張 建, 習小明, 沈裕軍, 李運姣, 張典偉, 彭 俊, 周小舟, 馬鵬程
(1.長沙礦冶研究院有限責任公司,湖南 長沙410012; 2.中南大學 冶金與環(huán)境工程學院,湖南 長沙410083)
太陽能作為可持續(xù)清潔能源,有著巨大開發(fā)價值,充分利用太陽能被人們視為“化學領域的圣杯”[1]。1972 年日本科學家Fujishima 和Honda 首次采用TiO2電極在紫外光照射下將水裂解產生H2,將太陽能和氫能進行結合,為光催化制氫領域打開了一扇新的大門[2]。 Zn0.5Cd0.5S 具有合適的禁帶寬度,能有效吸收可見光,是良好的光催化劑[3-4],但由于其表面缺少反應活性中心,并且反應過程中光腐蝕現(xiàn)象嚴重,導致產氫效率并不理想。 通過負載助催化劑可為催化劑提供大量的反應活性中心,進而提高產氫效率。 傳統(tǒng)助催化劑多為Pt、Pd 等貴金屬[5],存在成本高、難以廣泛應用的問題。 近些年有文獻相繼報道過渡金屬Cu(OH)2[6]、NiP[7]、MoS2[8]等助催化劑能大幅提高光催化劑催化產氫性能,其中鎳基助催化劑因其性能優(yōu)異、價廉源廣具有一定的應用前景。 本文合成了片狀的Zn0.5Cd0.5S 納米材料作為光催化劑,以Ni(OH)2作助催化劑,制備了Zn0.5Cd0.5S@Ni(OH)2材料,并對其產氫性能進行了相關測試。
實驗試劑包括CdCl2·2.5H2O、(CH3COO)2Zn·2H2O、硫脲、乙二胺、NaOH、(CH3COO)2Ni·4H2O,試劑均為分析純。 實驗用水為去離子水。
主要設備有水熱反應釜、真空干燥箱、鼓風干燥箱、磁力攪拌器等。
取2.284 g CdCl2·2.5H2O、2.195 g (CH3COO)2Zn·2H2O 和60 mL 乙二胺加入到100 mL 反應釜的特氟龍內襯中,室溫密封下磁力攪拌10 min,再加入4.567 g(60 mmol)硫脲繼續(xù)攪拌20 min;將內襯裝入反應釜,在160 ℃下反應48 h,反應結束后,自然冷卻至室溫,將所得黃色漿料分別用去離子水和無水乙醇洗滌3 次,置于真空干燥箱中60 ℃干燥12 h,制得Zn0.5Cd0.5S 基體。 樣品記為ZCSN-0。
稱取Zn0.5Cd0.5S 基體300 mg 置于100 mL 燒杯中,加入超純水10 mL、無水乙醇5 mL 和0.1 mol/L 的NaOH溶液20 mL,室溫下攪拌30 min;根據(jù)負載Ni(OH)2的質量分數(shù),加入一定量的(CH3COO)2Ni·4H2O 溶液(溶液濃度0.05 mol/L);將上述漿料在80 ℃水浴加熱下攪拌4 h,反應結束后冷卻至室溫,分別用去離子水和無水乙醇洗滌3 次,置于真空干燥箱中60 ℃干燥12 h。 根據(jù)負載的Ni(OH)2質量分數(shù),將材料記為ZCSN-n(例如,負載Ni(OH)230%,記為ZCSN-30)。
光催化制氫性能測試采用Labsolar6A 型全玻璃自動在線微量氣體分析系統(tǒng)(北京泊菲萊)。 測試步驟為:稱取20 mg 催化劑加入至100 mL Na2S(0.25 mol/L)-Na2SO3(0.35 mol/L)犧牲劑溶液中,超聲分散10 min后置于石英反應器內,磁力攪拌下將反應體系抽真空15 min(體系壓強降至2 kPa 以下),采用PLSSXE300/300UV 氙燈穩(wěn)流電源垂直進行照射(濾光片過濾420 nm 以下紫外光),反應時間為4 h,程序設置為每隔30 min 自動取樣分析,所取氣體樣品通過FULI9790Ⅱ氣相色譜儀進行分析。
圖1(a)為ZCSN-0,ZCSN-30 與標準PDF 卡片的XRD 對比,圖1(b)為不同Ni(OH)2負載量的ZCSN-n XRD 圖譜。
圖1 樣品XRD 圖譜
圖1(a)顯示,ZCSN-0 和ZCSN-30 的特征峰(100)、(002)、(101)與Zn0.5Cd0.5S 標準卡片有著良好的對應(2θ=25.83°、27.77°、29.39°),說明材料為Zn0.5Cd0.5S 晶體。 但在ZCSN-30 的譜圖中并未觀察到Ni(OH)2的特征峰,可能負載的Ni(OH)2結晶程度較低,色散程度較高,無法在XRD 中出峰。 從圖1(b)可以看出,隨著Ni(OH)2負載量增加,Zn0.5Cd0.5S 的特征峰強度和寬度并沒有出現(xiàn)明顯變化,這說明基體材料的晶體尺寸和物相結構沒有發(fā)生改變,從而可以推理出,Ni(OH)2是負載于Zn0.5Cd0.5S 表面,而不是鑲嵌在催化劑內部。
為觀察負載前后樣品的表面結構、形貌特征和元素組成,對ZCSN-0 和ZCSN-15 分別進行了掃描電鏡觀測,結果見圖2。 并對ZCSN-15 進行了EDS 能譜分析,結果見圖3。
從圖2(a)、(b)可以看出,未負載的Zn0.5Cd0.5S 呈不規(guī)則的納米片狀結構,少量呈納米棒狀,表面光滑且均勻。 從圖2(c)、(d)可以看出,片狀結構的Zn0.5Cd0.5S負載了Ni(OH)2后,表面變得粗糙,且Ni(OH)2不規(guī)則地負載于Zn0.5Cd0.5S 表面和邊緣。 這種結構具有較大的比表面積,有利于光子的吸收以及提供大量的活性位點。 從圖3 可以看出,Zn、Cd 原子數(shù)百分含量基本接近1 ∶1,且兩者之和約等于S 原子數(shù)百分含量,說明ZCSN-15 的基體組成為Zn0.5Cd0.5S。 根據(jù)Ni 元素質量分數(shù)推算出相應Ni(OH)2質量分數(shù)為15.99%,與理論值15%基本相符。 可以說明該材料組成為Zn0.5Cd0.5S@Ni(OH)2。
圖2 樣品SEM 圖譜
圖3 ZCSN-15 的EDS 能譜
為考察樣品的光響應活性,對樣品進行了紫外-可見光漫反射吸收光譜測試,結果如圖4 所示。 從圖4可以看出,負載Ni(OH)2之后,材料光吸收強度明顯增加,尤其是在250~500 nm 之間。當Ni(OH)2負載量為15%時,其吸光度明顯高于其他材料,在紫外及可見光范圍內有著更加優(yōu)異的光吸收性能,從而能夠提供更多的光子來促進光生電子-空穴的分離。
圖4 紫外-可見光漫反射吸收光譜
為了估算材料的禁帶寬度,通過使用Taucplot 法對所得的紫外-可見光漫反射吸收光譜進行處理[9]。根據(jù)公式,其中α為吸光系數(shù),h為普朗克常數(shù),υ為光的頻率,A為常數(shù),Eg為半導體禁帶寬度,對作圖,并通過外推曲線來確定材料的禁帶寬度Eg,推算結果見圖5(圖中切線與x軸的截距即為Eg)。 由圖5 可以看出,Ni(OH)2的負載并沒有改變材料的禁帶寬度,ZCSN-0 和ZCSN-15 的禁帶寬度均為2.20 eV。 根據(jù)公式Eg=1 240/λ(λ為光的波長),可以計算出最大光吸收波長為564 nm,位于可見光吸收范圍內。 由此可見,ZCSN-15 材料具有合適的禁帶寬度,有利于可見光的吸收。
圖5 樣品禁帶寬度
Zn0.5Cd0.5S@Ni(OH)2光催化劑中Ni(OH)2負載量對光分解水制氫性能的影響如圖6 所示。 實驗結果證明,Ni(OH)2作為助催化劑,對Zn0.5Cd0.5S@Ni(OH)2異質結催化劑的光催化產氫速率有著顯著提升。 單一的Ni(OH)2并沒有催化裂解水的性能[10],ZCSN-0 在可見光下(λ≥420 nm)的光催化產氫活性較差,平均產氫速率僅為8.42 mmol/(g·h)。 這是由于其表面活性位點較少,使光生電子-空穴容易在轉移過程中快速復合,導致析氫效率較低。 從圖6 可以看出,負載了5%Ni(OH)2之后,Zn0.5Cd0.5S@Ni(OH)2的光催化產氫活性得到了明顯提升,達到了30.32 mmol/(g·h),約為Zn0.5Cd0.5S 基體材料的3.6 倍。 隨著Ni(OH)2負載量提高,Zn0.5Cd0.5S@Ni(OH)2的光催化產氫活性也隨之升高,當Ni(OH)2負載量達到15%時,Zn0.5Cd0.5S@Ni(OH)2的光催化產氫活性達到最高,為44.46 mmol/(g·h),約為Zn0.5Cd0.5S 基體材料的5.3 倍。 這是由于Ni(OH)2的存在有效抑制了光生電子和空穴的復合,使得樣品表現(xiàn)出更好的光吸收性和產氫性能。 但是隨著Ni(OH)2負載量繼續(xù)增加,Zn0.5Cd0.5S@Ni(OH)2的產氫活性出現(xiàn)下降,原因可能是:①隨著Ni(OH)2負載量增加,樣品由亮黃色變?yōu)辄S綠色,材料顏色變深,降低了光照射到Zn0.5Cd0.5S 基體表面的強度,影響了材料對光的吸收;②由于大量的Ni(OH)2包覆在材料表面,使得Zn0.5Cd0.5S 原本的活性位點被掩蓋,從而降低了材料的產氫活性。 選擇Ni(OH)2負載量為15%,并進行多組合成-催化制氫驗證實驗,平均產氫速率為44.46 mmol/(g·h),說明該合成方法重復性好。
圖6 光催化劑中Ni(OH)2 負載量對光分解制氫性能的影響
1) 通過水熱法成功制備了Zn0.5Cd0.5S@Ni(OH)2光催化劑,負載了15%Ni(OH)2后的Zn0.5Cd0.5S 產氫性能大幅提高,平均產氫速率達到了44.46 mmol/(g·h),是基體材料的5.3 倍。 試驗證明重復性良好。
2) Zn0.5Cd0.5S@Ni(OH)2材料具有較大的比表面積、較高的結晶度以及合適的帶隙,這些均有助于光催化劑對可見光的吸收和內部形成穩(wěn)定的電場,加快光生載流子的遷移速率;同時表面缺陷以及Ni(OH)2提供了大量的反應活性中心,很大程度上抑制了光生載流子的復合,這也是該催化劑具有較高產氫速率的原因。