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        利用偽隨機(jī)斬波技術(shù)的微弱MEMS信號(hào)檢測(cè)電路

        2014-03-21 10:49:08王瑋冰祖秋艷宋冬雪孫業(yè)超
        儀表技術(shù)與傳感器 2014年2期
        關(guān)鍵詞:解調(diào)器低通濾波器運(yùn)算

        何 鑫,王瑋冰,祖秋艷,宋冬雪,孫業(yè)超

        (1.中國(guó)科學(xué)院微電子研究所,中國(guó)科學(xué)院微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京 100029;2.江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心,江蘇無(wú)錫 214135)

        0 引言

        MEMS傳感器前端讀出電路因?yàn)槠渚哂懈呔€性度、電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單和溫度系數(shù)小等優(yōu)點(diǎn),正受到更多的關(guān)注和研究。然而MEMS前端讀出電路位于處理電路中引入噪聲和失調(diào)的重要位置,這些噪聲和失調(diào)必須通過(guò)電路處理技術(shù)將其消除。常用減小噪聲和失調(diào)的技術(shù)有相關(guān)雙采樣[1](CDS)、自穩(wěn)零技術(shù)(auto-zero)和斬波放大技術(shù)[2](chopper)等。通過(guò)比較,在連續(xù)時(shí)間放大電路中,斬波放大技術(shù)可以更好地減小低頻噪聲和失調(diào),但是由于調(diào)制解調(diào)過(guò)程中引入了開(kāi)關(guān)尖峰和電荷注入,所以在斬波頻率附近產(chǎn)生紋波即殘余失調(diào)。為了消除殘余失調(diào),提出了采用偽隨機(jī)頻率[3]斬波,即利用偽隨機(jī)頻率信號(hào)的自相關(guān)性[4],減小剩余的殘余失調(diào)[5]和殘余的波動(dòng)幅度。

        1 偽隨機(jī)頻率斬波檢測(cè)原理

        1.1斬波放大原理

        圖1為一個(gè)傳統(tǒng)MEMS斬波放大電路[2]的簡(jiǎn)圖,調(diào)制器S1和解調(diào)器S2同時(shí)受到斬波頻率時(shí)鐘CLK控制,左側(cè)是一個(gè)典型的可變MEMS電容電橋電路,中間的運(yùn)算放大器A1能夠?qū)鞲衅鞯妮敵鲂盘?hào)進(jìn)行放大處理,通過(guò)解調(diào)器S2將失調(diào)和噪聲調(diào)制到高頻,最后低通濾波器P1將高頻的噪聲和失調(diào)濾除,被解調(diào)器S2解調(diào)的低頻信號(hào)則無(wú)衰減地通過(guò)低通濾波器P1,得到放大后的傳感器信號(hào)。

        圖1 傳統(tǒng)MEMS斬波放大電路簡(jiǎn)圖

        采用斬波技術(shù)后,運(yùn)算放大器A1中的失調(diào)電壓VOS被消除,但是調(diào)制器S1和解調(diào)器S2的開(kāi)關(guān)尖峰和電荷注入效應(yīng)會(huì)產(chǎn)生額外的殘余失調(diào)電壓。在斬波信號(hào)CLK的頻率比較低的情況下,可以忽略解調(diào)器S2的失調(diào)貢獻(xiàn),所以等效輸入殘余失調(diào)約為:

        Vos,residual≈2Vinjτfchop

        式中:Vinj和τ為輸入斬波開(kāi)關(guān)的尖峰信號(hào)的幅度和時(shí)間常數(shù)。

        過(guò)高的斬波頻率fchop將引起殘余失調(diào)電壓的顯著增加。另一方面,經(jīng)過(guò)解調(diào)器S2后,放大器A1的初始失調(diào)VOS,static和1/f噪聲被調(diào)制到斬波頻率fchop附近,形成高頻波動(dòng),不能被低通濾波器P1完全濾除,殘余的波動(dòng)幅度為:

        式中:gml為放大器的輸入管的跨導(dǎo);CLP為輸出端低通濾波器電容。

        1.2偽隨機(jī)調(diào)制自相關(guān)性原理

        偽隨機(jī)調(diào)制信號(hào)[6]是一種周期信號(hào),若觀察小于一個(gè)周期,其與真隨機(jī)二進(jìn)制序列一樣,它是一種在一定范圍內(nèi)頻率呈現(xiàn)偽隨機(jī)變化的信號(hào)。文中提出的偽隨機(jī)調(diào)制自相關(guān)檢測(cè)原理如圖2所示。

        圖2 偽隨機(jī)調(diào)制自相關(guān)檢測(cè)電路

        前端偽隨機(jī)序列p(t)由反饋移位寄存器電路產(chǎn)生,用p(t)代替之前斬波放大電路中的斬波頻率信號(hào)CLK,經(jīng)過(guò)運(yùn)算放大器A1放大后的信號(hào)同時(shí)引入了放大器的噪聲和失調(diào)n(t),如果用x(t)表示放大器輸出的信號(hào),那么有

        x(t)=A[s(t)+n′(t)]+n(t)

        式中:A為放大器的放大倍數(shù);s(t)為經(jīng)過(guò)調(diào)制器S1調(diào)制的傳感器信號(hào);n′(t)是上一節(jié)提到的Vos,residual和Vripple,residual時(shí)域序列。

        x(t)作為放大器放大后的信號(hào)包含了與p(t)相關(guān)的信號(hào)s(t)和與p(t)不相關(guān)的隨機(jī)的噪聲失調(diào)信號(hào)n(t)和n′(t),因此,x(t)將同發(fā)送端的偽隨機(jī)序列p(t)進(jìn)行互相關(guān)運(yùn)算,互相關(guān)函數(shù)為:

        化簡(jiǎn)為:

        ARPP(τ)+Rnp(τ)+ARn′p(τ)

        由于信號(hào)s(t)是自相關(guān)的,所以

        Rpp(τ)=δ(τ)

        式中δ(τ)為脈沖函數(shù)。

        而偽隨機(jī)序列與噪聲、干擾不相關(guān),故有Rnp=0和Rn·p=0,從而可以得到總的互相關(guān)函數(shù)Rxp=aδ(τ),此互相關(guān)式子表示混雜在信號(hào)中的失調(diào)[7]和噪聲[8]以及Vos,residual和Vripple,residual可以通過(guò)互相關(guān)運(yùn)算消除。

        2 實(shí)驗(yàn)仿真

        為了驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)電路的降噪效果,利用軟件Cadence Virtuoso/Spectre仿真工具對(duì)偽隨機(jī)斬波放大電路[9]在華潤(rùn)0.5 μmDPTM工藝下進(jìn)行了設(shè)計(jì)和仿真。圖3為實(shí)驗(yàn)電路的版圖,面積為430 μm×420 μm.

        圖3 實(shí)驗(yàn)電路版圖結(jié)構(gòu)

        圖4 運(yùn)算放大器的幅頻、相頻響應(yīng)

        為了驗(yàn)證偽隨機(jī)頻率斬波相關(guān)性對(duì)噪聲的濾除作用,采用了模擬信號(hào)陣列模仿偽隨機(jī)斬波頻率,分別取偽隨機(jī)頻率變化個(gè)數(shù)為n=2,n=4,n=8,n=16,對(duì)放大后的信號(hào)進(jìn)行DFT變換,得到圖5,分析信號(hào)幅值和殘余失調(diào)的大小,如表1所示,可以看出偽隨機(jī)頻率個(gè)數(shù)與輸出信號(hào)之間的關(guān)系,即隨著偽隨機(jī)頻率變化的個(gè)數(shù)的增加,對(duì)殘余失調(diào)減小的效果越明顯。

        (a) n=8

        (b) n=16

        表1 偽隨機(jī)采樣個(gè)數(shù)與輸出殘余噪聲關(guān)系

        3 結(jié)論

        從原理和實(shí)驗(yàn)兩個(gè)角度對(duì)隨機(jī)斬波電路做了解釋和分析,通過(guò)分析上述的數(shù)據(jù)和電路可以了解到偽隨機(jī)頻率斬波電路可以降低失調(diào)和噪聲。如果偽隨機(jī)頻率的個(gè)數(shù)n更大,將會(huì)降低更多的殘余失調(diào)。表2是對(duì)相關(guān)雙采樣、自穩(wěn)零[10]等技術(shù)與該方法進(jìn)行對(duì)比。

        表2 幾種降低噪聲和失調(diào)的方法

        由表2可見(jiàn)作為消除環(huán)境干擾和噪聲的技術(shù),偽隨機(jī)斬波調(diào)制電路適合于MEMS傳感器讀出電路的設(shè)計(jì)和研究。

        參考文獻(xiàn):

        [1]CARUSONE T C,MARTIN D A.Analog integrated circuit design.2012 John Wiley & Sons,2012.

        [2]PHILLIP E A,HOLBERG D R.CMOS analog circuit design.2ed.馮軍,譯.北京:電子工業(yè)出版社,2010.

        [3]NOJDELOV R,NIHTIANOV S.Capacitive-sensor interface with high accuracy and stability.IEEE Transactions on instrumentation and measurement,2009,58:1633-1640.

        [4]高晉占.微弱信號(hào)檢測(cè).北京:清華大學(xué)出版社,2002.

        [5]尹韜,楊海剛,劉珂.一種適用于微傳感器讀出電路的低噪聲低失調(diào)斬波放大器.半導(dǎo)體學(xué)報(bào),2007,28(5):797-801.

        [6]張寶榮,鄭德忠,孫長(zhǎng)偉,等.基于偽隨機(jī)序列的微弱光信號(hào)檢測(cè).電子學(xué)報(bào),2009,(9)212-214.

        [7]BRRACKE W,PUERS R.Ultra low power capacitive sensor interfaces.Springer,2007.

        [8]畢查得·拉扎維.模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì).陳貴燦,程軍等譯.西安:西安交通大學(xué)出版社,2002.

        [9]何鑫,王瑋冰.應(yīng)用于MEMS讀出電路的偽隨機(jī)調(diào)制解調(diào)斬波電路:中國(guó),201210254637.4.2012.

        [10]ENZ C C,TEMES G C.Circuit techniques for reducing the effects of op-amp imperfections:auto-zeroing,correlated double sampling,and chopper stabilization.IEEE,1996,84(11):1584-1614.

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