熊鵬俊,周 暢,王曉川
雙層磁性材料屏蔽效能研究
熊鵬俊1,周 暢2,王曉川3
(1. 海軍駐武漢第三軍代表室,武漢 430064;2. 武漢第二船舶設(shè)計研究所,武漢 430064;3. 華中科技大學(xué)光學(xué)與電子信息學(xué)院)
為更有效消除船上敏感設(shè)備受到的低頻電磁干擾,研究了雙層屏蔽結(jié)構(gòu)的屏蔽效能。利用CST有限元計算軟件,建立強(qiáng)電電纜計算模型,對不同層間距情況下雙層磁性屏蔽結(jié)構(gòu)屏蔽效能進(jìn)行仿真計算。對比分析表明,在屏蔽材料總厚度一定的情況下,雙層磁性屏蔽結(jié)構(gòu)屏蔽效能隨外部屏蔽層直徑的增大而增大;當(dāng)屏蔽材料總厚度及外部屏蔽層直徑一定時,屏蔽效能隨內(nèi)部屏蔽層直徑的增大,屏蔽效能先增大,后降低,最高差距可達(dá)27 dB。
電磁兼容 雙層磁屏蔽 優(yōu)化
現(xiàn)代艦艇作為綜合性作戰(zhàn)平臺,集成了聲納、通信等大量敏感信號類設(shè)備,為保證這些低頻敏感信號類設(shè)備正常工作,需要有效控制和消除其附近空間中的低頻電磁干擾。低頻電磁干擾主要以磁場耦合為主。降低低頻磁場耦合的方法較多,總體上采取合理的電纜分類敷設(shè)措施、對關(guān)鍵設(shè)備進(jìn)行區(qū)域性布置確能取得一定的效果[1-2],但是艦艇內(nèi)部空間極為寶貴,有限的空間無法完全按照磁場防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行電纜和設(shè)備布置。因此采用屏蔽材料對關(guān)鍵部位進(jìn)行磁屏蔽成為電磁兼容設(shè)計師的必然選擇[3-6]。
由于低頻磁場對于一般銅、銀等非磁性、低磁性材料具有較強(qiáng)的穿透能力,因此低頻電磁干擾抑制較為困難。主流的電磁干擾抑制手段為在強(qiáng)電設(shè)備或電纜外加裝磁性屏蔽材料,對于磁性屏蔽材料的制造、安裝工藝等相關(guān)技術(shù)研究較多,并取得一定的成果[7-12]。但是考慮加工及安裝難度,單層屏蔽材料厚度不宜過厚,屏蔽效能有限,為抑制空間低頻磁場干擾,往往需要使用雙層屏蔽結(jié)構(gòu)。但是雙層屏蔽結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜,影響因素較多,尤其是對交流狀態(tài)下雙層屏蔽結(jié)構(gòu)效能分析的研究報道相對較少[13-14]。本課題對雙層屏蔽結(jié)構(gòu)效能開展了研究。
為有效模擬雙層磁性屏蔽結(jié)構(gòu)的屏蔽效能,本文基于CST EM靜磁仿真模塊建立仿真雙層屏蔽電纜模型如圖1所示。
圖1 雙層屏蔽電纜CST EM模型
雙層磁性屏蔽結(jié)構(gòu)內(nèi)屏蔽層外徑為1,厚度為1,外部屏蔽層外徑為2,厚度為2,內(nèi)外磁屏蔽材料磁導(dǎo)率均為,假設(shè)屏蔽區(qū)域無屏蔽層時磁場強(qiáng)度為0,加裝磁性屏蔽結(jié)構(gòu)后磁場強(qiáng)度為1,則磁屏蔽效能滿足
其中磁屏蔽效能可根據(jù)經(jīng)驗公式獲得,其中雙層圓柱型磁性屏蔽結(jié)構(gòu)屏蔽效能經(jīng)驗公示如下:
經(jīng)驗公式可以使設(shè)計人員快速對磁性屏蔽結(jié)構(gòu)的屏蔽效能進(jìn)行估算。但是磁性屏蔽效能受屏蔽層結(jié)構(gòu)、外部邊界條件、材料自身非線性等各種因素影響較大,經(jīng)驗公式無法對復(fù)雜情況進(jìn)行精確計算,利用CST有限元計算軟件對模型進(jìn)行參數(shù)化建模和仿真計算,可以對復(fù)雜模型進(jìn)行定量分析,確保計算快速,結(jié)果準(zhǔn)確。
按圖1設(shè)置三維仿真模型參數(shù),其中設(shè)定內(nèi)屏蔽層外徑為R,厚度為T,外部屏蔽層外徑為R,電纜長度=5 m,電纜信號強(qiáng)度為0.001 A-1 A,頻率為100×103Hz,發(fā)射電纜邊界條件設(shè)置如圖2所示。
圖2 雙層屏蔽電纜CST EM邊界條件設(shè)置
考慮到雙層屏蔽電纜周圍磁場分布的特異性,分別在電纜周圍均勻選取9個磁場強(qiáng)度監(jiān)測點(diǎn),其位置如下圖所示:
圖3 磁場強(qiáng)度監(jiān)測點(diǎn)分布圖
圖3中L=2.5 m,L=1.2 m,L=60 mm,L=80 mm,L=100 mm。首先計算無屏蔽層時,各個監(jiān)測點(diǎn)屏蔽磁場強(qiáng)度,然后計算加載屏蔽層后各個監(jiān)測點(diǎn)屏蔽磁場強(qiáng)度,根據(jù)式(1)即可換算得到屏蔽層的屏蔽效能。
固定內(nèi)屏蔽層外徑為R=6 mm,外屏蔽層外徑R變化范圍從10 mm-26 mm,完成仿真計算,雙層屏蔽結(jié)構(gòu)磁性屏蔽效能與外屏蔽層外徑R的關(guān)系圖如下;
圖4 磁場強(qiáng)度及屏蔽效能與外部屏蔽層外徑關(guān)系圖
由上圖可以發(fā)現(xiàn),隨著外屏蔽層外徑2的增大,各磁場強(qiáng)度監(jiān)測點(diǎn)磁場強(qiáng)度不斷降低,這說明在內(nèi)外磁屏蔽層厚度,內(nèi)屏蔽層外徑等其它各項參數(shù)一定的情況下,外屏蔽層外徑越大,雙層屏蔽結(jié)構(gòu)的磁性屏蔽效能越強(qiáng)。其原因在于,內(nèi)外屏蔽層之間間隙增加,雙層屏蔽結(jié)構(gòu)形成的低磁阻通路范圍增大,可以將內(nèi)部強(qiáng)電電纜發(fā)射的低頻磁場更加有效的禁錮于屏蔽結(jié)構(gòu)內(nèi)部。同時,隨著外部屏蔽層外徑增大,屏蔽效能增強(qiáng)的趨勢變緩,這說明屏蔽層外徑增加到一定程度后,其帶來的屏蔽效能增益會慢慢降低。
考慮到磁屏蔽結(jié)構(gòu)的尺寸、成本及施工難度,雙層磁屏蔽結(jié)構(gòu)外屏蔽層外徑并非越大越好,可以根據(jù)具體情況具體選擇。
固定外屏蔽層外徑為2=26 mm,內(nèi)屏蔽層外徑1變化范圍從6 mm-25 mm,完成仿真計算。雙層屏蔽結(jié)構(gòu)磁性屏蔽效能與內(nèi)屏蔽層外徑R的關(guān)系圖如下;
圖5 磁場強(qiáng)度及屏蔽效能與內(nèi)部屏蔽層外徑關(guān)系圖
由圖5可知,隨著內(nèi)屏蔽層外徑R的增大,雙層屏蔽結(jié)構(gòu)的磁性屏蔽效能先增大,這是因為,當(dāng)內(nèi)屏蔽層外徑較小時,內(nèi)屏蔽層距離強(qiáng)電電纜較近,其形成的低磁阻通路范圍較小,屏蔽效能較弱。隨著內(nèi)屏蔽層外徑R的進(jìn)一步增大,雙層屏蔽結(jié)構(gòu)磁性屏蔽效能開始降低,這是由于內(nèi)屏蔽層外徑R增大到一定程度后,內(nèi)、外屏蔽層之間的間距降低,雙層屏蔽層整體磁通路減少,導(dǎo)致屏蔽結(jié)構(gòu)整體磁性屏蔽效能降低、
以上分析可知,當(dāng)雙層磁屏蔽結(jié)構(gòu)外屏蔽層外徑一定時,內(nèi)屏蔽層外徑存在最優(yōu)值??梢愿鶕?jù)仿真計算結(jié)果進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計,在不改變雙層屏蔽結(jié)構(gòu)整體厚度的情況下,確保其具有最優(yōu)的屏蔽效果。
綜上所述,CST EM仿真計算可以快速精確得到計算結(jié)果。同單層屏蔽層相比,雙層屏蔽層屏蔽效能明顯更高。此外,雙層屏蔽層內(nèi)、外層直徑的選擇對于屏蔽層整體的屏蔽效能有較大的影響。
本文基于CST仿真軟件,建立了雙層磁性屏蔽材料模型,引入強(qiáng)電電纜,對雙層磁性屏蔽材料在電纜周圍不同位置的磁場屏蔽效能進(jìn)行綜合分析。研究結(jié)果表明,對于100 kHz的典型頻率點(diǎn),屏蔽材料厚度一定的情況下,雙層磁性屏蔽材料的屏蔽效能隨外部屏蔽層的外徑增加而增大;而在外部屏蔽層外徑保持一定的情況下,屏蔽效能隨著內(nèi)部屏蔽層外徑的增加,先增大后減小,最大差距可達(dá)27 dB。由此可見,在保持雙層磁性屏蔽結(jié)構(gòu)整體尺寸的前提下,通過優(yōu)化設(shè)計,可以有效的指導(dǎo)屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)計,提高屏蔽結(jié)構(gòu)的整體屏蔽效能。電纜屏蔽層是電纜電磁兼容設(shè)計的關(guān)鍵所在,基于CST設(shè)計軟件對電纜屏蔽結(jié)構(gòu)進(jìn)行三維建模和整體仿真計算,可以快速、準(zhǔn)確完成復(fù)雜屏蔽結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計,有效增強(qiáng)艦船關(guān)鍵電纜電磁防護(hù)水平,提高設(shè)計效率。
[1] 陳窮, 蔣全興, 周開基, 王素英等. 電磁兼容性工程設(shè)計手冊[M].北京: 國防工業(yè)出版社, 1993.
[2] 周暢,楊華榮, 許榮彧, 劉剛, 瞿丹, 樊友文等. 基于CST的多電纜耦合影響仿真分析[J]. 艦船科學(xué)技術(shù), 2015, 10(37): 77-80.
[3] 周暢, 殷虎, 楊華榮, 劉剛, 許榮彧, 瞿丹, 樊友文等. 基于CST的接地電阻對金屬編織網(wǎng)屏蔽效果影響仿真分析[J]. 船電技術(shù), 2015, 11(35): 19-22.
[4] 熊鵬俊, 周暢, 張星, 魏世樂, 張建國等. 非線性磁材料屏蔽效能研究[J]. 船電技術(shù), 2016, 36(10): 19-22.
[5] 任世炎, 劉情新, 任琳等. 徑向干擾磁場下電流比較儀雙層磁屏蔽效能[J]. 華中科技大學(xué)學(xué)報, 2014, 12(42):6-9.
[6] 周輝.磁屏蔽技術(shù)的仿真研究[D]. 湖南: 湖南大學(xué), 2014.
[7] 聶世東.低頻磁屏蔽膜的制備與性能研究[D]. 北京: 北京工業(yè)大學(xué), 2007.
[8] 趙啟博,姚臘紅, 王向欣等. 磁導(dǎo)率與厚度因素對磁屏蔽效能的影響[J]. 武漢工程職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)報, 2008, 2(19):13-16.
[9] 管登高,黃婉霞, 陳家釗, 涂銘苼等. 低頻電磁波磁屏蔽復(fù)合涂料研究[J]. 電工技術(shù)雜志, 2002, 12:29-30.
[10] 胡濤春. 磁屏蔽電纜感應(yīng)耦合干擾抑制機(jī)理分析[D]. 北京:北京工業(yè)大學(xué), 2016.
[11] 張進(jìn)治, 何艾生, 付雪奎, 華佩文, 周貽茹等. Bi(2223)超導(dǎo)體的磁屏蔽效應(yīng)[J]. 功能材料, 1998, 29(3):333-335.
[12] 胡春濤,王群, 唐章宏等. 軟磁薄膜材料對電力電纜的低頻磁屏蔽效果[J]. 安全與電磁兼容, 2016,3:53-58.
[13] 胡葉青,林春生, 周建軍等. 多層圓柱殼屏蔽體的徑向靜磁屏蔽效能分析[J]. 武漢理工大學(xué)學(xué)報, 2012,6(36):1306-1309.
[14] 唐章宏,胡春濤, 周樂偉, 王群等. 電纜磁耦合分析及磁屏蔽材料應(yīng)用[J]. 安全與電磁兼容, 2016,4: 53-56.
The Research on the Shielding Effectiveness of the Double-layer Magnetic Material
Xiong Pengjun1, Zhou Chang2, Wang Xiaochuan3
(1. The Third Naval Military Representativ Office in Wuhan, Wuhan 430064, China; 2. Wuhan Second Ship Design and Research Institute, Wuhan 430064, China; 3. School of Optics and Electonic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430072, China)
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O482.54
A
1003-4862(2019)09-0006-04
2019-05-14
國防科工局JSCG2016110B006
熊鵬?。?986-),男,高級工程師。研究方向:船機(jī)電、電磁兼容設(shè)計與研究。E-mail: rabbite6@126.com