係夢琪 任秀君
缺血性腦中風(fēng)是目前全世界第二大致死性疾病,死亡人數(shù)約占所有疾病的10%,是導(dǎo)致殘疾的主要神經(jīng)性疾病,因其發(fā)病復(fù)雜、治愈率低、預(yù)后差、易復(fù)發(fā)而備受關(guān)注[1- 2]。目前國內(nèi)外關(guān)于缺血性中風(fēng)治療方法和預(yù)防的研究較少,西醫(yī)臨床治療中風(fēng)的常用方法是溶栓,但溶栓藥物極易引起顱內(nèi)出血,且時(shí)間窗較短,療效有限[3]。因而研究更有效、安全的治療方法至關(guān)重要。針灸治療中風(fēng)歷史悠久,具有簡便、價(jià)廉、不良反應(yīng)小的特點(diǎn),在臨床中廣泛用于中風(fēng)及其后遺癥的治療[4],但其作用機(jī)制,尚不十分清楚。本實(shí)驗(yàn)通過比較缺血前電針“豐隆”(ST40),腦缺血后電針ST40、“百會”(GV20)與僅在腦缺血后電針ST40、GV20兩種針灸處方對腦缺血大鼠的影響,試圖說明電針預(yù)處理可通過增加缺血側(cè)側(cè)腦室室管膜下區(qū)(subventricular zone,SVZ)巢蛋白(Nestin)陽性細(xì)胞增殖促進(jìn)腦缺血后神經(jīng)損傷和修復(fù),療效優(yōu)于僅在腦缺血后進(jìn)行治療,從而為臨床治療提供依據(jù)。
SPF級雄性SD大鼠24只,7周齡,體重(200±20)g,由北京維通利華實(shí)驗(yàn)動物技術(shù)有限公司提供,動物許可證號:SCXK(京)2012-0001。飼養(yǎng)于北京中醫(yī)藥大學(xué)針灸推拿學(xué)院實(shí)驗(yàn)室,保持自然生物節(jié)律(12小時(shí)光照/12小時(shí)黑暗),溫度(24±1)℃,濕度(50±10)%,自由攝食,水瓶給水。所有程序均由北京中醫(yī)藥大學(xué)學(xué)術(shù)委員會實(shí)驗(yàn)動物倫理分委員會審核批準(zhǔn)(編號:BUCM-3-2018022802-1002)。
FeCl3(10025-77-1,天津市福晨化學(xué)試劑廠);Nestin抗體(ab11306,Abcam公司);二抗HRP抗小鼠IgG(BM104,武漢博士德生物工程有限公司);DAB顯色液(AR1022,武漢博士德生物工程有限公司);無菌針灸針(0.30 mm×25 mm,北京中研太和醫(yī)療器械有限公司);韓氏穴位神經(jīng)刺激儀(LH202H,北京華衛(wèi)產(chǎn)業(yè)開發(fā)公司);電子顯微鏡(BX40F4,Olympus公司);數(shù)碼相機(jī)(E-330,Olympus公司)。
大鼠用10%戊巴比妥鈉溶液(40 mg/kg)腹腔注射麻醉后,右側(cè)臥位固定在鼠板上,在外耳道和左眶上緣中間切開皮膚,做一個(gè)大約2 cm的縱向切口,分離肌肉后,去除部分顳骨,暴露出大腦中動脈(middle cerebral artery,MCA),用浸有10 μL 50%FeCl3(用0.1 mol/L HCL配置)溶液的濾紙敷在該段動脈上20分鐘,取下濾紙后生理鹽水沖洗,縫合傷口,少許青霉素粉消炎抗菌,制作大腦中動脈血栓(middle cerebral artery thrombus,MCAT)模型[5]。
大鼠按照隨機(jī)數(shù)字表法隨機(jī)分為4組:假手術(shù)組、模型組、電針1組、電針2組(每組6只)。(1)假手術(shù)組:飼養(yǎng)7天后,于第8天暴露MCA,用生理鹽水濾紙貼敷20分鐘。(2)模型組:飼養(yǎng)7天后,于第8天暴露MCA,用50%FeCl3濾紙貼敷20分鐘,造成腦缺血模型。(3)電針1組:電針雙側(cè)ST40,每天1次,連續(xù)7天,于第8天造成腦缺血模型,術(shù)后電針ST40、GV20,每天1次,連續(xù)7天;(4)電針2組:飼養(yǎng)7天,于第8天造成腦缺血模型,術(shù)后電針ST40、GV20,每天1次,連續(xù)7天。每組動物均為術(shù)后1、7天兩個(gè)時(shí)間點(diǎn)進(jìn)行腦組織取材,每個(gè)時(shí)間點(diǎn)3只大鼠。電針1組、電針2組治療期間用布袋固定大鼠進(jìn)行電針治療,其余各組同期布袋固定。實(shí)驗(yàn)流程見圖1。
根據(jù)《實(shí)驗(yàn)針灸學(xué)》[6]中的實(shí)驗(yàn)動物穴位圖定位。ST40在膝關(guān)節(jié)后外側(cè),腓骨正中,腓骨小頭下7 mm。GV20在頂骨正中。GV20 前2 mm穴點(diǎn)被選取用于連接電針。ST40直刺7 mm,GV20和前方2 mm處各向后斜刺2 mm;雙側(cè)ST40,GV20及其前方2 mm處分別接電針儀,疏密波,頻率2/100 Hz交替,刺激強(qiáng)度以1-2-3 mA為宜,大鼠肢體出現(xiàn)輕微顫動,治療持續(xù)時(shí)間30分鐘。
在手術(shù)后1天運(yùn)用改良的Bederson評分法[7]對所有動物神經(jīng)功能缺損評分(neurological deficit score,NDS)進(jìn)行檢測。0分(正常):無神經(jīng)功能缺陷;1分(輕度):提尾時(shí)右側(cè)前爪不能伸展;2分(中度):向右側(cè)轉(zhuǎn)圈;3分(重度):向右側(cè)傾倒;4分(極重度):意識喪失,不能自主活動。術(shù)后清醒時(shí)評分大于或等于1分者入選。
各組大鼠生存期滿,戊巴比妥鈉腹腔麻醉后仰臥位固定,剖開胸腔暴露心臟,從左心室插入灌流針,剪開右心耳,生理鹽水灌注5分鐘后,4%多聚甲醛繼續(xù)灌注20分鐘直至動物四肢僵硬、肝臟變白,取出大腦用10%中性甲醛固定48小時(shí)以上,石蠟浸潤包埋,制成蠟塊,在前腦側(cè)腦室水平制備冠狀切片,片厚5 μm,常溫保存。
每組大鼠在術(shù)后1天選取兩張石蠟切片,經(jīng)蘇木精-伊紅(hematoxylin-eosin,HE)染色后觀察缺血半暗帶的組織形態(tài)變化。
每只大鼠隨機(jī)選取3張切片,進(jìn)行免疫組化染色[8],以檢測nestin在前腦SVZ的表達(dá),切片以缺血側(cè)側(cè)腦室背外側(cè)角和側(cè)腦室外側(cè)壁為觀察部位,顯微鏡下放大400倍,照相機(jī)采集圖片,通過ImageJ軟件(http:// ImageJ.nih.gov)獲得面密度[9]。
注:電針1組造模前電針ST40 7天,第8天模型組和電針1、2組用50%FeCl3濾紙貼敷左側(cè)MCA建立MCAT模型,假手術(shù)組用生理鹽水代替FeCl3。術(shù)后即刻開始電針ST40、GV20,以后每天一次,每次30分鐘,持續(xù)7天。
圖1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)圖
術(shù)后1天,模型組動物飲食減少,體重減輕,右側(cè)上肢屈曲,部分出現(xiàn)身體向右傾斜的現(xiàn)象,無意識喪失癥狀。與模型組比較,電針1、2組NDS降低(P<0.05),差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義;與電針2組相比較,電針1組神經(jīng)功能缺損有減輕趨勢,但差異無統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P>0.05)。見表1。
表1 大鼠腦缺血術(shù)后1天NDS結(jié)果
注:與假手術(shù)組比較,aP<0.01;與模型組比較,bP<0.05,cP<0.01。
腦缺血術(shù)后1天,假手術(shù)組缺血半暗帶皮層神經(jīng)元和神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞結(jié)構(gòu)完整,排列整齊,核仁清晰,無胞漿紅染。模型組神經(jīng)元排列散亂,偶見胞漿紅染,細(xì)胞周圍間隙擴(kuò)大,部分血管紅細(xì)胞滲出,細(xì)胞核固縮、深染,核周出現(xiàn)空泡。電針治療后,缺血半暗帶膠質(zhì)水腫減輕,正常神經(jīng)元明顯增多,細(xì)胞空泡變性減少,組織形態(tài)趨于正常。見圖2。
假手術(shù)組側(cè)腦室背外側(cè)角和側(cè)腦室外側(cè)壁Nestin陽性細(xì)胞數(shù)量較少,染色較淺,分布稀疏,陽性表達(dá)主要集中在側(cè)腦室外側(cè)壁。模型組缺血側(cè)側(cè)腦室背外側(cè)角染色加深,外側(cè)壁陽性細(xì)胞表達(dá)增厚,在室管膜下區(qū)聚集。與模型組比較,電針治療后,Nestin陽性反應(yīng)強(qiáng)度進(jìn)一步增強(qiáng),電針1組更為明顯;Nestin陽性細(xì)胞沿著側(cè)腦室背外側(cè)伸展向外延伸在術(shù)后7天時(shí)更明顯。見圖3、圖4。
與假手術(shù)比較,術(shù)后1、7天模型組側(cè)腦室背外側(cè)角和側(cè)腦室外側(cè)壁Nestin面密度均增加(P<0.01)。腦缺血術(shù)后1天,與模型組比較,電針1組側(cè)腦室背外側(cè)角(P<0.01)和側(cè)腦室外側(cè)壁Nestin面密度升高(P<0.01),電針2組側(cè)腦室背外側(cè)角(P<0.05)和外側(cè)壁Nestin面密度也升高(P<0.01),差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義。腦缺血術(shù)后7天,與模型組比較,電針1、2組側(cè)腦室背外側(cè)角Nestin面密度升高(P<0.01),側(cè)腦室外側(cè)壁Nestin面密度也有升高趨勢,但差異無統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P>0.05)。電針1、2組之間比較,差異無統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P>0.05)。見表2、表3。
圖2 各組大鼠腦缺血術(shù)后1天缺血半暗帶皮層組織形態(tài)觀察(HE染色,×400)
圖3 各組大鼠腦缺血術(shù)后Nestin在缺血側(cè)側(cè)腦室背外側(cè)角的表達(dá)(免疫組化染色,×400)
圖4 各組大鼠腦缺血術(shù)后Nestin在缺血側(cè)側(cè)腦室外側(cè)壁的表達(dá)(免疫組化染色,×400)
表2 各組大鼠腦缺血術(shù)后缺血側(cè)側(cè)腦室背外側(cè)角Nestin面密度比較
注:n為高倍鏡下視野數(shù)。與假手術(shù)組比較,aP<0.01;與模型組比較,bP<0.05,cP<0.01。
表3 各組大鼠腦缺血術(shù)后缺血側(cè)側(cè)腦室外側(cè)壁上段Nestin面密度比較
注:n為高倍鏡下視野數(shù)。與假手術(shù)組比較,aP<0.01;與模型組比較,bP<0.01。
缺血性中風(fēng)是死亡和長期殘疾的主要原因之一,臨床上西醫(yī)治療中風(fēng)常用的方法為溶栓[3],而唯一獲得美國食品藥品監(jiān)督管理局批準(zhǔn)的用于治療缺血性中風(fēng)的溶栓劑是重組組織纖溶酶原激活劑(recombinant tissue plasminogen activator,rtPA)。由于rtPA的治療范圍限制在癥狀發(fā)作時(shí)間開始3小時(shí)內(nèi),療效有限,并且常常會導(dǎo)致顱內(nèi)出血[10],這在很大程度上限制了rtPA的臨床應(yīng)用。鑒于其發(fā)病的廣泛性和對患者的破壞性影響,臨床上迫切需要治療缺血性中風(fēng)更好的方法。
再生策略,尤其是關(guān)于神經(jīng)再生的治療策略,為許多中風(fēng)患者提供了希望。神經(jīng)發(fā)生在成年大腦SVZ和海馬齒狀回的顆粒下層(subgranular zone,SGZ)長期存在[11]。哺乳動物的大腦包含神經(jīng)干細(xì)胞(neural stem cells ,NSCs),它們具有自我更新、增殖和分化成多種神經(jīng)細(xì)胞的能力[12]。當(dāng)大腦缺血時(shí),SVZ的NSCs增殖、分化,并異位遷移到紋狀體和大腦皮層的缺血半暗帶中,隨后,產(chǎn)生新的神經(jīng)元來替代丟失的神經(jīng)細(xì)胞[13]。然而此類自發(fā)的神經(jīng)源性反應(yīng)是有限的,并不足以抵消由腦缺血引起的腦損傷。因此,采取能夠刺激內(nèi)源性NSCs增殖和分化的措施是非常重要的。通過針刺刺激NSCs的增殖、分化、遷移,可及時(shí)補(bǔ)充壞死凋亡的細(xì)胞,抑制缺血中心區(qū)范圍的擴(kuò)大,促進(jìn)神經(jīng)功能的恢復(fù)。Nestin常在成年NSCs以及未成熟的神經(jīng)祖細(xì)胞中瞬時(shí)表達(dá),并且在細(xì)胞轉(zhuǎn)化為膠質(zhì)細(xì)胞、神經(jīng)元等分化細(xì)胞后消失,常被用來標(biāo)記胚胎和成年大腦中的NSCs[14]。研究發(fā)現(xiàn),腦缺血大鼠SVZ區(qū)的NSCs在造模后立即被激活,Nestin陽性細(xì)胞迅速增多,并在術(shù)后7天達(dá)到峰值[15],針刺可使缺血側(cè)SVZ區(qū)Nestin表達(dá)水平增高,明顯促進(jìn)腦缺血損傷后內(nèi)源性NSCs的增殖[16- 17]。
本實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,電針1、2組大鼠NDS較模型組明顯降低,缺血半暗帶膠質(zhì)水腫減輕,神經(jīng)元趨于正常,提示針灸療法可以促進(jìn)腦缺血損傷大鼠的功能恢復(fù)[18]。腦缺血術(shù)后,缺血側(cè)側(cè)腦室背外側(cè)角和外側(cè)壁Nestin陽性表達(dá)從1天開始增高,到術(shù)后7天達(dá)到高峰,腦缺血可能誘導(dǎo)SVZ區(qū)NSCs增殖,與既往文獻(xiàn)研究結(jié)果一致。缺血前電針ST40,缺血后電針 ST40和GV20,能夠使SVZ區(qū)Nestin的表達(dá)增強(qiáng),陽性細(xì)胞向側(cè)腦室背外側(cè)伸展延續(xù);缺血前不進(jìn)行針刺預(yù)處理,僅在缺血后進(jìn)行電針治療同樣可以達(dá)到增強(qiáng)NSCs增殖、遷移的目的,但效果不如前者,提示持續(xù)的電針治療可能使缺血側(cè)SVZ區(qū)NSCs處于連續(xù)增殖狀態(tài),并沿著側(cè)腦室背外側(cè)伸展遷移,從而達(dá)到修復(fù)損傷的目的。
綜上所述,電針ST40、GV20可以改善神經(jīng)功能,減輕缺血性腦損傷,促進(jìn)SVZ區(qū)NSCs增殖,達(dá)到腦損傷后神經(jīng)修復(fù)的目的;缺血前電針ST40,缺血后電針 ST40、GV20效果優(yōu)于缺血后電針 ST40、GV20。