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        鋼渣制備透輝石多孔陶瓷的研究

        2020-03-25 07:01:04郭偉蔣金海李琦王梟
        江蘇建材 2020年1期
        關(guān)鍵詞:透輝石分維氣孔率

        郭偉,蔣金海,李琦,王梟

        (鹽城工學(xué)院材料科學(xué)與工程學(xué)院,江蘇 鹽城224051)

        0 引言

        鋼渣作為鋼鐵行業(yè)固體廢棄物,不僅占地面積大,而且會(huì)造成嚴(yán)重的環(huán)境污染,由于鋼渣水化活性較低,目前我國對(duì)鋼渣的利用率較低。近年來,桑迪[1]、孫朋[2]、Wang Wei[3]等以鋼渣為主要原料制備多孔吸聲材料、陶粒等。從鋼渣的化學(xué)組成分析,其含有較多的 CaO、SiO2,是制備透輝石(CaMgSi2O6)的理想原料。相關(guān)研究有,楊東亮[4]利用透輝石為原料,輔以滑石、焦寶石、石英,成功制備出透輝石質(zhì)多孔陶瓷爐芯片。楊學(xué)華[5]以硅藻土為主要原料,加入一定量成孔劑(煤粉、石墨、石灰石、白云石)、助熔劑和添加劑,成功制備出了以透輝石為主晶相的輕質(zhì)多孔陶瓷濾球,該過濾材料對(duì)污水處理具有重要意義。王娟[6]以工業(yè)廢棄物尾鐵礦為原料制備多孔陶瓷,主要晶相為透輝石、鋁輝石等。呂海濤[7]利用拋光渣廢料、鋼渣、燒滑石等原料,1 200℃下燒成透輝石質(zhì)多孔吸聲板材,其顯氣孔率為27.19%。可見,國內(nèi)外對(duì)以鋼渣這種低活性工業(yè)廢棄物為原料制備透輝石多孔陶瓷的研究較少,因此,文章設(shè)計(jì)不同配方,探討不同燒成條件、成孔條件對(duì)透輝石多孔陶瓷性能的影響,以期在此基礎(chǔ)上盡快實(shí)現(xiàn)工業(yè)化的生產(chǎn)與應(yīng)用。

        1 原料及實(shí)驗(yàn)方法

        鋼渣來自響水德龍鎳業(yè)有限公司,其化學(xué)組成如表1所示,XRD圖譜如圖1所示。

        表1 鋼渣成分分析(質(zhì)量分?jǐn)?shù)%)

        圖1 鋼渣的XRD圖譜

        以鋼渣、滑石為主要原料,設(shè)計(jì)透輝石陶瓷基體的配方。 鋼渣:滑石:SiO2:硼酸=53:34:13:5,造孔劑分別為SiC、碳酸鈣、三氧化二鐵和碳。

        使用萬能試驗(yàn)機(jī)對(duì)燒成試樣進(jìn)行抗彎、抗壓試驗(yàn)。燒成試樣的閉氣孔率、吸水率、體積密度的測(cè)試參照國際標(biāo)準(zhǔn)GB/T1966—1996。利用日本理學(xué)D/Max-RB型X射線衍射儀對(duì)燒成試樣礦物成分進(jìn)行測(cè)定,工作條件為CuKa衍射,設(shè)定掃描范圍為10°~80°,管電壓為 40 kV,管電流為 100 mA。 使用美國FEI公司QANTA200型掃描電子顯微鏡(SEM)和體式顯微鏡(SMZ745T)觀察斷面微觀結(jié)構(gòu)和形貌。

        2 結(jié)果及討論

        2.1 煅燒過程中的物相變化

        圖2為不同燒成溫度下以5%SiC為發(fā)泡劑燒成試樣的XRD圖譜。由圖2可知,溫度為 1 050℃時(shí),試樣中出現(xiàn)少量的透輝石相 (CaMgSi2O6)(pdf#75-1577)、 輝石相 (CaMg0.74Fe0.25)Si2O6(pdf#41-1483)。這是由于鋼渣中CaO、SiO2與滑石分解產(chǎn)生的MgSiO3反應(yīng)生成了透輝石相,同時(shí)原料中較多的Fe2O3固溶進(jìn)透輝石相形成含有少量鐵的輝石相。溫度為1 100℃時(shí),試樣中透輝石相衍射峰逐漸增加,當(dāng)溫度達(dá)到1 150℃時(shí),透輝石和輝石相反應(yīng)基本完成。溫度達(dá)到1 200℃時(shí),透輝石和輝石相衍射峰不斷增強(qiáng),說明透輝石和輝石相晶體繼續(xù)增長。主要反應(yīng)式[8]如下:

        反應(yīng)式(1)和(2)是原料本身發(fā)生的分解反應(yīng),根據(jù)相關(guān)熱力學(xué)計(jì)算,反應(yīng)式(3)~(6)在 1 050~1 200℃時(shí)均為較低的負(fù)值,說明上述反應(yīng)式在1 050~1 200℃均能自發(fā)進(jìn)行。

        圖2 不同溫度下燒成試樣的XRD圖譜

        2.2 燒成溫度對(duì)透輝石泡沫陶瓷性能的影響

        表2是以5%SiC為發(fā)泡劑燒成試樣分別在1 050~1 200℃下的性能。隨著燒結(jié)溫度的升高,試樣的閉氣孔率先升高后下降,體積密度先下降后升高,吸水率不斷下降,1 150℃試樣的閉氣孔率最高,體積密度最小,原因是在1 050℃時(shí),試樣發(fā)泡未完全,僅有少量小氣泡,隨著溫度升高,SiC氧化產(chǎn)生的氣體增多;在1 100~1 150℃時(shí),閉氣孔率不斷增大,吸水率不斷降低,氣體壓強(qiáng)和孔徑不斷增大,體積密度不斷減小。在1 200℃時(shí),試樣的體積密度較大,吸水率最低。說明在1 200℃時(shí)出現(xiàn)過燒,內(nèi)部產(chǎn)生大量液相,在表面張力的作用下顆粒被相互拉近,氣孔相互兼并,體積收縮,燒結(jié)致密。因此,以SiC為發(fā)泡劑在1 150℃時(shí)燒成試樣的綜合性能較好,體積密度為0.63 g/cm3,平均孔徑0.7 mm,抗彎強(qiáng)度 5.87 MPa,抗壓強(qiáng)度 7.27 MPa,閉氣孔率45.13%,吸水率16.32%。

        表2 不同燒成溫度的透輝石泡沫陶瓷性能

        利用 photo-shop對(duì)上述 1 050℃、1 100℃、1 150℃下燒成試樣B1的電子顯微鏡照片圖像進(jìn)行二值化處理,然后導(dǎo)入image-pro-plus,對(duì)孔徑和孔截面積進(jìn)行統(tǒng)計(jì),得到孔的近似體積,最后對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行線性擬合,根據(jù)公式k=3-D得到3種透輝石基泡沫陶瓷的孔體積分形維數(shù)分別為:D1=1.74,D2=1.53,D3=1.48。其孔體積分形維數(shù)介于1.48~1.74之間,這與計(jì)盒分維的分維值小于2[9]相吻合。

        圖3為孔體積分維數(shù)與閉氣孔率的關(guān)系。由圖3可知,孔體積分維數(shù)與閉氣孔率之間存在良好的線性關(guān)系??左w積分維數(shù)越小,閉氣孔率越高,這是由于孔體積分維數(shù)越小,孔結(jié)構(gòu)越均勻,說明發(fā)泡越充分,形成的閉氣孔率越高,這與上述不同溫度下對(duì)應(yīng)的閉氣孔率分析相一致。

        2.3 發(fā)泡劑種類對(duì)透輝石泡沫陶瓷性能的影響

        表3為1 150℃下不同種類發(fā)泡劑透輝石基泡沫陶瓷試樣的性能。由表3可知,以5%SiC作為發(fā)泡劑時(shí),泡沫陶瓷的體積密度最小為0.63 g/cm3,平均孔徑0.7 mm,閉氣孔率高達(dá)45.13%,抗彎強(qiáng)度為5.87 MPa,發(fā)泡效果最好。這是由于SiC在高溫下發(fā)生氧化還原反應(yīng),即SiC+3/2O2=SiO2+CO,SiC+2O2=SiO2+CO2,同時(shí)氧化反應(yīng)后期SiO2顆粒表面會(huì)覆蓋一層二氧化硅膜,氧的擴(kuò)散阻力變大,所以氧化反應(yīng)的速率受擴(kuò)散控制。MgO、CaO、Na2O和K2O等堿金屬和堿土金屬氧化物在1 000℃開始形成低共融硅酸鹽液相,SiO2膜被液相腐蝕破壞,加快了氧的擴(kuò)散速率,導(dǎo)致SiC能持續(xù)地和氧氣反應(yīng),生成的氣體量足,發(fā)泡反應(yīng)時(shí)間長[10-12]。

        結(jié)合不同種類發(fā)泡劑透輝石基泡沫陶瓷試樣的電子顯微鏡照片,以SiC為發(fā)泡劑的試樣綜合性能最佳,生成的氣泡數(shù)量較多,孔壁較薄,孔徑較小。

        圖3 閉氣孔率與孔體積分維數(shù)關(guān)系

        表3 不同種類發(fā)泡劑透輝石基泡沫陶瓷的性能

        2.4 SiC摻量對(duì)透輝石泡沫陶瓷性能的影響

        分別摻入5%、10%、15%SiC的透輝石泡沫陶瓷的體積密度和閉氣孔率見圖4。

        圖4 不同SiC摻量的鋼渣泡沫陶瓷的性能

        由圖4可知,隨著SiC摻量的增加,體積密度不斷降低,閉氣孔率先升高后降低,這是由于SiC摻量越多,產(chǎn)生氣體越多,氣體壓強(qiáng)增大,泡徑增大,形成較大氣孔,導(dǎo)致體積密度不斷降低,但當(dāng)壓強(qiáng)到達(dá)一定程度,氣體沖破泡壁而形成開孔,當(dāng)SiC摻量達(dá)到15%時(shí),閉合氣孔略有降低。隨著SiC摻量的增加,抗彎強(qiáng)度不斷降低,這是由于孔徑增大,孔壁變薄,導(dǎo)致部分應(yīng)力集中。

        2.5 保溫時(shí)間對(duì)透輝石泡沫陶瓷性能的影響

        摻入10%SiC在1150℃分別保溫10min、20min、30 min透輝石基泡沫陶瓷的性能見表4。結(jié)合不同保溫時(shí)間的電子顯微鏡照片可知,保溫時(shí)間對(duì)發(fā)泡陶瓷的影響顯著,隨著保溫時(shí)間的延長,試樣的體積密度不斷下降,氣孔孔徑從1 mm增大到1.8 mm,抗彎強(qiáng)度和抗壓強(qiáng)度呈下降趨勢(shì),閉氣孔率不斷下降,吸水率不斷升高。這是由于在保溫階段,高溫液相的粘度下降不多,而SiC仍在氧化產(chǎn)生氣體,因此隨著保溫時(shí)間的延長,氣體壓強(qiáng)不斷增大,孔徑不斷增大,體積密度不斷降低,孔壁逐漸變薄,導(dǎo)致部分應(yīng)力集中,抗彎強(qiáng)度和抗壓強(qiáng)度不斷下降,同時(shí)由于氣體壓強(qiáng)增大部分的氣體會(huì)沖破泡壁形成聯(lián)通孔,導(dǎo)致閉合氣孔率下降,吸水率升高。

        表4 不同保溫時(shí)間透輝石基泡沫陶瓷的性能

        2.6 顯微結(jié)構(gòu)分析

        圖5是在1 150℃下保溫10 min的透輝石基泡沫陶瓷的SEM圖。由圖5(a)可知,試樣斷面出現(xiàn)較多閉合氣孔,孔與孔之間相互嵌套,氣孔孔徑約1 mm左右。圖5(b)是放大3 000倍泡沫陶瓷的SEM圖,由圖5(b)可知,試樣中出現(xiàn)較多粗短棱柱狀透輝石晶體和長棱柱狀的輝石晶體[13],長棱柱狀晶體的形成可能是由于Fe3+的固溶導(dǎo)致透輝石晶體的異常長大。 圖5(c)和5(d)為放大6 000倍的SEM 圖,由圖 5(c)和 5(d)可知,短棱柱透輝石晶體長約 6~9 μm,長棱柱狀晶體長約 10~20 μm。 這與其XRD(圖2)分析一致。同時(shí)晶體表面粘有部分的液相,促進(jìn)晶體的生長,有利于閉合氣孔的形成。

        圖5 透輝石泡沫陶瓷斷面的SEM圖譜

        3 結(jié)論

        以鋼渣、滑石為原料,硼酸為助熔劑,SiC為發(fā)泡劑,成功制備了透輝石基泡沫陶瓷,研究其燒成溫度、發(fā)泡劑種類、SiC摻量、保溫時(shí)間對(duì)透輝石基泡沫陶瓷性能的影響。利用孔體積分維數(shù)對(duì)孔結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征。得出:以鋼渣53%、滑石34%、SiO213%為基料,輔以5%硼酸、5%~10%SiC為發(fā)泡劑,經(jīng)1 050~1 150℃保溫10~20 min可以制備透輝石泡沫陶瓷。

        (1)1 050~1 150℃下燒成透輝石泡沫陶瓷的體積密度為 0.52~0.95 g/cm3,平均孔徑 0.3~1.3 mm,抗彎強(qiáng)度 2.51~9.46 MPa,抗壓強(qiáng)度 4.26~13.86 MPa,閉氣孔率16.84%~53.13%,吸水率14.32%~25.15%。1 150℃試樣主晶相為粗短棱柱狀透輝石晶體(6~9 μm)和長棱柱狀輝石晶體(10~20 μm)。

        (2)1 050~1 150℃下燒成試樣的孔體積分維數(shù)與閉氣孔率之間存在良好的線性關(guān)系??左w積分維數(shù)越小,閉氣孔率越高。

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