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        航天器火工品點火電路誤觸發(fā)防護設計

        2019-10-25 06:24:18楊薇秀朱元元楊志遠
        火工品 2019年4期
        關鍵詞:火工品航天器繼電器

        劉 浩,楊薇秀,朱元元,楊志遠,任 斌

        航天器火工品點火電路誤觸發(fā)防護設計

        劉 浩,楊薇秀,朱元元,楊志遠,任 斌

        (北京航天長征飛行器研究所,北京,100076)

        針對航天器火工品點火電路誤觸發(fā)防護設計要求,通過增加電路的噪聲抑制、脈沖干擾抑制及上電配置保護功能。提高了電路的抗電磁干擾能力和上電配置過程保護能力。仿真及試驗驗證表明該設計保證了航天器火工品點火的安全可靠。

        火工品;航天器;點火電路;誤觸發(fā);抗電磁干擾

        可靠性、維修性、保障性、測試性、安全性、環(huán)境適應性、電磁兼容性是航天產(chǎn)品重要“七性”設計要求。可靠和安全的設計是確保在勤務處理、測試、聯(lián)試、發(fā)射、飛行和長期貯存過程中人員和產(chǎn)品安全、任務成功的基礎要素。航天火工品是航天器的重要組成部分, 是較敏感的爆炸元件或裝置的總稱。其特點決定了火工品產(chǎn)品是系統(tǒng)安全性的最大風險源之一,使用中出現(xiàn)任何故障,都可能會危及人員和產(chǎn)品安全,導致任務失敗,甚至帶來災難性的后果。火工品點火電路是火工品激活的驅(qū)動源,其作用是產(chǎn)生一個幾安培至幾十安培的電流,電能通過一定阻值的橋絲轉(zhuǎn)換為熱能,加熱橋絲周圍的點火藥并起爆主裝藥[1]。在實現(xiàn)基本功能的基礎上,點火電路最重要的設計要求是在預定的點火時刻以外的任何情況下,不能因任何元器件和線路以及隨機因素等影響而誤觸發(fā)起爆火工品,導致危險事故產(chǎn)生,危及操作人員及航天器產(chǎn)品的安全,既火工品點火電路不該起爆時決不允許火工品起爆[2]。

        目前,航天器火工品點火電路設計中大部分采用處理器+固體繼電器+限流電阻的設計方式,設計方式較為簡單,但存在兩個主要問題:一是電子產(chǎn)品在工作過程中會受到環(huán)境電磁干擾信號影響,干擾信號主要源于雷電放電、靜電放電、浪涌干擾、潛在的來自敵方的射頻發(fā)射源發(fā)射的能量,特別是電子戰(zhàn)等引起的瞬態(tài)脈沖干擾,形式多為欠壓或過壓噪聲,電路易受到這些噪聲影響產(chǎn)生誤操作;二是在電路上電過程中及處理器配置過程中,由于處理器處于不定態(tài),其輸出狀態(tài)不可控。而點火信號輸出使用高壓(如+28V)電源,屬于一次電源,往往先于控制電路使用的低壓(如+5V)電源達到有效狀態(tài)。因此會導致固體繼電器輸出端高壓供電先于低壓控制信號建壓有效,在低壓電源建壓過程中及處理器配置過程中,點火控制信號為不定態(tài),極易開啟固體繼電器,導致點火信號誤輸出。上述兩種工況會導致固體繼電器非正常導通,產(chǎn)生點火信號引爆火工品,極大影響系統(tǒng)及整個航天器飛行任務的成敗及參試人員的安全。本研究針對這兩個問題開展航天器火工品點火電路誤觸發(fā)防護設計。

        1 傳統(tǒng)點火電路分析

        傳統(tǒng)點火電路如圖1所示,由處理器發(fā)送低壓點火控制信號,此信號多為3.3V或5V的低壓TTL信號,高有效(或低有效,由具體電路決定),脈沖寬度幾十毫秒至幾百毫秒。固體繼電器可靠性高,抗力學環(huán)境能力強[2],廣泛應用于點火信號驅(qū)動。在無點火控制信號時,固體繼電器處于斷開狀態(tài),輸出端無“點火信號”輸出。

        圖1中點火控制信號經(jīng)過1和1后控制固體繼電器輸入端1,控制固體繼電器在點火控制信號有效后處于閉合狀態(tài)。固體繼電器輸入端1經(jīng)過限流電阻3連通高壓+28V電源,電源電流經(jīng)過繼電器輸出端輸出“點火信號”。2為外部火工品裝置的橋絲內(nèi)阻,點火信號經(jīng)過火工品后回路至電源地,火工品通過大電流點火信號起爆。此電路對于噪聲干擾以及上電配置過程的不定態(tài)引起的誤觸發(fā)情況沒有保護措施,點火控制信號易誤產(chǎn)生并觸發(fā)固體繼電器閉合,從而誤產(chǎn)生點火信號。

        2 改進設計

        為保證航天器傳統(tǒng)火工品點火電路避免由于電磁干擾及上電配置過程導致誤觸發(fā)情況發(fā)生,對傳統(tǒng)點火電路進行設計改進。改進的點火電路主要由比較器、延時器、穩(wěn)壓二極管、MOS管、固體繼電器、電阻、電容等構(gòu)成。通過增加電路的欠壓噪聲抑制、脈沖干擾抑制及上電配置保護功能,提高電路的抗電磁干擾能力和上電配置過程保護能力,保證系統(tǒng)的可靠性和安全性。主要措施包括:(1)通過設定基準電壓及比較器,保證電路中出現(xiàn)欠壓噪聲信號時,信號不會驅(qū)動后續(xù)電路。(2)通過濾波設計濾除脈沖干擾信號的影響,保證輸入給固體繼電器的控制信號是沒有毛刺的“干凈”信號,避免固體繼電器被誤導通。(3)通過延時器和MOS管設計保證在上電及處理器配置過程中點火信號輸出斷路,無輸出電流。

        3 電路實現(xiàn)

        針對導致航天器火工品點火電路的誤觸發(fā)影響較大的兩個因素,從3方面進行電路優(yōu)化設計:(1)欠壓噪聲抑制:對于固體繼電器輸入控制端的欠壓干擾信號進行抑制。(2)脈沖干擾抑制:對于正常電平信號進行脈沖干擾抑制,濾除脈沖毛刺干擾。(3)上電配置過程保護:在產(chǎn)品上電及控制器配置過程中,通過保護電路確保點火信號不輸出。

        經(jīng)過優(yōu)化的航天器火工品點火電路如圖2所示。

        圖2 優(yōu)化的火工品點火電路

        圖2中TTL點火控制信號為處理器輸出(如DSP、FPGA或單片機等),其輸出電壓多為+3.3VTTL電平,可兼容+5VTTL電平。高脈沖有效,脈沖寬度一般為100ms量級。信號輸出時刻及脈沖寬度由軟件決定。

        1為穩(wěn)壓二級管,經(jīng)過3及4電阻分壓后產(chǎn)生比較器1的基準輸入電壓,基準電壓值可通過3及4調(diào)整。1為點火控制信號的濾波電容。點火控制信號端如產(chǎn)生欠壓干擾噪聲,只要其不高于1的基準輸入電壓,則比較器1不會產(chǎn)生輸出電平,直到點火控制信號端產(chǎn)生有效的高脈沖TTL信號。欠壓噪聲抑制功能得以實現(xiàn)。

        2為555延時器,在單穩(wěn)態(tài)工作模式下,555延時器作為單次觸發(fā)脈沖發(fā)生器工作。當觸發(fā)輸入電壓降至VCC的1/3時開始輸出脈沖。輸出的脈寬取決于由定時電阻與電容組成的RC網(wǎng)絡的時間常數(shù)[4]。當電容電壓升至VCC的2/3時輸出脈沖停止。根據(jù)實際需要可通過改變RC網(wǎng)絡的時間常數(shù)來調(diào)節(jié)脈寬。輸出脈寬,即電容電壓充至VCC的2/3所需要的時間為=1.1×2×6,此后2輸出變?yōu)楦唠娖讲⒈3帧T?輸出低電平的過程中N型MOS管1保持截止狀態(tài),阻斷+28V電源到點火信號輸出的通路??赏ㄟ^2和6的選擇保證為秒級,保證在上電及處理器配置過程中點火信號輸出端沒有電流輸出,實現(xiàn)上電配置過程保護功能。

        為簡化電路的同時實現(xiàn)濾波功能,可通過1和1實現(xiàn)一階低通濾波,將正常電平范圍內(nèi)的脈沖干擾進行濾除。8為限流電阻,9為火工品裝置的橋絲電阻。

        4 仿真及試驗驗證

        使用電路仿真驗證工具對圖2所示電路進行仿真,驗證電路的3方面優(yōu)化設計是否滿足需求。

        4.1 欠壓噪聲抑制仿真

        1選擇了3.3V的穩(wěn)壓二級管IN4728A,3及4分別選擇1kΩ及2kΩ的電路進行分壓。1選擇了電壓比較器LM119,5選擇2kΩ作為1的輸出上拉電阻。理論上,當TTL點火控制信號大于2.2V時,1才能輸出+5V的高電平信號。建立上述電路仿真模型,進行仿真測試,欠壓噪聲抑制仿真結(jié)果見圖3,由圖3測試結(jié)果可見當TTL點火控制信號低于2.5V時,1輸出為低電平,實現(xiàn)了欠壓噪聲信號的抑制。實際使用中可以根據(jù)點火控制信號電平要求調(diào)整3及4阻值。

        圖3 欠壓噪聲抑制仿真結(jié)果圖

        4.2 脈沖干擾抑制仿真

        由于本文中TTL點火控制信號特定為100ms左右的脈沖信號,因此1和1本別選擇了20Ω和750 nF。建立電路仿真模型,進行仿真測試,脈沖干擾抑制仿真結(jié)果見圖4,由圖4測試結(jié)果可見當TTL點火控制信號為30kHz以上的高頻脈沖信號時,1的輸入端已被濾波電路抑制至1.952V以下,無法驅(qū)動比較器1輸出高電平,實現(xiàn)了脈沖干擾信號的抑制。實際使用中可以根據(jù)點火控制信號脈寬要求調(diào)整1及1值。

        圖4 脈沖干擾抑制仿真結(jié)果圖

        4.3 上電配置過程保護仿真

        2和6分別選擇1uF及10kΩ,2選擇555延時器,1選擇一款20A以上的N溝道增強型MOS管。建立電路仿真模型,進行仿真測試,測試結(jié)果見圖5。由圖5測試結(jié)果可見當上電后約11ms延時器輸出高電平,導通MOS管,即上電后11ms內(nèi)MOS管處于截止狀態(tài),圖2所示的9端不會有點火電流流過,在上電11ms內(nèi)處理器配置過程中TTL點火控制信號不穩(wěn)定也不會輸出點火信號,實現(xiàn)了上電配置過程保護。實際使用中可以根據(jù)處理器上電配置所需時間要求調(diào)整2和6值。

        圖5 上電配置過程保護仿真結(jié)果圖

        4.4 試驗驗證

        依據(jù)GJB 151B-2013[5]及GJB 3590-1999[6]要求對實物電路產(chǎn)品開展了電磁兼容性試驗,分別進行了CS101、CS106、CS114、CS115、CS116、RS103及ESD試驗,考核優(yōu)化后的點火電路在各種傳導、輻射及靜電放電電磁環(huán)境下,上電及工作過程中是否能有效避免點火電路誤觸發(fā)。通過監(jiān)測圖2中“點火信號輸出”波形,發(fā)現(xiàn)沒有異常信號輸出,說明電路設計實現(xiàn)了點火信號誤觸發(fā)防護功能。

        5 結(jié)論

        對傳統(tǒng)航天器火工品點火電路進行了改進設計,通過增加電路的欠壓噪聲抑制、脈沖干擾抑制及上電配置保護功能,提高了電路的抗電磁干擾能力和上電配置過程誤觸發(fā)防護能力,經(jīng)過仿真驗證及試驗測試,表明優(yōu)化后的點火電路滿足設計要求。

        [1] 沈超,等.電容放電式火工品點火電路參數(shù)設計與仿真[J].航天返回與遙感,2011,32(1):67-73.

        [2] 李靜海.艦載導彈火工品點火電路安全技術研究[J].國防技術基礎,2008(2):44-47.

        [3] 杜光遠.固體繼電器在武器系統(tǒng)中的應用[J].電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗,2015, 33(5) :28-31.

        [4] 楊頌華,馮毛官,等.數(shù)字電子技術基礎[D].西安:西安電子科技大學,2009.

        [5] GJB 151B-2013軍用設備和分系統(tǒng)電磁發(fā)射和敏感度要求與測量[S].國防科學技術工業(yè)委員會,2013.

        [6] GJB 3590-1999 航天系統(tǒng)電磁兼容性要求[S].國防科學技術工業(yè)委員會,1999.

        Error Trigger Protection Design of Spacecraft Initiator Ignition Circuit

        LIU Hao, YANG Wei-xiu, ZHU Yuan-yuan, YANG Zhi-yuan, REN Bin

        (Beijing Institute of Space Long March Vehicle,Beijing,100076)

        According to the error trigger protection design requirements of spacecraft initiator ignition circuit, noise suppression, pulse interference suppression and power-on configuration protection functions of the circuit were designed, to improve the anti-electromagnetic and configuration protection ability. The simulation and test results indicated the designs guarantees the safety and reliability of spacecraft.

        Initiator;Spacecraft;Ignition circuit;Error trigger;Anti-electromagnetic interference

        TJ450.2

        A

        10.3969/j.issn.1003-1480.2019.04.005

        1003-1480(2019)04-0019-04

        2019-06-12

        劉浩(1982 -),男,高級工程師,主要從事飛行器電氣系統(tǒng)設計研究。

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