詹斯琦 王真真

摘要：本文簡要分析CPC分類體系在半導體器件制造領(lǐng)域的分類現(xiàn)狀，主要從半導體器件制造領(lǐng)域IPC分類下的四個一點組與對應的CPC分類下的四個一點組進行對比分析。

關(guān)鍵詞：半導體器件制造；IPC；CPC；分類現(xiàn)狀

引言

自2010年10月來，專利分類CPC體系上線，其融合了歐、美原有專利分類體系的優(yōu)勢，與IPC分類體系在分類標準和層級結(jié)構(gòu)上保持了一致，并在ECLA基礎(chǔ)上進行了擴展，由于CPC采用IPC分類形式，做了更進一步的細分，使得其對專利文獻的標引更加細化，這對專利文獻檢索效率的提高起到了至關(guān)重要的作用[1]。

一、半導體器件制造領(lǐng)域IPC與CPC分類現(xiàn)狀

1.IPC分類現(xiàn)狀

半導體器件制造領(lǐng)域主要涉及半導體器件的制造方法和制造裝置，其對應的IPC分類號為H01L21/02-H01L21/687，共有四個一點小組：H01L21/02（文獻量1075307）、H01L 21/64（文獻量792）、H01L 21/66（文獻量104700）、H01L 21/67（文獻量116555）。可見，半導體器件制造領(lǐng)域的文獻主要集中在H01L21/02一點組分類下。對于H01L21/02一點組，涉及制造方法及工藝，由于一篇專利中可能涉及多個發(fā)明點，即可能會涉及到多個下位點組的分類號，從而導致在采用IPC分類時模棱兩可，舍去部分相關(guān)的分類號，直接影響檢索效率。對于H01L21/66和H01L21/67一點組，H01L21/66分類下沒有二點組，這兩個分類號下的文獻分類較為準確，在檢索時可以直接在該一點組分類號下+關(guān)鍵詞進行檢索，但是因為其下位點組過少，導致文獻的分類較為籠統(tǒng)，沒有更精細的分類所以不能進行有針對性地檢索，導致檢索效率較為低下。

2.CPC分類現(xiàn)狀

由于CPC與IPC分類體系在分類標準和層級結(jié)構(gòu)上保持了一致，除了原IPC分類一點組H01L21/64及H01L21/66以外的其它一點組，CPC分類在原IPC分類基礎(chǔ)上做了更進一步的細分，下位點組最高可達十點組以上；同時CPC還從不同于IPC分類的角度對分類號進行了衍生擴展（如CPC H01L21/02002-H01L21/027）；例外地，CPC還將原IPC的一點組H01L 21/66分類移出了H01L21/00大組，在CPC分類中重新成立了一個大組分類條目H01L22/00，并在該大組下進行了細分。經(jīng)過細分、擴展后的半導體器件制造領(lǐng)域的CPC分類體系可以幫助審查員提高檢索效率。

二、半導體器件制造領(lǐng)域IPC與CPC分類號對比

本章主要從CPC分類對分入IPC一點組H01L 21/02和H01L21/67和H01L21/66中的文獻進行擴展細分進行比較分析。

1.CPC H01L21/02-H01L21/27分類與IPC H01L21/02 分類比較

原分入IPC一點組H01L21/02下共有三個二點組，CPC在原IPC分類的基礎(chǔ)上進行了擴展分類，新加入了三個二點組，因此CPC在一點組H01L21/02下共有六個二點組，如下所示：

1、CPC新增 H01L21/02002（··） 預備晶片

2、CPC 新增 H01L 21/02041（··） 清洗

3、CPC 新增 H01L 21/02104（··） 形成層

4、原IPC保留 H01L 21/027 （··） 未在H01L 21/18或H01L 21/34組中包含的為進一步的光刻工藝在半導體之上制作掩膜

5、原IPC保留 H01L 21/04 （··） 至少具有一個躍變勢壘或表面勢壘的器件

6、原IPC保留 H01L 21/62 （··） 無躍變勢壘或表面勢壘的器件

可見，CPC分類在一點組H01L21/02下擴展了多個二點組，并且其下位點組最高可達9點組，主要是針對半導體器件的基片的預處理過程進行了分類，基片的預處理如清洗和形成層在IPC中沒有相應的分類號，而往往很多專利涉及半導體器件制造之前對晶片的預處理過程，因此CPC在該領(lǐng)域的擴展分類使得半導體制造工藝的過程的分類更加完善，檢索起來更加有針對性。

2.CPC H01L21/67-H01L21/673分類與IPC H01L21/67 分類比較

CPC對原分入IPC一點組H01L21/67的文獻進行了擴展分類，新加入了一個二點組，因此CPC在一點組H01L21/67下共有五個二點組，如下所示：

1、CPC新增 H01L 21/67005 （··） 非專用與其它地方的設(shè)備：制造或處理裝置；監(jiān)測，分類或標記用設(shè)備

2、原IPC保留 H01L 21/673 （··） 使用專用的載體的

3、原IPC保留 H01L 21/677 （··） 用于傳送的，例如在不同的工作站之間

4、原IPC保留 H01L 21/68（··） 用于定位、定向或?qū)实?/p>

5、原IPC保留 H01L 21/683（··） 用于支撐或夾緊的

可見，CPC分類在一點組H01L21/67下擴展了一個二點組，由于半導體制造工藝中有多種處理工藝，即涉及不同類型的處理裝置，此外，在半導體制造過程中通常會實時監(jiān)測工藝過程，因此處理裝置中通常還包括監(jiān)控裝置，而該些裝置類型在IPC中沒有相應的分類號，CPC對此進行了細分，擴展了半導體制造裝置的分類領(lǐng)域，分類更為全面。

3.CPC H01L22/10-H01L22/34分類與IPC H01L21/66 分類比較

半導體制造的測試或測量方法的IPC分類號僅由一個一點組H01L21/66構(gòu)成， CPC在半導體制造的測試或測量方法的分類從原IPC所在的H01L21/00大組下分出來，重組了一個新的大組H01L22/00，其下目前有三個一點組，如下所示：

IPC（一點組）：H01L 21/66？在制造或處理過程中的測試或測量；

CPC（大組）：

1、H01L 22/10 （·） 測量作為制造工藝的一部

2、H01L 22/20 （·） 包括多個測量、修正、標記或分類步驟

3、H01L 22/30 （·） 專門適用在制造中的測試或測量

可見，CPC分類在半導體制造的測試領(lǐng)域進行了初步的細分，該分類還有進一步可細化的空間，盡管只是初步的細分，但較之前僅有一點組的IPC分類而言，給審查員在對該領(lǐng)域案件的審查過程指明了檢索的方向。

三、總結(jié)

半導體器件制造領(lǐng)域IPC分類比較簡略和上位，分類的角度不夠全面，不利于審查員高效的檢索，而CPC分類不僅在原有IPC分類分支上進行了細分使得分類條目更加詳細，同時還做了新的擴展，覆蓋面廣，分類角度多，可以從不同的角度對案件進行分類。因此，審查員在檢索時，可以優(yōu)先查找更精準的CPC分類號進行檢索，減小漏檢的概率，迅速提高檢索效率。

參考文獻：

[1]郭青. 淺析CPC分類體系[J]. 中國發(fā)明與專利，2016（1）：90-94.