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        水培番茄側(cè)根對(duì)鹽脅迫的響應(yīng)

        2019-08-13 07:45:54王衛(wèi)華
        中國(guó)蔬菜 2019年8期
        關(guān)鍵詞:主根側(cè)根根長(zhǎng)

        程 貝 王衛(wèi)華

        (昆明理工大學(xué)農(nóng)業(yè)與食品學(xué)院,云南昆明 650500)

        番茄的營(yíng)養(yǎng)價(jià)值和藥用價(jià)值極高,越來(lái)越受到人們的喜愛(ài)。我國(guó)土壤鹽漬化情況嚴(yán)重,淡水資源缺乏,海水資源豐富,且海水中離子主要組成為Na+、Cl-(Han & Lyu,2017),因此,研究番茄對(duì)鹽(NaCl)脅迫的響應(yīng)顯得尤為重要。

        植物根系的發(fā)育狀況是影響產(chǎn)量的主要因素,同種作物的產(chǎn)量隨著根量的增加而增加(Han & Lyu,2017)。根系礦質(zhì)營(yíng)養(yǎng)吸收量和細(xì)胞分裂素產(chǎn)生量與作物產(chǎn)量密切相關(guān),根系的生長(zhǎng)狀況直接影響葉片的功能和壽命,而鹽漬環(huán)境會(huì)抑制非鹽生植物根系的生長(zhǎng)發(fā)育。Rossi 等(2015)研究發(fā)現(xiàn)NaCl 處理顯著抑制了橄欖樹(shù)扦插苗的根系長(zhǎng)度,同時(shí)增加了葉片中Na+的含量。隨NaCl 濃度增加,小麥的根長(zhǎng)、苗質(zhì)量、根質(zhì)量、根數(shù)等呈下降趨勢(shì)(王萍 等,2010)。但也有研究表明,低濃度NaCl 能夠顯著促進(jìn)植物的生長(zhǎng),如低濃度NaCl 顯著提高了水培韭菜的產(chǎn)量和品質(zhì),降低了硝酸鹽的累積(季延海 等,2015);櫟樹(shù)在低濃度鹽脅迫下,根系形態(tài)學(xué)參數(shù)明顯增加(王樹(shù)鳳 等,2014)。側(cè)根是植物根系的重要組成部分,具有吸收、運(yùn)輸養(yǎng)分和水分,以及固定植株的作用,側(cè)根對(duì)鹽脅迫的響應(yīng)與整個(gè)根系的生長(zhǎng)密切相關(guān)(季延海 等,2015)。目前對(duì)于側(cè)根的研究大多集中在須根系植物,或采用剪掉主根的方式觀(guān)測(cè),大多以擬南芥、棉花、玉米、小麥為材料。

        本試驗(yàn)用直觀(guān)易操作的分根水培裝置,在不破壞根系完整的情況下將同一株番茄的側(cè)根分離出來(lái)與主根分開(kāi)培養(yǎng),將與主根分在同側(cè)的側(cè)根剪掉,既避免了主根缺失可能引起的生理變化,又能單獨(dú)觀(guān)測(cè)側(cè)根的生長(zhǎng)狀況,結(jié)合Logistic 生長(zhǎng)模型對(duì)側(cè)根根系在鹽脅迫下的發(fā)育進(jìn)行探討。旨在探討剪斷與主根同側(cè)的側(cè)根對(duì)另一邊側(cè)根生長(zhǎng)的影響,為研究鹽脅迫下番茄主、側(cè)根的營(yíng)養(yǎng)吸收情況提供理論參考。

        1 材料與方法

        1.1 試驗(yàn)設(shè)計(jì)

        試驗(yàn)于2017 年6 月在昆明理工大學(xué)農(nóng)業(yè)與食品學(xué)院溫室大棚內(nèi)進(jìn)行,晝夜溫度為25 ℃/20 ℃。供試番茄品種為抗病性較強(qiáng)的石頭,種子從云南昆明斗南花卉市場(chǎng)購(gòu)得。將顆粒飽滿(mǎn)且無(wú)病斑的番茄種子播種于劃分好格子(每格3 粒)的泡沫漂浮板上,格內(nèi)盛有營(yíng)養(yǎng)基質(zhì)腐殖質(zhì)+珍珠巖,將漂浮板放置于清水中進(jìn)行懸浮育苗。待幼苗長(zhǎng)到兩葉一心時(shí),挑選長(zhǎng)勢(shì)一致的幼苗移栽至水培箱,加Hogland’s 營(yíng)養(yǎng)液繼續(xù)培養(yǎng)。水培箱長(zhǎng)、寬、高分別為20、20、30 cm,中間用隔板一分為二,兩側(cè)隔絕嚴(yán)密互不影響,每側(cè)容積5 L。幼苗用泡沫板固定在隔板頂部的凹槽內(nèi),移栽時(shí)將根系按根數(shù)平均分開(kāi),將帶有主根的部分置于左側(cè),并將主根同一側(cè)的側(cè)根全部剪掉,側(cè)根置于右側(cè),著重觀(guān)測(cè)其生長(zhǎng)狀況并進(jìn)行相關(guān)指標(biāo)的測(cè)定(圖1)。每隔2 d在貼近主根的位置修剪主根發(fā)出的側(cè)根,對(duì)主根的切口不斷形成,從而與程貝等(2018)在主根完好狀態(tài)下右側(cè)側(cè)根的生長(zhǎng)進(jìn)行對(duì)比。當(dāng)幼苗長(zhǎng)到4 片真葉時(shí),分別對(duì)主、側(cè)根添加等量的NaCl,開(kāi)始鹽脅迫處理。

        圖1 分根水培示意圖

        本試驗(yàn)在程貝等(2018)的研究基礎(chǔ)上,已知鹽濃度為0~0.4%時(shí)番茄植株可正常生長(zhǎng),故設(shè)4個(gè)鹽分梯度,分別記為CK(0,0)、T1(0.1%,0.1%)、T2(0.2%,0.2%)、T3(0.3%,0.3%)。程貝等(2018)的試驗(yàn)設(shè)計(jì)中,設(shè)置了(0,0)、(0.2%,0.2%)、(0.3%,0.3%)3 個(gè)左右濃度相等的處理,因此在后文對(duì)比中,僅比較CK、T2 和T3 這3 個(gè)處理下的數(shù)據(jù)。將程貝等(2018)的試驗(yàn)設(shè)計(jì)記為方案A,本試驗(yàn)設(shè)計(jì)記為方案B。每處理15 株,6 次重復(fù),測(cè)量時(shí)隨機(jī)抽取長(zhǎng)勢(shì)一致的植株。每5 d 更換1 次營(yíng)養(yǎng)液以保證鹽濃度一致,試驗(yàn)從鹽脅迫開(kāi)始到植株第1 花序現(xiàn)蕾結(jié)束,歷時(shí)30 d。

        1.2 項(xiàng)目測(cè)定及方法

        根系活力測(cè)定:采用TTC 法(苗海霞 等,2005)。鹽脅迫處理30 d 后,每處理隨機(jī)挑選3 株,取平均值。

        根系干質(zhì)量測(cè)定:采用烘干法。鹽脅迫處理30 d 后,將番茄根系從水培箱中完好取出,將表面雜物清理干凈,用濾紙吸干表面的水分。將側(cè)根于105 ℃殺青后,80 ℃烘干至恒重,用電子秤(精度0.001 g)稱(chēng)其干質(zhì)量。每處理隨機(jī)挑選3 株,取平均值。

        根系形態(tài)指標(biāo)測(cè)定:采用圖像分析法。鹽脅迫處理后,每隔10 d,各處理隨機(jī)抽取3 株進(jìn)行測(cè)量。將待測(cè)番茄苗從水培箱中完整取出,清理干凈。將待測(cè)側(cè)根平鋪在玻璃盤(pán)內(nèi),盡量避免重疊。用HP掃描儀掃描根系,指定掃描顏色為黑白色,圖像保存格式為T(mén)IF,分辨率設(shè)置為300 dpi。采用根系圖像分析軟件DT-SCAN 對(duì)根系的總根長(zhǎng)、根體積、根表面積、平均直徑和根尖數(shù)進(jìn)行定量測(cè)定,取平均值。

        耐鹽指標(biāo)的篩選:鹽脅迫后30 d,選擇不同鹽脅迫處理下差異達(dá)顯著水平的根系形態(tài)指標(biāo),用DPS 軟件進(jìn)行主成分分析,進(jìn)行耐鹽指標(biāo)的篩選。

        1.3 Logistic 生長(zhǎng)模型及參數(shù)估計(jì)

        Logistic 函數(shù)或Logistic 曲線(xiàn)是一種常見(jiàn)的 “S”形函數(shù),它是皮埃爾 · 弗朗索瓦 · 韋呂勒在1844 或1845 年研究它與人口增長(zhǎng)的關(guān)系時(shí)命名的。Logistic 生長(zhǎng)曲線(xiàn)方程模型為:

        式中,Y 為各項(xiàng)指標(biāo)生長(zhǎng)量的模擬值(模擬根系總根長(zhǎng)時(shí)單位為mm,模擬根表面積時(shí)單位為mm2,模擬根體積時(shí)單位為cm3);t 為根系的發(fā)育時(shí)間(本試驗(yàn)為根系受鹽脅迫以后的天數(shù));m、k為參數(shù),e 為自然對(duì)數(shù)的底數(shù)。A 為根系生長(zhǎng)的極限值,由四點(diǎn)法求得(Shang et al.,1997),公式為:

        式中,t1、y1、t4、y4為實(shí)測(cè)值的起點(diǎn)和終點(diǎn),t2、y2、t3、y3為實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)中間2 個(gè)點(diǎn)。

        在用SPSS 軟件對(duì)Logistic 曲線(xiàn)進(jìn)行擬合時(shí)(董江水,2007),輸出參數(shù)值為b0、b1。所以,式①中k=ln(b1),m=b0×A。

        將A、k、m 值代入公式①,即得Logistic 曲線(xiàn)方程。對(duì)①式求導(dǎo),可得到根系生長(zhǎng)速率V(當(dāng)模擬總根長(zhǎng)時(shí)單位為mm · d-1,當(dāng)模擬根表面積時(shí)單位為mm2· d-1,當(dāng)模擬根體積時(shí)單位為cm3· d-1)。

        對(duì)①式求三階導(dǎo),令其為0,可得:

        ta、tb、tc分別為根系生長(zhǎng)的始盛點(diǎn)、高峰點(diǎn)和盛末點(diǎn)。將根系快速生長(zhǎng)的時(shí)間定義為從始盛點(diǎn)到盛末點(diǎn)的時(shí)間。

        1.4 數(shù)據(jù)分析

        試驗(yàn)數(shù)據(jù)采用Excel 2016 軟件繪圖,DPS 軟件進(jìn)行主成分分析,SPSS 19.0 軟件進(jìn)行方差分析(P <0.05)和Logistic 生長(zhǎng)曲線(xiàn)模擬。

        2 結(jié)果與分析

        2.1 鹽脅迫對(duì)番茄根系活力和根系干質(zhì)量的影響

        水培條件下,當(dāng)主根受到傷害時(shí),不同濃度NaCl 對(duì)番茄側(cè)根的根系活力和根系干質(zhì)量的影響顯著(表1)。T1 處理的根系活力和根系干質(zhì)量分別較對(duì)照提高了43.82%和9.97%,表明T1 處理下根系有較強(qiáng)的適應(yīng)能力,可保持較高的活力;T2處理的根系活力較對(duì)照增加了27.92%,但根系干質(zhì)量反而出現(xiàn)了小幅下降,說(shuō)明T2 處理下根系的耐鹽機(jī)制已經(jīng)減弱,需要消耗更多的能量來(lái)增強(qiáng)吸收、運(yùn)輸?shù)饶芰?;T3 處理的根系活力和根系干質(zhì)量均顯著低于對(duì)照,根系耐鹽機(jī)制遭到破壞,生長(zhǎng)受到抑制。

        表1 鹽脅迫對(duì)側(cè)根根系活力和根系干質(zhì)量的影響

        2.2 鹽脅迫對(duì)番茄根系生長(zhǎng)指標(biāo)的影響

        從圖2 可以看出,不同鹽濃度處理下側(cè)根的總根長(zhǎng)、根表面積、根體積均隨時(shí)間的推移不斷增大,其生長(zhǎng)過(guò)程經(jīng)歷了慢-快-慢3 個(gè)階段。0~6 d 生長(zhǎng)較慢,各個(gè)處理間無(wú)明顯差異,為生長(zhǎng)漸增期;6~18 d 時(shí)生長(zhǎng)速率加快,幾乎呈線(xiàn)性增長(zhǎng),為生長(zhǎng)陡增期;18 d 后各處理根系形態(tài)指標(biāo)的增長(zhǎng)又趨于緩慢,生長(zhǎng)速率降低,為生長(zhǎng)緩增期。根系增長(zhǎng)大體上符合Logistic 曲線(xiàn)的“S”型生長(zhǎng)模型。鹽脅迫30 d 后,T1 處理的根系總根長(zhǎng)、根表面積和根體積分別比對(duì)照增加了10.16%、8.01%、10.14%;T2、T3 處理的各指標(biāo)均低于對(duì)照。根平均直徑則隨鹽脅迫處理濃度的升高逐漸變小,鹽脅迫30 d 后,T3處理的根系直徑較對(duì)照下降了19.15%。說(shuō)明在輕度鹽脅迫(0.1%)下,根系是通過(guò)直徑的減小和根長(zhǎng)的伸長(zhǎng)來(lái)適應(yīng)漸增的鹽濃度環(huán)境。

        2.3 兩種試驗(yàn)方案的對(duì)比

        在其他條件相同,僅主根處理不同時(shí),比較方案A(完整根系)與方案B(切除主根一側(cè),即左側(cè)的全部側(cè)根)右側(cè)根系的指標(biāo)可知(圖3),鹽脅迫30 d 后,方案B 中CK、T2、T3 處理下根系的總根長(zhǎng)分別較方案A 增加了1.24%、1.40%和2.64%,根系干質(zhì)量分別較方案A 增加了9.64%、4.11%和9.45%。在兩個(gè)試驗(yàn)中均測(cè)定了根系鹽離子含量等指標(biāo),結(jié)果均為方案B 較方案A 側(cè)根生長(zhǎng)更好,因數(shù)據(jù)繁多不再贅述。說(shuō)明當(dāng)主根受到傷害時(shí),相比主根 完好的情況,側(cè)根長(zhǎng)勢(shì)旺盛,由于主根營(yíng)養(yǎng)吸收受阻,側(cè)根進(jìn)行補(bǔ)償生長(zhǎng),各項(xiàng)指標(biāo)均有所增加。

        圖3 不同方案對(duì)鹽脅迫下根系指標(biāo)的影響

        表2 不同鹽脅迫處理下的根系指標(biāo)(鹽脅迫后30 d)

        2.4 番茄根系耐鹽指標(biāo)的篩選

        如表2 所示,各鹽脅迫濃度處理下,除了根系平均直徑以外,其他各指標(biāo)的差異均達(dá)到顯著水平。因此,選擇根系總根長(zhǎng)、根表面積、根體積、根系干質(zhì)量、根系活力和根尖數(shù)這幾個(gè)指標(biāo)用DPS軟件進(jìn)行主成分分析。

        選擇主成分的依據(jù)主要是特征值和貢獻(xiàn)率,各特征值大小代表了各綜合指標(biāo)對(duì)總方差貢獻(xiàn)的大小,特征向量表示各性狀對(duì)綜合指標(biāo)貢獻(xiàn)的大小(劉祎 等,2017)。把與根系耐鹽性有關(guān)的6 個(gè)指標(biāo)轉(zhuǎn)化為3 個(gè)主要成分,特征值以1 為標(biāo)準(zhǔn),由表3 可知,第1 主成分的特征值為5.495 6,貢獻(xiàn)率達(dá)到91.593 9%,反映了根系 91.593 9%的信息。第2、3 主成分的特征值均小于1。因此,第1 主成分可作為側(cè)根耐鹽性評(píng)價(jià)的綜合指標(biāo)。

        表3 主成分的特征值和累計(jì)貢獻(xiàn)率

        由表4 可知,第1 主成分的表達(dá)式為Prinl= 0.42X1+0.42X2+0.42X3+0.41X4+0.36X5+0.40X6, 其 中特征向量系數(shù)較大的為X1、X2、X3,對(duì)應(yīng)的指標(biāo)分別為總根長(zhǎng)、根表面積、根體積。因此,這3 個(gè)指標(biāo)是反映鹽分脅迫最重要的根系指標(biāo)。

        2.5 番茄側(cè)根的Logistic 生長(zhǎng)模型及特征值

        運(yùn)用SPSS 軟件對(duì)3 個(gè)主要的耐鹽指標(biāo)進(jìn)行Logistic 生長(zhǎng)曲線(xiàn)方程的模擬(表5),T1 處理側(cè)根根長(zhǎng)的始盛點(diǎn)、高峰點(diǎn)、盛末點(diǎn)較對(duì)照分別延遲了2.00、1.52、1.03 d。根表面積和根體積的生長(zhǎng)始盛點(diǎn)也較對(duì)照分別推遲了0.65、0.11 d;但進(jìn)入陡增期后,T1 處理總根長(zhǎng)的最大生長(zhǎng)速率比對(duì)照增加了25.54%,雖進(jìn)程推后,最大生長(zhǎng)速率卻增加。T1 處理的根表面積和根體積的最大生長(zhǎng)速率也分別比對(duì)照增加了10.97%和13.04%。說(shuō)明濃度為0.1%的鹽溶液雖推遲了根系的生育進(jìn)程,但是刺激了中后期側(cè)根根長(zhǎng)的伸長(zhǎng),從而促進(jìn)了根表面積和根體積的增加。T2、T3 處理下總根長(zhǎng)的始盛點(diǎn)、高峰點(diǎn)和盛末點(diǎn)則均比對(duì)照提前,最大生長(zhǎng)速率均低于對(duì)照,根系表面積、根體積的始盛點(diǎn)也相應(yīng)推遲。說(shuō)明根系隨著鹽脅迫程度的增加抑制逐漸加重,不能較好地適應(yīng),需將快速發(fā)育的進(jìn)程提前以減輕水分 消耗。

        表4 番茄根系指標(biāo)的主成分分析結(jié)果

        表5 不同鹽分處理下番茄根長(zhǎng)的Logistic 生長(zhǎng)模型及特征值

        3 討論

        根系活力是植物根系的吸收能力、合成能力、氧化能力和還原能力等的綜合反映,是一種能夠較客觀(guān)地反映植物根系生命活動(dòng)和活力水平的重要生理指標(biāo)(楊兵 等,2016)。本試驗(yàn)結(jié)果表明,番茄側(cè)根的根系活力均隨鹽濃度的增加呈先增后減的趨勢(shì),這與苗海霞等(2005)對(duì)苦楝的研究結(jié)果一致。因?yàn)榈蜐舛鹊柠}脅迫促進(jìn)了根系對(duì)營(yíng)養(yǎng)元素的吸收,提高了對(duì)有機(jī)物質(zhì)的合成。在鹽脅迫條件下植物根系活力增加是植物對(duì)逆境的適應(yīng)過(guò)程中發(fā)生的反應(yīng),是一個(gè)極度耗能的過(guò)程,要消耗大量營(yíng)養(yǎng)物質(zhì)。因此,隨著鹽濃度增加,側(cè)根的根系活力雖然高于對(duì)照,但是根系干質(zhì)量卻小幅下降。這與此時(shí)根系直徑的減小有關(guān)。大部分學(xué)者認(rèn)為鹽脅迫會(huì)抑制根系的生長(zhǎng),也有少部分認(rèn)為適度脅迫有利于鍛煉根系的耐鹽性。本試驗(yàn)結(jié)果表明,鹽濃度為0.1%時(shí),側(cè)根的總根長(zhǎng)、根表面積和根體積均高于對(duì)照,根系直徑卻減小了。這表明根系在不利環(huán)境下可以調(diào)整自身的形態(tài)建成從而改善逆境環(huán)境,比如通過(guò)根長(zhǎng)的伸長(zhǎng)增加根表面積來(lái)提高根系的耐鹽性。這與弋良朋和王祖?zhèn)ィ?011)對(duì)3 種濱海鹽生植物的根系生長(zhǎng)分布的研究結(jié)果一致,鹽脅迫下根系通過(guò)減小直徑、增加根系長(zhǎng)度來(lái)擴(kuò)大范圍以獲得更大的面積來(lái)吸收養(yǎng)分。根系的伸長(zhǎng)是評(píng)價(jià)根系抗逆性的指標(biāo)之一,植物根系中徑級(jí)較大的根系主要承擔(dān)支撐、運(yùn)輸和貯藏等功能,而吸收功能主要由徑級(jí)較小的細(xì)根承擔(dān)。本試驗(yàn)中T2 處理側(cè)根的總根長(zhǎng)、根表面積、根體積、根直徑均下降,說(shuō)明此時(shí)側(cè)根對(duì)鹽分吸收量過(guò)大,且運(yùn)輸不便導(dǎo)致累積阻塞。當(dāng)鹽濃度繼續(xù)增大到0.3%時(shí),由于高鹽促進(jìn)生長(zhǎng)素在根伸長(zhǎng)區(qū)過(guò)量積累,抑制其重新循環(huán),細(xì)胞伸長(zhǎng)受到抑制,從而導(dǎo)致根伸長(zhǎng)區(qū)的生長(zhǎng)受到抑制,最終抑制了根系的生長(zhǎng)(楊兵 等,2016)。

        與程貝等(2018)的試驗(yàn)結(jié)果相比較,在鹽濃度相同時(shí),本試驗(yàn)根系所表現(xiàn)出來(lái)的生存抗鹽能力更強(qiáng),說(shuō)明當(dāng)主根受到傷害會(huì)激發(fā)側(cè)根的生存潛力。盧穎林等(2010)將番茄的主根切斷,對(duì)側(cè)根進(jìn)行分根,研究左右不同的氮素水平對(duì)番茄根系生長(zhǎng)的影響,結(jié)果表明剪斷主根對(duì)番茄生長(zhǎng)無(wú)顯著影響,且分根處理較全根處理更能促進(jìn)根系的發(fā)育。由此可見(jiàn),對(duì)于番茄來(lái)說(shuō),主根的缺失不會(huì)對(duì)植物生長(zhǎng)造成過(guò)多影響,反而會(huì)促進(jìn)側(cè)根的生長(zhǎng)。番茄在早期主根較明顯,隨著生長(zhǎng)發(fā)育側(cè)根逐漸發(fā)達(dá),也能起到固定植株的作用。

        Logistic 方程能較好地描述植物的生長(zhǎng)過(guò)程,吳俊文等(2015)、楊再?gòu)?qiáng)等(2017)曾用Logistic方程分別研究了楸樹(shù)無(wú)性系和設(shè)施甜椒在不同處理下的葉面積、葉長(zhǎng)和葉寬,發(fā)現(xiàn)其擬合程度較好。本試驗(yàn)用Logistic 方程研究番茄側(cè)根在不同鹽脅迫下的生長(zhǎng)發(fā)育,發(fā)現(xiàn)在輕度脅迫(0.1%)下側(cè)根的生育進(jìn)程推后,主要是因?yàn)辂}脅迫下,新生細(xì)胞的數(shù)量減少而成熟細(xì)胞的長(zhǎng)度縮小,導(dǎo)致了根系生長(zhǎng)緩慢。West 等(2004)對(duì)擬南芥的研究也表明,鹽脅迫會(huì)抑制根系細(xì)胞的伸長(zhǎng),使根系的生長(zhǎng)受到抑制。鹽脅迫下,生育進(jìn)程提前,說(shuō)明此時(shí)根系生存能力減弱,不得不將生育進(jìn)程提前減輕鹽分累積,之后隨鹽脅迫逐漸加重,提前進(jìn)入盛末期。本試驗(yàn)水培箱生長(zhǎng)空間有限,但其生長(zhǎng)狀況也符合慢-快-慢的規(guī)律,雖然處理始盛點(diǎn)不同,但為保證試驗(yàn)科學(xué)性,結(jié)束的時(shí)間是相同的。通過(guò)試驗(yàn)觀(guān)察得出,T2 處理在試驗(yàn)結(jié)束時(shí)側(cè)根的總根長(zhǎng)、根表面積和根體積仍表現(xiàn)出快速增長(zhǎng)的趨勢(shì)。在利用微咸水水培番茄過(guò)程中,當(dāng)鹽分濃度為0.1% 時(shí),可適當(dāng)延長(zhǎng)培育時(shí)間或更換容積更大的水培裝置,延遲收獲時(shí)間,可以彌補(bǔ)鹽分脅迫帶來(lái)的損失。利用Logistic 方程求出始盛點(diǎn)、高峰點(diǎn)和盛末點(diǎn),可以在始盛點(diǎn)延遲時(shí),根據(jù)需要搭配淡水稀釋鹽分以促進(jìn)生長(zhǎng);也可在快速增長(zhǎng)時(shí)期采取有效調(diào)控,以達(dá)到高產(chǎn)的目的。

        4 結(jié)論

        本試驗(yàn)通過(guò)分根水培裝置,研究了不同鹽脅迫對(duì)番茄側(cè)根生長(zhǎng)的影響。試驗(yàn)結(jié)果表明:① 鹽濃度為0.1%的脅迫鍛煉了側(cè)根對(duì)鹽分的適應(yīng)能力,根系活力、根系干質(zhì)量和根系形態(tài)參數(shù)均有所增大,形成了一定的耐鹽機(jī)制,隨鹽濃度增大根系生長(zhǎng)受到抑制。當(dāng)主根受到傷害會(huì)激發(fā)側(cè)根的生存潛力,進(jìn)行補(bǔ)償生長(zhǎng)。② 根系的形態(tài)參數(shù)對(duì)耐鹽性的貢獻(xiàn)較大,總根長(zhǎng)、根表面積和根體積可作為根系的耐鹽指標(biāo)。③ 鹽分脅迫延長(zhǎng)了根系的發(fā)育進(jìn)程,可通過(guò)Logistic 模型預(yù)測(cè)根系生長(zhǎng)情況,從而進(jìn)行合理調(diào)控。

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