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        交指型MEMS濾波器的優(yōu)化設(shè)計

        2019-08-29 02:34:04唐小龍何西良梁柳洪劉洋宏
        壓電與聲光 2019年4期
        關(guān)鍵詞:濾波器空間優(yōu)化

        唐小龍,金 中,何西良,劉 婭,梁柳洪,劉洋宏

        (中國電子科技集團公司第二十六研究所,重慶 400060)

        0 引言

        交指型微機電系統(tǒng)(MEMS)濾波器是指采用MEMS工藝制備出的交指型結(jié)構(gòu)濾波器,其具有工作頻率高,阻帶寬,一致性好及體積小等優(yōu)點,近年來受到國內(nèi)、外學(xué)者和機構(gòu)的關(guān)注和研究[1-7]。

        目前,交指型MEMS濾波器的設(shè)計方法大多采用類似于文獻[1-6]中的電磁優(yōu)化算法,該方法存在優(yōu)化速度慢,占用計算資源大等缺點。主動空間映射算法主要是在兩個模型(精確而慢速的精細模型和低精度卻快速的粗糙模型)的設(shè)計參數(shù)間建立一種數(shù)學(xué)聯(lián)系(映射),目的是避免慢速精細模型優(yōu)化濾波器結(jié)構(gòu)的高成本運算[8],該方法已廣泛應(yīng)用于各種微波濾波器優(yōu)化設(shè)計中[9-11]。文獻[7]采用主動空間映射算法,僅進行了7次迭代就完成中心頻率20.4 GHz,帶寬1.6 GHz的交指型MEMS濾波器優(yōu)化設(shè)計。但文獻[7]建立的粗糙模型為耦合參數(shù)模型,需要采用柯西法進行模型參數(shù)提取,再對精確模型的仿真結(jié)果進行取樣并計算,過程復(fù)雜。本文所采用的主動空間映射算法與文獻[7]不同,是通過在ADS軟件中建立交指型MEMS濾波器電路結(jié)構(gòu)模型作為粗糙模型,而非耦合參數(shù)模型。在HFSS中建立的濾波器三維電磁模型作為精確模型,通過曲線擬合提取濾波器設(shè)計參數(shù),并使用Matlab進行編程和數(shù)據(jù)處理,過程簡單、快速。

        1 交指型MEMS濾波器優(yōu)化設(shè)計原理

        1.1 交指型MEMS濾波器結(jié)構(gòu)

        典型的交指型MEMS濾波器結(jié)構(gòu)如圖1所示。交指結(jié)構(gòu)分布在中間層,頂層和底層為地,通過通孔實現(xiàn)互聯(lián),輸入、輸出端口常采用抽頭方式。

        圖1 交指型MEMS濾波器結(jié)構(gòu)

        每根指條為一個諧振器,諧振器的諧振頻率f主要由諧振器長度Li其中下角i為第i根指條決定,即

        Li≈λg/4

        (1)

        (2)

        式中:c為光速;εeff為介質(zhì)材料有效介電常數(shù);λg為工作在頻率f處的信號在介質(zhì)材料中的波長,由于指條邊緣電容的存在,Li略小于λg/4。指條間距主要影響諧振器間的耦合系數(shù),間距越小耦合系數(shù)越大,反之亦然。抽頭的位置主要影響濾波器的外部品質(zhì)因數(shù)。

        濾波器的主要設(shè)計參數(shù)有:指條長度L、指條間距S及抽頭位置Lt。因此,七階濾波器的設(shè)計參數(shù)包括:指條1~7的長度分別為L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7,指條間距分別為S12、S23、S34、S45,S56、S67及抽頭到接地端的距離Lt,其中S12為指條1、2間的間距,S23為指條2、3間的間距,依次類推。為減少設(shè)計參數(shù),濾波器常采用對稱結(jié)構(gòu),即同時滿足L1=L7,L2=L6,L3=L5,S12=S67,S23=S56,S34=S45。

        1.2 交指型MEMS濾波器優(yōu)化設(shè)計方法

        主動空間映射算法是通過建立粗糙空間和精細空間的映射關(guān)系,將優(yōu)化工作放到耗時少的粗糙空間中進行,在精細空間里驗證優(yōu)化的結(jié)果,這樣既保證了電磁優(yōu)化的精度,同時又有效地提高了優(yōu)化效率。

        ADS軟件仿真速度快,具有較完善的電路結(jié)構(gòu)模型及出色的自動優(yōu)化功能,非常適合建立交指型MEMS濾波器粗糙模型。粗糙模型中包含平行耦合線、邊緣傳輸線、抽頭傳輸線等結(jié)構(gòu)模型,這些模型通過參數(shù)化設(shè)置,能夠計算出濾波器在不同結(jié)構(gòu)參數(shù)下的頻響特性。圖2為七階交指型MEMS濾波器粗糙模型示意圖,粗糙模型的設(shè)計參數(shù)xc=[L1,L2,L3,L4,S12,S23,S34,Lt]。

        圖2 交指型MEMS濾波器的粗糙模型

        模型中的其余結(jié)構(gòu)參數(shù)可通過設(shè)計參數(shù)表達式來表征,有利于軟件進行自動優(yōu)化。

        根據(jù)圖1的結(jié)構(gòu),在HFSS中建立的三維電磁仿真模型(見圖3),作為空間映射算法所需的精細模型,其設(shè)計參數(shù)xf=[L1,L2,L3,L4,S12,S23,S34,Lt],與粗糙模型設(shè)計參數(shù)可一一對應(yīng)。

        圖3 交指型MEMS濾波器精細模型

        在采用主動空間映射算法進行優(yōu)化設(shè)計的過程中粗糙模型不能更改或更換。優(yōu)化設(shè)計方法主要分兩步:

        1) 優(yōu)化粗糙模型的參數(shù)以滿足設(shè)計指標要求。

        2) 在兩種模型的設(shè)計參數(shù)間建立映射關(guān)系,然后將空間映射設(shè)計參數(shù)視為最優(yōu)粗糙模型映射產(chǎn)生的鏡像。主動空間映射算法詳細步驟見文獻[8],其參數(shù)提取過程是整個算法的關(guān)鍵,具體步驟是將精確模型仿真結(jié)果導(dǎo)入到粗糙模型ADS軟件中,并通過優(yōu)化算法進行擬合,擬合完成后再使用Matlab和文獻[8]所介紹的計算方法對設(shè)計參數(shù)進行進一步處理,得到下一次精確模型的設(shè)計參量。擬合過程的優(yōu)化目標函數(shù)F定義如下:

        F=abs(dB(S2,1)-dB(S4,3))

        (3)

        F=abs(dB(S1,1)-dB(S3,3))

        (4)

        式中:abs()和dB()均為軟件自帶函數(shù),分別表示求取絕對值和以dB為單位的計算;S2,1,S1,1為粗糙模型的S參數(shù);S4,3,S3,3為精確模型的S參數(shù)。

        2 交指型MEMS濾波器優(yōu)化設(shè)計

        采用第1.2節(jié)中的優(yōu)化設(shè)計方法,設(shè)計一款指標如表1所示的濾波器,通過計算七階交指型MEMS濾波器即可滿足指標要求。

        表1 濾波器設(shè)計指標要求

        本文介質(zhì)層材料采用厚為400 μm的高阻硅,介電常數(shù)為11.9。金屬層材料為金,厚為2 μm。優(yōu)化設(shè)計過程如下:

        圖4 交指型MEMS濾波器的迭代響應(yīng)曲線

        表2 迭代過程數(shù)據(jù)

        3 結(jié)果與討論

        精確模型第一次計算得到的頻響結(jié)果與粗糙模型理想設(shè)計得到的頻響結(jié)果相差較大,其原因主要是模型間存在較大差異。隨著迭代次數(shù)的不斷增加,響應(yīng)曲線的頻率、帶寬等指標均不斷被優(yōu)化,使得與粗糙模型理想響應(yīng)曲線非常接近,最終濾波器中心頻率為14 GHz,頂部損耗為1.6 dB,-1 dB帶寬2.2 GHz,帶外抑制指標也已滿足設(shè)計要求。

        4 結(jié)束語

        本文采用主動空間映射算法,使用ADS、HFSS和Matlab等軟件對交指型MEMS濾波器優(yōu)化設(shè)計技術(shù)進行了研究。針對文中提出的設(shè)計指標,僅進行了4次參數(shù)提取和5次精確模型仿真計算,便完成了一款七階交指型MEMS濾波器的優(yōu)化設(shè)計。相對于電磁仿真軟件中的全波電磁參數(shù)掃描和優(yōu)化,不僅減少了全波電磁仿真的次數(shù),且能夠較好地實現(xiàn)設(shè)計目標,從而提高了優(yōu)化效率和設(shè)計的靈活性,減少了濾波器的設(shè)計時間。與文獻[7]相比,本文所采用的優(yōu)化設(shè)計方法更簡便、快捷。

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