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        基于LED驅動芯片BOOST環(huán)路的電流采樣電路設計

        2019-12-25 01:14:48聶海李森
        無線互聯(lián)科技 2019年20期

        聶海 李森

        摘? ?要:文章設計了一種基于一款LED驅動芯片BOOST環(huán)路的電流采樣電路,采用一種電路原理簡單且輸出損耗小的功率開關管導通電阻的方式,來實現(xiàn)電路采樣功能。設計了數(shù)字電路模塊控制采樣電路的啟動與關斷,保證電路在整個芯片工作時處于正常的工作點。利用BCD工藝,在電源電壓為3.7 V下對電路進行仿真驗證,仿真后的結果與理論值基本一致,表明該電路能很好地采樣電感電流,在LED芯片中正常的工作。

        關鍵詞:BOOST環(huán)路;電流采樣;功率開關管;導通電阻采樣

        1? ? BOOST環(huán)路結構

        眾所周知,白光LED具有發(fā)光效率高、使用期限長、對環(huán)境友好、體積小、重量輕、發(fā)光質量高的優(yōu)點,在當下多種便攜電子設備中,白光LED都是作為液晶屏幕的首選背光源。本文采用BCD工藝,提出了一種應用于升壓BOOST開關電源型驅動方式點亮LED的電流采樣[1-2]。BOOST環(huán)路整體結構如圖1所示,電流采樣電路作為其中重要的一個模塊,對輸出效率有極為重要的影響。它采集到的電感電流信號再轉化成電壓的信號,然后會與環(huán)路反饋回來的電壓值進行逐周期比較,于是就產生了一個功率MOS管得占空比信號。

        2? ? 電流采樣電路

        目前,實現(xiàn)電流采樣功能的方式有很多,如:串聯(lián)電阻采樣、功率管導通電阻采樣、積分器采樣、SenseFET采樣等。串聯(lián)電阻采樣方法雖然比較簡單,但是會在采樣電阻上產生更多的損耗,LED驅動變換器的效率也會顯著變低。功率管導通電阻采樣方法在采樣時沒有額外的損耗,但是輸出的精度有點低,而且需要注意功率管的阻值的合理設計,過小則不能滿足控制占空比的要求,過大則會影響LED驅動的效率[3]。

        為了實現(xiàn)LED驅動高的輸出效率,本設計結合以上幾個方式的優(yōu)缺點,采用了功率開關管導通電阻采樣的方式,本設計電流采樣電路結構,如圖2所示。

        圖2中PVDD和AVDD為芯片電路里的兩個供電電源(在具體實際芯片設計考慮中,一般數(shù)字電路部分和模擬電路部分會分開電源供電)。圖2左邊為電流偏置電路,保證MOS晶體管工作在正常的工作狀態(tài)下;右邊部分就是電流采樣功能的具體實現(xiàn)電路[4];下面的電路為數(shù)字電路模塊,在芯片電路中控制采樣電路的有序開啟與關閉,使得系統(tǒng)得以正常的運行工作。具體分析如下:

        (1)輸入信號IBP,給MOS晶體管MP1,MP2一個柵極電壓信號,使得MOS管工作在飽和區(qū),從而MN1和MN2構成的電流鏡也就正常的工作了,鏡像電流IBP,通過MP4和MP5構成的電流鏡偏置到后續(xù)的電流采樣電路中去,使得采樣電路正常工作[5-6]。其中,MP3用作電容,起到補償?shù)淖饔谩?/p>

        在采樣電路中,如圖2所示的MN7,MN8,MN9為高壓MOS管,MN10為功率高壓MOS管,引腳INGND結MN10的源級,IN接MN10的漏端。當RST1_0為高電平時,MOS管MN7,MN8導通,此時RST1_1為低電平,MOS管MN9關斷。根據前面的偏置電路分析,MP6,MP7,MP5,MP8,MN3和MN4構成的共源共柵電流鏡,從而使得流過MOS管MN3,MN4的電流I1,I2大小相等。因為MN3和MN4的柵極電壓相等,所以它們的源級電壓也被鉗位相等。即:

        Vs_MN3=VS_MN4

        在設計電流采樣電路時,電阻R1和R2完全相等,又有高壓MOS管MN7和MN8完全匹配,故兩個MOS管的導通電阻相等,所以兩條分支電路的總電阻相等,設RM等于RN。

        由圖2可知,晶體管MP5,MP6,MP10,MP11也構成電流鏡結構,故采樣電流ICS與流過晶體管MN5的電流相等。節(jié)點M的電壓VM=RM×(I1+ICS),N點的電壓為電阻R2,高壓MOS管MN8的導通電阻以及功率MOS管MN10的導通電阻上的電壓之和,即:

        VN=R2×I2+RDS×IL。

        可以得出:

        3? ? 實驗結果

        本設計使用了CSMC的BCD工藝,在電源電壓3.7 V的狀態(tài)下,仿真瞬態(tài),看采樣電流采樣電路的仿真波形,如圖3所示。

        在仿真電路中,使采樣電阻RA=RN,則采樣電壓為VCS=RDS×IL,功率MOS管的導通電阻為20.14 kΩ,可以從圖3中看到采集到的采樣電壓與功率MOS管上的電感電流波形流向基本吻合。當電感峰值為48.5 μA,采樣電壓VCS的峰值為856.2 mV,與理論計算基本一致,說明本設計的電流采樣電路在芯片電路中可以正常工作。

        [參考文獻]

        [1]沈亞丹.汽車電子中的LED驅動電路的研究設計[D].杭州:浙江大學,2013.

        [2]顧星煜,史博文,趙保付,等.一種新型原邊反饋反激式數(shù)字控制LED驅動電源設計[J].電子器件,2015(2):291-299

        [3]寇武杰.大電流Buck變換器高效驅動控制研究與設計[D].成都:電子科技大學,2017.

        [4]王程左.采用新型無損電流采樣的同步整流BUCK DC-DC控制器研究[D].成都:電子科技大學,2015.

        [5]馬卓,謝倫國,趙振宇,等.用于電壓島式功耗管理的無運放結構高精度電流采樣電路[J].國防科技大學學報,2009(6):29-33.

        [6]楊彭林.基于源極驅動的原邊反饋AC-DC LED驅動電路的設計[D].南京:東南大學,2015.

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