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        基于光學(xué)傳輸矩陣法的物理電磁波傳播與光學(xué)特性

        2020-10-20 05:35:55黃麗邱彥君
        粘接 2020年9期
        關(guān)鍵詞:傳播

        黃麗 邱彥君

        摘要:利用光學(xué)傳輸矩陣法處理物理電磁波通過多層均勻化介質(zhì)實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)傳播,基于界面與傳播矩陣構(gòu)建,導(dǎo)出傳輸矩陣,獲得反射與透射系數(shù),可直觀全面分析了解物理電磁波的傳播性質(zhì)。面向增反膜與DBR(分布式拉格反射鏡),通過傳輸矩陣法與Matlab編程,計(jì)算擬合反射率與透射率,以全面展現(xiàn)了物理電磁波傳播性質(zhì)與光學(xué)特征。結(jié)果表明,基于Matlab編程與傳輸矩陣方法可有效實(shí)現(xiàn)多層均勻化介質(zhì)的矩陣數(shù)學(xué)算法,通過反射率與透射率全方位可準(zhǔn)確物理電磁波的傳播狀態(tài)。通過實(shí)際案例可知,在物理教學(xué)中有機(jī)結(jié)合理論知識(shí)與數(shù)值仿真,適度擴(kuò)展研究層面,有利于提高學(xué)生的物理應(yīng)用實(shí)踐能力。

        關(guān)鍵詞:光學(xué)傳輸矩陣法;物理電磁波;傳播;光學(xué)特性

        中圖分類號(hào):0431

        文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A

        文章編號(hào):1001-5922(2020)09-0149-04

        0 引言

        光學(xué)屬于基礎(chǔ)性學(xué)科,在以往研究中主要面向光產(chǎn)生與傳播,然而光學(xué)依舊是目前科學(xué)領(lǐng)域研究的前言科目,即光子學(xué)與信息光學(xué)等等。其中波動(dòng)光學(xué)由光干涉、衍射、偏振等構(gòu)成。而傳輸矩陣法具有其自身的獨(dú)特優(yōu)勢(shì),在薄膜光學(xué)多層介質(zhì)處理光學(xué)特性中的應(yīng)用廣泛,且在光學(xué)器件沒計(jì)與實(shí)踐中發(fā)揮著關(guān)鍵性作用。傳輸矩陣法以矩陣方式進(jìn)行多光輸疊加干涉流程進(jìn)行恰當(dāng)處理,以反射率與透射率評(píng)估光學(xué)系統(tǒng)在調(diào)節(jié)電磁波幅度與相位層面的效果,以直觀形象展示光學(xué)原理與特性,明確闡釋物理電磁波相干疊加的物理特洼與意義,從而為深入探究物理電磁波傳播與光學(xué)特性提供有力幫助[1]。

        1 傳輸矩陣法

        所謂傳輸矩陣法,主要作用是計(jì)算光基于不同折射率材料構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)化介質(zhì)反射率與透射率,與介質(zhì)內(nèi)層光場(chǎng)分布狀態(tài)。傳輸矩陣較小且矩陣元偏少,使得計(jì)算量顯著降低,卻可保障較高精確度[2]。

        1.1多層介質(zhì)傳輸矩陣

        傳輸矩陣的物理層面意義,即可通過多層介質(zhì)一端,傳送光波電場(chǎng)強(qiáng)度與磁場(chǎng)強(qiáng)度切向分量于多層介質(zhì)另一端[3]。

        1.2反射率與透射率

        在光處于多層介質(zhì)傳輸時(shí),針對(duì)光波反射率與透射率等特性進(jìn)行深入探究。在入射一端(介質(zhì)首層外側(cè)),即:

        2 基于光學(xué)傳輸矩陣法的物理電磁波傳播與光學(xué)特性

        2.1增反膜分析

        通過光學(xué)傳輸矩陣?yán)砟?,基于Matlab編程,面向反射率與透射率,直觀形象表征出增反膜反射率與透射率在入射波長(zhǎng)與介質(zhì)膜厚度影響下的變化[5]。增反膜結(jié)構(gòu)選擇空氣+介質(zhì)膜+玻璃+空氣,其中空氣折射率為1;介質(zhì)膜折射率為2.46;玻璃折射率為1.51。

        2.1.1 波長(zhǎng)影響下反射率與透射率變化

        選擇可見光波段即400-750nm;入射角即30。;介質(zhì)膜厚度即152nm;玻璃厚度即5mm。基于入射角與介質(zhì)膜厚度明確,增反膜反射率在反射波長(zhǎng)影響下,呈現(xiàn)先增加后縮減的形勢(shì),波長(zhǎng)470nm周圍時(shí),反射率到達(dá)最高狀態(tài),即0.59;透射率在反射波長(zhǎng)影響下,呈現(xiàn)先縮減后增加的狀態(tài),波長(zhǎng)470nm周圍時(shí),透射率到達(dá)最低狀態(tài),即0.41。反射率與透射率的變化狀態(tài)正好相反,但是二者之和始終為1。

        2.1.2介質(zhì)膜厚度影響下反射率與透射率變化

        假設(shè)入射波長(zhǎng)即6lOnm;入射角即30°;介質(zhì)膜厚度即100-200nm。受介質(zhì)膜厚度影響,反射率與透射率的變化狀態(tài)[6]具體如圖1、圖2所示。

        由圖1可知,在介質(zhì)膜厚度影響下,反射率表征為先縮減后增加再縮減的形態(tài)。介質(zhì)膜厚度117nm時(shí),反射率達(dá)到最低;處于117-184nm間,受介質(zhì)膜厚度增加影響,反射率不斷變大,且于184nm時(shí),反射率到達(dá)最高狀態(tài),約0.52;處于185-200nm間,隨介質(zhì)膜厚度增加,反射率開始趨向于減小趨勢(shì)。

        由圖2可知,透射率的變化趨勢(shì)明顯與反射率完全相反,然而二者之和依舊為1。

        2.2 DBR反射鏡分析

        2.2.1 DBR設(shè)計(jì)

        為實(shí)時(shí)計(jì)算分析DBR反射鏡的反射率與光場(chǎng)分布狀態(tài),利用傳輸矩陣法,面向不同層次數(shù)量的AIAs/GaAs DBR加以計(jì)算處理。高低反射率材料分別選擇CaAs多層膜結(jié)構(gòu)與AIAs多層膜結(jié)構(gòu)。DBR半導(dǎo)體周期結(jié)構(gòu)具體如圖3所示。

        其中,E+代表第i層介質(zhì)材料波振幅正向量;E-代表第i鞥介質(zhì)材料波振幅負(fù)向量,二者綜合便可獲得第i層總和[7]。通過設(shè)備MBE設(shè)計(jì)生長(zhǎng)中心波長(zhǎng),即920與980nm的AIAs/GaAs反射鏡,通過掃描電子顯微鏡檢測(cè)結(jié)構(gòu)厚度。

        2.2.2 結(jié)果分析

        通過傳輸矩陣法計(jì)算獲得10、20、30對(duì)的AIAs/CaAs DBR反射率譜,中心波長(zhǎng)即920nm。通過計(jì)算可知,不同數(shù)量的多層膜結(jié)構(gòu)反射率譜具備類似形態(tài)。在結(jié)構(gòu)層數(shù)不斷增多的趨勢(shì)下,最大反射率逐漸趨向于l。其中10對(duì)數(shù)AIAs/GaAs DBR最大反射率即97.5%;而30對(duì)反射率直接超出了99.9%。另外,在多層膜數(shù)量逐步增加的形勢(shì)下,高反射率范圍寬度不斷縮小。其中10對(duì)結(jié)構(gòu)的寬度大約200nm;30對(duì)的大約125nm。

        MEB生長(zhǎng)中心波長(zhǎng)即920nm,其中10對(duì)實(shí)驗(yàn)反射譜,結(jié)構(gòu)的AIAs分層厚度即76.9nm;GaAs分層厚度即64.3nm。其中反射率計(jì)算譜結(jié)果與測(cè)試譜結(jié)果[8]具體如圖4與圖5所示。

        由圖5可以看出,在中心波長(zhǎng)為915nm時(shí),到達(dá)最大反射率,即95.9%。同時(shí),測(cè)試譜結(jié)果與計(jì)算譜結(jié)果對(duì)比可以發(fā)現(xiàn),在布局二者依舊存在一些差異性。

        測(cè)試譜中心波長(zhǎng)與預(yù)期波長(zhǎng)出現(xiàn)了偏差,主要是因?yàn)槎鄬覦BR反射鏡設(shè)計(jì)時(shí),并未精確化掌控層的厚度。根據(jù)計(jì)算分析,10層的DBR反射鏡,如果各層厚度偏差在3nm左右,便會(huì)造成中心波長(zhǎng)發(fā)生偏移,大約在20nm左右。所以,在設(shè)計(jì)生長(zhǎng)時(shí),嚴(yán)格控制Al與Ga束流十分關(guān)鍵,其不穩(wěn)定極易造成厚度嚴(yán)重誤差。由此可知,周期厚度較小,使得結(jié)構(gòu)中心波長(zhǎng)出現(xiàn)偏移現(xiàn)象,通過SEM測(cè)試圖像得以驗(yàn)證[9],具體如圖6所示。

        反射率處于90%狀態(tài)以上時(shí),高反射帶的寬度比較狹窄,還存在起伏現(xiàn)象,這主要是由于AIAs與GaAs層界面情況沒有達(dá)到理想狀態(tài)。而傳輸矩陣法闡述界面是最為理想化的、平滑度較高的介質(zhì)界面。但是實(shí)際界面粗糙度,會(huì)導(dǎo)致光線入射角發(fā)生變化,甚至出現(xiàn)散射,以此造成反射率起伏現(xiàn)象。而帶寬比較狹窄主要是由于鄰界面位置的Al與Ca組分發(fā)生擴(kuò)散,出現(xiàn)混亂生長(zhǎng)現(xiàn)象。在MBE生長(zhǎng)中,AIAs與CaAs層界面位置的Al與Ga切換開閉,束流變化都通過漸變才能趨向于穩(wěn)定狀態(tài),所以,在小區(qū)域內(nèi)部,構(gòu)成AICaAs層,可推動(dòng)有效折射率的實(shí)時(shí)變化。

        測(cè)試譜波長(zhǎng)超出950nm之后,反射率開始快速降低,是因?yàn)镚aAs層厚度與預(yù)期設(shè)計(jì)出現(xiàn)偏差?;趯雍裼?jì)算模擬仿真,不同折射率材料的厚度差異變大,會(huì)導(dǎo)致高反射帶漸漸向右發(fā)生傾斜。

        基于此,對(duì)980nmAIAs/GaAs DBR反射鏡反射譜進(jìn)行計(jì)算分析,優(yōu)化設(shè)計(jì)生長(zhǎng)工藝參數(shù)。中心波長(zhǎng)為980nm時(shí),30對(duì)結(jié)構(gòu)反射率計(jì)算譜結(jié)果與測(cè)試譜結(jié)果[10]具體如圖7、圖8所示。

        由圖可知,980nm結(jié)構(gòu)的AIAs與CaAs層厚積82.3nm與68.7nm。不同于920nm結(jié)構(gòu),其DBR最大反射率高達(dá)99.6%,盡管依舊與計(jì)算譜結(jié)構(gòu)存在些許差異,然而高反射率范圍內(nèi)比較平穩(wěn),沒有太過明顯的起伏,這就代表材料界面狀況良好,有顯著改善優(yōu)化,而中心波長(zhǎng)與預(yù)期相接近。

        3 結(jié)語

        綜上所述,面向增反膜與DBR(分布式拉格反射鏡),通過傳輸矩陣法與Matlab編程,計(jì)算擬合反射率與透射率,以全面展現(xiàn)了物理電磁波傳播性質(zhì)與光學(xué)特征。合理利用傳輸矩陣方法計(jì)算DBR反射鏡反射率曲線,設(shè)計(jì)生長(zhǎng)中心波長(zhǎng)與高反射率DBR反射鏡。結(jié)果表明,基于Matlab編程與傳輸矩陣方法可有效實(shí)現(xiàn)多層均勻化介質(zhì)的矩陣數(shù)學(xué)算法,通過反射率與透射率全方位可準(zhǔn)確物理電磁波的傳播狀態(tài)。

        參考文獻(xiàn)

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        作者簡(jiǎn)介:黃麗(1981-),女,漢族,河北張家口人.講師,研究方向:物理學(xué)。

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