余煜璽，夏范森，黃奇凡

(廈門大學(xué) 材料學(xué)院 材料科學(xué)與工程系 福建省特種先進(jìn)材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，福建 廈門361005)

聚合物先驅(qū)體陶瓷(PDC)是通過(guò)熱解有機(jī)高分子先驅(qū)體而得到的具有優(yōu)異電學(xué)、化學(xué)性能的先進(jìn)陶瓷[1-2]。與傳統(tǒng)陶瓷材料制備工藝相比， PDC的制備過(guò)程中不需要經(jīng)過(guò)制粉、造粒、成型等工藝，因此使用先驅(qū)體熱解法制備PDC是對(duì)傳統(tǒng)陶瓷制備工藝的革命性創(chuàng)新[3]。利用有機(jī)高分子先驅(qū)體流動(dòng)性的特點(diǎn)，PDC可以使用紡絲、光刻、MEMS以及3D打印技術(shù)來(lái)制備陶瓷纖維和形狀復(fù)雜的微型器件等[4-7]。PDC是一種非晶態(tài)半導(dǎo)體材料，這種非晶態(tài)半導(dǎo)體材料不僅可以通過(guò)加入其他物質(zhì)或元素來(lái)改變和控制其電學(xué)性能，還可以通過(guò)外部激勵(lì)(如環(huán)境溫度、電場(chǎng)等)使其電學(xué)性能發(fā)生變化。PDC的電學(xué)性能包括：直流電導(dǎo)性能、高溫直流電導(dǎo)性能、介電性能。影響PDC電學(xué)性能的因素有很多，并且不同條件下其導(dǎo)電機(jī)制也大不相同，因此正確理解影響PDC電學(xué)性能的因素，對(duì)其在MEMS、傳感器等領(lǐng)域的應(yīng)用是非常重要的[8-9]。

電介質(zhì)材料被廣泛應(yīng)用于電容器、諧振器以及能量收集器等，這類材料的內(nèi)部電子會(huì)隨著電介質(zhì)材料的外部電場(chǎng)(頻率)和溫度的變化而發(fā)生偏振極化。介電性能是PDCs的一個(gè)重要研究方向，Ren等[10]以SiCN和SiBCN陶瓷作為諧振器的介質(zhì)材料，利用微波技術(shù)研究了SiCN和SiBCN陶瓷的介電常數(shù)和介電損耗隨溫度變化的性質(zhì)。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，SiCN和SiBCN陶瓷均呈現(xiàn)出非常優(yōu)異的介溫特性，即隨著溫度升高，SiCN和SiBCN陶瓷的介電常數(shù)和介電損耗均變大。在25～500℃之間時(shí)，SiCN陶瓷的介電常數(shù)為3.707～3.883，介電損耗為0.0038～0.0213；在25～1000℃之間時(shí)，SiBCN陶瓷介電常數(shù)為4.817～5.132，介電損耗為0.002～0.0186。PDC的介電性能，尤其是介電常數(shù)和介電損耗直接影響其在無(wú)線無(wú)源傳感器領(lǐng)域的應(yīng)用[11]。PDC電學(xué)性能與陶瓷結(jié)構(gòu)中的碳含量有關(guān)，因此可以通過(guò)改變陶瓷結(jié)構(gòu)中的碳含量和雜化形態(tài)來(lái)調(diào)節(jié)PDC的電學(xué)性能。PDC結(jié)構(gòu)中的碳含量可以通過(guò)在先驅(qū)體中加入不同的碳源(如淀粉、碳納米管等)實(shí)現(xiàn)[12]。近年來(lái)，石墨烯的出現(xiàn)為PDC電學(xué)性能的研究提供了一種新的方向。石墨烯是一種由單層sp2雜化碳原子構(gòu)成的具有蜂窩狀排布的二維材料。石墨烯具有許多材料無(wú)法比擬的優(yōu)越性能，如優(yōu)異的熱導(dǎo)率(3000～5000W·m-1·K-1)、高的電導(dǎo)率及電子遷移率(15000cm2·V-1·s-1)、超強(qiáng)的機(jī)械強(qiáng)度(楊氏模量約為1TPa)、超大的理論比表面積(2630m2·g-1)以及極高的透光性(約97.7%)等[13-15]。因此利用石墨烯優(yōu)異的電學(xué)性能，可以有效地優(yōu)化PDCs的電學(xué)性能。Feng等[16]通過(guò)濕法球磨的方法將石墨烯加入到SiCN陶瓷基體中，制備成SiCN-石墨烯復(fù)合陶瓷用于鋰離子電池的負(fù)極材料，通過(guò)研究其充放電性能發(fā)現(xiàn)，相比于純SiCN陶瓷電極，以SiCN-石墨烯為負(fù)極材料的鋰離子電池充放電性能得到大幅度提升。

由于石墨烯的層與層之間存在非常強(qiáng)的范德華力作用，因此石墨烯很難均勻分散在材料基體中，從而影響石墨烯復(fù)合材料的性能[13]。因此，為了提高石墨烯在復(fù)合材料結(jié)構(gòu)中的均勻性，通常使用氧化石墨烯作為石墨烯先驅(qū)體，先將氧化石墨烯分散在水溶液或者有機(jī)溶劑中，再通過(guò)熱還原或者化學(xué)還原的方法，將氧化石墨烯還原成石墨烯，制備出石墨烯復(fù)合材料[17]。本工作以聚乙烯基硅氮烷(PVSZ)為原料，氧化石墨烯(GO)為碳源，無(wú)水乙醇(ETOH)為分散劑，制備出石墨烯球增強(qiáng)SiCNO-GO陶瓷。利用Raman,EPR和SEM等表征手段，研究了不同GO質(zhì)量分?jǐn)?shù)的SiCNO-GO對(duì)其微球密度、粒徑和介電性能的影響。

1 實(shí)驗(yàn)材料與方法

1.1 SiCNO-GO陶瓷制備

實(shí)驗(yàn)所用試劑：聚乙烯基硅氮烷透明黏稠液體，數(shù)均分子量500g/mol，廈門納美特新材料科技有限公司；過(guò)氧化二異丙苯(DCP)，熱引發(fā)劑，Sigma-Aldrich公司；氧化石墨烯，單層，南京先豐納米材料科技有限公司；無(wú)水乙醇，分析純，國(guó)藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司；銀漿，DAD-82，上海合成樹(shù)脂有限公司。

以聚乙烯基硅氮烷(PVSZ)為原料，采用磁力攪拌的方法將氧化石墨烯分散液均勻分散在PVSZ中，然后交聯(lián)、燒結(jié)，制備出SiCNO-GO陶瓷，流程圖如圖1所示。

圖1 SiCNO-GO陶瓷制備流程圖Fig.1 Schematic diagram of preparing SiCNO-GO ceramics

將一定比例的GO加入到分散劑無(wú)水乙醇中，經(jīng)過(guò)超聲處理得到均勻分散的GO分散液。將分散液倒入PVSZ燒杯中，并加入2%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))的熱引發(fā)劑DCP。將燒杯密封，繼續(xù)超聲0.5h，然后攪拌2h，得到PVSZ-GO先驅(qū)體。為了研究不同GO質(zhì)量分?jǐn)?shù)對(duì)SiCN-GO陶瓷的影響，在同樣的制備條件下，共設(shè)計(jì)了4組不同配比的對(duì)比實(shí)驗(yàn)，所用配比如表1所示。將PVSZ-GO先驅(qū)體在氮?dú)獾臍夥障陆宦?lián)，溫度為160℃，時(shí)間為4h。然后，將交聯(lián)后的固體用振動(dòng)式球磨機(jī)球磨，得到的粉末粒徑約為2μm。接著，采用單軸冷壓法工藝，在5MPa的壓力下，將球磨后的粉末壓制成直徑為13mm、厚度為2mm的SiCNO-GO陶瓷素坯。為了提高熱解后陶瓷的致密度，在150MPa的壓力下,使用冷等靜壓機(jī)進(jìn)一步處理成型后的陶瓷素坯。將SiCNO-GO素坯放入氧化鋁坩堝中，在氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛下熱解，溫度1000℃，保溫4h。升溫速率均為1℃/min。

表1 不同GO含量的SiCNO-GO陶瓷的配比Table 1 Ratio of SiCNO-GO ceramics with different GO contents

1.2 SiCNO-GO陶瓷室溫介電性能測(cè)試所用電極的制備

采用電極法測(cè)試SiCNO-GO陶瓷的介電性能,測(cè)試電極的制備過(guò)程如下：首先，將熱解后的陶瓷片用砂紙打磨，使陶瓷片兩面相對(duì)平整，打磨后樣品的厚度大約為1mm。然后，用乙醇將打磨后的陶瓷片清洗3遍并烘干。接著，在陶瓷片的兩個(gè)表面涂上導(dǎo)電銀漿，放入管式爐中燒結(jié)，溫度為200℃，升溫速率為5℃/min。為了精確測(cè)量SiCNO-GO陶瓷的介電性能，在陶瓷圓片兩面涂上銀漿，需要對(duì)陶瓷圓片兩邊的銀漿進(jìn)行拋光。最后，分別將兩根鉑絲用導(dǎo)電銀漿粘接在涂了導(dǎo)電銀漿的SiCN-rGO陶瓷的兩個(gè)表面上，得到SiCN-rGO陶瓷電極。由于阻抗分析儀測(cè)試的是SiCNO-GO陶瓷圓片的并聯(lián)電容Cp，因此需要利用公式(1) 將并聯(lián)電容Cp轉(zhuǎn)換為介電常數(shù)εr。

(1)

式中：L為電極的厚度，m；εo為真空介電常數(shù)，F(xiàn)/m；r為電極的半徑，m。

1.3 表征

利用場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM，SU70)分析SiCNO-GO陶瓷的微觀形貌；使用拉曼光譜儀(Raman, XploRA Jobin-Yvon)對(duì)SiCNO-GO陶瓷結(jié)構(gòu)中的無(wú)定型碳進(jìn)行分析；使用電子自旋共振(EPR，ECS-106)對(duì)SiCNO-GO陶瓷結(jié)構(gòu)中未成對(duì)電子進(jìn)行分析；采用電極法使用高精密阻抗分析儀(4294A)對(duì)SiCNO-GO陶瓷的室溫介電性能進(jìn)行測(cè)試；使用高溫介電溫譜測(cè)試系統(tǒng)(CJW-1)測(cè)試SiCNO-GO陶瓷在連續(xù)變溫過(guò)程中的低頻高溫介電性能，測(cè)試頻率為1kHz。

2 結(jié)果與分析

2.1 SiCNO-GO陶瓷微觀形貌分析

圖2為不同GO含量的SiCNO-GO陶瓷的微觀形貌和粒徑分布圖。由圖2(a)可知，在未加入GO時(shí)， SiCNO陶瓷斷面的微觀結(jié)構(gòu)較為粗糙，且在陶瓷的斷面上沒(méi)有特殊形貌形成。當(dāng)加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.03%的GO后，如圖2(b)所示，SiCNO-GO-0.03陶瓷斷面上有形狀規(guī)則的微球形成。圖2(e)為SiCNO-GO-0.03陶瓷斷面上微球的粒徑統(tǒng)計(jì)圖，可知微球的平均粒徑d為2.01μm。當(dāng)SiCNO-GO陶瓷結(jié)構(gòu)中GO含量增加至0.10%時(shí)(SiCNO-GO-0.10)，粒徑為2.34μm，如圖2(c)，(f)所示。與SiCNO-GO-0.03陶瓷相比，SiCNO-GO-0.10陶瓷斷面上微球的密度和粒徑均比SiCNO-GO-0.03的大。而當(dāng)GO含量進(jìn)一步增加到0.30%時(shí)(圖2(d))，陶瓷基體中的微球出現(xiàn)坍塌現(xiàn)象。

2.2 微球成分元素分析

使用EPMA對(duì)SiCNO-GO-0.03陶瓷結(jié)構(gòu)中的微球和微球周圍結(jié)構(gòu)的元素進(jìn)行分析，如圖3所示?？梢钥闯?，SiCNO-GO-0.03陶瓷結(jié)構(gòu)中的微球和微球周圍都含有Si，C，N，O這4種元素，并且不同區(qū)域元素含量不同。微球區(qū)域C元素的含量(61.56%)明顯比微球周圍結(jié)構(gòu)的C元素含量(22.73%)高，說(shuō)明微球主要由C元素組成，由此可以判斷，陶瓷結(jié)構(gòu)中的微球由GO組成。

2.3 SiCNO-GO陶瓷微觀形貌形成機(jī)理

圖2 GO含量為0%(a), 0.03%(b), 0.10%(c), 0.30%(d)的SiCNO-GO陶瓷SEM圖和0.03%(e)，0.10%(f)的微球粒徑分布圖Fig.2 SEM images of SiCNO-GO ceramics formed at 0%(a), 0.03%(b), 0.10%(c), 0.30%(d) of GO, and the size distribution of graphene microspheres of 0.03%(e) and 0.10%(f)

圖3 SiCNO-GO-0.03陶瓷結(jié)構(gòu)中微球和微球周圍元素分析Fig.3 Elemental analysis of the microspheres and microspheres’ surrounding area in SiCNO-GO-0.03 ceramics

進(jìn)一步增大GO質(zhì)量分?jǐn)?shù)時(shí)，GO在混合溶液中發(fā)生嚴(yán)重的團(tuán)聚作用，使溶液中的GO不能完全重新排列，表現(xiàn)為GO微球的結(jié)構(gòu)發(fā)生坍塌。

2.4 SiCNO-GO陶瓷電子自旋共振(EPR)分析

先驅(qū)體陶瓷從有機(jī)聚合物轉(zhuǎn)化成無(wú)機(jī)物的過(guò)程中，與主鏈相連接的支鏈官能團(tuán)會(huì)發(fā)生裂解，釋放出氫氣和甲烷等氣體，并在陶瓷結(jié)構(gòu)中形成Si或C的未成對(duì)電子。通過(guò)EPR檢測(cè)可以鑒定出陶瓷結(jié)構(gòu)中未成對(duì)電子的種類和數(shù)量,如圖4所示。圖4(a)可知，先驅(qū)體聚合物(PVSZ和PVSZ-GO)在氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛下，經(jīng)1000℃熱解后，EPR測(cè)試曲線中只有一個(gè)相互對(duì)稱的信號(hào)峰，說(shuō)明SiCNO和SiCNO-GO陶瓷結(jié)構(gòu)中只存在一種類型的未成對(duì)電子。通過(guò)計(jì)算SiCNO和SiCNO-GO陶瓷的g因子數(shù)值發(fā)現(xiàn)，二者的g因子數(shù)值均為2.0019±0.0002。根據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道，C的g因子數(shù)值為2.0019±0.0002，說(shuō)明在SiCNO和SiCNO-GO陶瓷結(jié)構(gòu)中的未成對(duì)電子來(lái)自于C懸鍵(C未成對(duì)電子)[22]。

SiCNO和SiCNO-GO陶瓷結(jié)構(gòu)中未成對(duì)電子的數(shù)量N為[23]：

N=ΔI(ΔHpp)2

(2)

式中：ΔI為峰與峰之間的強(qiáng)度差值；ΔHpp為峰與峰之間的距離。

由圖4(b)可以看出，隨著陶瓷結(jié)構(gòu)中GO質(zhì)量分?jǐn)?shù)的增加，未成對(duì)電子數(shù)量也隨之增加，表明GO在熱還原成還原氧化石墨烯的過(guò)程中產(chǎn)生了大量的缺陷，這些缺陷使SiCNO-GO陶瓷結(jié)構(gòu)中未成對(duì)電子數(shù)量增加。

圖4 SiCNO，SiCNO-GO陶瓷EPR測(cè)試譜圖(a)及陶瓷結(jié)構(gòu)中C懸鍵未成對(duì)電子數(shù)量(b)Fig.4 EPR spectra of SiCNO, SiCNO-GO ceramics(a), and unpaired electron number of carbon dangling bands in SiCNO and SiCNO-GO ceramics(b)

2.5 SiCNO-GO陶瓷介電性能研究

2.5.1 SiCNO-GO陶瓷室溫介電性能分析

圖5為不同GO含量的SiCNO-GO陶瓷介電常數(shù)和介電損耗與頻率之間的變化關(guān)系?？梢钥闯?，在頻率范圍為1～10MHz時(shí)，樣品的介電常數(shù)和介電損耗隨頻率的增大而降低的趨勢(shì)比較明顯，而在外加頻率范圍為10～30MHz時(shí)，介電常數(shù)和介電損耗隨頻率的增大而降低的趨勢(shì)逐漸變緩。隨著SiCNO-GO陶瓷結(jié)構(gòu)中GO質(zhì)量分?jǐn)?shù)的增加，SiCNO-GO陶瓷的介電常數(shù)和介電損耗也隨之增大，在GO質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.10%時(shí)達(dá)到最大值，而當(dāng)GO質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.30%時(shí)，SiCNO-GO陶瓷的介電常數(shù)和介電損耗反而降低。形成這種現(xiàn)象的原因可以用介電常數(shù)和介電損耗的形成機(jī)理進(jìn)行解釋。根據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道，參與空間電子兩極極化的數(shù)量和極化程度是影響材料介電常數(shù)的主要因素，參與極化的空間電子越多，極化程度越完全，則材料的介電性能也越大，反之則越小[24]。在低頻時(shí)，SiCNO-GO陶瓷結(jié)構(gòu)中的電子有充分的時(shí)間響應(yīng)外部電場(chǎng)的變化(參與極化的空間電子數(shù)量較多，極化程度較完全)，表現(xiàn)為在低頻時(shí)介電常數(shù)較大，而在高頻時(shí)，只有一部分電子的極化能夠跟上外部電場(chǎng)的變化，表現(xiàn)為在高頻時(shí)介電常數(shù)比在低頻時(shí)小。材料的介電損耗是由材料結(jié)構(gòu)中空間電荷、偶極子、電子等的遷移/振動(dòng)而產(chǎn)生的能量損耗引起的。在低頻時(shí)，SiCNO-GO陶瓷結(jié)構(gòu)中的空間電荷、偶極子和電子等都能夠在外部電場(chǎng)的作用下發(fā)生遷移/振動(dòng)，此時(shí)能量損耗較大，表現(xiàn)為高的介電損耗，而當(dāng)SiCNO-GO陶瓷處在較高頻率時(shí)，只有電子能夠在外部電場(chǎng)的作用下發(fā)生遷移/振動(dòng)，所以能量損耗較小，進(jìn)而導(dǎo)致低頻時(shí)的介電損耗比高頻時(shí)大。

SiCNO-GO陶瓷的介電常數(shù)和介電損耗與陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)有關(guān)，當(dāng)SiCNO-GO陶瓷微觀結(jié)構(gòu)中存在GO微球時(shí)，其介電常數(shù)和介電損耗都較大，產(chǎn)生這種現(xiàn)象的原因?yàn)椋?1)依Maxwell-Wagner效應(yīng)解釋，由于SiCNO-GO陶瓷微觀結(jié)構(gòu)中存在GO微球，在外部電場(chǎng)的作用下，原本無(wú)序分散在陶瓷結(jié)構(gòu)中的電子相互分離并聚集在GO微球與陶瓷基體的界面上，形成空間電荷效應(yīng)，此時(shí)，聚集在GO微球與陶瓷基體界面上的電子在陶瓷內(nèi)部形成與外部電場(chǎng)相反的電場(chǎng)，當(dāng)SiCNO-GO陶瓷結(jié)構(gòu)中的電子數(shù)量越多，內(nèi)部電場(chǎng)強(qiáng)度就越強(qiáng)，介電常數(shù)也越大。但當(dāng)SiCNO-GO陶瓷結(jié)構(gòu)中的GO微球發(fā)生坍塌時(shí)，由于電子的聚集位置較為分散，導(dǎo)致介電常數(shù)降低。(2) SiCNO-GO陶瓷結(jié)構(gòu)中C懸鍵的數(shù)量是影響其介電性能的另一個(gè)重要因素，陶瓷中C懸鍵越多，電導(dǎo)率就越高，陶瓷的介電常數(shù)和介電損耗隨之增高。理論上，SiCNO-GO-0.30陶瓷的介電常數(shù)和介電損耗應(yīng)是最大的，但是當(dāng)GO質(zhì)量分?jǐn)?shù)增加到0.30%時(shí)，陶瓷結(jié)構(gòu)中的GO微球發(fā)生坍塌，使電子通過(guò)陶瓷基體需要更多的能量，進(jìn)而使C懸鍵數(shù)量對(duì)SiCNO-GO陶瓷介電性能的影響減弱，導(dǎo)致介電常數(shù)和介電損耗降低。

氣孔率對(duì)陶瓷的介電性能影響較大，通過(guò)BET測(cè)試表明，SiCNO陶瓷的比表面積為8.5376m2·g-1，低于SiCNO-GO-0.10陶瓷的比表面積13.1069m2·g-1，但是SiCNO陶瓷的介電常數(shù)和介電損耗卻低于SiCNO-GO-0.10陶瓷的。由此表明，相對(duì)于氣孔率而言，陶瓷中微球的密度和C懸鍵的含量是影響其介電性能的主要因素。

圖5 不同GO含量的SiCNO-GO陶瓷介電常數(shù)(a)和介電損耗(b)Fig.5 Dielectric constant(a) and dielectric loss(b) of SiCNO-GO ceramics formed with different GO contents

2.5.2 SiCNO-GO陶瓷低頻高溫介電性能分析

圖6為不同GO含量的SiCNO-GO陶瓷在頻率為1kHz時(shí)的高溫介電常數(shù)曲線?？梢钥闯觯琒iCNO-GO陶瓷的介電常數(shù)隨著溫度的增加而增大;當(dāng)SiCNO-GO陶瓷結(jié)構(gòu)中含有GO微球時(shí)，隨著GO含量的增大，SiCNO-GO陶瓷的介電常數(shù)也隨之增大，在GO質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.10%時(shí)達(dá)到最大值，而當(dāng)GO微球發(fā)生坍塌時(shí)，SiCNO-GO陶瓷的介電常數(shù)變小。根據(jù)之前的討論可知，材料的介電常數(shù)大小與偏振極化時(shí)間有關(guān)，在高溫下材料完全偏振極化所需的時(shí)間比低溫時(shí)小，表現(xiàn)為SiCNO-GO陶瓷的介電常數(shù)隨溫度的增加而增大。GO微球使SiCNO-GO陶瓷介電常數(shù)增大的主要原因在于，GO微球使SiCNO-GO陶瓷結(jié)構(gòu)中存在電場(chǎng)集中，這種電場(chǎng)集中現(xiàn)象使SiCNO-GO陶瓷的完全偏振極化所需的時(shí)間進(jìn)一步降低，表現(xiàn)為隨著SiCNO-GO陶瓷基體中GO微球數(shù)量和粒徑增加，材料的介電常數(shù)也隨之增大。

圖6 不同GO含量的SiCNO-GO陶瓷的介電常數(shù)Fig.6 Temperature dependence dielectric constant of SiCNO-GO ceramics formed with different GO contents

3 結(jié)論

(1)通過(guò)使用氧化石墨烯作為石墨烯先驅(qū)體，制備了石墨烯球增強(qiáng)SiCNO陶瓷(SiCNO-GO)。SiCNO-GO陶瓷結(jié)構(gòu)中的微球密度和粒徑的大小與GO的含量存在著非常密切的關(guān)系。

(2)隨著SiCNO-GO陶瓷結(jié)構(gòu)中GO質(zhì)量分?jǐn)?shù)的增加，SiCNO-GO陶瓷的介電常數(shù)和介電損耗也隨之增大，在GO質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.10%時(shí)達(dá)到最大值，而當(dāng)GO質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.30%時(shí)，SiCNO-GO陶瓷的介電常數(shù)和介電損耗反而降低。

(3)對(duì)于SiCNO-GO陶瓷的低頻高溫介電性能，不同GO質(zhì)量分?jǐn)?shù)的SiCNO-GO陶瓷介電常數(shù)均隨著溫度的增加而增大；在同一溫度下，隨著GO含量的增加，SiCNO-GO陶瓷的介電常數(shù)隨之增大，在GO質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.10%時(shí)達(dá)到最大值，而當(dāng)GO微球發(fā)生坍塌時(shí)，SiCNO-GO陶瓷的介電常數(shù)變小。