李洪全,鄭樹凱,丁幫福,閆小兵
(河北大學電子信息工程學院,河北保定 071002)
隨著人口增長和工業(yè)發(fā)展,環(huán)境污染問題日益嚴峻,有效解決污染問題迫在眉睫[1]。近年來,半導體光催化降解技術(shù)在環(huán)境污染方面展現(xiàn)出廣泛應(yīng)用潛力,半導體光催化材料合成與性能研究成為目前研究熱點之一。
在眾多光催化材料中,氧化鉍(Bi2O3)作為一種p型半導體材料,具有化學性質(zhì)穩(wěn)定、無毒以及獨特光學性能,其在電子陶瓷、光電器件、高溫超導和催化劑等方面顯示出廣闊應(yīng)用前景[2]。Bi2O3具有多種晶體結(jié)構(gòu),根據(jù)不同空間群結(jié)構(gòu)分為單斜α-Bi2O3、四方β-Bi2O3、體心立方 γ-Bi2O3以及面心立方 δ-Bi2O3[3]。它們帶隙的大小分別為 2.80、2.48、2.75、3.01 eV,所以亞穩(wěn)β相能夠吸收波長最廣的太陽光,而δ相只對紫外光響應(yīng),從光催化劑對太陽光吸收角度看,β相具有最好的催化效率[4-5]。Zhang等[6]利用沉淀法制備純的和銦摻雜β-Bi2O3粉末,在降解甲基橙溶液時,銦摻雜樣品具有更好的催化性能,主要原因來源于銦摻雜提升價帶和導帶邊位置。此外,α和γ相Bi2O3也被用來作為催化劑降解工業(yè)燃料,水熱法合成不同濃度釤摻雜的α相Bi2O3,質(zhì)量分數(shù)為1%的釤摻雜Bi2O3在光催化降解亞甲基藍和苯酚時具有最好的催化活性[7]?;瘜W沉淀法合成非金屬硫摻雜γ-Bi2O3,光催化效果隨著摻雜濃度的增加呈現(xiàn)先增強后減弱,硫摻雜引入新的能級雜化導致帶隙變小而增強催化性能[8]。綜上,不同晶型Bi2O3在光催化降解污染物領(lǐng)域具有潛在研究價值。
一般來說,合成Bi2O3方法主要有化學沉淀法、溶膠-凝膠法、微乳法、水熱合成法、霧化-燃燒法、固相法以及等離子體法等[9]。在眾多制備方法中,沉淀法工藝簡單,易于控制和操作,有利于實現(xiàn)規(guī)模化工業(yè)生產(chǎn),是目前最常用制備超細Bi2O3粉體的方法之一。由于β-Bi2O3和γ-Bi2O3是亞穩(wěn)相,一般很難得到純相,為了獲得純相,沉淀法過程中加入合適的沉淀劑來調(diào)節(jié)溶液pH值,例如加入200 mL 0.21 mol/L的氫氧化鈉和 0.4 g草酸溶液才獲得純 γ-Bi2O3和 β-Bi2O3[10]。Tsenge等[11]用聚乙二醇-8000作為封端劑合成三維立方γ-Bi2O3,并對晶體結(jié)構(gòu)、光致發(fā)光和導電性能進行研究。Sun等[12]采用水熱反應(yīng)時間22 h制備γ-Bi2O3,并研究其對羅丹明B的光催化降解性能。由于制備γ-Bi2O3過程中,總是伴隨α相共存現(xiàn)象。Liu等[13]利用化學沉淀法詳細研究α-Bi2O3和γ-Bi2O3的相變過程及生長機理。未加表面活性劑時,在反應(yīng)溫度75、85℃時,隨著反應(yīng)時間延長,純α相逐漸過渡到共存相,再到純γ相,再經(jīng)過共存最后回到純α相。而加入不同表面活性劑能夠抑制γ相向α相的轉(zhuǎn)變[14]。形貌表征結(jié)果表明,α相為棒狀而γ相為四面體形狀,相應(yīng)生長機理為棒狀碎裂而逐漸堆疊成四面體。從上看出,制備γ-Bi2O3的反應(yīng)溫度影響沒有得到詳細研究。計算發(fā)現(xiàn)γ-Bi2O3的價帶和導帶主要是O2p態(tài)和Bi3d態(tài)組成,為了提高光催化效率,除了調(diào)節(jié)價帶,摻雜鉍位調(diào)控導帶也具有可行性。
本文中采用化學沉淀法,通過85、100℃以及高于100℃加熱攪拌為主要手段,制備純相γ-Bi2O3和釔(Y)摻雜γ-Bi2O3,研究溫度對化學反應(yīng)時間的影響。該方法攪拌后不需要高溫煅燒,使大規(guī)模制備操作更加簡單。為了檢查樣品晶相、微觀形貌、帶隙大小,對樣品進行X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)以及紫外可見漫反射光譜表征測試;并采用包含35%的非局域雜化密度泛函理論計算γ-Bi2O3的能帶和態(tài)密度特征;利用制備樣品對羅丹明B(RhB)進行光催化降解,期望帶隙和形貌變化使得釔摻雜樣品比純相具有更好的光催化性能。
沉淀法合成樣品所需藥品如表1所示,所有試劑均為分析純,在使用前未經(jīng)過進一步處理。
表1 沉淀法合成樣品所需藥品Tab.1 Drugs required for sample synthesis by precipitation method
實驗過程中所使用的去離子水采用蒸餾裝置自制。按照化學計量比用分析天平分別稱取一定量的Bi(NO3)3·5H2O和Y(NO3)3·6H2O粉末,首先將Bi(NO3)3·5H2O溶于20 mL濃度為1 mol·L-1的稀硝酸中,磁力攪拌 20 min,再向其中加入 Y(NO3)3·6H2O,作為摻雜樣品的Y源,最后加入200 mL濃度為2 mol·L-1NaOH溶液,在某一溫度下連續(xù)攪拌,過濾,用乙醇和去離子水沖洗3次,在60℃烘箱中干燥6 h??偟幕瘜W方程式為
根據(jù)式(1),摻雜時各材料占比如表2所示。
表2 摻雜時各材料占比Tab.2 Ratio of materials in doping
采用TD-3500 X射線衍射儀(丹東通達科技有限公司)對樣品進行晶相表征,輻射源為Cu靶,測試管電壓為35 kV,管電流為25 mA,步進角度為0.05°,采樣時間為0.6 s,掃描速度為5(°)/min,掃描角度范圍10~80°;用FESEM Hitachi S-4800掃描電子顯微鏡(FESEM)分析樣品形貌;采用TU-1901型雙光束紫外可見分光光度計(北京普析通用儀器有限責任公司)進行紫外-可見漫反射光譜測試,并用白色BaSO4為參比樣品。在無光照條件下將50 mg樣品加人50 mL羅丹明 B(質(zhì)量濃度為 10 mg·L-1)溶液中,攪拌60 min使其達到吸附-脫附平衡;然后采用250 W汞燈光源進行光催化降解實驗,每隔30 min取樣3 mL離心測定上層清液脫色率;采用TU-1901型紫外-可見分光光度計測定溶液吸收光譜,獲得相對濃度,依據(jù)羅丹明B脫色率的變化評價樣品光催化活性[15]。
理論計算依據(jù)投影綴加波贗勢密度泛函理論。首先利用廣義梯度近似優(yōu)化單胞結(jié)構(gòu),然后利用包含35%非局域雜化泛函理論進行自洽和能帶結(jié)構(gòu)計算[16]。氧和鉍價電子構(gòu)型為2s22p4和5d106s26p3,其他電子作為芯電子不參與計算。截斷能采用500 eV,計算單元包含60個原子。當總能迭代小于10-4eV以及每個原子的殘余力小于0.03 eV/A。時,結(jié)構(gòu)弛豫完成。優(yōu)化完的晶格常數(shù)從10.08A。增大到10.398A。,增長量小于3%,說明優(yōu)化的結(jié)構(gòu)是合理的。優(yōu)化后的γ-Bi2O3晶體結(jié)構(gòu)以及鉍原子局域配位結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示,鉍有一種位置;而氧有2種位置,分別用O1和O2表示。每個鉍原子周圍有O1和O2各2個,形成四面體配位。根據(jù)空間群分析,Bi和O1位具有C1對稱性,而O2位具有C2對稱性。
圖1 優(yōu)化后的γ-Bi2O3晶體結(jié)構(gòu)以及鉍原子局域配位結(jié)構(gòu)示意圖Fig.1 Schemmatic diagram of optimized γ-Bi2O3crystal structure and local coordination structure of bismuth
圖2 85、≥100℃溫度下不同反應(yīng)時間時制備的γ-Bi2O3樣品的XRD譜圖Fig.2 XRD patterns of γ-Bi2O3samples prepared in temperature 85℃and≥100℃for different reaction times
γ-Bi2O3具有合適的帶隙值,因此具有較好的光催化效果,分別在85、≥100℃溫度下不同反應(yīng)時間時制備γ-Bi2O3,對樣品XRD測試結(jié)果如圖2所示。由圖2a可知,85℃下攪拌2~6 h時樣品是α-Bi2O3與γ-Bi2O3共存,且隨著時間增加α相減少而γ相占比增多。7 h樣品的衍射峰與γ-Bi2O3的標準卡片(PDF#74-1375)相對應(yīng),說明在85℃攪拌7 h完全轉(zhuǎn)變?yōu)榧兞⒎较唳?Bi2O3。由圖2b可知,在100℃攪拌1 h時樣品是α-Bi2O3與γ-Bi2O3共存,2 h完全轉(zhuǎn)變?yōu)榧兿唳?Bi2O3。在高于100℃下攪拌0.5 h時樣品完全轉(zhuǎn)變?yōu)棣?Bi2O3。由此可得,攪拌時溫度越高,完全轉(zhuǎn)變?yōu)棣?Bi2O3的反應(yīng)時間越短。
在100℃下,不同摻雜濃度的Y摻雜γ-Bi2O3的XRD譜圖如圖3所示。所有樣品的衍射模式與標準譜相匹配,說明Y摻雜后并沒有新的相產(chǎn)生,進一步說明Y進入晶格格位。在四配位時,Y3+和Bi3+離子半徑分別為90、103 pm,而O2-半徑為140 pm,因此從價態(tài)和離子半徑判斷,Y占據(jù)Bi位而非O位。
圖3 不同摻雜濃度的Y摻雜γ-Bi2O3的XRD譜圖Fig.3 XRD patterns of γ-Bi2O3doped with different concentration Y doping
微觀形貌、尺寸、分散性以及粒子之間的界面效應(yīng)強烈地影響光催化性能,純γ-Bi2O3和Y摻雜γ-Bi2O3的SEM圖像如圖4所示。由圖4a、4b可知,純γ-Bi2O3是一些分散的四面體形狀構(gòu)成,且四面體大小均一,都在8 μm左右,此外四面體之間存在堆積和交錯生長。通過放大四面體,發(fā)現(xiàn)表面上附著有大小不一的小顆粒。當釔引入到晶格中,從圖4c—4h可以看出,四面體形貌尺寸大小不再單一,而是出現(xiàn)大小不同的四面體。對于1%(質(zhì)量分數(shù))摻雜,還出現(xiàn)花狀形貌。隨著摻雜量增加,形貌尺寸差異更大,此外四面體聚集程度不斷增強。由圖4a、4c、4e、4g可知,四面體表面的碎裂小顆粒數(shù)目和尺寸隨摻雜逐漸增多,因此摻雜導致的形貌變化會導致不同催化性能。
圖4 純γ-Bi2O3和Y摻雜γ-Bi2O3的SEM圖像Fig.4 SEM images of γ-Bi2O3and Y doped γ-Bi2O3
利用同樣實驗方法制備α-Bi2O3粉末并測試催化性能,光催化降解RhB如圖5所示。
相應(yīng)的羅丹明B光催化降解效率-時間曲線如圖5a所示,可知α-Bi2O3在180 min內(nèi)降解31.47%;γ-Bi2O3在180 min內(nèi)降解62.46%;而摻雜1%、3%、5%Y的γ-Bi2O3樣品在180 min分別降解67.3%、69.86%、76.98%。這表明摻雜樣品的催化性能要優(yōu)于純相γ-Bi2O3,且隨著摻雜濃度提高,催化效率不斷增強;γ-YxBi2-xO3的光催化性能比α-Bi2O3較高。
為了更直觀地體現(xiàn)這一結(jié)果,圖5b顯示一級反應(yīng)速率常數(shù)的柱狀圖。一級反應(yīng)速率常數(shù)ka常被選作標定不同催化劑的光催化性能的基本動力學參數(shù),其計算公式為
圖5 光催化降解RhBFig.5 Photocatalytic degradation of RhB
式中:ka、C0、C、t分別為一級反應(yīng)速率常數(shù)、反應(yīng)物起始濃度、經(jīng)t時間照射后反應(yīng)物的濃度、照射時間[17]。由圖5b可知,γ-YxBi2-xO3反應(yīng)速率遠遠快于α-Bi2O3,隨著Y雜質(zhì)引入,反應(yīng)速率逐步加快。
為了分析光催化性能提高的原因,對樣品進行紫外可見漫反射光譜測試,漫反射光譜和函數(shù)關(guān)系圖如圖6所示。純的和Y摻雜樣品在450~550 nm可見光區(qū)域具有較強的吸收,這個吸收來源于價帶到導帶的電子躍遷,Y摻雜導致吸收邊藍移,增加太陽光的吸收波長。通過Kubelka-Munk函數(shù)擬合可以得到制備樣品的帶隙值[18],如圖6b所示,橫坐標波長通過1 240/λ轉(zhuǎn)換為能量,縱坐標漫反射強度轉(zhuǎn)換為[F(R)hν]1/2,如圖 6b 所示。通過延長[F(R)hν]1/2與 hν曲線的線性部分與橫軸的交點來確定樣品帶隙值。純相與摻雜Y 5%的帶隙值分別為2.66、2.62 eV。這表明Y摻雜減小γ-Bi2O3的帶隙,帶隙越小,可見光響應(yīng)的區(qū)域越大,對可見光的利用率越大,光催化效率越高。
圖6 漫反射光譜及[F(R)hν]1/2與能量的函數(shù)關(guān)系Fig.6 Diffuse reflectance spectra and[F(R)hν]1/2as a function of energy
進一步通過雜化密度泛函理論計算γ-Bi2O3的能帶結(jié)構(gòu)和態(tài)密度分布,結(jié)果如圖7所示。由圖7a可知,理論計算帶隙值與實驗值基本符合,主要來源于雜化密度理論修正密度理論中的非局域交換項。γ-Bi2O3為間接帶隙半導體,光照時電子從價帶頂躍遷到導帶底或能量更高的空態(tài),在價帶和導帶產(chǎn)生大量空穴和電子。由于間接帶隙特性電子空穴很難復合發(fā)光,因此它們的分離有利于降解實驗中氧化還原反應(yīng)進行。從圖7b看出,O 2p和Bi 3d組成價帶和導帶,電子激發(fā)躍遷是允許躍遷,提高電子空穴的分離速率。
圖7 γ-Bi2O3的能帶結(jié)構(gòu)和態(tài)密度分布Fig.7 Band structure and state density distribution of γ-Bi2O3
以NaOH為沉淀劑,采用沉淀法成功制備亞穩(wěn)相γ-Bi2O3及Y摻雜γ-Bi2O3樣品。通過光催化降解羅丹明B,發(fā)現(xiàn)γ-YxBi2-xO3樣品比α-Bi2O3樣品的光催化效率高,且隨著摻雜濃度提高,催化活性也逐漸提高。光催化性能提高的原因有:
1)形貌。隨著摻雜濃度提高,四面體顆粒不斷聚集,周圍碎裂的微小顆粒不斷增大,增大了接觸面積。
2)帶隙變小。隨著摻雜濃度的增加,帶隙逐漸變窄,可見光響應(yīng)的區(qū)域越大;對可見光的利用率越大,光催化效率越高。