田澍 王曉軍
摘 ?????要: 通過高溫固相法制備出單基質(zhì)KSr4(BO3)3:n%Dy3+,0.5%Tm3+(n=0.5,1.0,1.5)白光熒光粉,對(duì)356 nm激發(fā)的發(fā)射光譜進(jìn)行了測試,發(fā)射光譜包含有Dy3+的特征發(fā)射峰(491,574 nm),也包含有Tm3+的特征發(fā)射峰(454 nm)。隨著Dy3+摻雜濃度的增加,Tm3+的發(fā)光強(qiáng)度逐漸減弱,而Dy3+的發(fā)光強(qiáng)度逐漸增強(qiáng)。計(jì)算得到KSr4(BO3)3: n% Dy3+,0.5% Tm3+(n=0.5%,1%,1.5%)的色溫依次為:12 797,7 180,5 734 K。將摻雜濃度為1.5%的補(bǔ)償電荷Li+、Na+和K+摻入了KSr4(BO3)3:1.0%Dy3+,0.5%Tm3+中,發(fā)光強(qiáng)度都有明顯的增強(qiáng),補(bǔ)償電荷為Na+時(shí)KSr4(BO3)3: 1.0%Dy3+, 0.5%Tm3+在574 nm處的發(fā)光強(qiáng)度最高。通過XRD表征發(fā)現(xiàn)摻入Na+、K+后基質(zhì)結(jié)構(gòu)沒有明顯的改變,Li+的摻入導(dǎo)致了一個(gè)小雜峰的出現(xiàn)。
關(guān) ?鍵 ?詞:KSr4(BO3)3:Dy3+,Tm3+; 發(fā)射光譜; 色度坐標(biāo); 電荷補(bǔ)償
中圖分類號(hào):O482.31 ???????文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A ??????文章編號(hào): ?1671-0460(2019)01-0036-03
Abstract: Single-substrate KSr4(BO3)3:n%Dy3+,0.5% Tm3+(n=0.5,1.0,1.5) white phosphors were prepared by high temperature solid-state method. The emission spectra of 356 nm were tested. This emission spectra contained the characteristic emission peak of Dy3+(491,574 nm),and also contained the characteristic emission peak of Tm3+(454 nm). With the increase of doping concentration of Dy3+, the emission intensity of Tm3+ gradually weakened, while the intensity of Dy3+ gradually enhanced. The color temperatures of KSr4(BO3)3:n%Dy3+ ,0.5%Tm3+ (n=0.5%, 1%, 1.5%) were calculated as follows: 12 797, 7 180, 5 734 K. The compensated charge of Li+, Na+, K+ with a doping concentration of 1.5% was incorporated into KSr4(BO3)3: 1.0% Dy3+, 0.5% Tm3+, and the emission intensity was significantly enhanced. When the compensation charge was Na+, KSr4(BO3)3:1.0%Dy3+ ,0.5%Tm3+ had the highest luminous intensity at 574 nm. Through XRD characterization, it was found that there was no obvious change in the matrix structure after incorporation of Na+ and K+, and the incorporation of Li+ resulted in the appearance of a small miscellaneous peak.
Key words: KSr4(BO3)3:Dy3+,Tm3+; Emission spectrum; Chromaticity coordinates; Charge compensation
LED與稀土發(fā)光材料組成的白光固體照明光源具有節(jié)能、高效、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn),其中使用藍(lán)光InGaN-LED芯片上包覆黃色熒光粉YAG:Ce3+已經(jīng)商業(yè)化[1-3],熒光粉YAG:Ce3+在藍(lán)光激發(fā)下發(fā)射黃光,藍(lán)光與產(chǎn)生的黃光組合成白光[4],該方法的生產(chǎn)成本低,生產(chǎn)容易,但光效低,因缺少紅光成分,其發(fā)光存在色溫高顯色指數(shù)較低等缺點(diǎn),芯片和黃色熒光粉的衰減對(duì)于最后復(fù)合成的白光也會(huì)產(chǎn)生較大影響[5]。近年來,UV-LED和RGB三色熒光粉組合獲得白光獲得了廣泛的研究[6],該方法獲得的白光雖然顯色指數(shù)高,但工藝復(fù)雜,每種熒光粉的熱猝滅效應(yīng)不同,導(dǎo)致白光不穩(wěn)定,同時(shí)也存在配比調(diào)整難的問題。單一基質(zhì)白色熒光粉可以和紫外光芯片搭配獲得白光,性能穩(wěn)定,發(fā)光效率高,能夠克服混合熒光粉的不足,已成為當(dāng)今發(fā)光材料研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)。隨著LED芯片向短波方向的研發(fā)加快,性能的提升,尋找紫外光激發(fā)的單基質(zhì)白光熒光粉顯得尤為重要。硼酸鹽為基質(zhì)的發(fā)光材料有著合成溫度低、化學(xué)性能穩(wěn)定、制備工藝簡單和發(fā)光性能優(yōu)良等優(yōu)點(diǎn),因此逐漸受到重視[7,8]。
高溫固相合成法具有工藝簡單、樣品純度高、成本低等特點(diǎn),為目前主要的制備方法之一[9]。本研究則通過傳統(tǒng)高溫固相法,在空氣環(huán)境中制備出稀土共摻雜單基質(zhì)熒光粉:KSr4(BO3)3:Dy3+,Tm3+,對(duì)其發(fā)光性質(zhì)進(jìn)行了研究,隨后摻入堿金屬離子進(jìn)行電荷補(bǔ)償后分析了發(fā)光強(qiáng)度的變化。
1 ?實(shí)驗(yàn)部分
1.1 ?實(shí)驗(yàn)儀器
所用儀器設(shè)備:電子天平(北京賽多利斯儀器系統(tǒng)有限公司,型號(hào)BS224S),高溫箱式電阻爐(天津中環(huán)實(shí)驗(yàn)電爐有限公司,型號(hào)SRJX-4-13,額定功率4 kW,額定溫度1 300 ℃),電熱恒溫鼓風(fēng)干燥箱(天津中環(huán)實(shí)驗(yàn)電爐有限公司,型號(hào)DH-101-2BS,額定功率1.6 kW),X射線衍射儀(荷蘭PANalytical公司,型號(hào)XPert Pro),熒光光譜儀(英國Edinburgh Instruments公司,型號(hào)FLS920)。
1.2 ?實(shí)驗(yàn)過程
按化學(xué)計(jì)量比稱量分析純無水K2CO3(99.8%),SrCO3(99.0%),H3BO3(99.5%)和高純Dy2O3(99.99%)和Tm2O3(99.99%),在瑪瑙研缽中混合且均勻研磨后置于坩堝內(nèi),在空氣中于600o C預(yù)燒1 d,冷卻至室溫后,取出再次充分研磨后置于坩堝內(nèi),并在800 oC條件下灼燒兩天即可制得稀土共摻雜單基質(zhì)熒光粉樣品:KSr4(BO3)3:n%Dy3+,0.5% Tm3+(n=0.5,1.0,1.5)。
2 ?發(fā)光性能
2.1 ?熒光光譜
通過熒光光譜儀Edinburg FLS920測試了發(fā)射譜,光源為氙燈Xe900, 狹縫為1.0 nm。圖1是Dy3+,Tm3+共摻雜的熒光粉KSr4 (BO3)3: n%Dy3+, 0.5%Tm3+(n=0.5,1,1.5)在356 nm激發(fā)下的發(fā)射光譜,Tm3+的摻雜量始終是0.5%。從圖1中可知,發(fā)射光譜包含有Dy3+的特征發(fā)射峰,也包含有Tm3+的特征發(fā)射峰。隨著Dy3+摻雜濃度的增加,Tm3+的發(fā)光強(qiáng)度(454 nm)逐漸減弱,而Dy3+的發(fā)光強(qiáng)度(491,574nm)逐漸增強(qiáng)。計(jì)算出KSr4(BO3)3:n%Dy3+,0.5%Tm3+(n=0.5,1,1.5)的色度坐標(biāo),并根據(jù)色溫公式(1)[10]計(jì)算出了共該系列熒光粉KSr4(BO3)3:n%Dy3+,0.5%Tm3+(n=0.5,1,1.5)的色溫,結(jié)果在表1中列出,將計(jì)算得到的色度坐標(biāo)標(biāo)在CIE色度圖2中。
2.2 ?電荷補(bǔ)償
KSr4BO3屬于正交晶系,空間群為Ama2,晶胞參數(shù)分別為a=11.038 43(8)?,b= 11.989 74(9)?,c= 6.884 46(5)?[11]。當(dāng)Dy3+和Tm3+取代KSr4(BO3)3中的Sr2+格位時(shí),由于價(jià)態(tài)不同,晶格中出現(xiàn)對(duì)發(fā)光強(qiáng)度不利的帶正電的Sr空位,因而晶格會(huì)因靜電作用發(fā)生形變使晶格匹配失效嚴(yán)重。
2.3 ?電荷補(bǔ)償后的XRD分析
經(jīng)過和標(biāo)準(zhǔn)圖譜PDF#97-017-1423對(duì)比可看出,Na+,K+的摻入對(duì)基質(zhì)結(jié)構(gòu)沒有明顯的改變,Li+的摻入導(dǎo)致了一個(gè)小雜峰的出現(xiàn),在圖5中已用黑色圓點(diǎn)標(biāo)了出來。Sr2+的半徑為1.26?,Li+、Na+、K+的半徑分別為0.76?、0.99?、1.37?,Na+和K+的半徑與Sr2+的更接近,說明Na+和K+作為補(bǔ)償電荷摻入該熒光粉可以使晶體結(jié)構(gòu)更易穩(wěn)定[13,14]。
4 ?結(jié) 論
通過高溫固相法合成了KSr4(BO3)3:n%Dy3+,0.5%Tm3+(n=0.5,1.0,1.5),經(jīng)測試發(fā)現(xiàn)KSr4(BO3)3:1.0%Dy3+,0.5%Tm3+和KSr4(BO3)3:1.5%Dy3+,0.5%Tm3+在356 nm紫外光激發(fā)下直接發(fā)射白光,前者色溫較高為冷白光,后者色溫為5 734 K適合室內(nèi)使用。在KSr4(BO3)3:1.0%Dy3+,0.5%Tm3+摻入Li+、Na+、K+進(jìn)行電荷補(bǔ)償后發(fā)光增強(qiáng),其中摻入Na+后增強(qiáng)效果最明顯。通過對(duì)四個(gè)樣品進(jìn)行XRD測試分析后得知摻入Na+和K+后XRD圖譜沒有明顯變化,說明摻入Na+和K+可以使該基質(zhì)結(jié)構(gòu)保持穩(wěn)定。該研究成果對(duì)改進(jìn)熒光粉的制備工藝,提高發(fā)光性能有很好的指導(dǎo)作用。
參考文獻(xiàn):
[1]Schubert E F,Kim J K. Solid-state sources getting smart[J].Scie ?????nce,2005,308:1274.
[2]郎天春,韓濤,彭玲玲,等.近紫外LED用熒光粉的研究進(jìn)展[J].材料導(dǎo)報(bào):A,2013,27(12):53-65.
[3]王飛,田一光,張喬.電荷補(bǔ)償劑對(duì)CaAl2Si2O8:Eu3+結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的影響[J].兵器材料科學(xué)與工程,2014,37(6):90.
[4]蘇鏘,吳昊,潘躍曉,等.稀土發(fā)光材料在固體白光LED照明中的應(yīng)用[J].中國稀土學(xué)報(bào),2005,23(5):513.
[5]李帥龍,劉小明,唐星華,等.Ba2Y(PO4):Dy3+,Eu3+單基質(zhì)白光熒光粉的制備與發(fā)光性能[J].應(yīng)用化學(xué),2017,34(10):1186.
[6]戴劍.白光LED用單基質(zhì)單激活劑白色發(fā)光材料的合成及其性能研究[D].中國計(jì)量學(xué)院,2016.
[7] 管艷紅.稀土硼酸鹽發(fā)光材料的溶膠-凝膠合成及發(fā)光性能研究[D].東北林業(yè)大學(xué),2015.
[8]冉爽.蔡金宇,王瑩,等.稀土摻雜硼酸鹽發(fā)光材料的制備方法與研究進(jìn)展[J].化工新型材料,2016,44(2):15.
[9]劉志平,胡社軍,黃慧民,等.發(fā)光材料特征及其制備方法[J]. 當(dāng)代化工,2008,37(05):540.
[10]張中太,張俊英.無機(jī)光致發(fā)光材料及應(yīng)用[M].北京:化學(xué)工業(yè)出版社,2005:69-71.
[11]L. Wu, X. L. Chen, Y. P. Xu, et al. Structure Determination and Relative Properties of Novel Noncentrosymmetric Borates MM4(BO3)3 (M = Na, M= Ca and M = K, M= Ca, Sr) [J]. Inorganic Chemistry, 2006, 45 (7):3042–3047.
[12] 冷稚華. 稀土摻雜硼酸鹽熒光粉的可控制備及性能研究[D]. 長春:吉林大學(xué), 2016.
[13]Shannon R D.Revised effective ionic radii and Systematic Studies of Interatomic Distangce in Halides and Chalcogenides[J]. Acta Crystallographica,1976,A32:751-767.
[14]樊國棟, 胡榮玲, 邱小云, 等. 堿金屬電荷補(bǔ)償及對(duì)K1+xBa1-2x BP2O8: xEu3+發(fā)光材料性能的影響[J].陜西科技大學(xué)學(xué)報(bào),2018, 36 (1): 99.