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        ZnSe 晶體的光學(xué)非線(xiàn)性研究

        2020-10-23 01:08:14胡智向狄聚青
        化工技術(shù)與開(kāi)發(fā) 2020年10期
        關(guān)鍵詞:折射率增益晶體

        胡智向,朱 劉,狄聚青,曹 雪,周 偉

        (1.國(guó)家稀散金屬工程技術(shù)研究中心,廣東先導(dǎo)稀材股份有限公司,廣東 清遠(yuǎn) 511517;2.先導(dǎo)薄膜材料(廣東)有限公司,廣東 清遠(yuǎn) 511517;3.江蘇師范大學(xué),江蘇省先進(jìn)激光材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,江蘇 徐州 221116)

        光通訊、光學(xué)信息處理以及光學(xué)計(jì)算機(jī)的研究越來(lái)越受到人們的重視。這些領(lǐng)域中需用到調(diào)制器、光雙穩(wěn)開(kāi)關(guān)等一系列光學(xué)非線(xiàn)性器件,這些器件的設(shè)計(jì)、研制和開(kāi)發(fā),都需獲得材料的非線(xiàn)性折射率的波長(zhǎng)范圍和非線(xiàn)性折射率大小等參數(shù)。非線(xiàn)性光學(xué)研究的,是強(qiáng)光輻射與物質(zhì)相互作用的過(guò)程中產(chǎn)生的各種新的光學(xué)現(xiàn)象,非線(xiàn)性效應(yīng)是指物質(zhì)的物理參量(極化率、折射率、吸收系數(shù)等)與入射光場(chǎng)振幅呈非線(xiàn)性的函數(shù)關(guān)系。光的折射、衍射和干涉現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)和研究以及光譜技術(shù)的發(fā)展尤為重要。隨著光學(xué)和物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究的發(fā)展進(jìn)步,非線(xiàn)性光學(xué)的研究也取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步,成為發(fā)展納米光子學(xué)和微米光子學(xué)的基礎(chǔ)之一,是實(shí)現(xiàn)“以光控光”(光子調(diào)控)的基本手段[1]。

        激光器問(wèn)世后,非線(xiàn)性介質(zhì)和激光光譜的研究成為了熱點(diǎn)?;诜蔷€(xiàn)性光學(xué)原理的光倍頻、脈沖壓縮展寬、電光調(diào)制等技術(shù)和器件,在強(qiáng)激光領(lǐng)域和激光通訊領(lǐng)域都不可或缺。由于量子阱材料中量子限制效應(yīng)的存在,量子阱結(jié)構(gòu)的非線(xiàn)性光學(xué)參數(shù),包括非線(xiàn)性飽和、非線(xiàn)性吸收系數(shù)及非線(xiàn)性折射率等,可以得到極大的增強(qiáng)[2-4]。隨著研究的不斷深入,利用非線(xiàn)性效應(yīng)實(shí)現(xiàn)有效的頻率轉(zhuǎn)換,將近紅外波段的激光轉(zhuǎn)換為中紅外激光輸出,其產(chǎn)生方式不再依賴(lài)于增益介質(zhì)中摻雜離子的能級(jí)特性,而是取決于光在介質(zhì)傳播過(guò)程中光與物質(zhì)的相互作用(如受激拉曼散射、受激布里淵散射、光參量振蕩、和頻、差頻)。利用一些新型的非線(xiàn)性光學(xué)晶體,還可以制作在寬波長(zhǎng)范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)的皮秒或飛秒脈沖光學(xué)參量振蕩器[5-6]和光學(xué)參量放大器。

        由于標(biāo)量高斯光束的衍射極限特性,傳統(tǒng)固體激光器很難實(shí)現(xiàn)光束長(zhǎng)距離和小光斑的傳輸,是弱非線(xiàn)性系統(tǒng)。采用低耦合輸出鏡和選擇高非線(xiàn)性材料,都可在一定程度上增強(qiáng)非線(xiàn)性,但效果非常有限。對(duì)于超短脈沖,弱非線(xiàn)性非常不利于其脈寬的窄化。過(guò)低的非線(xiàn)性不能平衡反常色散而必須借助孤子效應(yīng)壓縮脈寬。

        非線(xiàn)性效應(yīng)發(fā)生在光在介質(zhì)的傳播過(guò)程中光與物質(zhì)的相互作用中,而介質(zhì)的特性(非線(xiàn)性光學(xué)晶體)是非線(xiàn)性頻率變換過(guò)程的核心部件。ZnSe 屬Ⅱ-Ⅵ 族化合物半導(dǎo)體材料,是一種重要的紅外光學(xué)材料,廣泛應(yīng)用于紅外夜視、紅外制導(dǎo)、激光、紅外對(duì)抗、醫(yī)學(xué)、天文學(xué)等領(lǐng)域[7-8]。晶體質(zhì)量的不斷完善和泵浦源功率的提高,以及泵浦技術(shù)的多樣化,加速了中紅外激光的研究進(jìn)展。

        1 ZnSe 晶體光學(xué)特性簡(jiǎn)述

        ZnSe 晶體是紅外光學(xué)材料的基板和光電調(diào)制器的基礎(chǔ)材料。ZnSe 屬Ⅱ-Ⅵ族直接帶隙半導(dǎo)體的發(fā)光材料(~2.67eV),室溫下為閃鋅礦結(jié)構(gòu),屬立方晶系空間群,表1 為Ⅱ-Ⅵ族晶體的相關(guān)參數(shù)。ZnSe 晶體是一種黃色透明的多晶材料, 透光范圍0.5~15μm,結(jié)晶顆粒大小約為70μm。采用化學(xué)氣相沉積法[9](CVD)合成的ZnSe 多晶材料的純度高,基本不存在雜質(zhì)吸收,散射損失極低,耐熱沖擊且具有很高的機(jī)械強(qiáng)度,使其成為高功率CO2激光器系統(tǒng)中的最佳光學(xué)材料。

        這些應(yīng)用帶動(dòng)了ZnSe 晶體加工技術(shù)的發(fā)展,并對(duì)其加工提出愈來(lái)愈高的要求。ZnSe 晶體作為紅外材料使用時(shí),在加工中要保證其表面光潔度和良好的透過(guò)率。圖1 為ZnSe 在1~3μm 波段對(duì)應(yīng)折射率的變化曲線(xiàn),插圖為其在0~25μm 波段的透過(guò)率。

        表1 Ⅱ-Ⅵ族晶體的相關(guān)參數(shù)Table 1 Parameters of II-VI crystal

        圖1 ZnSe 在1~3μm 波段對(duì)應(yīng)折射率變化曲線(xiàn)Fig.1 Refractive index of ZnSe in 1~3μm band (Inset: Transmittance of ZnSein 0~25μm band)

        由于高斯光束的發(fā)散特性(衍射極限),固體激光器很難實(shí)現(xiàn)光束長(zhǎng)距離、小光斑的傳輸,因此是一個(gè)典型的弱非線(xiàn)性系統(tǒng)。從自調(diào)制系數(shù)的公式δ=(2πn2/λ)×(L/Aeff)[10]可知,為了獲得短脈寬,需采用高光束質(zhì)量的泵浦源(通常是單模光纖激光器),以增加泵浦亮度縮小腔模Aeff,以及采用非常低的耦合輸出鏡(<0.5%),通過(guò)增加腔內(nèi)的功率密度來(lái)增強(qiáng)非線(xiàn)性。然而即使對(duì)于基模高斯光束(M2=1),由于其衍射特性,對(duì)于一定的束腰寬度,其對(duì)應(yīng)的焦深L 都是有限的,所以很難產(chǎn)生長(zhǎng)距離、(亞)波長(zhǎng)量級(jí)的長(zhǎng)焦深光束。雖然增加材料的非線(xiàn)性折射率n2也可提升非線(xiàn)性,但是中紅外波段的Er3+離子、Tm3+離子和Ho3+離子摻雜的增益介質(zhì),其非線(xiàn)性折射率都較低且很難改變(取決于自身的晶體結(jié)構(gòu)),因此其非線(xiàn)性的提升非常有限。這也是中紅外波段基于非線(xiàn)性克爾透鏡鎖模激光不容易實(shí)現(xiàn)的根本原因。

        2 光學(xué)晶體的非線(xiàn)性測(cè)量方法

        當(dāng)前的非線(xiàn)性測(cè)量技術(shù)都存在一些弊端。隨著科技水平的提高與發(fā)展,Z-scan 技術(shù)逐漸進(jìn)入人們的視野,由于具有實(shí)驗(yàn)裝置簡(jiǎn)單、測(cè)量靈敏度高等特點(diǎn),已經(jīng)成為研究材料光學(xué)非線(xiàn)性特性的一種具有重要實(shí)際應(yīng)用價(jià)值的實(shí)驗(yàn)方法。該技術(shù)采用的單光束測(cè)量光路簡(jiǎn)單,能夠同時(shí)對(duì)材料的非線(xiàn)性折射率和非線(xiàn)性吸收系數(shù)進(jìn)行測(cè)量。在Z-scan 光路中引入時(shí)間延遲,能夠?qū)哂胁煌瑫r(shí)間響應(yīng)的非線(xiàn)性光學(xué)效應(yīng)進(jìn)行研究及分析[11]。采用雙色Z-scan 技術(shù),將兩種不同波長(zhǎng)的光同時(shí)入射通過(guò)介質(zhì),以強(qiáng)脈沖激光作為泵浦源,選擇弱的連續(xù)激光作為探測(cè)光束,能夠?qū)喂庾踊螂p光子吸收引起的熱透鏡效應(yīng)造成的折射率變化進(jìn)行探測(cè)[12]。

        圖2 為Z-scan 實(shí)驗(yàn)裝置圖,D1 探測(cè)的是Z-scan閉孔的能量, D2 探測(cè)的是Z-scan 開(kāi)孔的能量。

        圖2 Z-scan 實(shí)驗(yàn)裝置圖Fig.2 Z-zcan experimental setup

        非線(xiàn)性吸收的測(cè)量采用的是開(kāi)孔Z-scan 技術(shù),其非線(xiàn)性吸收過(guò)程包含反飽和吸收與飽和吸收。如圖3 所示,對(duì)于飽和吸收,樣品的非線(xiàn)性吸收系數(shù)與入射光強(qiáng)度呈反比關(guān)系,即隨著入射光強(qiáng)度的增加而減小,最終非線(xiàn)性吸收系數(shù)會(huì)趨于一個(gè)飽和值。反飽和吸收[13]則正好相反,如圖3 中的插圖所示,其樣品的非線(xiàn)性吸收系數(shù)與入射光強(qiáng)度呈正比關(guān)系,即非線(xiàn)性吸收系數(shù)隨著光強(qiáng)的增大而增大,原因是非線(xiàn)性吸收是由激發(fā)態(tài)能級(jí)間的躍遷引起的。

        圖3 飽和吸收Fig.3 Saturated absorption (Inset: anti-saturated absorption)

        對(duì)于閉孔Z-scan,我們只考慮非線(xiàn)性折射,其非線(xiàn)性折射包括兩種情況:自聚焦和自散焦,分別對(duì)應(yīng)正的非線(xiàn)性折射和負(fù)的非線(xiàn)性折射。一個(gè)完整的Z-scan 實(shí)驗(yàn)過(guò)程探測(cè)器所記錄的透過(guò)率曲線(xiàn)表現(xiàn)為先波谷后波峰,波谷對(duì)應(yīng)在透鏡焦點(diǎn)之前出現(xiàn)的透過(guò)率最小值,波峰對(duì)應(yīng)在焦點(diǎn)后存在的透過(guò)率最大值(圖4)。自散焦實(shí)驗(yàn)過(guò)程現(xiàn)象與自聚焦正好相反,其歸一化能量透過(guò)率曲線(xiàn)表現(xiàn)為先波峰后波谷(圖4 中插圖)。

        圖4 自聚焦效應(yīng)Fig.4 Self-focusing effect(Inset: self-defocusing effect)

        3 ZnSe 晶體的光學(xué)非線(xiàn)性理論分析

        在非線(xiàn)性光學(xué)領(lǐng)域,半導(dǎo)體材料因具有較大的快速時(shí)間相應(yīng)特性和光學(xué)非線(xiàn)性,表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用價(jià)值。在三階非線(xiàn)性吸收過(guò)程的小信號(hào)區(qū)域內(nèi),材料的吸收系數(shù)與激發(fā)光強(qiáng)的關(guān)系可表示[14]為:

        農(nóng)村文化教育滯后的現(xiàn)實(shí)導(dǎo)致了留守兒童父母的家庭教育意識(shí)淡薄、教育觀(guān)念陳舊。有些家長(zhǎng)認(rèn)為距離的遙遠(yuǎn),心靈的缺失能由金錢(qián)物質(zhì)來(lái)彌補(bǔ),以獲得內(nèi)心的愧疚安慰。但是過(guò)分的物質(zhì)補(bǔ)償以及監(jiān)護(hù)不到位下的金錢(qián)補(bǔ)助導(dǎo)致孩子畸形發(fā)展。甚至有些農(nóng)村家長(zhǎng)認(rèn)為“讀書(shū)無(wú)用論”,不知不覺(jué)弱化了孩子的學(xué)習(xí)意識(shí)。不僅如此,在外打工的父母認(rèn)為將孩子送到了學(xué)校就是完成了任務(wù),重分輕德,對(duì)孩子的關(guān)愛(ài)溝通極度缺失。

        式中,α0(λ)為線(xiàn)性吸收系數(shù),β(λ)為非線(xiàn)性吸收系數(shù),I(λ)為激發(fā)光強(qiáng),λ 為激發(fā)波長(zhǎng)。

        當(dāng)光通過(guò)樣品后, 其線(xiàn)性透射光強(qiáng)可表示為:

        式中,c為非線(xiàn)性激發(fā)光強(qiáng)與線(xiàn)性激發(fā)光強(qiáng)之比;1—c I(λ)為線(xiàn)性激發(fā)光強(qiáng);L為樣品的厚度;R(λ)為材料的強(qiáng)度反射率。

        強(qiáng)光通過(guò)樣品后,其非線(xiàn)性透射光強(qiáng)為:

        由公式(2)和公式(3),可得到材料的非線(xiàn)性強(qiáng)度透射率TN(λ)與線(xiàn)性強(qiáng)度透射率TL(λ)之比為:

        由公式(4)可得到介質(zhì)的非線(xiàn)性吸收系數(shù)為:在三階非線(xiàn)性小信號(hào)區(qū)域內(nèi),材料的折射率與激發(fā)光強(qiáng)的關(guān)系可表示為:

        式中,n0(λ)為線(xiàn)性折射率;γ(λ)為非線(xiàn)性折射率。

        非線(xiàn)性折射率變化與非線(xiàn)性吸收系數(shù)變化滿(mǎn)足如下關(guān)系[16]:

        將公式(1)、公式(5)和公式(6)代入公式(7),可得到非線(xiàn)性折射率:

        非線(xiàn)性光學(xué)介質(zhì)中,介質(zhì)的折射率與入射光的光強(qiáng)有關(guān)。這一現(xiàn)象除在空間體現(xiàn)為自聚焦現(xiàn)象外,還在頻域內(nèi)通過(guò)自相位調(diào)制來(lái)體現(xiàn),會(huì)使光脈沖的頻譜展寬。綜合以上非線(xiàn)性效應(yīng),可以合成出非線(xiàn)性薛定諤方程[17]來(lái)描述脈沖在以上線(xiàn)性和非線(xiàn)性傳輸效應(yīng)。

        式中,A 為光場(chǎng)矢量的歸一化脈沖包絡(luò)慢變振幅;k″為二階群速度色散系數(shù);為三階群速度色散系數(shù);γ為非線(xiàn)性系數(shù),代表了典型的自相位調(diào)制效應(yīng);TR為與拉曼增益的斜率有關(guān)的非線(xiàn)性響應(yīng)函數(shù)的一階矩。廣義非線(xiàn)性薛定諤方程一般采用分布傅里葉法來(lái)解,即:

        固體增益介質(zhì)的有限增益帶寬為:

        對(duì)于非摻雜介質(zhì),考慮了自相位調(diào)制和脈沖內(nèi)拉曼散射效應(yīng),而沒(méi)有增益帶寬的限制:

        基于前面建立的理論模型,對(duì)2μm 波段非線(xiàn)性脈沖的產(chǎn)生機(jī)制進(jìn)行了數(shù)值模擬。自調(diào)制系數(shù)表示自相位調(diào)制的強(qiáng)度,與長(zhǎng)度成正比,與模場(chǎng)直徑平方成反比。為了探究在腔內(nèi)加入ZnSe 晶體,是否可以調(diào)控其腔內(nèi)自相位調(diào)制的強(qiáng)度,以實(shí)現(xiàn)脈沖光譜的有效展寬和脈沖壓縮,在數(shù)值模擬過(guò)程中,分別設(shè)定不插入ZnSe晶體和插入晶體厚度為5mm進(jìn)行對(duì)比。設(shè)定的光源激光波長(zhǎng)為1965nm,增益帶寬為15 納nm。數(shù)值模擬結(jié)果分別如圖5、圖6 所示。

        在低非線(xiàn)性強(qiáng)度下,由于自相位調(diào)制(SPM)的強(qiáng)度很弱,輸出脈沖譜寬約為1nm,脈寬5ps,譜寬小于增益介質(zhì)帶寬。這表明低功率的光在介質(zhì)中近似線(xiàn)性傳播,傳統(tǒng)固體鎖模機(jī)制中的鎖模開(kāi)關(guān),只是通過(guò)增益介質(zhì)中的振蕩實(shí)現(xiàn)其縱模相位鎖定,通過(guò)線(xiàn)性疊加干涉獲得超短脈沖輸出,其獲得脈沖的光譜寬度受到增益介質(zhì)帶寬的嚴(yán)格限制。圖7 為采用5mm 厚度的ZnSe 晶體的數(shù)值模擬光譜展寬圖,可以明顯看出光譜有所展寬,且有明顯的自相位調(diào)制效應(yīng)。

        增加非線(xiàn)性強(qiáng)度,進(jìn)一步減小光斑直徑至80μm,光譜帶寬展寬至6nm(此時(shí)光譜呈現(xiàn)多峰值結(jié)構(gòu),傳統(tǒng)的半高全寬方法已不適用),光譜上出現(xiàn)了不對(duì)稱(chēng)的調(diào)制,這是高非線(xiàn)性下自相位調(diào)制和自變陡效應(yīng)的典型體現(xiàn)。

        圖5 不插入ZnSe 晶體數(shù)值模擬結(jié)果Fig.5 Numerical simulation results of ot insert ZnSe crystal

        圖6 ZnSe 晶體厚度為5mm 的模擬結(jié)果Fig.6 Numerical simulation results of ZnSe thickness of 5 mm

        圖7 ZnSe 晶體厚度為5mm 的模擬光譜展寬圖Fig.7 Numerical simulation of spectral broadening of ZnSe thickness 5 mm

        這表明通過(guò)對(duì)腔內(nèi)自相位調(diào)制強(qiáng)度的調(diào)控,可以實(shí)現(xiàn)脈沖光譜的有效展寬和脈沖壓縮,進(jìn)一步提升非線(xiàn)性強(qiáng)度,預(yù)示著更寬的光譜和更窄的脈沖。因此通過(guò)合適的非線(xiàn)性管理,可以突破增益介質(zhì)帶寬的原理性限制,使所有窄帶寬的增益介質(zhì)直接產(chǎn)生周期量級(jí)脈沖成為可能。

        4 總結(jié)

        本文對(duì)硒化鋅晶體的非線(xiàn)性光學(xué)的研究進(jìn)展進(jìn)行了總結(jié)歸納,著重介紹了測(cè)量材料光學(xué)非線(xiàn)性的新技術(shù)——Z-scan 技術(shù)。對(duì)ZnSe 光學(xué)非線(xiàn)性特性和動(dòng)力學(xué)過(guò)程進(jìn)行了研究。通過(guò)對(duì)腔內(nèi)自相位調(diào)制的強(qiáng)度調(diào)控,可以實(shí)現(xiàn)脈沖光譜的有效展寬和脈沖壓縮。

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