韓志英, 李佑稷, 陳飛臺, 湯森培, 王 鵬

(吉首大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院, 吉首 416000)

隨著社會的發(fā)展和人類需求的增加, 生活環(huán)境污染, 尤其是水污染問題日趨嚴(yán)重, 解決水體污染成為人類面臨的重要課題[1～3]. 自1972年Fujishima等[4]報(bào)道利用紫外光照射半導(dǎo)體(TiO2)對水進(jìn)行分解制取氫氣(H2)和氧氣(O2)之后, 光催化技術(shù)由于具有綠色、 環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)而引起了各領(lǐng)域?qū)W者的關(guān)注[5,6], 并被廣泛應(yīng)用于能源和環(huán)境等領(lǐng)域[7～9]. 在半導(dǎo)體中, 氧化鋅(ZnO)的帶隙較寬(3.2 eV), 激發(fā)結(jié)合能大約為60 meV, 不僅具有防污抗菌性能, 還具有優(yōu)良的電氣、 機(jī)械和光學(xué)性能, 且穩(wěn)定、 無毒、 廉價, 因而在太陽能電池和光催化等方面得到廣泛研究[10～14]. 但ZnO作為光催化劑時, 電子-空穴對的快速復(fù)合限制了其發(fā)展[15]. 為了克服這一限制, 通常采用兩種方法提高其光催化活性: 一是對ZnO進(jìn)行改性, 如貴金屬(Au, Pd)負(fù)載[16]、 非金屬(C, N)摻雜[17]和半導(dǎo)體雜化[18]等. 如Wang等[19]發(fā)現(xiàn)CeO2/ZnO對羅丹明B降解的光催化活性比純ZnO提高了4.6倍. Medina等[20]通過濺射制備的二維ZnO/Bi2O3異質(zhì)結(jié)對靛藍(lán)胭脂堿降解表現(xiàn)出比純ZnO和Bi2O3薄膜更強(qiáng)的光催化效果和礦化作用. Ag2O的能量帶隙為1.2 eV, 表面電子可重新分布, 被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體復(fù)合以提高光生電子-空穴的分離效率[21]. Liu等[22]采用原位沉淀法制備了具有很強(qiáng)催化活性和滅菌性能的TiO2/Ag2O異質(zhì)結(jié). Yang等[23]采用機(jī)械化學(xué)方法合成了ZnO/Ag2O異質(zhì)結(jié)光催化劑, 其在可見光作用下對不同有機(jī)染料都表現(xiàn)出良好的光催化降解性能. 二是采用外置電場提高光生電荷分離效率, 導(dǎo)致光電催化活性比光催化活性強(qiáng), 如Yu等[24]制備的n-SiNW/TiO2電極在電場存在下的光電催化活性明顯提高.

靜電紡絲法可用來制備納米、 微米纖維, 而且具有操作簡便、 負(fù)載效率高、 制備條件溫和等優(yōu)點(diǎn), 因而在多領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價值[25,26]. 同軸靜電紡絲技術(shù)可將兩種不同組分的半導(dǎo)體結(jié)合成核殼結(jié)構(gòu)的微/納米纖維, 并將光催化劑均勻負(fù)載到FTO表面形成光陽極[27], 以增強(qiáng)材料的物理、 電化學(xué)和光學(xué)性能[28]. 如Wang等[29]采用同軸靜電紡絲法、 浸漬法結(jié)合煅燒法制備得到多孔ZnS和ZnO納米晶體薄膜, 其對亞甲基藍(lán)、 羅丹明B和工業(yè)印染廢水的降解均表現(xiàn)出較好的光催化活性. 本文采用同軸靜電紡絲法制備了ZnO與Ag2O不同摩爾比例的ZnO/Ag2O同軸納米纖維異質(zhì)結(jié)材料, 對其結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行了表征, 并將其負(fù)載于FTO上對亞甲基藍(lán)進(jìn)行了光電催化降解, 討論了Ag2O含量對ZnO/Ag2O同軸納米纖維異質(zhì)結(jié)材料光電催化活性的影響, 探討了該材料光電催化活性增強(qiáng)的可能機(jī)理.

1 實(shí)驗(yàn)部分

1.1 試劑與儀器

乙酰丙酮銀和聚乙烯吡咯烷酮PVP(分析純, 南京化學(xué)試劑股份有限公司); 醋酸鋅(分析純, 天津市光復(fù)精細(xì)化工研究所); 無水乙醇(分析純, 湖南匯虹試劑有限公司); 亞甲基藍(lán)(分析純, 天津基淮化學(xué)試劑有限公司); 去離子水為自制.

FM-1206型靜電紡絲設(shè)備(北京富友馬科技有限責(zé)任公司); UV-2450型紫外-可見分光光度計(jì)(日本島津公司); Y-2000型X射線衍射儀(XRD, 德國Bruker公司); TGA/DSCI型差熱分析儀(瑞士Mettler Toledo公司, 空氣氛圍, 升溫速率為10 ℃/min); Finder One型微區(qū)激光拉曼光譜儀(北京卓立漢光儀器有限公司); S-3400N型掃描電子顯微鏡(SEM, 日本日立公司); 6700型透射電子顯微鏡(TEM, 日本電子公司); FEI-Quanta-250型場發(fā)射掃描電子顯微鏡(美國FEI公司); AXIS-ULTRA DLD型X射線光電子能譜儀[XPS, 上海仁特檢測儀器有限公司, MgKα靶(1253.6 eV), 采用 C1s的峰值結(jié)合能(284.6 eV)為電子結(jié)合能的參照數(shù)據(jù)]; Lambda20型紫外-可見漫反射光譜儀(UV-Vis DRS, 美國 Perkin-Elmer公司); FP-8300型熒光分光光度計(jì)(PL, 日本Jasco公司).

1.2 實(shí)驗(yàn)過程

1.2.1 紡絲前驅(qū)體溶膠的制備 稱取1.600 g PVP加入到20 mL無水乙醇中, 磁力攪拌使其充分溶解, 再稱取0.219 g 醋酸鋅溶于PVP溶液中, 充分?jǐn)嚢? 得到混合均勻的醋酸鋅/PVP/乙醇溶液; 稱取1.600 g PVP加入到20 mL無水乙醇中, 磁力攪拌使其充分溶解, 再稱取一定量乙酰丙酮銀溶于PVP溶液中, 充分?jǐn)嚢? 得到混合均勻的乙酰丙酮銀/PVP/乙醇前驅(qū)體溶液.

1.2.2 ZnO/Ag2O同軸納米纖維的制備 將上述制得的前驅(qū)體溶液加入10 mL注射器中, 以醋酸鋅/PVP/乙醇為殼層溶液, 乙酰丙酮銀/PVP/乙醇為核芯溶液, 在室溫、 空氣氣氛中進(jìn)行靜電紡絲, 設(shè)置正壓為12 kV, 負(fù)壓為1 kV, 溶液推進(jìn)速度為0.06 mm/s(靜電紡絲裝置如圖1所示). 將附著有纖維膜(前驅(qū)體纖維)的導(dǎo)電玻璃置于干燥箱中干燥數(shù)小時, 隨后置于馬弗爐中煅燒, 控制升溫速率為2 ℃/min升溫至500 ℃, 恒溫2 h后再自然降至室溫, 即可到Ag2O摩爾分?jǐn)?shù)分別為3%, 5%, 7%, 11%的導(dǎo)電玻璃負(fù)載ZnO/Ag2O同軸納米纖維, 分別命名為ZnO/Ag2O-3, ZnO/Ag2O-5, ZnO/Ag2O-7和ZnO/Ag2O-11. 同時, 為對比同軸纖維性能, 采用相同方法制備了純ZnO纖維.

Fig.1 Schematic of the fabrication of coaxial fibers/FTO by electrospinning

Fig.2 Schematic illustration of photoelectrocatalytic degradation apparatus

1.3 光電催化性能測試

以亞甲基藍(lán)作為目標(biāo)降解物測試所制備材料的光電催化性能. 光電催化裝置如圖2所示, 將負(fù)載0.02 g 樣品的導(dǎo)電玻璃(5 cm×5 cm)與同等大小的銅電極固定在裝有300 mL 2 mg/L亞甲基藍(lán)溶液的反應(yīng)容器兩側(cè), 分別作為光陽極和光陰極, 偏電壓為4 V, 光照強(qiáng)度250 W. 光電催化前在暗處靜置20 min, 以確保亞甲基藍(lán)在催化劑材料表面達(dá)到吸附-脫附平衡(此時溶液濃度即為初始濃度), 再進(jìn)行光電催化反應(yīng), 反應(yīng)過程中進(jìn)行磁力攪拌, 轉(zhuǎn)速40 r/min, 每20 min取一次樣, 共取樣11次. 采用紫外-可見分光光度計(jì)檢測亞甲基藍(lán)溶液在665 nm處的吸光度, 根據(jù)朗博-比爾定律A=εbc中吸光度與濃度的線性關(guān)系進(jìn)行分析. 反應(yīng)過程中的降解率D(%)表示為

(1)

式中,c0(mg/L)為MB的初始濃度,c(mg/L)為MBt時刻的濃度,A0為溶液初始吸光度,A為溶液降解后的吸光度. 為了更好地比較不同催化劑之間的反應(yīng)速率, 引入了一級動力學(xué)速率方程:

(2)

方程式可轉(zhuǎn)換成:

(3)

式中,kapp是表觀反應(yīng)速率常數(shù). 通過一級反應(yīng)動力學(xué)模型判斷材料的光電催化性能.

2 結(jié)果與討論

2.1 熱重-差熱分析

ZnO/Ag2O-7的前驅(qū)體同軸纖維熱處理過程的熱重-差熱(TG-DTG)分析結(jié)果如圖3所示. 由圖3可知, 前驅(qū)體纖維存在5個階段的熱失重. 第1, 2階段為30～100 ℃, 從DTG曲線可看出有2個吸熱峰, 對應(yīng)TG曲線纖維質(zhì)量損失約為12.3%, 對應(yīng)于前驅(qū)體同軸纖維表面吸附的水與前驅(qū)體中的乙醇和水的揮發(fā)以及乙酸鋅中結(jié)晶水的失去; 第3階段為100～350 ℃, 對應(yīng)TG曲線纖維質(zhì)量損失約為27.1%, DTG曲線314 ℃處有1個較大的吸熱峰, 這是由于前驅(qū)體同軸纖維中醋酸鋅的分解導(dǎo)致的; 第4階段為350～450 ℃, 對應(yīng)TG曲線纖維質(zhì)量損失約為29.2%, 相對應(yīng)DTG曲線于416 ℃處有1個較大的吸熱峰, 主要是由前驅(qū)體同軸纖維中乙酰丙酮銀和PVP側(cè)鏈的熱分解所致; 第5階段為450～500 ℃, 對應(yīng)TG曲線纖維質(zhì)量損失約為23.6%, 相對應(yīng)DTG曲線于490 ℃處有1個較大的吸熱峰, 這是由前驅(qū)體同軸纖維中PVP主鏈氧化分解所致. 當(dāng)溫度達(dá)500 ℃之后, TG曲線趨于平穩(wěn), 質(zhì)量保持不變, 說明前驅(qū)體同軸纖維有機(jī)組分已完全分解, 剩下成分為無機(jī)物. TG-DTG分析結(jié)果表明, ZnO/Ag2O-7的前驅(qū)體同軸纖維在空氣氛圍下煅燒到500 ℃時, PVP、 醋酸鋅、 乙酰丙酮銀和溶劑的有機(jī)物組分和其它揮發(fā)物質(zhì)(水)被完全除去, 只剩無機(jī)組分, 因此制備ZnO/Ag2O同軸納米纖維的煅燒溫度控制為500 ℃.

Fig.3 TG-DTA curves of ZnO/Ag2O-7 precursor coaxial fibers

Fig.4 XRD patterns of ZnO(a), ZnO/Ag2O-3(b), ZnO/Ag2O-5(c), ZnO/Ag2O-7(d) and ZnO/Ag2O-11(e)

2.2 X射線衍射分析

純ZnO和ZnO/Ag2O同軸納米纖維的X射線衍射譜(XRD)如圖4所示. 純ZnO的XRD譜在2θ=31.77°, 34.42°, 36.25°, 47.54°, 56.60°, 62.86°, 67.96°, 69.10°處出現(xiàn)衍射峰, 分別歸屬于纖鋅礦結(jié)構(gòu)ZnO(PDF No. 36-1451)的(100), (002), (101), (102), (110), (103), (112), (201)晶面, 衍射峰強(qiáng)度較高, 峰形尖銳, 沒有雜峰出現(xiàn), 表明所制備的ZnO結(jié)晶性好. 圖4譜線b～e在2θ=38.40°處出現(xiàn)了明顯的衍射峰, 歸屬于面心立方相金屬銀(PDF No. 72-2108)的(011)晶面, 且隨著Ag2O量的增加, 其特征峰的強(qiáng)度增強(qiáng), 特征峰的形狀和位置沒有發(fā)生變化, 同時也沒有出現(xiàn)新的特征峰, 表明500 ℃煅燒制得的不同Ag2O質(zhì)量分?jǐn)?shù)的ZnO/Ag2O結(jié)構(gòu)沒有發(fā)生大的變化. 含Ag2O的樣品纖維均只在2θ約為38.40°處出現(xiàn)衍射峰, 沒有檢測出Ag2O的其它特征衍射峰, 可能是由于在ZnO/Ag2O同軸納米纖維中Ag2O的含量低或Ag2O的晶面與ZnO的晶面的衍射峰相近而被覆蓋[30].

根據(jù)謝樂公式計(jì)算樣品中ZnO平均粒徑, 在相同的處理?xiàng)l件下, ZnO, ZnO/Ag2O-3, ZnO/Ag2O-5, ZnO/Ag2O-7和ZnO/Ag2O-11的平均粒徑分別為18.2, 18.7, 18.7, 19.3和20.0 nm, Ag2O同紡對ZnO晶粒直徑影響不大, 但隨著Ag2O含量增大, ZnO的晶粒尺寸也有增大趨勢.

2.3 表面形貌分析

從圖5(A, B)可以看出, ZnO和ZnO/Ag2O-7前驅(qū)體納米纖維表面光滑且粗細(xì)均勻; 高溫煅燒后, 由于載體PVP主鏈、 醋酸鋅和乙酰丙酮銀的分解, 纖維表面變得粗糙且直徑呈下降趨勢, 但仍保持良好的纖維狀形貌且彼此分離[圖5(C, D)]. 表明前驅(qū)體納米纖維經(jīng)500 ℃煅燒后可制備得到ZnO/Ag2O納米纖維.

Fig.5 SEM images of ZnO(A, C) and ZnO/Ag2O-7(B, D) precursor fibers(A, B) and calcined fibers(C, D)

Fig.6 SEM image(A), O(B), Ag(C) and Zn(D) elemental mapping images of ZnO/Ag2O-7

Fig.7 TEM and HRTEM(inset) images of ZnO/Ag2O-7

圖6(A)為前驅(qū)體ZnO/Ag2O-7同軸納米纖維局部表面的SEM照片, 圖6(B), (C)和(D)分別為O, Ag和Zn的元素映射. 將O, Ag, Zn映射纖維直徑進(jìn)行對比可見, O和Zn的纖維映射直徑相同, 約為1.7 μm, 而Ag纖維映射直徑小于1.7 μm. 結(jié)合SEM和元素映射分析表明, 通過同軸靜電紡絲法成功制備了以ZnO為殼層, Ag2O為芯層的ZnO/Ag2O同軸納米纖維.

TEM照片(圖7)證實(shí)了ZnO/Ag2O異質(zhì)結(jié)構(gòu)的形成. 同時, 高分辨率透射電鏡(HRTEM)照片顯示產(chǎn)物中同時存在ZnO和Ag2O晶體(圖7插圖). ZnO與Ag2O晶體的界面特征表明形成了異質(zhì)結(jié)構(gòu). ZnO/Ag2O納米纖維外層為ZnO層, 保留了ZnO的光電催化性能, 而ZnO內(nèi)側(cè)與Ag2O構(gòu)建的異質(zhì)結(jié)構(gòu)利于提高電荷分離效率, 加快電子的轉(zhuǎn)移, 從而提高光催化活性.

2.4 拉曼光譜分析

Fig.8 Raman spectra of pure ZnO/Ag2O-7(a) and ZnO(b)

純ZnO和ZnO/Ag2O-7同軸納米纖維的拉曼光譜如圖8所示. ZnO的拉曼光譜在93.3, 422.9, 559.4 cm-1處的特征峰歸屬于ZnO的低頻振動光學(xué)模E2、 高頻振動光學(xué)模E2及A1(LO)光學(xué)模. 同軸纖維材料中的ZnO主要以纖鋅礦型存在, 其中193.1和317.6 cm-1處的特征峰可歸屬于A1光學(xué)模, 1109.6 cm-1處的特征峰可歸屬于A1(TO+LO)光學(xué)模, 1320.2和1582.7 cm-1處的特征峰可歸屬于A1(2LO)光學(xué)模[31,32]. ZnO/Ag2O-7未檢測到Ag2O獨(dú)立的特征峰, 可能是由于Ag2O的特征峰與ZnO的特征峰峰位置相近被ZnO的特征峰掩蓋所致[33]. ZnO/Ag2O-7的拉曼峰強(qiáng)度比ZnO的低, 而且峰位置發(fā)生藍(lán)移, 可能是由于ZnO和Ag2O結(jié)合構(gòu)建了異質(zhì)結(jié)所致.

2.5 X射線光電子能譜分析

所制備材料的X射線光電子能譜(XPS)如圖9所示. 在圖9(A)的全譜圖中出現(xiàn)了Zn, Ag, O, C元素的特征峰, 其中C元素為校正元素[34].

圖9(B)為樣品的Zn2p高分辨譜圖. ZnO在1021.3和1044.4 eV處出現(xiàn)兩個譜峰, ZnO/Ag2O-7在1020.5和1043.5 eV處出現(xiàn)譜峰. 相比之下, 樣品ZnO/Ag2O-7的Zn2p態(tài)電子的結(jié)合能變小, 這也表明有Zn原子與Ag原子發(fā)生了結(jié)合[35].

圖9(C)為樣品ZnO/Ag2O-7的Ag3d高分辨譜圖. 可見, Ag的核心能級Ag3d譜峰是由Ag3d3/2和Ag3d5/2雙峰組成, 且雙峰顯示出寬的、 不對稱的形狀, 其結(jié)合能分別為372.7和366.7 eV, 與Ag2O的結(jié)合能相符合, 因而推斷纖維中大部分銀以Ag2O的形式存在.

Fig.9 XPS spectra of ZnO and ZnO/Ag2O-7(A) Survey; (B) Zn2p; (C) Ag3d; (D) O1s.

圖9(D)為O1sXPS譜圖. 由圖中可以看出, 純ZnO的O1s高分辨譜含有2個不同的峰, 表明樣品纖維表面存在兩種不同結(jié)合狀態(tài)的氧. 在529.8 eV的峰與ZnO(O1s結(jié)合能為529.8 eV)一致, 因此該處氧以ZnO形式存在; 而結(jié)合能為531.5 eV處的峰很寬, 說明纖維表面有羥基或吸附的H2O(531.5 eV), 這可能是由于樣品存放過程從空氣中吸附了水分. ZnO/Ag2O-7樣品的O1s高分辨譜在529.6, 530.7, 531.5 eV處有3個峰, 分別對應(yīng)Zn—O、 Ag—O和羥基(或吸附的H2O)的結(jié)合能, 證明所制備的同軸納米纖維中Zn和Ag分別以ZnO和Ag2O形式存在.

2.6 紫外-可見漫反射分析

為了測試Ag2O含量對ZnO光學(xué)性能的影響, 對純ZnO和不同Ag2O質(zhì)量分?jǐn)?shù)的ZnO/Ag2O同軸納米纖維進(jìn)行紫外-可見漫反射(UV-Vis DRS)測試. 由圖10(A)可知, Ag2O改性對催化劑的光吸收性能有顯著影響; 在可見光范圍(λ>400 nm)內(nèi), ZnO/Ag2O同軸納米纖維的吸光率高于純ZnO, 且隨著Ag2O負(fù)載量的增加, 吸光率增加, 可增加樣品對紫外光的利用率, 提高催化性能.

Fig.10 UV-Vis DRS spectra(A) and determination of the band gap energy(B) of ZnO, ZnO/Ag2O-3, ZnO/Ag2O-5, ZnO/Ag2O-7 and ZnO/Ag2O-11

將漫反射圖譜經(jīng)Kubelka-Munk(KM)變換得到禁帶圖[圖10(B)], 利用KM函數(shù)與能量軸的線性擬合關(guān)系, 對樣品的禁帶寬度進(jìn)行了估算[36]. ZnO純相的禁帶寬度為3.2 eV, 添加Ag2O后禁帶寬度均變小, ZnO/Ag2O-7的禁帶寬度為2.7 eV, 表明Ag2O摻雜有利于減小禁帶寬度, 使催化劑的光響應(yīng)范圍拓寬, 有利于提高催化劑的光活性, 結(jié)果表明ZnO/Ag2O同軸納米纖維是一種很有前景的可見光催化裂解催化劑.

2.7 熒光光譜分析

Fig.11 PL spectra of ZnO, ZnO/Ag2O-3, ZnO/Ag2O-5, ZnO/Ag2O-7 and ZnO/Ag2O-11

ZnO和ZnO/Ag2O同軸納米纖維的熒光(PL)光譜如圖11所示. ZnO和ZnO/Ag2O同軸納米纖維被325 nm的光激發(fā)后產(chǎn)生光生電子-空穴對, 部分光生電子-空穴對發(fā)生復(fù)合并以熒光形式發(fā)射. 低熒光強(qiáng)度表明光生電子-空穴對在半導(dǎo)體中的轉(zhuǎn)移速率高, 復(fù)合效率低, 從而有利于獲得較高的光催化活性. 由圖11可以看出, ZnO/Ag2O發(fā)射峰強(qiáng)度均低于ZnO, 其中ZnO/Ag2O-7的發(fā)射峰強(qiáng)度最低, 表明其光生電子-空穴對的分離速率最高, 光催化活性最高.

2.8 光電催化性能

不同Ag2O質(zhì)量分?jǐn)?shù)的ZnO/Ag2O同軸納米光電催化材料對亞甲基藍(lán)的光電催化降解曲線如圖12所示. 由圖12(A)可知, 亞甲基藍(lán)在光電催化降解過程中, 其二聚體和單體結(jié)構(gòu)對應(yīng)的610 nm和665 nm處吸收峰的吸光度逐漸降低直至消失, 表明亞甲基藍(lán)逐漸被分解. 由圖12(B)中的動力學(xué)相關(guān)系數(shù)(R2)均在0.97以上, 說明制備的催化劑對亞甲基藍(lán)的光電催化降解遵循一級反應(yīng)動力學(xué)模型. 通過動力學(xué)方程速率常數(shù)可見, ZnO中添加Ag2O后光電催化性能均提高, 這主要?dú)w因于ZnO與Ag2O構(gòu)建的異質(zhì)結(jié)在一定程度上抑制了ZnO/Ag2O異質(zhì)結(jié)中的光生電子-空穴對復(fù)合, 使光生載流子得到了有效分離, 并在偏電壓的作用下為電子提供了運(yùn)輸路徑, 促進(jìn)光生電子-空穴對的分離, 從而改善了ZnO的光電催化性能. 其中ZnO/Ag2O-7光電降解性能最好, 速率常數(shù)最大, 為1.13×10-2min-1, 這主要因?yàn)锳g2O的濃度影響了ZnO與Ag2O之間異質(zhì)結(jié)的形態(tài)與活性位點(diǎn)的多少, 從而影響其光生電子與空穴結(jié)合速率, 可能ZnO/Ag2O-7具有最佳的異質(zhì)結(jié)形態(tài)和最高濃度的活性位點(diǎn).

Fig.12 UV-Vis absorption spectra of catalytic degradation of MB with ZnO/Ag2O-7 as catalyst(A) and photoelectrocatalysis kinetics of MB degradation under Visiblelight irradiation with ZnO, ZnO/Ag2O-3, ZnO/Ag2O-5, ZnO/Ag2O-7 or ZnO/Ag2O-11 as catalyst(B)

Fig.13 Schematic diagram for the potential photocatalytic mechanismof ZnO/Ag2O

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3 結(jié) 論

采用溶膠-凝膠、 同軸靜電紡絲和熱處理技術(shù)制備了具有殼核結(jié)構(gòu)的ZnO/Ag2O同軸納米纖維, 由于ZnO與Ag2O之間形成了異質(zhì)結(jié), 導(dǎo)致不同Ag2O含量的ZnO/Ag2O同軸納米纖維形態(tài)結(jié)構(gòu)、 化學(xué)價態(tài)和催化性能出現(xiàn)一定差異, 其中ZnO/Ag2O-7在相同條件下對亞甲基藍(lán)的光電催化降解率達(dá)到93%, 這歸因于其寬的光吸收范圍、 高的可見光利用率及低的光生電子-空穴對復(fù)合速率.