孟浪

摘 要：MOSFET是分立器中最不可缺少的，在各大領(lǐng)域中，任何東西都不能代替它。在隨著科技的進(jìn)步和計(jì)算機(jī)不斷的發(fā)展，它一般在半導(dǎo)體的器件生產(chǎn)中，對(duì)于功率半導(dǎo)體的性能就有了越來(lái)越高的要求，在近年來(lái)，MOSFET的功率半導(dǎo)體的發(fā)熱量已經(jīng)降低到了一定的水平，所以市面上出現(xiàn)了多種的封裝形式，這些技術(shù)雖然為人們的生活提供了更多的便利，但是選擇什么樣的封裝形式成了人們的困惑，選擇封裝不良的MOSFET，會(huì)加大客戶的投訴量，本文對(duì)MOSFET不良封裝進(jìn)行測(cè)試，探究他們的特點(diǎn)，選擇最終測(cè)試的技術(shù)。提高M(jìn)OSFET的質(zhì)量并減少客戶投訴率。

關(guān)鍵詞：封裝不良;最終測(cè)試;MOSFET

MOSFET是一種金屬氧化物的半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)的晶體管，它可以簡(jiǎn)稱為金氧半場(chǎng)效晶體管。它是一種可以在模擬電路和數(shù)字電路廣泛使用的場(chǎng)效晶體管[1]。MOSFET器件的結(jié)構(gòu)不同于一般傳統(tǒng)的晶體管，它對(duì)后置的配備要求也高，由晶園切割，焊線、封塑和晶粒黏貼以及切割成型這個(gè)五大流程組成的MOSFET封裝，但在每個(gè)環(huán)節(jié)和流程中都會(huì)出現(xiàn)一些不良的類型，導(dǎo)致封裝的不良，最終會(huì)影響最終測(cè)試的質(zhì)量和通過率。所以測(cè)試不良封裝，改進(jìn)最終測(cè)試技術(shù)在科技行業(yè)是新的一個(gè)發(fā)展。

一、封裝測(cè)試的加工流程

（一）封裝測(cè)試

封裝測(cè)試就是指后續(xù)的生產(chǎn)，主要是晶粒制做成我們平時(shí)都可以看到的樣子，。在一個(gè)產(chǎn)品封裝結(jié)束之后，就需要在一次的通過測(cè)試來(lái)保證這個(gè)產(chǎn)品的電和性能，一次來(lái)保證成品能夠完全符合產(chǎn)品的出廠規(guī)格，因?yàn)檫@個(gè)測(cè)試是產(chǎn)品的最后一道工序，也就是生產(chǎn)的最后一步，所以稱為最終測(cè)試[2]。

（二）加工流程

1.晶粒的切割，有專門的機(jī)器，使用可以高速旋轉(zhuǎn)的鋒利的切割刀，把晶圓上的顆粒進(jìn)行切割，分離開來(lái)。

2.晶粒黏貼，就是用專用的銀膠把晶粒黏貼到預(yù)定導(dǎo)線框架的位置上。

3.焊線，在晶粒的焊點(diǎn)和框架的引腳之間，將金屬細(xì)線焊接上，晶粒的電路與外部進(jìn)行連接的建立。

4.封塑，把之前工序粘貼好的晶粒，焊好的引腳框架放到模具當(dāng)中去，再把熔化的樹脂塑料壓進(jìn)模具中，把整個(gè)的晶粒按照封裝的要求規(guī)范的把它包裹起來(lái)。

5.切割成型，將剛剛焊好的引腳框架多余的連接材料去掉，并且按照產(chǎn)品要封裝的樣式把引腳做成所需要的形狀。

6.最終測(cè)試，測(cè)試的產(chǎn)品性能是否符合出廠的質(zhì)量，通過了最終測(cè)試的產(chǎn)品就是合格的質(zhì)量好的產(chǎn)品，就稱為出廠成品。

雖然在每一個(gè)封裝的流程中，都有精密的檢測(cè)和控制手段，但是仍然有時(shí)候會(huì)出現(xiàn)一些不可預(yù)想和控制的漏洞，加上人員的疏忽，就進(jìn)入了產(chǎn)品當(dāng)中去了，然后經(jīng)過最終測(cè)試不合格再來(lái)返工。不僅又浪費(fèi)了時(shí)間，還廢了人力，質(zhì)量還得不到保證。所以想要保證產(chǎn)品的質(zhì)量和節(jié)約時(shí)間，就必須要在產(chǎn)品完成封裝之后，需要通過多項(xiàng)測(cè)試來(lái)鑒定和保證產(chǎn)品的質(zhì)量。所以最終測(cè)試在整個(gè)生產(chǎn)的過程中時(shí)最后一步，因?yàn)樗鼑?yán)格把控著產(chǎn)品的質(zhì)量，同時(shí)也是最為重要的[3]。

二、MOSFET的最終測(cè)試技術(shù)

MOSFET的最終測(cè)試有很多類型，通常都是在自動(dòng)平臺(tái)上進(jìn)行測(cè)試的，因?yàn)闇y(cè)試平臺(tái)的效率和一致性都是很強(qiáng)的，所以測(cè)試的結(jié)果有很好的準(zhǔn)確性和優(yōu)點(diǎn)，最終測(cè)試的測(cè)試平臺(tái)應(yīng)該至少由兩臺(tái)機(jī)器組成，一臺(tái)自動(dòng)測(cè)試設(shè)備，一臺(tái)是自動(dòng)分類的設(shè)備。

（一） MOSFET測(cè)試的ATE

ATE是產(chǎn)品的自動(dòng)測(cè)試功能，它可以提供所需要測(cè)試的產(chǎn)品的資源，比如電流、電壓、調(diào)試和運(yùn)行測(cè)試的程序等這些自動(dòng)分析的軟件來(lái)測(cè)試數(shù)據(jù)，ATE可以進(jìn)行分類，一些專門用于儲(chǔ)存器的，還有一些可以用于分立器的測(cè)試。

用于ATE分立器測(cè)試的一款常見的典型的軟件就是IPTEST，它聚集了很多種分立器的測(cè)試方案，可以快速的調(diào)試MOSFET的測(cè)試工序，它可以提供2200v的高壓電和200A的電流數(shù)來(lái)滿足很多產(chǎn)品的測(cè)試需求，總的來(lái)說，它匯集了很多種MOSFET的測(cè)試，對(duì)于MOSFET的封裝不良也能快速有效并且準(zhǔn)確的測(cè)試出來(lái)。

（二）MOSFET測(cè)試的Handler

Handler主要是由器械組成，它是主要作用就是機(jī)械，根據(jù)測(cè)試的結(jié)果，可以對(duì)產(chǎn)品的不同種類進(jìn)行自動(dòng)分類，按照測(cè)試產(chǎn)品的放置方式不同，它主要有三類，一種是機(jī)械臂式、一種是重力式還有一種是塔式的，不一樣的種類又有不一樣的使用方式和范圍。

關(guān)于MOSFET的封裝測(cè)試就可以采用Handler的塔式和重力式，因?yàn)镸OSFET的封裝比較簡(jiǎn)單，再加上MOSFET的封裝比較簡(jiǎn)單，框架的引腳少，而從Handler的適用形式來(lái)看，這兩類就比較適合MOSFET的封裝測(cè)試。重力式的Handler測(cè)試大概需要0.3秒、，塔式的大概需要0.1秒[4]。塔式的另一個(gè)特點(diǎn)就是提供了多個(gè)測(cè)試點(diǎn)，在很大程度上可以滿足MOSFET多個(gè)測(cè)試的需要。它的簡(jiǎn)化流程也是非常的簡(jiǎn)結(jié)，一次性把所有的東西都處理的妥妥當(dāng)當(dāng)。

三、結(jié)語(yǔ)

本文研究了根據(jù)在封裝的流程中，為了避免MOSFET的不良封裝，要選擇符合產(chǎn)品的最終測(cè)試技術(shù)，在最終測(cè)試當(dāng)中，很多沒有通過測(cè)試的產(chǎn)品都是因?yàn)榉庋b的不良等問題所導(dǎo)致的。我們應(yīng)該對(duì)通過率低的產(chǎn)品進(jìn)行一個(gè)系統(tǒng)詳細(xì)的分析和研究，結(jié)合進(jìn)行可靠安全的測(cè)試，并在結(jié)合MOSFET所處結(jié)構(gòu)影響，研究出具有意義和針對(duì)性的測(cè)試工具，通過這些適合的測(cè)試工具，來(lái)確保和保證產(chǎn)品的質(zhì)量效果[5]。所以，選擇適合產(chǎn)品的最終測(cè)試技術(shù)不僅可以節(jié)約成本，還可以節(jié)約時(shí)間，使產(chǎn)品的出廠通過率和產(chǎn)品的質(zhì)量的到了保障，通過研究也推動(dòng)了封裝的改進(jìn)和封裝的改進(jìn)效果，所以MOSFET的封裝不良與最終測(cè)試技術(shù)有著密不可分的關(guān)系。

參考文獻(xiàn)：

[1]張文濤，皓月蘭.功率MOSFET器件柵電荷測(cè)試與分析[J].電子與封裝，2016， 16（6）：21-23.

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[3]許守東，陳勇，李勝男，基于MOSFET的大功率快速放大器技術(shù)研究[J].價(jià)值工程，2017， 36（31）：109-112.

[4]柯俊吉，趙志斌，謝宗奎，考慮寄生參數(shù)影響的碳化硅MOSFET開關(guān)暫態(tài)分析模型[J].電工技術(shù)學(xué)報(bào)，2018，33（8）：1762-1774.

[5]章圣焰，劉小康，胡水仙.利用MOSFET實(shí)現(xiàn)電源滯后供給的設(shè)計(jì)[J].航空電子技術(shù)，2017，48（2）：54-56.