范瑜,宋鵬云,許恒杰
(昆明理工大學(xué)化學(xué)工程學(xué)院,云南昆明650500)
水蒸氣是驅(qū)動(dòng)汽輪機(jī)運(yùn)行的理想工質(zhì)。通過(guò)改進(jìn)汽輪機(jī)的氣封結(jié)構(gòu)[1],可進(jìn)一步提高汽輪機(jī)的效率和運(yùn)行穩(wěn)定性。2018 年,許萬(wàn)軍[2]就氣膜密封應(yīng)用于透平機(jī)械的增效減振作用進(jìn)行了較為深入的研究。目前已出現(xiàn)適用于蒸氣透平的水蒸氣潤(rùn)滑干氣密封產(chǎn)品[3]。但對(duì)水蒸氣潤(rùn)滑干氣密封的研究并不深入。本文作者[4]對(duì)水蒸氣潤(rùn)滑干氣密封的穩(wěn)態(tài)性能進(jìn)行了初步研究,但尚未涉及啟動(dòng)過(guò)程。而干氣密封的大部分失效發(fā)生在啟動(dòng)過(guò)程,對(duì)干氣啟動(dòng)過(guò)程的深入了解十分必要。
干氣密封的啟動(dòng)過(guò)程包括接觸過(guò)程[5]和非接觸過(guò)程[6-11]。王和順等[12]基于N-S 方程,對(duì)氣膜密封的啟動(dòng)過(guò)程進(jìn)行了研究,表明流體動(dòng)壓力是導(dǎo)致端面脫開的關(guān)鍵因素。彭旭東等[13]研究了不同工況下氣膜壓力分布的特點(diǎn),通過(guò)改變端面槽型參數(shù)、密封壓力等因素,進(jìn)一步研究了端面干氣密封的臨界動(dòng)壓開啟性能。高志等[14]采用聲發(fā)射技術(shù)對(duì)干氣密封實(shí)際啟動(dòng)過(guò)程中的接觸摩擦狀況進(jìn)行了監(jiān)測(cè)。李雙喜等[15]提出了以開啟臨界轉(zhuǎn)速分析氣體密封開啟性能的觀點(diǎn),并研究了干氣密封的實(shí)際開啟情況。
上述針對(duì)干氣密封啟動(dòng)階段的研究,接觸模型大多采用GW 模型,其模型參數(shù)(微凸體峰頂曲率半徑R、微凸體面積密度η)均引自Etsion 等[16-19]的文獻(xiàn),但密封環(huán)的實(shí)際情況千差萬(wàn)別,如何合理地確定接觸模型的微凸體峰頂曲率半徑R和微凸體面積密度η 是需要解決的關(guān)鍵問題。同時(shí),他們的研究均將氣體考慮為理想氣體,未考慮實(shí)際氣體效應(yīng)[20]對(duì)密封端面開啟過(guò)程的影響。
本文利用表面輪廓儀測(cè)量實(shí)際干氣密封環(huán)的表面輪廓參數(shù),進(jìn)而確定了實(shí)際密封環(huán)的微凸體峰頂曲率半徑R 和微凸體面積密度η;考慮水蒸氣的實(shí)際氣體效應(yīng),研究了水蒸氣潤(rùn)滑干氣密封的啟動(dòng)過(guò)程,為水蒸氣潤(rùn)滑干氣密封的設(shè)計(jì)和應(yīng)用提供一定的理論依據(jù)。
圖1 為單端面干氣密封結(jié)構(gòu)示意圖,在旋轉(zhuǎn)環(huán)端面加工有螺旋形淺槽。螺旋槽干氣密封的端面結(jié)構(gòu)(以泵入式螺旋槽干氣密封為例)如圖1所示,動(dòng)環(huán)端面外側(cè)周向均勻開有若干螺旋淺槽,在外壓的作用下,潤(rùn)滑氣體會(huì)被泵入兩密封環(huán)端面之間,由于螺旋槽結(jié)構(gòu)在進(jìn)氣方向上具有收斂性,氣體在槽根處會(huì)被壓縮產(chǎn)生動(dòng)壓使動(dòng)、靜環(huán)分離。當(dāng)干氣密封達(dá)到正常工作轉(zhuǎn)速后,在動(dòng)、靜環(huán)之間能夠維持一定厚度的穩(wěn)定氣膜,從而能實(shí)現(xiàn)干氣密封的穩(wěn)定運(yùn)行。旋轉(zhuǎn)環(huán)端面由槽區(qū)(groove)、臺(tái)區(qū)(land)、壩區(qū)(dam)組成,如圖2 所示。旋轉(zhuǎn)環(huán)的參數(shù):密封環(huán)外半徑ro、槽根半徑rg、密封環(huán)內(nèi)半徑ri、旋轉(zhuǎn)角速度ω。與旋轉(zhuǎn)環(huán)配對(duì)的靜止環(huán)端面無(wú)槽。旋轉(zhuǎn)環(huán)槽區(qū)和非槽區(qū)表面粗糙度、靜止環(huán)表面粗糙度可用表面輪廓儀測(cè)量。然后,表面粗糙特性參數(shù)指的環(huán)上的臺(tái)區(qū)、壩區(qū),因動(dòng)、靜環(huán)的接觸實(shí)際上是臺(tái)區(qū)、壩區(qū)的接觸,與槽區(qū)無(wú)接觸。
圖1 單端面機(jī)械密封Fig.1 Single end face dry gas seal
GW 接觸模型是將赫茲彈性接觸理論與表面粗糙度的統(tǒng)計(jì)理論相結(jié)合,并將兩個(gè)粗糙表面的接觸簡(jiǎn)化成一個(gè)等效粗糙表面與光滑表面的接觸。使用GW 模型時(shí),通常需要確定兩個(gè)主要參數(shù):微凸體峰頂曲率半徑R 和微凸體面積密度η,它們的計(jì)算公式分別為[21-22]:
圖2 干氣密封旋轉(zhuǎn)環(huán)Fig.2 Rotating ring of a dry gas seal
式中,m2、m4分別為粗糙表面輪廓譜函數(shù)的二階、四階矩,可由表面輪廓的譜函數(shù)s(f)確定[23],f 為各種表面粗糙峰(輪廓高度)出現(xiàn)的頻率。假定粗糙表面輪廓高度的譜函數(shù)與f-k正相關(guān)[23],其中k稱為譜指數(shù)[24],則表面輪廓的譜函數(shù)滿足
式中,c 為比例常數(shù)。假定f1≤f ≤f2,其中f1一般由取樣長(zhǎng)度確定,f2由表面輪廓儀的濾波器或觸針半徑確定。
粗糙表面輪廓譜函數(shù)s(f)的n 階譜矩[23]表達(dá)式為:
將式(3)引入式(4)中,則粗糙表面輪廓譜函數(shù)的零、二、四階矩分別為:
目前,常見的表面輪廓儀可以測(cè)量密封環(huán)端面的輪廓均方根偏差Rq和均方根斜率Rdq,它們與粗糙表面輪廓譜函數(shù)的零、二階矩(m0和m2)有關(guān)[23]:
利用式(5)、式(6),Rq/Rdq比值可以表示為:
式中,輪廓均方根偏差[25]Rq也常用σ 表示。一旦確定f1、f2數(shù)值,并獲得Rq和Rdq的測(cè)量值,利用式(10)可以求得譜指數(shù)k,利用式(8)~式(9)可以分別求得粗糙表面輪廓譜函數(shù)的零階矩m0和二階矩m2,然后根據(jù)式(5)、式(7)得到m4/m0比值的計(jì)算表達(dá)式,進(jìn)而求得四階矩m4的數(shù)值:
干氣密封動(dòng)、靜環(huán)端面并不是絕對(duì)光滑的,根據(jù)GW 接觸模型理論,動(dòng)、靜環(huán)接觸面的譜矩可視為動(dòng)、靜環(huán)粗糙表面輪廓譜矩之和,即:
式中,下角標(biāo)s和r分別代表靜環(huán)和動(dòng)環(huán)。
1.3.1 測(cè)試儀器 實(shí)驗(yàn)設(shè)備:粗糙度輪廓儀測(cè)定一體機(jī)(SEF680),其觸針半徑r 為2 μm。使用該輪廓儀可測(cè)量干氣密封動(dòng)、靜環(huán)端面的輪廓均方根偏差Rq和均方根斜率Rdq。根據(jù)GB/T 1031—2016《產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范(GPS)表面結(jié)構(gòu)輪廓法》[26],考慮到干氣密封環(huán)表面粗糙度的測(cè)量范圍(0.02~0.1 μm),確定取樣長(zhǎng)度lr為250 μm。因此,表面輪廓高度分布的較低頻率f1=1/lr=0.004 μm-1。由觸針半徑r=2 μm,得到表面輪廓高度分布的較高頻率f2=1/r=0.5 μm-1。
1.3.2 測(cè)試過(guò)程 實(shí)驗(yàn)靜環(huán)材質(zhì)為碳石墨(carbon),動(dòng)環(huán)材質(zhì)為碳化硅(SiC)。設(shè)置測(cè)定速度0.2 mm/s、評(píng)估長(zhǎng)度ln=5lr=1.25 mm。分別在靜環(huán)和動(dòng)環(huán)端面上隨機(jī)選擇5 個(gè)位置,每個(gè)位置測(cè)一次,得到靜環(huán)、動(dòng)環(huán)測(cè)試數(shù)據(jù)如表1、表2 所示。測(cè)試靜環(huán)(carbon)和動(dòng)環(huán)(SiC)表面粗糙度的典型輪廓曲線分別如圖3和圖4所示。
圖3 靜環(huán)測(cè)試數(shù)據(jù)曲線Fig.3 Graph of stationary ring test data
圖4 動(dòng)環(huán)測(cè)試數(shù)據(jù)曲線Fig.4 Graph of rotating ring test data
1.3.3 測(cè)試數(shù)據(jù) 碳石墨(carbon)靜環(huán)的測(cè)試數(shù)據(jù)如表1 所示。將以上5 個(gè)位置的Rqs數(shù)據(jù)和Rdqs數(shù)據(jù)分別取算術(shù)平均值,得到靜環(huán)的Rqs=0.0640 μm 和Rdqs=0.0628。
表1 Carbon環(huán)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)Table 1 Experimental data of Carbon
碳化硅(SiC)動(dòng)環(huán)的測(cè)試數(shù)據(jù)如表2 所示。將以上5 組Rqr數(shù)據(jù)、Rdqr數(shù)據(jù)分別取算術(shù)平均值,得到動(dòng)環(huán)的Rqr=0.0700 μm和Rdqr=0.0522。
表2 SiC環(huán)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)Table 2 Experimental data of SiC
1.3.4 確定接觸模型參數(shù) 根據(jù)輪廓儀測(cè)量得到的靜環(huán)(carbon)和動(dòng)環(huán)(SiC)輪廓均方根偏差Rq和均方根斜率Rdq。分別代入式(8)~式(11)計(jì)算,得到以下 結(jié) 果:靜 環(huán)(carbon):m0s=0.004900 μm2,m2s=0.002725,m4s=0.012424 μm-2;動(dòng) 環(huán) (SiC):m0r=0.004096 μm2,m2r=0.003944,m4r=0.019313 μm-2。
兩個(gè)粗糙面分別取m0、m2、m4求和,根據(jù)式(12),求得:m0=0.008996 μm2,m2=0.006669,m4=0.031737 μm-2。
將以上所得參數(shù)代入式(1)、式(2),得到經(jīng)實(shí)驗(yàn)確定的接觸模型參數(shù)值,與Etsion 等[19]的數(shù)據(jù)對(duì)比,如表3所示。
表3 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與Etsion等數(shù)據(jù)對(duì)比Table 3 Comparison of experimental data with data of Etsion et al.
可以看出,由表3 的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)對(duì)比,R 比Etsion等的數(shù)據(jù)大,η 比Etsion 等的數(shù)據(jù)小。由表4 可知,與Etsion 等的數(shù)據(jù)對(duì)比,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的譜矩m0、m2、m4偏小,由式(8)、式(9)可以看出實(shí)際的密封環(huán)端面的輪廓均方根偏差Rq、均方根斜率Rdq偏小。由式(1)可知,實(shí)驗(yàn)的R 偏大,由式(28)可知,實(shí)驗(yàn)的η 偏小。在實(shí)際使用過(guò)程中,動(dòng)靜環(huán)構(gòu)成的密封副不同,接觸模型參數(shù)R、η 可能不同,并受加工工藝、技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)等的影響。
實(shí)際氣體的狀態(tài)方程有維里方程、RK 方程等,在高壓下,實(shí)際氣體與理想氣體的行為是明顯不同的,其壓縮因子Z 不等于1。對(duì)于水蒸氣,當(dāng)溫度為300℃時(shí),采用上述實(shí)際氣體狀態(tài)方程計(jì)算獲得壓縮因子,并與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IAPWS97進(jìn)行對(duì)比,結(jié)果如圖5所示。
可以發(fā)現(xiàn),中低壓下三階維里方程與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)誤差較小,其平均誤差是0.24 %。因此,本文采用三階維里方程來(lái)計(jì)算水蒸氣的壓縮因子Z。
實(shí)際氣體狀態(tài)方程為
三階維里方程表達(dá)式如下
圖5 水蒸氣的壓縮因子Fig.5 Compression factor of steam gas
式(13)、式(14)中,M 為氣體的摩爾質(zhì)量,B、C 分別為第二、三維里系數(shù),它們可分別利用Pitzer 方程[28]和Orbey方程[29]得出
式中,ε 為氣體的偏心因子,對(duì)于水蒸氣,ε=0.3443,pc為臨界壓力,Tc為臨界溫度,Tr為對(duì)比溫度,Tr=T/Tc。
根據(jù)無(wú)限窄槽理論[30],密封間隙內(nèi)氣體沿徑向的壓力分布控制方程如下所示。
密封壩區(qū):
螺旋槽的槽臺(tái)區(qū):
式中,μ 為水蒸氣的黏度,可查文獻(xiàn)[27];St為氣體通過(guò)密封端面的質(zhì)量流量;h 為非槽區(qū)的氣膜厚度;h1為槽區(qū)的氣膜厚度,h1=h+t,t 為螺旋槽的槽深;ω為密封環(huán)的旋轉(zhuǎn)角速度;g1,g5,g7為螺旋槽函數(shù),分別為:
式中,γ是臺(tái)寬與槽寬的比值,α為螺旋角,將式(13)分別代入式(17)、式(18)即可得到考慮水蒸氣實(shí)際氣體螺旋槽干氣密封的氣膜壓力控制方程。
根據(jù)質(zhì)量守恒,氣體流經(jīng)螺旋槽區(qū)的質(zhì)量流量等于氣體流經(jīng)密封壩區(qū)的質(zhì)量流量。計(jì)算時(shí),先假定一個(gè)質(zhì)量流量St,根據(jù)密封壩的壓力控制方程式(17)和內(nèi)側(cè)壓力的邊界條件,r=ri,p=pi,可計(jì)算出槽根處的壓力pg,再利用槽區(qū)的壓力控制方程式(18)可計(jì)算出外徑邊界處(r=ro)的壓力po',如果po'等于外徑處壓力po,則計(jì)算結(jié)束。否則,需重新假設(shè)泄漏率St,重復(fù)上述過(guò)程,直到滿足po'=po。這樣,就獲得了整個(gè)密封端面的壓力分布p(r)和泄漏率St。
獲得端面間隙內(nèi)的氣膜壓力分布以后,在整個(gè)密封端面上對(duì)氣膜壓力進(jìn)行積分,即可得到端面開啟力:
接觸力的理論計(jì)算采用GW 模型[21],其計(jì)算表達(dá)式為:
式中,pcontact為微凸體接觸壓力,ri、ro分別密封環(huán)的內(nèi)外徑,η 為微凸體面積密度,R 為微凸體峰頂曲率半徑,σs為粗糙表面微凸體高度分布的標(biāo)準(zhǔn)差,E為當(dāng)量彈性模量(23.65 GPa),z 為積分變量。式(21)中的積分下限d為[31]:
式中,α 為帶寬參數(shù)[31],ys為微凸體中面與輪廓中面之間的距離[31]。式(21)中的粗糙表面微凸體高度分布的標(biāo)準(zhǔn)差σs由式(25)確定[32]:
式中,σ為粗糙表面輪廓的標(biāo)準(zhǔn)差,即Rq。
將譜矩參數(shù)代入式(23)~式(25),得到經(jīng)實(shí)驗(yàn)確定的接觸模型參數(shù)值,與Etsion 等[19]的數(shù)據(jù)對(duì)比,如表4所示。
表4 譜距實(shí)驗(yàn)參數(shù)與文獻(xiàn)值對(duì)比Table 4 Comparison of speitral moment between experimental data and literature data
文中計(jì)算案例的結(jié)構(gòu)參數(shù)選自文獻(xiàn)[33]。結(jié)構(gòu)參數(shù):ro=77.78 mm,ri=58.42 mm,rg=69.00 mm,α=15°,γ=1,t=0.005 mm。操作參數(shù):pi=0.101 MPa,po=2 MPa。潤(rùn)滑介質(zhì)為水蒸氣,其溫度為300℃,氣體常數(shù)Rg=8.314 J/(mol·K),300℃時(shí)水蒸氣的黏度μ=20.29×10-6Pa·s,臨界溫度Tc=373.946℃,臨界壓力pc=22.064 MPa。假設(shè)端面間隙內(nèi)的流體流動(dòng)為等溫流動(dòng)。
利用開啟力Fo等于閉合力Fclose減去接觸力Fc,可求出接觸階段氣膜的開啟力Fo。然后,給定膜厚h,調(diào)試轉(zhuǎn)速n,運(yùn)用窄槽理論求出的開啟力與其相等,即可求出平衡轉(zhuǎn)速n。進(jìn)而分別求出接觸力、開啟力與轉(zhuǎn)速n 之間的關(guān)系。將以膜厚h 為變量,轉(zhuǎn)化為以轉(zhuǎn)速n為變量。
閉合力[13]等于流體壓力和彈簧作用在密封副中的軸向載荷之和:
式中,彈簧比壓ps=0.03 MPa,平衡半徑為rb=61.3×10-3m。在本文的研究工況下,根據(jù)式(26)很容易求得閉合力為Fclose=14759.2207 N。
動(dòng)靜環(huán)構(gòu)成的密封副不同,接觸模型參數(shù)R、η可能不同,并受加工工藝、技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)等的影響。
3.1.1 微凸體峰頂曲率半徑對(duì)接觸力和開啟力的影響 選定非槽區(qū)膜厚h=0.4 μm,微凸體面積密度η=0.1458 μm-2,密封副輪廓標(biāo)準(zhǔn)差σs=0.0909 μm,微凸體峰頂曲率半徑R 對(duì)接觸力的影響如圖6 所示。從圖6(a)可知,隨著R 增大,密封端面的接觸力增加。隨著R增大,密封端面的粗糙峰增加,即微凸體峰頂?shù)臄?shù)目增加,從而產(chǎn)生的接觸力增加。
從圖6(b)可以看出,隨著R 增大,密封端面的氣膜開啟力減小。R 增大,動(dòng)靜環(huán)密封端面之間的峰頂?shù)臄?shù)目增加,導(dǎo)致密封端面氣膜間隙減小,氣膜開啟力減小。
圖6 微凸體峰頂曲率半徑對(duì)軸向力的影響規(guī)律Fig.6 The influence of peak radius of curvature on axial force of micro-convex body
3.1.2 微凸體面積密度對(duì)接觸力、氣膜承載力的影響 同樣,選定非槽區(qū)膜厚h=0.4 μm,微凸體峰頂曲率半徑R=3.7310 μm,密封副輪廓標(biāo)準(zhǔn)差σs=0.0909 μm。微凸體面積密度η 對(duì)軸向力的影響如圖7所示。其中,端面接觸力Fc隨η 的變化如圖7(a)所示,可以看出,密封端面的接觸力隨著η增大而線性增長(zhǎng)。從接觸力式(21)也可以看出,η與接觸力呈正比關(guān)系。當(dāng)接觸力大于零時(shí),密封端面處于接觸狀態(tài)。η 增大,動(dòng)靜環(huán)密封端面之間的峰頂接觸增加,產(chǎn)生的接觸力增加。
圖7 微凸體面積密度對(duì)軸向力的影響規(guī)律Fig.7 Influence of area density on axial force of micro-convex body
氣膜開啟力Fo與η 的關(guān)系如圖7(b)所示??梢钥闯?,隨著η 增大,氣膜開啟力呈線性減小。η 增大,接觸峰頂?shù)臄?shù)目增多,密封端面的接觸點(diǎn)數(shù)越多,導(dǎo)致動(dòng)靜環(huán)密封端面的氣膜間隙越小,開啟力越小。
將實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和Etsion 等[19]的數(shù)據(jù)對(duì)比,分析接觸模型參數(shù)對(duì)接觸力、開啟力、槽根壓力、泄漏率和開漏比的影響。
式(2)進(jìn)行改寫,即:
將式(27)代入式(1),得到微凸體曲率半徑R 與微凸體面積密度η之間的關(guān)系:
由式(28),可以看出R、η 的函數(shù)關(guān)系。將式(28)代 入 式(21)、式(20),計(jì) 算 得 到 接 觸 力。Etsion 數(shù)據(jù)[12]R=1.7071 μm,η=0.4161 μm-2,σ=0.1013 μm。本文實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)R=3.7310 μm,η=0.1458 μm-2,σs=0.0909 μm。
3.2.1 平衡轉(zhuǎn)速與膜厚的關(guān)系 利用開啟力Fo等于閉合力Fclose減去接觸力Fc,可求出接觸狀態(tài)下氣膜形成的開啟力Fo。給定一個(gè)氣膜厚度h,該氣膜厚度為接觸狀態(tài)的氣膜厚度,該氣膜產(chǎn)生了一個(gè)開啟力,該開啟力與端面微凸體接觸力共同作用以平衡閉合力。另外,可假定該氣膜為完全非接觸狀態(tài)下的氣膜,則存在某一個(gè)轉(zhuǎn)速,使得該轉(zhuǎn)速下的氣膜開啟力與實(shí)際接觸狀態(tài)下的氣膜開啟力相等或相平衡,這一轉(zhuǎn)速稱為膜厚h 下的平衡轉(zhuǎn)速。該平衡轉(zhuǎn)速可利用窄槽理論計(jì)算確定。使非接觸狀態(tài)下求出的氣膜開啟力Fo'與接觸狀態(tài)下的Fo相等,即可求出平衡轉(zhuǎn)速n。此時(shí),接觸狀態(tài)下的氣膜開啟力Fo等于閉合力Fclose減去接觸力Fc。
使用Etsion 等[19]的數(shù)據(jù)和本文實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算,平衡轉(zhuǎn)速與膜厚的關(guān)系如圖8 所示,可以看出,隨著膜厚的增加,平衡轉(zhuǎn)速增加,且近似呈線性關(guān)系。與Etsion 等[19]數(shù)據(jù)計(jì)算結(jié)果相比,兩者基本一致,但在低膜厚(小于0.6 μm)情況下,本文實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)計(jì)算得到的平衡轉(zhuǎn)速稍大。
圖8 平衡轉(zhuǎn)速隨膜厚的變化規(guī)律Fig.8 The change law of equilibrium speed with film thickness
3.2.2 對(duì)接觸力的影響 將實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和Etsion 等[19]的數(shù)據(jù)對(duì)比,分析接觸模型參數(shù)對(duì)接觸力的影響,如圖9所示??梢钥闯?,兩者數(shù)據(jù)基本一致,隨著轉(zhuǎn)速的增加,接觸力快速下降至零。此時(shí),動(dòng)環(huán)和靜環(huán)密封端面完全脫開。在密封端面開啟初期,本文接觸模型數(shù)據(jù)計(jì)算的接觸力稍小,這是因?yàn)楸疚膶?shí)驗(yàn)測(cè)得的微凸體面積密度η 較小,動(dòng)靜環(huán)密封端面之間的峰頂接觸減小。當(dāng)接觸力為0 時(shí),實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)計(jì)算對(duì)應(yīng)的平衡轉(zhuǎn)速n=317.9758 r/min,臨界脫開膜厚 h=0.7 μm。
圖9 接觸力隨轉(zhuǎn)速的變化規(guī)律Fig.9 The law of contact force changing with rotation speed
3.2.3 對(duì)開啟力的影響 閉合力恒定,不隨轉(zhuǎn)速n變化,F(xiàn)close=14759.2207 N。閉合力減去接觸力即得到端面氣膜開啟力。開啟力隨轉(zhuǎn)速的變化如圖10所示。隨著轉(zhuǎn)速的增加,氣膜開啟力迅速增加,直至動(dòng)環(huán)和靜環(huán)兩個(gè)密封的端面完全脫開,趨于穩(wěn)定值。在密封端面開啟初期,本文接觸模型數(shù)據(jù)計(jì)算的開啟力稍大。
圖10 開啟力隨轉(zhuǎn)速的變化規(guī)律Fig.10 The change rule of axial force with rotation speed
3.2.4 對(duì)槽根壓力的影響 螺旋槽槽根壓力pg隨轉(zhuǎn)速的變化關(guān)系如圖11所示。隨著轉(zhuǎn)速的增加,槽根壓力迅速增加,當(dāng)動(dòng)環(huán)和靜環(huán)兩密封端面脫開時(shí),趨于穩(wěn)定值。與Etsion 等[19]的數(shù)據(jù)計(jì)算相比,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)計(jì)算的槽根壓力稍大。
圖11 槽根壓力隨轉(zhuǎn)速的變化規(guī)律Fig.11 The variation of root pressure with rotation speed
3.2.5 對(duì)泄漏率的影響 泄漏率與平衡轉(zhuǎn)速n之間的關(guān)系如圖12 所示。可以看出,隨著轉(zhuǎn)速的增加,泄漏率增加。與Etsion 等[19]的數(shù)據(jù)計(jì)算相比,在低轉(zhuǎn)速(150 r/min)以下,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)計(jì)算的泄漏率稍小,轉(zhuǎn)速較高時(shí),兩者沒有明顯差異。
圖12 泄漏率隨轉(zhuǎn)速的變化規(guī)律Fig.12 Variation rule of leakage rate with rotation speed
3.2.6 對(duì)開漏比的影響 開漏比(E)是開啟力與泄漏率的比值,即:
開漏比隨平衡轉(zhuǎn)速的變化如圖13 所示??梢钥闯?,隨著轉(zhuǎn)速的增加,開漏比減小。在密封啟動(dòng)過(guò)程中,泄漏率增長(zhǎng)速度比開啟力增長(zhǎng)速度快。此時(shí),轉(zhuǎn)速越大,造成的泄漏損失越大。在低轉(zhuǎn)速時(shí),與Etsion 等[19]的數(shù)據(jù)對(duì)比,使用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)計(jì)算的開漏比略大。已知實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù):n=85.612 r/min,E=1.759×1011m/s。圖13 是由以膜厚h 為變量,轉(zhuǎn)化為以轉(zhuǎn)速n 為變量的數(shù)據(jù)圖,無(wú)法直接獲得同轉(zhuǎn)速下的開漏比,可通過(guò)Getdata軟件得Etsion等[19]數(shù)據(jù):n=85.612 r/min,E=1.555×1011m/s。得到實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與Etsion數(shù)據(jù)的最大相對(duì)誤差為13.12%。
圖13 開漏比隨轉(zhuǎn)速的變化規(guī)律Fig.13 Change law of the opening-leakage ratio with rotation speed
(1)本文經(jīng)實(shí)驗(yàn)確定的接觸模型參數(shù):微凸體曲率半徑R=3.7310 μm,微凸體面積密度η=0.1458 μm-2。
(2)考慮實(shí)際氣體為水蒸氣時(shí),在開啟過(guò)程中,隨著轉(zhuǎn)速增加,氣膜承載力持續(xù)增加,閉合力保持不變,接觸力迅速減小至零。當(dāng)轉(zhuǎn)速達(dá)到一定值時(shí),氣膜承載力與閉合力相等,此時(shí),密封端面完全脫開。
(3)以微凸體曲率半徑R 為變量時(shí),R 增大,接觸力增大、氣膜承載力減小;以微凸體面積密度η為變量時(shí),η增加,接觸力增加、氣膜承載力減小。
(4) 將本文接觸模型數(shù)據(jù)和Etsion 等的模型數(shù)據(jù)對(duì)比,分析接觸模型參數(shù)對(duì)開啟性能的影響,兩者數(shù)據(jù)基本一致,但本文接觸模型數(shù)據(jù)計(jì)算的接觸力稍小、開啟力稍大、槽根壓力稍大;在低轉(zhuǎn)速時(shí),泄漏率稍小,開漏比略大。