朱婷

【摘 要】論文采用基于密度泛函理論的第一性原理計(jì)算方法，計(jì)算分析了摻Ag濃度對ZnO（100）面吸附S的電學(xué)特性影響。計(jì)算結(jié)果表明，當(dāng)選擇Zn-Zn鍵的正上作為S原子的吸附位置時，ZnO（100）面的吸附性最穩(wěn)定，能帶帶隙最大，導(dǎo)電性最弱。隨著摻Ag濃度的增大，ZnO（100）面的能帶帶隙并無顯著的變化，而價帶區(qū)的p態(tài)電子密度明顯增大，s態(tài)電子密度減小，導(dǎo)致ZnO（100）面的導(dǎo)電性增強(qiáng)。

【Abstract】In this paper， the first-principles calculation method based on density functional theory is used to calculate and analyze the effect of Ag doping concentration on the electrical properties of S adsorbed on the ZnO （100） surface. The results show that the adsorption of S atom on the ZnO （100） surface is the most stable， the bandgap is the largest and the conductivity is the weakest when the positive position of the Zn-Zn bond is chosen as the adsorption position of S atom. With the increase of Ag doping concentration， the bandgap of ZnO （100） surface does not change significantly， but the p-state electron density in valence band region increases significantly and the S-state electron density decreases， which leads to the increase of conductivity of ZnO （100） surface.

【關(guān)鍵詞】ZnO;替位摻Ag;吸附

【Keywords】ZnO; substitution doping of Ag; adsorption

【中圖分類號】TN3;O65? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 【文獻(xiàn)標(biāo)志碼】A? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 【文章編號】1673-1069（2019）09-0166-03

1 引言

ZnO作為一種寬禁帶的半導(dǎo)體材料，室溫下其帶隙為3.37Ev。與大多數(shù)的寬禁帶半導(dǎo)體（如GaN、ZnSe、ZnS等）相比，ZnO的激子束縛能為60meV，高于室溫?zé)犭x化能，有利于激子在室溫下實(shí)現(xiàn)高效的激子發(fā)射[1]。此外，ZnO的硬度大、介電常數(shù)低、光電耦合率高、熱學(xué)及化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng)，因此，在壓敏器件、氣敏傳感器件、紫外光電探測器，以及太陽能電池等方面具有廣闊的應(yīng)用前景。

本文以Ag摻雜ZnO為研究對象，采用密度泛函理論的第一性原理系統(tǒng)地模擬計(jì)算摻Ag濃度對ZnO（100）面吸附S的電學(xué)特性影響，揭示了吸附能改變的內(nèi)在機(jī)理，為其在脫硫吸附技術(shù)的研究提供了一定的參考。

2 理論模型與計(jì)算方法

2.1 構(gòu)建模型

本文采用ZnO的立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)作為基本的晶格模型。首先，對摻雜前的ZnO（100）面吸附S構(gòu)建模型，將一個ZnO原胞在x，y方向上分別擴(kuò)展一個單位得到2×2×1的ZnO超晶胞（包含8個Zn原子與8個O原子）。在ZnO（100）面分別選取四種不同的S原子吸附位置：Zn-Zn鍵位的正上方、四方Zn原子結(jié)構(gòu)的正上方，以及周期性排列的兩個相應(yīng)位置。隨后，對摻Ag后的ZnO（100）面吸附S構(gòu)建模型，這里采用的摻雜方式為替位摻雜。在以上的四種吸附位置中選取最穩(wěn)定的位置作為研究對象，將ZnO晶胞中的Zn原子替換為Ag原子。

2.2 計(jì)算方法

采用CASTEP軟件包分別對摻Ag前后的ZnO超晶胞進(jìn)行計(jì)算。計(jì)算前，先對建立的晶體模型進(jìn)行幾何優(yōu)化，使其達(dá)到最穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。在Kohn-Sham能量泛函形式中，選擇廣義梯度近似（GGA）的PBE處理電子間的交換關(guān)聯(lián)能，采用超軟贋勢平面波選擇基函數(shù)，采用1×1×1的Monkorst-park特殊K點(diǎn)對全Brillouin求和，整個計(jì)算都在倒易空間中完成。具體的參數(shù)設(shè)定如下：平面波截?cái)嗄芰吭O(shè)定為Ecutoff=300eV，自洽收斂能的精度為2×105eV/atom，最大位移為0.002，晶體內(nèi)應(yīng)力收斂標(biāo)準(zhǔn)為0.05GPa，原子的相互作用力收斂標(biāo)準(zhǔn)為0.05eV/。

3 計(jì)算結(jié)果和分析

3.1 摻Ag前ZnO（100）面吸附S的電學(xué)特性

為比較上述四種不同吸附位置下的吸附穩(wěn)定性，分別計(jì)算各自的吸附能為：ΔEmd=（ES+EA）-ET

其中，ES、EA和ET分別表示吸附前ZnO（100）面的能量，S原子本身的能量，以及吸附后體系的總能量。經(jīng)計(jì)算得知EA=-273.9321eV，ES=-3.4350×104eV。上述四個吸附位置的體系總能量和吸附能如表1所示。由于在吸附過程中釋放的吸附能越大則體系越穩(wěn)定，因此，Zn-Zn正上方的吸附位置具有最穩(wěn)定的吸附性。

為反映吸附位置對ZnO（100）面導(dǎo)電性的影響，分別計(jì)算各自的能帶結(jié)構(gòu)?？梢钥闯觯瑢?dǎo)帶底與價帶頂對應(yīng)的是同一K值，因此ZnO是直接帶隙導(dǎo)體。對于四種不同的吸附位置，ZnO（100）面的能帶帶隙體現(xiàn)了較為顯著的差異，可得出，S原子吸附的位置越穩(wěn)定，ZnO（100）面的能帶帶隙越大，于是其（100）面的導(dǎo)電性越弱，電阻率越大。

在S原子的四種吸附位置下，計(jì)算ZnO（100）面的電子態(tài)密度，如圖1所示?？梢园l(fā)現(xiàn)，相比于其他吸附位置，位置A（具有最穩(wěn)定的吸附性）的s態(tài)與p態(tài)密度分布均體現(xiàn)了較為顯著的變化。ZnO（100）面的電子態(tài)主要分為三個區(qū)域：

-22.5～-17.5eV的價帶，-13～-11eV的下價帶，以及-7.5～6eV的上價帶。s態(tài)密度與p態(tài)密度分別在價帶與上價帶區(qū)的峰值最高。很大程度上，三個區(qū)域分別來源于O的s態(tài)電子，Zn的d態(tài)電子，以及O的p態(tài)電子的貢獻(xiàn)?？梢缘贸?，S原子吸附在ZnO（100）面的不同位置時，對稱位間的態(tài)密度并無太大的差異。

3.2 摻Ag后ZnO（100）面吸附S的電學(xué)特性

根據(jù)以上S原子吸附位置對ZnO（100）面導(dǎo)電性的影響分析，選擇吸附最穩(wěn)定的位置為對應(yīng)的ZnO為研究對象，對ZnO進(jìn)行替位摻Ag。結(jié)合ZnO（100）面能帶帶隙隨摻雜濃度變化的模擬曲線（如圖2所示，摻Ag濃度分別標(biāo)記為E、F、G、H），隨著摻雜濃度在以上范圍內(nèi)的增大，能帶帶隙呈先減小再增大的變化趨勢，并且在的濃度區(qū)間內(nèi)出現(xiàn)極小值，此時ZnO（100）面的導(dǎo)電性最強(qiáng)。

圖3顯示了摻Ag后ZnO（100）面的分波態(tài)（s態(tài)與p態(tài)）密度。由此看出，ZnO（100）面的電子態(tài)主要分為三個區(qū)域：-22.5～-17.5eV，-13～-11eV以及-7.5～6eV。其中，在-13～-11eV與-7.5～6eV兩個區(qū)域里，s態(tài)密度明顯減小，而p態(tài)密度則顯著增大。結(jié)合摻雜前的分波態(tài)密度圖可以發(fā)現(xiàn)，隨著摻Ag濃度的增大，導(dǎo)致價帶區(qū)的p態(tài)電子密度增大，而s態(tài)電子密度減小，從而使ZnO（100）面的導(dǎo)電性增強(qiáng)。

4 結(jié)論

本文采用基于密度泛函理論的第一性原理方法，在不同的摻Ag濃度下對ZnO（100）面吸附S的電學(xué)特性進(jìn)行了計(jì)算分析。

結(jié)果表明：①ZnO（100）面吸附S釋放的吸附能越大，則吸附性越穩(wěn)定，于是確定Zn-Zn鍵的正上方作為S原子的最佳吸附位置，此時ZnO（100）面的能帶帶隙最大，因此，其導(dǎo)電性最弱。②以上述的吸附位置為研究對象，對ZnO進(jìn)行替位摻Ag，隨著摻Ag濃度的增大，ZnO（100）面的能帶帶隙并無顯著的變化，而價帶區(qū)的p態(tài)電子密度明顯增大，s態(tài)電子密度減小，因此，ZnO（100）面的導(dǎo)電性增強(qiáng)。

【參考文獻(xiàn)】

【1】Ashokkumar， M andMuthukumaran， S.Electrical， dielectric， photoluminescence and magnetic properties of ZnO nanoparticles co-doped with Co and Cu [J].J. Magn. Magn. Mater，2015，374：61-66.