秦盼亮 謝 璠 張 楠 陸趙情 王亞芳 司聯(lián)蒙
(陜西科技大學(xué)輕工科學(xué)與工程學(xué)院,陜西西安,710021)
芳綸沉析纖維(AF)是一種高性能合成纖維,因其強(qiáng)度高、模量高、輕質(zhì)以及優(yōu)異的絕緣性能被廣泛應(yīng)用于電子電器等行業(yè)[1- 3]。但AF屬于聚合物材料,晶格束縛了電子的自由移動(dòng),導(dǎo)致其導(dǎo)熱性能較差[4],這就限制了芳綸纖維制品在電子電器等領(lǐng)域的進(jìn)一步應(yīng)用。因此,為了拓展芳綸纖維及其制品的應(yīng)用,就必須提高其導(dǎo)熱性能。
目前,制備聚合物基導(dǎo)熱材料有兩種方式,一種是合成本征型聚合物導(dǎo)熱材料,如聚乙炔、聚苯胺等;另一種是制備填充型聚合物基導(dǎo)熱材料[5- 7]。前者因?yàn)楹铣沙杀靖?、周期長、技術(shù)要求高尚未被廣泛推廣,后者則因其容易制備、制備周期短等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛采用,其主要原理是在聚合物材料內(nèi)部使用導(dǎo)熱填料構(gòu)建導(dǎo)熱網(wǎng)鏈[8],以達(dá)到提升材料導(dǎo)熱性能的目的。
六方氮化硼(h-BN)因其具有和石墨一樣的層狀結(jié)構(gòu)而被稱作白色石墨。h-BN具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性能,同時(shí)其寬的帶隙以及較低的電子離域性,使得h-BN具有很高的電阻率、低的介電常數(shù)和介電損耗等,是目前性能最優(yōu)異的導(dǎo)熱絕緣填料[9- 10]。h-BN可以作為樹脂、橡膠、塑料等高分子聚合物的導(dǎo)熱絕緣填料,以制備輕質(zhì)、易加工成形、耐腐蝕的導(dǎo)熱絕緣界面材料、封裝材料以及導(dǎo)熱絕緣膠黏劑,在電子電器、微電子、電子信息等領(lǐng)域應(yīng)用極其廣泛。因此受到研究者們的廣泛關(guān)注[11- 12]。
對(duì)于復(fù)合材料,填料的分散以及與基體的界面結(jié)合一直是研究的熱點(diǎn)。鹽酸多巴胺(DA)具有3,4-二酚羥基結(jié)構(gòu),在有氧潮濕的弱堿條件下會(huì)發(fā)生氧化自聚合反應(yīng),生成一系列具有不同分子質(zhì)量的低聚物,這些低聚物一部分發(fā)生交聯(lián)反應(yīng),生成分子質(zhì)量較高的聚合物; 同時(shí),通過多種共價(jià)鍵和非共價(jià)鍵協(xié)同作用,多巴胺、多巴胺的氧化產(chǎn)物及其低聚物、高聚物在溶液中自發(fā)組裝形成不同形態(tài)結(jié)構(gòu)的組裝體,這一組裝體被稱為聚多巴胺(PDA)[13- 16]。PDA具有非常強(qiáng)的黏附性能,在潮濕環(huán)境下能夠牢固的黏附在自然界中絕大部分物體的表面。同時(shí),PDA還含有豐富的鄰苯二酚羥基和氨基活性基團(tuán),能夠與含有氨基(—NH2)和羥基(—OH)的有機(jī)聚合物發(fā)生反應(yīng)或者產(chǎn)生氫鍵結(jié)合。因此常被用來對(duì)表面惰性的功能填料進(jìn)行功能化,以達(dá)到改善復(fù)合材料中填料與基體界面結(jié)合的目的[17]。
本實(shí)驗(yàn)采用DA對(duì)h-BN進(jìn)行表面功能化改性,通過X射線能譜儀(EDS)、激光顯微拉曼成像光譜儀、傅里葉變換紅外光譜儀(FT-IR)驗(yàn)證h-BN是否被成功改性;然后將改性過的h-BN與AF利用真空輔助抽濾的方式制備成二元紙基復(fù)合材料,利用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察PDA@h-BN在紙基材料內(nèi)部的分布;通過體積電阻率測試儀、導(dǎo)熱系數(shù)測試儀對(duì)二元紙基復(fù)合材料的絕緣性能、導(dǎo)熱性能進(jìn)行表征分析。
六方氮化硼粉末(h-BN)(1~2 μm, 純度>99.5%),上海麥克林生物化學(xué)公司;鹽酸多巴胺(以下簡稱多巴胺)、三羥甲基氨基甲烷(Tris-base),均為分析純,阿拉丁試劑有限公司;無水乙醇,分析純,天津大茂試劑有限公司;芳綸沉析纖維(AF),平均長度為0.644~0.869 mm,美國杜邦公司。
1.2.1 h-BN的表面改性
將去離子水與無水乙醇以體積比3∶1的比例制備成400 mL的混合溶劑,將1.21 g三羥甲基氨基甲烷溶于混合溶劑中,三羥甲基氨基甲烷緩沖溶液的濃度為0.01 mol/L,pH值保持在8.5,有利于DA的氧化自聚合反應(yīng)。然后將2 g h-BN加入緩沖溶液中,勻速攪拌分散于溶液中,最后將0.8 g多巴胺加入其中,室溫下攪拌反應(yīng)6 h,結(jié)束后用去離子水多次洗滌,60 ℃下干燥,制得PDA@h-BN備用。
1.2.2 AF-PDA@h-BN二元紙基復(fù)合材料的制備
將改性的h-BN粉末利用超聲波輔助均勻分散在水中,并將其與疏解好的AF充分混合,利用真空輔助抽濾的方法制備PDA@h-BN用量分別為0、5%、10%、15%的二元紙基復(fù)合材料,抽濾結(jié)束后將成形的二元紙基復(fù)合材料壓榨、干燥,其制備流程如圖1所示。其中二元紙基復(fù)合材料的定量為63.7 g/m2,直徑為10 cm。
圖1 AF-PDA@h-BN二元紙基復(fù)合材料的制備流程圖
1.2.3 結(jié)構(gòu)及性能表征
采用捷克TESCAN公司JSM- 6360LV型X射線能譜儀檢測h-BN改性化前后表面的元素分布;采用美國THEMX公司J1348型激光顯微拉曼成像光譜儀、德國Bruker公司Vertex70型傅里葉變換紅外光譜儀檢測改性前后h-BN表面官能團(tuán)的變化;采用捷克TESCAN公司JSM- 6360LV型掃描電子顯微鏡觀察PDA@h-BN在紙基材料內(nèi)部的分布;采用北京北廣精儀公司BEST- 212型體積電阻率測試儀、西安夏溪公司TC3000E型導(dǎo)熱系數(shù)測試儀對(duì)二元紙基復(fù)合材料的絕緣導(dǎo)熱性能進(jìn)行分析表征。
2.1.1 表面元素分析
圖2為h-BN和PDA@h-BN的實(shí)物照片。從圖2可以看出,改性前h-BN為純白色,改性后變?yōu)榛液谏?。圖3為h-BN的改性示意圖。從圖3可以看出, h-BN的微觀結(jié)構(gòu)呈六方的片層結(jié)構(gòu),與石墨結(jié)構(gòu)相似。改性后,h-BN由原來的白色變?yōu)榛液谏@是因?yàn)镈A通過氧化自聚合反應(yīng)生成PDA黏附在h-BN表面的結(jié)果。圖4為PDA的分子結(jié)構(gòu)式[18]。
圖2 h-BN 和PDA@h-BN的實(shí)物照片
圖3 h-BN的改性示意圖
圖4 PDA的分子結(jié)構(gòu)式
圖5 h-BN和PDA@h-BN的EDS譜圖
圖5為h-BN和PDA@h-BN的EDS譜圖。從圖5可以看出,經(jīng)過PDA改性的h-BN表面元素分布發(fā)生了變化。首先,硼的含量由改性前的48.87%降為46.63%;因?yàn)槎喟桶分泻械?,因此氮含量變化不大;碳和氧的含量也分別由7.00%和0.72%增加至8.77%和1.30%。元素分析結(jié)果表明,DA通過氧化自聚合反應(yīng)已經(jīng)成功地黏附在了h-BN的表面,實(shí)現(xiàn)了h-BN表面的功能化改性。
2.1.2 化學(xué)結(jié)構(gòu)分析
圖6為h-BN和PDA@h-BN的拉曼光譜圖。從圖6中可以看出,h-BN和PDA@h-BN 均在1363 cm-1處附近出現(xiàn)特征峰,這歸屬于h-BN高頻的Eg2面內(nèi)振動(dòng)。PDA@h-BN在此處的特征峰明顯減弱,并且PDA@h-BN在1590 cm-1處又出現(xiàn)了新的吸收峰,這屬于PDA結(jié)構(gòu)中的鄰苯二酚的變形特征峰[18- 19]。圖7為h-BN和PDA@h-BN的FT-IR圖。從圖7可以看出,h-BN和PDA@h-BN均在804、1368、2517 cm-1處出現(xiàn)特征吸收,這3個(gè)吸收峰均歸因于h-BN的特征吸收。
圖6 h-BN和PDA@h-BN的拉曼光譜圖
圖7 h-BN和PDA@h-BN的FT-IR圖
其中1368 cm-1和804 cm-1分別對(duì)應(yīng)于—B—N—的伸縮和彎曲振動(dòng)的特征吸收,而2517 cm-1則屬于BN最原始的特征吸收[20]。與h-BN相比,PDA@h-BN在3410 cm-1處出現(xiàn)特征峰,這歸屬于PDA結(jié)構(gòu)中的酚羥基結(jié)構(gòu)[21]。拉曼光譜和紅外光譜的結(jié)果均表明,h-BN已被DA成功改性。
圖8 芳綸原紙與二元紙基復(fù)合材料的SEM圖
2.2.1 微觀形貌分析
未添加PDA@h-BN,僅使用AF抄造的紙稱為芳綸原紙。圖8為芳綸原紙與二元紙基復(fù)合材料的SEM圖。從圖8可以看出,芳綸原紙的紙張內(nèi)部存在大量孔隙。通過PDA@h-BN的添加,紙張內(nèi)部的孔隙被PDA@h-BN顆粒所填充,使紙張的表面更加平整,紙張結(jié)構(gòu)更加緊密。從圖8中還可以看出,PDA@h-BN顆粒與AF之間的結(jié)合非常緊密,這歸因于PDA@h-BN 表面的酚羥基與AF結(jié)構(gòu)中的羰基以及氨基所形成的氫鍵結(jié)合[22- 23]。
2.2.2 絕緣性能分析
圖9為芳綸原紙與二元紙基復(fù)合材料的體積電阻率。從圖9可以看出,芳綸原紙和二元紙基復(fù)合材料都具有優(yōu)異的絕緣性能,其體積電阻率高出規(guī)定絕緣體的體積電阻率2~3個(gè)數(shù)量級(jí),表明無論是芳綸原紙還是二元紙基復(fù)合材料都有作為絕緣紙使用的潛能。隨著PDA@h-BN用量的增加,二元紙基復(fù)合材料的體積電阻率在逐漸增加,一方面是因?yàn)閔-BN具有很高的電阻率,一般可以達(dá)到1015Ω·m,因此h-BN在二元紙基復(fù)合材料的體積電阻率方面發(fā)揮了補(bǔ)強(qiáng)效應(yīng);另一方面是因?yàn)?AF和PDA@h-BN的相界面對(duì)二元紙基復(fù)合材料中電荷傳輸?shù)淖璧K[24]。
2.2.3 導(dǎo)熱性能分析
圖10為芳綸原紙與二元紙基復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)。從圖10中可以看出,芳綸原紙的導(dǎo)熱系數(shù)只有0.12 W/(m·K), 相對(duì)于塑料、樹脂等普通聚合物,其導(dǎo)熱性能較差[25]。這主要是因?yàn)榉季]原紙內(nèi)部存在大量氣孔,而空氣的導(dǎo)熱系數(shù)僅為0.02 W/(m·K)。隨著PDA@h-BN用量的增加,二元紙基復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)呈上升趨勢。當(dāng)PDA@h-BN的用量為15%時(shí),二元紙基復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)到了0.33 W/(m·K),上升幅度達(dá)175%。傳熱性能的這一顯著提升主要是因?yàn)榧垙垉?nèi)部的孔隙被PDA@h-BN所填充,這就使得導(dǎo)熱性能極差的空氣被導(dǎo)熱性能優(yōu)異的PDA@h-BN所代替,可以稱作PDA@h-BN對(duì)紙張導(dǎo)熱性能的補(bǔ)強(qiáng)。
圖9 芳綸原紙與二元紙基復(fù)合材料的體積電阻率
圖10 芳綸原紙與二元紙基復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)
另一方面,因?yàn)镻DA@h-BN顆粒的粒徑僅為1~2 μm,紙張內(nèi)部幾乎所有的孔隙都可以被填充,從而使PDA@h-BN顆粒在紙張內(nèi)部形成了大量的導(dǎo)熱網(wǎng)鏈,進(jìn)一步提升了二元紙基復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能。
利用多巴胺(DA)的氧化自聚合反應(yīng),對(duì)導(dǎo)熱絕緣性能優(yōu)異的六方氮化硼(h-BN)進(jìn)行改性,制得PDA@h-BN,以芳綸沉析纖維(AF)為基體,利用真空輔助抽濾的方式制備了AF-PDA@h-BN二元紙基復(fù)合材料。
3.1 X射線能譜分析、拉曼光譜分析、紅外光譜分析表明,h-BN被DA成功改性,在h-BN光滑的表面上引入酚羥基,改善了h-BN與AF之間的界面結(jié)合。通過二元紙基復(fù)合材料的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像可以看出,PDA@h-BN與AF結(jié)合緊密。
3.2 該復(fù)合材料具有優(yōu)異的絕緣性能,這主要是因?yàn)閔-BN優(yōu)異的絕緣性能;二元紙基復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能也得到了極大地提升,從0.12 W/(m·K)提升至0.33 W/(m·K),增幅175%。