夏 奇,王志勇,李 波,2,3
(1.電子科技大學(xué) 電子科學(xué)與工程學(xué)院,成都 610054;2.電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,成都 610054;3.國(guó)家電磁輻射控制材料工程技術(shù)研究中心,成都 610054)
隨著集成電路向多功能、高速、高密度方向發(fā)展,對(duì)封裝基板的機(jī)械、熱學(xué)及介電性能提出了更高的要求[1-3]。對(duì)于大尺寸芯片的一級(jí)封裝,足夠高的抗彎強(qiáng)度才可增強(qiáng)封裝的可靠性,合適的低熱膨脹系數(shù)才可實(shí)現(xiàn)與硅芯片(3.5×10-6/℃)良好的熱匹配,低的介電常數(shù)和介電損耗才可提高交叉布線密度、減少線間干擾,降低信號(hào)的傳輸延遲[4-5]。
近年來(lái),鎂鋁硅系微晶玻璃,具有機(jī)械強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)低、介電常數(shù)低、介電損耗低等優(yōu)點(diǎn)[6-7],得到了廣泛的研究[8-10]。Sabrina等[11]研究了ZrO2摻雜量對(duì)鎂鋁硅系微晶玻璃析晶行為及機(jī)械性能的影響,研究發(fā)現(xiàn)較高的ZrO2濃度會(huì)降低表面析晶,并降低晶體的平均尺寸,從而導(dǎo)致較高的半透明性和較高的機(jī)械性能。張春霖等[12]研究了Fe2O3對(duì)鎂鋁硅系微晶玻璃介電性能的影響,研究表明隨著Fe2O3的加入,主晶相由堇青石(Mg2Si5Al4O18)向鎂鋁尖晶石轉(zhuǎn)變,介電常數(shù)和介電損耗逐漸減小等。目前研究主要存在兩個(gè)問(wèn)題,一是具有高抗彎強(qiáng)度的鎂鋁硅系微晶玻璃,其燒結(jié)溫度過(guò)高,均在1100 ℃以上,難以滿足低溫共燒陶瓷[13-14](LTCC)的技術(shù)要求;二是高抗彎強(qiáng)度與低熱膨脹系數(shù)難以同時(shí)滿足[15]。
為了獲得較為理想的封裝材料,本文在鎂鋁硅體系中引入ZrO2作為晶核劑,詳細(xì)研究了CaO摻雜對(duì)MgO-Al2O3-SiO2微晶玻璃晶相和微觀結(jié)構(gòu)的影響,并討論了抗彎強(qiáng)度、熱膨脹系數(shù)、介電常數(shù)及介電損耗變化的規(guī)律。
采用熔融法制備微晶玻璃,以分析純MgCO3,Al2O3,SiO2,CaCO3和ZrO2為原料,其中CaO的添加量分別為0、1%、2%、3%、5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))。按配比稱(chēng)料后裝入尼龍罐球磨,取出后烘干。將粉體裝入高純氧化鋁坩堝中于1550 ℃熔融,隨后立即倒入去離子水中淬火得到玻璃渣。將玻璃渣打碎、球磨、干燥、過(guò)篩、造粒并壓制成60 mm×6 mm×5 mm和Φ15 mm×2 mm的坯體,然后放于燒結(jié)爐中于450 ℃排膠、于950 ℃燒結(jié)。
采用X射線衍射儀(XRD,PANALYTICAL PW3040/60)分析微晶玻璃的相組成,并利用Jade 6.5全譜擬合得出物相含量和結(jié)晶度。采用差熱分析儀(DSC,NETZSCH STA 449 ℃)測(cè)試得出玻璃軟化溫度、析晶溫度。采用熱膨脹儀(NETZSCH DIL 402 PC)測(cè)試得到收縮率曲線,并利用Arrhenius方程的恒定升溫速率模型計(jì)算出燒結(jié)活化能。采用掃描電子顯微鏡(SEM,F(xiàn)EI INSPECT F50)通過(guò)背散射電子掃描模式觀察樣品斷面的微觀形貌。通過(guò)LCR儀(KEYSIGHT E4980A)在1MHz下測(cè)量介電常數(shù)和介電損耗。通過(guò)熱膨脹儀(NETZSCH DIL 402 PC)得到線熱膨脹系數(shù)。通過(guò)萬(wàn)能試驗(yàn)機(jī)(MTS CMT6104)采用三點(diǎn)彎曲法測(cè)得抗彎強(qiáng)度。
圖1為不同CaO含量摻雜鎂鋁硅玻璃的DSC曲線??梢钥闯?,在220 ℃附近出現(xiàn)一個(gè)小的放熱峰為結(jié)晶水的失去;加入CaO后,在340 ℃附近會(huì)出現(xiàn)一個(gè)較寬的放熱峰,由此推斷Ca原子進(jìn)入到玻璃網(wǎng)絡(luò)中,與Al、Si原子組合形成了新的骨架結(jié)構(gòu)。隨著CaO含量的增加,玻璃軟化溫度Tg由715 ℃降低到530 ℃左右,析晶峰Tp由880 ℃逐漸降低到859 ℃,這說(shuō)明CaO摻雜能夠有效降低鎂鋁硅玻璃的軟化點(diǎn)及析晶溫度。
圖1 不同CaO含量摻雜鎂鋁硅玻璃的DSC曲線Fig 1 DSC curves of CaO doped MgO-Al2O3-SiO2 glass ceramics
圖2為不同CaO含量摻雜鎂鋁硅微晶玻璃的XRD譜。樣品的主晶相為堇青石Mg2Si5Al4O18(PDF#89-1485),次晶相為(MgAl2Si3O18)0.6(PDF#73-2338)、ZrO2(PDF#79-1767)和CaAl2Si2O8(PDF#41-1486)。當(dāng)CaO摻雜量為3%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時(shí),主晶相的衍射峰明顯減弱,并在25.8°處出現(xiàn)了較明顯的特征峰,對(duì)應(yīng)著次晶相(MgAl2Si3O18)0.6。當(dāng)CaO摻雜量為5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時(shí),次晶相(MgAl2Si3O18)0.6又逐漸減少,在27.8°出現(xiàn)了少量的新相CaAl2Si2O8。我們進(jìn)一步通過(guò)全譜擬合計(jì)算出晶相含量及結(jié)晶度的結(jié)果見(jiàn)表1。當(dāng)CaO含量為3%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時(shí),主晶相堇青石的含量減少到65.2%,次晶相(MgAl2Si3O18)0.6含量增加到27.4%。隨著CaO含量的增加,結(jié)晶度從41.3%先增加到51.1%再降低到39.5%。由此可見(jiàn),CaO摻雜可以改變?cè)擉w系的析晶傾向,因?yàn)?MgAl2Si3O18)0.6為形成堇青石的中間相,這說(shuō)明CaO在一定程度上抑制中間相(MgAl2Si3O18)0.6轉(zhuǎn)變成Mg2Si5Al4O18。
圖2 不同CaO含量摻雜鎂鋁硅微晶玻璃的XRD譜Fig 2 XRD spectra of MgO-Al2O3-SiO2 glass-ceramics doped with different CaO contents
表1 全譜擬合計(jì)算的晶相含量及結(jié)晶度Table 1 Crystal phase content and crystallinity calculated by the whole pattern fitting method
圖3為不同CaO含量摻雜鎂鋁硅微晶玻璃的斷面SEM圖??梢钥闯?,當(dāng)摻雜1%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))CaO時(shí),晶粒大小分布較均勻;當(dāng)摻雜2%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))CaO時(shí),晶粒出現(xiàn)明顯長(zhǎng)大,且晶粒大小差別較大;當(dāng)摻雜3%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))CaO時(shí),晶粒分布均勻,且致密性好;當(dāng)摻雜5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))CaO時(shí),晶粒生長(zhǎng)異常,且產(chǎn)生了氣孔,處于過(guò)燒狀態(tài)。
圖3 不同CaO含量摻雜鎂鋁硅微晶玻璃的斷面SEM圖Fig 3 SEM images of section of MgO-Al2O3-SiO2 glass-ceramics doped with different CaO contents
為了深入研究CaO摻雜對(duì)該體系燒結(jié)機(jī)制帶來(lái)的影響,采用基于Arrhenius方程的恒定升溫速率模型[16]來(lái)計(jì)算燒結(jié)活化能,其公式如下:
式中,A代表前因子;k代表反應(yīng)速率常數(shù);Q代表反應(yīng)激活能(J/mol);R代表摩爾氣體常數(shù)(8.314 J/mol·k);T代表熱力學(xué)溫度(K)。不同升溫速率下生胚燒結(jié)測(cè)得收縮率曲線如圖4(a~e)所示,同時(shí)選取不同收縮率的溫度點(diǎn)進(jìn)行線性擬合如圖4(f~j)所示。
圖4 不同CaO含量摻雜鎂鋁硅玻璃在不同升溫速率下的收縮率曲線,不同收縮率下的擬合關(guān)系曲線Fig 4 Shrinkage curves of different CaO content doped MgO-Al2O3-SiO2 glass at different heating rates.Fitting relationship curves under different shrinkage rates
可以看出,所有樣品在800 ℃開(kāi)始進(jìn)入燒結(jié)狀態(tài),在890~935 ℃收縮完全達(dá)到致密化。將所得的直線斜率取平均值,計(jì)算出燒結(jié)活化活能Q。結(jié)果表明,隨著CaO的加入,燒結(jié)活化能由640.6 kJ/mol驟降至533.7 kJ/mol,并趨于穩(wěn)定,當(dāng)CaO含量為5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時(shí),燒結(jié)活化能又增加到571.6 kJ/mol,說(shuō)明CaO摻雜有助于該體系的燒結(jié)過(guò)程,且少量CaO(≤3%(質(zhì)量分?jǐn)?shù)))的降燒效果更加明顯,過(guò)量CaO反而會(huì)抑制該體系的燒結(jié)。
表2給出不同CaO含量摻雜鎂鋁硅微晶玻璃的密度與介電性能。微晶玻璃的介電常數(shù)與極化率、密度及晶相有著直接關(guān)系[17]。一方面,由于Ca離子極化率較大為0.00283 nm3,而Mg、Al、Si離子的極化率分別為0.00094、0.00029、0.00010 nm3 [18],CaO摻雜樣品的介電常數(shù)更高。更重要的是介電常數(shù)表現(xiàn)出與密度相同的變化規(guī)律,當(dāng)CaO含量為3%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時(shí),密度從2.638 g/cm3提高到2.665 g/cm3,導(dǎo)致介電常數(shù)從5.17增加到5.89。此外,主晶相Mg2Si5Al4O18具有低介電損耗,樣品的介電損耗低于10-3數(shù)量級(jí),但是由于次晶相(MgAl2Si3O18)0.6可能具有較高的介電損耗,這就造成CaO摻雜3%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時(shí)介電損耗達(dá)到最大值1.85×10-3。
表2 不同CaO含量摻雜的鎂鋁硅微晶玻璃的密度與介電性能Table 2 Density and dielectric properties of MgO-Al2O3-SiO2 glass-ceramics doped with different CaO contents
圖5為鎂鋁硅微晶玻璃的熱膨脹系數(shù)和抗彎強(qiáng)度隨著CaO摻雜量的變化曲線。當(dāng)CaO含量為3%(質(zhì)量分?jǐn)?shù)),熱膨脹系數(shù)由2.18×10-6/℃提高到3.52×10-6/℃,與硅芯片接近,可實(shí)現(xiàn)良好的熱匹配。微晶玻璃的熱膨脹系數(shù)主要與晶相、玻璃相的種類(lèi)及含量相關(guān)[19]。由于主晶相Mg2Si5Al4O18的熱膨脹系數(shù)僅為1.5×10-6/℃[20],可以推斷產(chǎn)生的次晶相(MgAl2Si3O18)0.6可能具有相對(duì)高的熱膨脹系數(shù)。微晶玻璃的抗彎強(qiáng)度主要取決于密度與應(yīng)力。當(dāng)CaO含量為3%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時(shí),抗彎強(qiáng)度從102MPa增加到152MPa達(dá)到峰值。其原因在于,一是由于樣品有著最大的密度,致密化程度最好;二是由于高熱膨脹相產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力,抗彎強(qiáng)度增加[21]。
圖5 不同CaO含量摻雜鎂鋁硅微晶玻璃的熱膨脹系數(shù)和抗彎強(qiáng)度Fig 5 Thermal expansion coefficient and flexural strength of MgO-Al2O3-SiO2 glass glass doped with different CaO contents
(1)CaO摻雜有效降低鎂鋁硅玻璃的軟化點(diǎn)及析晶溫度,并改變析晶傾向,同時(shí)顯著降低燒結(jié)活化能,并促進(jìn)鎂鋁硅微晶玻璃的燒結(jié)。
(2)次晶相(MgAl2Si3O18)0.6的增加導(dǎo)致微晶玻璃的熱膨脹系數(shù)提高,而抗彎強(qiáng)度的提升與體積密度的增大及高熱膨脹相產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力有關(guān)。
(3)3%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))CaO摻雜鎂鋁硅微晶玻璃能在950 ℃下燒結(jié)獲得最佳性能:抗彎強(qiáng)度為152 MPa、熱膨脹系數(shù)為3.52×10-6/℃、介電常數(shù)為5.89、介電損耗為1.85×10-3。