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        反饋式壓控振蕩器芯片設(shè)計(jì)

        2020-06-12 09:51:46孔祥勝高曉強(qiáng)
        電子元器件與信息技術(shù) 2020年3期
        關(guān)鍵詞:設(shè)計(jì)

        孔祥勝,高曉強(qiáng)

        (中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所,河北 石家莊 050051)

        0 引言

        隨著壓控振蕩器輸出頻率越來(lái)越高,振蕩結(jié)構(gòu)越來(lái)越多樣化,探索一種新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)高頻振蕩器芯片設(shè)計(jì)尤為重要,本文采用“反饋式”的分析方法 ,基于放大與反饋的機(jī)理設(shè)計(jì)了一款壓控振蕩器芯片[1]。

        集成電路技術(shù)的發(fā)展使代工廠器件模型準(zhǔn)確性越來(lái)越高,采用成熟的GaAs HBT 工藝,借助ADS 原理圖和版圖仿真,VCO 芯片設(shè)計(jì)成功率大幅提升。芯片化提高了產(chǎn)品一致性,實(shí)現(xiàn)了低功耗、低成本、小型化[2],越來(lái)越成為未來(lái)毫米波振蕩器發(fā)展的趨勢(shì)。

        本文基于振蕩器反饋理論,設(shè)計(jì)了一款反饋式壓控振蕩器芯片,經(jīng)測(cè)試,該壓控振蕩器在電調(diào)電壓0 ~5V 變化時(shí),輸出頻率可覆蓋15.5 ~18.5GHz,電調(diào)電壓在2.5V 時(shí)相位噪聲為-89dBc/Hz@100kHz。

        1 反饋式振蕩器分析

        振蕩器的分析方法一般有兩種,一種是反饋分析法,另外一種是負(fù)阻分析法。負(fù)阻分析法基于一定直流偏置下有源器件呈現(xiàn)的負(fù)阻特性進(jìn)行分析[3]。反饋分析法基于振蕩器反饋理論,振蕩器的核心本質(zhì)都是一個(gè)能夠在特定頻率上實(shí)現(xiàn)正反饋的環(huán)路,反饋型振蕩器模型[4]如圖1 所示:

        在圖1 所示的模型中,放大器的正向增益為A(ω),反饋網(wǎng)絡(luò)的反饋系數(shù)為F(ω),振蕩器的起振條件為:

        即放大器閉環(huán)增益大于1,相位條件滿足n*360° (n 為整數(shù)),振蕩器達(dá)到穩(wěn)定振蕩的條件為:

        振蕩器起振后正向增益隨著振蕩幅度的增大而減小,從而達(dá)到穩(wěn)定振蕩。電路中電感電容器件的阻抗均與頻率相關(guān),因此相位條件決定了振蕩器最終的輸出頻率。

        對(duì)于反饋式振蕩器,可利用簡(jiǎn)單的里森線性模型來(lái)分析其相位噪聲特性,里森公式如下所示:

        其中:A為正向傳輸增益,QL為諧振回路有載Q值,fm為載波頻率,f0為偏離載波的頻率。

        與傳統(tǒng)的負(fù)阻式振蕩器相比,反饋式振蕩器在相位噪聲的分析上更加清晰[5]。

        通過(guò)公式(5)可以看出:利用反饋式的分析方法,影響最終相位噪聲的因素有:正向傳輸增益A、諧振網(wǎng)絡(luò)的有載Q值、工作溫度T、工作頻率f0、頻偏fm等。

        本文采用的反饋式振蕩器電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖2所示。

        該電路結(jié)構(gòu)由共發(fā)射極的放大器和由集電極向基極的反饋回路組成。根據(jù)共發(fā)射極放大器的電路特點(diǎn)可知:集電極輸出電壓的相位與基極輸入電壓的相位相反,因此要求反饋回路完成信號(hào)的反相作用[6]。該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的反饋電路為L(zhǎng)C 并聯(lián)諧振電路,其中C2、C3在參與諧振的同時(shí)也起到隔直耦合的作用,L4、L5為諧振電感,D1、D2為調(diào)諧變?nèi)莨?,R5、R6為變?nèi)莨芴峁┲绷髌?,L6為調(diào)諧端口的扼流電感。

        將U1 三極管用等效模型替代后其原理圖如圖3所示:

        從該圖可以看出正向電壓放大倍數(shù)為:

        反饋網(wǎng)絡(luò)的反饋系數(shù)為:

        其中j*X為反饋網(wǎng)絡(luò)的等效阻抗則整個(gè)電路的閉環(huán)增益為:

        由上式可以看出整個(gè)電路的閉環(huán)增益大于1,當(dāng)反饋電路并聯(lián)諧振時(shí),其阻抗特性變現(xiàn)為j*X為無(wú)窮大,公式的第二項(xiàng)近似為0,此時(shí)閉環(huán)增益的相位為0°,整個(gè)電路滿足振蕩器的起振條件,所以該電路可以振蕩。

        利用仿真軟件進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)及仿真,輸出頻率仿真結(jié)果如圖4 所示,相位噪聲仿真結(jié)果如圖5 所示。

        2 VCO 電路制作及測(cè)試結(jié)果

        采用GaAs HBT 工藝流片,得到一個(gè)在調(diào)諧電壓0 ~5V 內(nèi)輸出頻率為15.5 ~18.5GHz 的壓控振蕩器,輸出頻率如圖6 所示;調(diào)諧電壓在2.5V 處,相位噪聲為-89dBc/Hz@100kHz,如圖7 所示。測(cè)試結(jié)果表明,利用反饋式的工作原理,完成了一款Ku 波段的壓控振蕩器設(shè)計(jì),該芯片照片如圖8 所示。從測(cè)試數(shù)據(jù)中可以看出該VCO 具有較大的應(yīng)用和使用價(jià)值。

        3 結(jié)論

        本文首先介紹了反饋式振蕩器的工作原理,然后對(duì)一種電路拓?fù)溥M(jìn)行了理論分析,論證了其振蕩的可行性,最終基于GaAs HBT 工藝對(duì)電路拓?fù)溥M(jìn)行了流片驗(yàn)證,得到了一款輸出頻率為15.5-18.5GHz 的壓控振蕩器。

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