料和器件,包括基于硅基SOI器件[1]、GaN器件以及碳化硅器件的研究。目前國內(nèi)外均有高溫環(huán)境下的測井儀器產(chǎn)品,然而針對高溫隨鉆測井這一應(yīng)用背景下的高溫電路的相關(guān)設(shè)計方法和工藝研究卻很少報道。在高溫(≥175℃)環(huán)境中,電子系統(tǒng)電路板的板材、焊料以及元器件材料的物理特性都較室溫(25℃)有較大改變,導(dǎo)致元器件的各項電氣性能和電路的整體性能發(fā)生變化。本文在此方面開展研究,采用綜合考慮元器件、材料以及制作工藝等各個方面因素進(jìn)行電路系統(tǒng)設(shè)計的方法,從而提高了井下隨鉆儀器的整體穩(wěn)定性和可靠性。

        1 元器件材料的物理性能差異

        電路失效很大一部分原因是電路在電應(yīng)力(Electric Stress)以及負(fù)載功率和環(huán)境溫度三重作用下,導(dǎo)致部分元器件的結(jié)溫超過額定值,進(jìn)而形成熱損傷,表現(xiàn)為電壓型損傷和電流型損傷。在元器件選型時,需要根據(jù)電路負(fù)載特性和信號走向等等需要選擇合適的元件材料。

        圖1為三種熱敏電阻的電阻率與溫度的變化曲線,其中NTC表示負(fù)溫度系數(shù)、PTC表示正溫度系數(shù)、CTR表示臨界溫度系數(shù)。在電路設(shè)計時不但要考慮其額定參數(shù),還需要結(jié)合應(yīng)用場合和溫度響應(yīng)曲線進(jìn)行各種補(bǔ)償,以確保性能穩(wěn)定。

        2 電路的額定功率與負(fù)載特性

        電路設(shè)計中常見的故障是電路的負(fù)載特性和安全余量考慮不充分,使得電路大多時間工作在安全區(qū)的邊緣,一旦外部環(huán)境有所改變或波動,極易發(fā)生故障,這點(diǎn)在電源和功率器件上表現(xiàn)尤為明顯,從而大幅降低了電路的穩(wěn)定性和可靠性。以開關(guān)電源為例,在電氣技術(shù)指標(biāo)滿足正常使用要求的條件下,為使電源在惡劣環(huán)境及突發(fā)故障情況下安全可靠地工作,必須設(shè)計多種保護(hù)電路,比如防浪涌的軟啟動,防過壓、欠壓、過熱、過流、短路、缺相等保護(hù)電路[2]。

        此外,隨著印制電路板上原件組裝密度和集成度越來越高,功率消耗越來越大,必須在電路設(shè)計時注意熱管理。除了功率較大器件做好散熱處理、熱敏器件盡量遠(yuǎn)離熱源等等外,還需要注意即使使用耐高溫元器件也同樣需要考慮其自身功耗。額外的功耗會增加結(jié)溫,一旦超過元器件的額定值,會極大降低器件的生命周期。

        因此,實際設(shè)計時還需要留出足夠的安全區(qū)。一般設(shè)計時不是按照曲線1進(jìn)行設(shè)計,而且降額至75%來進(jìn)行處理,以期改善電路的可靠性。

        根據(jù)電路中不同應(yīng)用環(huán)境和功率、負(fù)載等特點(diǎn),一般需要考慮以下幾種情況:①不同廠家生產(chǎn)的同功能器件,由于各自工藝不同,設(shè)計時降額系數(shù)不同;②接口阻抗特性不同(阻性、感性、容性),降額系數(shù)不同;③散熱性能、功率特性以及布局不同,降額系數(shù)不同;④特殊要求的參數(shù)不可降額。

        3 不同電路單元的響應(yīng)特性差異

        在電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,每一個電路系統(tǒng)都可以等價為二元的單元模塊,每個單元模塊接口的阻抗特性也各有差異,所以在電路調(diào)試的時候經(jīng)常出現(xiàn):原理圖正確,連接設(shè)計也沒有問題,但實際工作表現(xiàn)卻不盡如人意。如果電路的安全余量不足,當(dāng)高溫負(fù)載特性降低時,還會對儀器可靠性造成影響。

        以開關(guān)電源系統(tǒng)為例,有正激、反激、推挽、半橋、全橋等多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),每種結(jié)構(gòu)因為其原理不同,在電氣性能指標(biāo)上各有優(yōu)缺點(diǎn)[3]:①正激:瞬態(tài)響應(yīng)快、負(fù)載能力強(qiáng),但是觸發(fā)電動勢電壓較高;②反激:(下轉(zhuǎn)第68頁)(上接第66頁)成本低、電路簡單,但是輸出紋波、漏感大;③推挽:瞬態(tài)響應(yīng)快、轉(zhuǎn)換效率高,但是磁芯電流大、對開關(guān)管耐壓要求高;④橋式:輸出功率大、轉(zhuǎn)換效率高,但是開關(guān)管損耗大、對直流內(nèi)阻要求高。

        當(dāng)負(fù)載波動時,作用在元器件上的非線性負(fù)載反作用應(yīng)力會成幾何級數(shù)放大。在電路設(shè)計時,我們經(jīng)常為了避免后級電路受到電源波動的影響,會增加感性器件作為簡單保護(hù)。如果不增加該感性器件,在電源波動時可能對控制電路產(chǎn)生較大干擾,也可能影響其穩(wěn)定性,也可能不影響。但是中斷續(xù)開關(guān)類的驅(qū)動電路連接在感性器件后端,這類電路的接口如果是容性的,在開關(guān)動作的瞬間會將線路上的電壓拉低,從而影響后級控制電路的工作穩(wěn)定性;需要將其放置在感性器件前端,當(dāng)斷續(xù)開關(guān)類驅(qū)動開關(guān)的瞬間,由于感性器件電流不能瞬變,可以保證后級控制電路相對穩(wěn)定的運(yùn)行。

        4 電路焊接及封膠工藝

        井下隨鉆儀器不但要面臨環(huán)境溫度,還需要適應(yīng)其井下復(fù)雜的振動和沖擊工況。由于高溫焊料一般不含鉛,焊料融化時流動性較差,在與焊盤融合時容易產(chǎn)生空洞、氣隙或氧化層,這些隱患在高溫和振動的復(fù)合應(yīng)力作用下,極易產(chǎn)生故障;而且焊點(diǎn)較含鉛的硬,這對制板的封裝以及元器件的擺放和板材都提出了更高的要求[4]。尤其是手焊時,難以控制焊接時間和錫料,從而帶來更多隱患。

        為了減少振動對線路板的影響,特別是元器件的影響,制板電路一般會經(jīng)過多層封膠處理,并且確保高溫環(huán)境下留足膠體膨脹空間,使得膠體不對元器件或焊盤施加作用力。封膠一般包括三層:底層三防漆噴涂和元器件固定、內(nèi)層振動緩沖和外層支撐保護(hù)。

        5 結(jié)論

        本文給出了高溫電路設(shè)計的相關(guān)工藝設(shè)計。為了提高高溫振動環(huán)境下儀器的工作穩(wěn)定性和可靠性,除了電路設(shè)計和制作時的注意事項外,還需要綜合考慮電路尺寸、信號走線、元器件布局、電磁兼容、散熱、接地處理、接口連接等等與結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的部分,以及需要考慮不同批次的芯片在性能指標(biāo)方面的差異。

        參考文獻(xiàn):

        [1]曹才開.開關(guān)電源保護(hù)電路的研究[J].電力系統(tǒng)保護(hù)與控制,2007(s1):36-39.

        [2]黃云生.電子電路PCB的散熱分析與設(shè)計[D].西安:西安電子科技大學(xué),2010.

        [3]胡科堂.高電壓大功率開關(guān)電源拓?fù)潆娐返脑O(shè)計與研究[D].北京:北京工業(yè)大學(xué),2013.

        [4]童詩白,華成英.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)[M].北京:高等教育出版社,2001.

        基金項目:國家科技重大專項“低滲透油氣深層高溫高壓隨鉆測控技術(shù)”(項目編號:2016ZX05021-001)

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