藍(lán)文鴻，吳 英，杜永琪，劉澤坤，李 臻，高 峰

(華北電力大學(xué) 核科學(xué)與工程學(xué)院，北京 102206)

低能正電子致原子內(nèi)殼層電離截面的測量在理論研究和實際應(yīng)用中有著重要意義。在理論研究方面，能量在靶原子電離閾能附近的正負(fù)電子與原子之間的碰撞作用機(jī)制尚不清楚。盡管相關(guān)理論模型不斷被提出，如DWBA量子理論模型[1-3]、PWBA-C-Ex量子理論模型[4]等，但理論模型的可靠性需準(zhǔn)確的電離截面實驗數(shù)據(jù)加以檢驗。在實際應(yīng)用方面，正電子致原子內(nèi)殼層電離截面數(shù)據(jù)廣泛應(yīng)用于完善相關(guān)模擬計算所基于的截面數(shù)據(jù)庫、天體物理及核聚變等高技術(shù)領(lǐng)域[5-6]。

目前由于正電子束流的獲取方法有限，因此對正電子致原子內(nèi)殼層電離的實驗研究較少。Nagashima等[7-9]關(guān)于5～30 keV正電子致Ag原子L殼層和Cu原子K殼層電離截面的測量及田麗霞等[10-11]關(guān)于6～20 keV正電子致Ti原子K殼層電離截面的測量中，均采用離線法獲取正電子束流強(qiáng)度，即在整個實驗過程中將正電子束流強(qiáng)度視為不變。而基于離線法確定的正電子束流強(qiáng)度很可能會導(dǎo)致實驗結(jié)果不可靠，原因為：1)22Na衰變產(chǎn)生的正電子束流強(qiáng)度較弱(<106s-1)，在實驗中需測量較長時間(每個靶需測量數(shù)天甚至數(shù)周)才能得到滿足統(tǒng)計性要求的特征峰凈計數(shù)，但22Na的半衰期相對較短(約2.6 a)，因此22Na源的衰變對正電子束流強(qiáng)度的影響不可忽略；2) 基于22Na源的慢正電子束流裝置產(chǎn)生的正電子束流強(qiáng)度可能存在波動。因此，有必要在實驗中實時監(jiān)測與靶碰撞的正電子束流強(qiáng)度。本文使用厚靶方法進(jìn)行8～9.5 keV正電子致Ti原子K殼層電離截面測量實驗，采用HPGe探測器實時收集正電子碰撞厚Ti靶產(chǎn)生的湮滅光子，并結(jié)合HPGe探測器對放置在碰撞點處22Na標(biāo)準(zhǔn)源產(chǎn)生的511 keV湮滅光子的探測效率刻度值，得到Ti原子K殼層電離截面實驗中正電子束流強(qiáng)度的實時測量結(jié)果。

1 實驗

1.1 實驗裝置

正電子碰撞純厚靶的實驗在中國科學(xué)院高能物理研究所的慢正電子束流裝置上完成，實驗裝置示意圖如圖1所示。22Na標(biāo)準(zhǔn)源衰變產(chǎn)生的正電子能量在0～545 keV范圍內(nèi)連續(xù)分布，經(jīng)Ne慢化體將其能量慢化至eV量級[12-14]，慢化后的正電子在靶托負(fù)高壓的作用下沿y軸方向加速至8～9.5 keV后，碰撞在與x-y平面呈45°傾斜放置的純厚Ti靶上，靶室的真空度約為10-6Pa。正電子與靶碰撞后湮滅產(chǎn)生511 keV的光子，該光子由ORTEC公司生產(chǎn)的GEM20P4型同軸HPGe探測器(對稱軸沿x軸方向放置于靶室外)收集，HPGe探測器表面距靶室的管道外表面46 mm。正電子與純厚Ti靶碰撞產(chǎn)生的X射線能譜由KETEK公司生產(chǎn)的VITUS H80型硅漂移X射線能譜儀(SDD)收集，SDD沿z負(fù)半軸方向插入靶室，與靶樣品法向呈45°。

圖1 實驗裝置示意圖Fig.1 Schematic of experiment device

1.2 實驗方法

采用HPGe探測器在線監(jiān)測正電子碰撞靶樣品伴隨產(chǎn)生的湮滅光子計數(shù)率nγ，結(jié)合HPGe探測器對放置在碰撞點處標(biāo)準(zhǔn)源產(chǎn)生的511 keV γ能量的探測效率ε，可得到與靶碰撞的入射正電子束流強(qiáng)度P為：

(1)

式中，Ep為湮滅光子的能量，Ep=511 keV。

式(1)中的nγ(Ep)可由HPGe γ能譜分析軟件獲取。本工作采用22Na標(biāo)準(zhǔn)點源對HPGe探測器進(jìn)行511 keV γ能量的效率刻度來獲取ε(Ep)：將標(biāo)準(zhǔn)源放置在碰撞點處，用HPGe探測器收集22Na標(biāo)準(zhǔn)源發(fā)射的正電子湮滅后產(chǎn)生的湮滅光子，得到HPGe探測器在511 keV能量處的探測效率ε(Ep)為：

(2)

式中：t為測量時間；N0為HPGe探測器記錄到的湮滅光子凈計數(shù)；A0為22Na標(biāo)準(zhǔn)源標(biāo)定時的活度；I為22Na標(biāo)準(zhǔn)源發(fā)生β+衰變的分支比；T和T1/2分別為22Na標(biāo)準(zhǔn)源從活度標(biāo)定到進(jìn)行刻度的時間間隔和22Na的半衰期。

2 結(jié)果與分析

由式(2)得到ε(Ep)為2.81×10-3，將8～9.5 keV正電子致Ti原子K殼層電離截面測量實驗中記錄到的nγ(Ep)代入式(1)，可得到不同能量的正電子在其測量時間內(nèi)的平均束流強(qiáng)度，結(jié)果列于表1。本方法得到的正電子束流強(qiáng)度相對誤差主要來源于：采用22Na標(biāo)準(zhǔn)源對HPGe進(jìn)行效率刻度時標(biāo)準(zhǔn)源活度的相對誤差(約5%)；HPGe探測器在線收集湮滅光子凈計數(shù)的相對誤差(約1%)?；谑?1)，由誤差傳遞公式可得到束流強(qiáng)度的相對誤差約為5%。

表1 正電子平均束流強(qiáng)度Table 1 Average positron beam intensity

本工作每隔約1 h記錄1次HPGe探測器在該時間段收集的湮滅光子凈計數(shù)，圖2為正電子束流強(qiáng)度實時測量結(jié)果，可看出，束流強(qiáng)度總體呈逐漸衰減的趨勢，在實驗測量的38 h內(nèi)，束流強(qiáng)度從測量初始時的3.64×105s-1衰減到測量結(jié)束時的3.20×105s-1，衰減幅度達(dá)到11%，表明22Na標(biāo)準(zhǔn)源較短的半衰期對束流強(qiáng)度的影響不可忽略。圖2中束流強(qiáng)度雖有小幅波動(測量時間在23～24 h期間)，但未出現(xiàn)明顯的躍變，可見對Ti靶測量時22Na標(biāo)準(zhǔn)源慢正電子束流裝置基本處于穩(wěn)定運行的狀態(tài)。

圖2 正電子束流強(qiáng)度實時測量結(jié)果Fig.2 Real-time measurement result of positron beam intensity

表2為在線法與離線法(假設(shè)實驗中正電子束流強(qiáng)度穩(wěn)定，采用開始測量時的束流強(qiáng)度計算電離截面)獲得的8～9.5 keV正電子致Ti原子K殼層電離截面[15]?？梢?，采用離線法會導(dǎo)致電離截面被低估，僅經(jīng)歷38 h的測量，截面被低估程度已達(dá)-11%。

表2 8～9.5 keV正電子致Ti原子K殼層電離截面Table 2 K-shell ionization cross section of Ti impacted by 8-9.5 keV positron

3 結(jié)論

本文采用HPGe探測器收集正電子碰撞靶樣品過程中伴隨產(chǎn)生的湮滅光子，并結(jié)合HPGe探測器對碰撞點處放置的22Na標(biāo)準(zhǔn)源產(chǎn)生的511 keV光子的探測效率刻度值，實現(xiàn)了8～9.5 keV正電子引起Ti原子內(nèi)殼層電離實驗中正電子束流強(qiáng)度的實時監(jiān)測。測量結(jié)果表明，基于22Na標(biāo)準(zhǔn)源慢正電子束流裝置產(chǎn)生的正電子束流強(qiáng)度不穩(wěn)定，隨測量時間有著不同程度的衰減。在實驗測量的38 h內(nèi)，束流強(qiáng)度在某些時段出現(xiàn)小幅波動。因此離線法獲取的截面結(jié)果不可靠，對正電子束流強(qiáng)度進(jìn)行在線監(jiān)測十分必要。

感謝中國科學(xué)院高能物理研究所王寶義、況鵬和張鵬在正電子束流的獲取上給予的支持和幫助，感謝華北電力大學(xué)核科學(xué)與工程學(xué)院徐夢霞、梁燁和袁野在實驗及論文撰寫上給予的指導(dǎo)。