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        多晶硅太陽電池絲網(wǎng)印刷工藝優(yōu)化研究

        2018-11-19 05:51:08麗,進(jìn),
        山西化工 2018年5期
        關(guān)鍵詞:效率實(shí)驗(yàn)

        陳 麗, 楊 進(jìn), 梁 玲

        (山西潞安太陽能科技有限責(zé)任公司,山西 長治 046011)

        引 言

        絲網(wǎng)印刷工藝作為多晶硅太陽電池最關(guān)鍵的步驟之一,印刷質(zhì)量的好壞與否,對(duì)電池片的性能包括電池片的外觀等均可構(gòu)成直接影響,因此,充分獲得較高的印刷質(zhì)量是重要工作[1]。絲網(wǎng)印刷工藝的基本原理是利用掩膜的方式,將含有金屬的導(dǎo)電漿料以一定的網(wǎng)狀圖案印刷在硅片的正背面,通過烘干、燒結(jié)使金屬漿料與硅基片形成良好的歐姆接觸,而印刷是否最優(yōu)是通過最終檢測(cè)的轉(zhuǎn)換效率來體現(xiàn)的。目前,硅太陽能企業(yè)都在通過各種途徑進(jìn)行電池片轉(zhuǎn)換效率的提升工作,而絲網(wǎng)印刷工藝的優(yōu)化無疑是最直接有效的方式。

        絲網(wǎng)印刷工藝要在硅片表面印刷電極,這些電極的存在減少了硅片的受光面積,如何在高效收集電流的同時(shí),降低硅太陽能電池正面金屬電極的遮光損失(約占6%受光面積),也是目前提高硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的重點(diǎn)[2];要提高電池片的轉(zhuǎn)換效率,需要減少金屬漿料在電池片串聯(lián)電阻方面的損失,這就要設(shè)定合理的燒結(jié)條件以保證形成穩(wěn)定良好的銀-硅歐姆接觸[3]。鋁背場鈍化可以降低載流子符合機(jī)率,同時(shí)提升電池片的轉(zhuǎn)換效率。

        1 實(shí)驗(yàn)部分

        1.1 實(shí)驗(yàn)原料及設(shè)備

        實(shí)驗(yàn)采用156.75 mm×156.75 mm的P型多晶硅片,電阻率為1 Ω·cm~3 Ω·cm,厚度為(200±20)μm。絲網(wǎng)印刷設(shè)備采用亞系公司生產(chǎn)的ASYS絲網(wǎng)印刷機(jī),電極燒結(jié)設(shè)備采用德國Centrotherm公司生產(chǎn)的CT燒結(jié)爐,檢測(cè)分選設(shè)備采用ASYS太陽光模擬檢測(cè)儀。

        1.2 實(shí)驗(yàn)過程

        實(shí)驗(yàn)一:使用PECVD后鍍膜硅片,實(shí)驗(yàn)分兩組,每組400片,印刷漿料及燒結(jié)條件相同,一組印刷時(shí)使用正銀無網(wǎng)結(jié)5主柵網(wǎng)版,對(duì)比組使用正銀無網(wǎng)結(jié)12主柵網(wǎng)版進(jìn)行印刷,印刷后對(duì)兩組電學(xué)性能進(jìn)行測(cè)試,以驗(yàn)證受光面積對(duì)轉(zhuǎn)換效率的影響。

        實(shí)驗(yàn)二:實(shí)驗(yàn)分4組,每組100片,實(shí)驗(yàn)使用銀漿為碩禾660A5 K4漿料,四組實(shí)驗(yàn)搭配所用銀漿分別對(duì)燒結(jié)爐溫度和帶速進(jìn)行調(diào)節(jié),以驗(yàn)證溫度和帶速變化對(duì)串聯(lián)電阻RS的影響。

        實(shí)驗(yàn)三:使用PECVD后鍍膜硅片,實(shí)驗(yàn)分二組,每組400片,正銀及背銀漿料相同,背鋁測(cè)試二重不同漿重后進(jìn)行印刷,然后對(duì)電學(xué)性能進(jìn)行測(cè)試,以驗(yàn)證背電場鈍化對(duì)轉(zhuǎn)換效率的影響。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 受光面積與轉(zhuǎn)換效率

        第90頁表1為兩種不同主柵網(wǎng)版最終的電學(xué)性能測(cè)試結(jié)果,從表中可以看出,12主柵網(wǎng)版相對(duì)于5主柵網(wǎng)版印刷的電池片,其電學(xué)參數(shù)中的短路電流高出5主柵網(wǎng)版0.47 mA,開路電壓高出5主柵網(wǎng)版0.006 mV,12主柵的電池片最終的轉(zhuǎn)換效率比5主柵電池片提高了0.6%。產(chǎn)生上述結(jié)果的主要原因是隨著網(wǎng)版主柵線的增加,光生伏特效應(yīng)收集的電流在主柵間傳輸?shù)木嚯x縮短了,同時(shí)隨著主柵寬度的減小,受光面積增加使得電流收集能力增強(qiáng),轉(zhuǎn)換效率也相應(yīng)提升。因此,電池片受光面積的變化間接影響著電池片的電學(xué)參數(shù),通過增加網(wǎng)印網(wǎng)版的主柵線數(shù)量,可減少硅片因受光面遮擋造成的效率損失。

        表1 兩種網(wǎng)版電學(xué)參數(shù)

        2.2 歐姆接觸與轉(zhuǎn)換效率

        良好的歐姆接觸是電池片獲得較好轉(zhuǎn)換效率的前提,而太陽電池串聯(lián)電阻Rs的大小直接反映了電極歐姆接觸的好壞[4]。這就需要電池片在燒結(jié)過程中,根據(jù)正銀柵線與硅基片滲透的機(jī)理設(shè)計(jì)與之相匹配的燒結(jié)條件,從而獲得較小的串聯(lián)電阻。

        圖1給出了隨燒結(jié)溫度與帶速的調(diào)整串聯(lián)電阻Rs變化情況。從圖中可以看到A點(diǎn)、C點(diǎn)、D點(diǎn)Rs的值都高于B點(diǎn)Rs的值,原因是電池片在燒結(jié)過程中,溫度設(shè)定合理但燒結(jié)時(shí)間短,如A點(diǎn)所示,銀漿中的玻璃粉在較短的時(shí)間內(nèi)不能使銀粉末形成致密的銀膜,致使銀與硅的滲透性差,銀硅接觸電阻大導(dǎo)致總體Rs增大;燒結(jié)時(shí)間設(shè)定合理但溫度過高或是溫度設(shè)定合理但燒結(jié)時(shí)間長則會(huì)造成電池片燒結(jié)過度,如C點(diǎn)D點(diǎn)所示,此時(shí)銀漿的各顆粒間會(huì)產(chǎn)生熔融現(xiàn)象,它們互相接觸時(shí)會(huì)產(chǎn)生空隙,而此空隙是不導(dǎo)電的,導(dǎo)致Rs變大;圖中B點(diǎn)為當(dāng)燒結(jié)爐溫度設(shè)定850 ℃且?guī)贋? 000 mm/min時(shí)得到的Rs的值,此時(shí)燒結(jié)充分,銀和硅兩種材料接觸后會(huì)相互滲透,形成連續(xù)滲透且有差異的銀硅界面[5],這時(shí)串聯(lián)電阻小即歐姆接觸良好,最終提高電池片的轉(zhuǎn)換效率。

        圖1 溫度和帶速變化對(duì)Rs的影響

        2.3 背場鈍化與轉(zhuǎn)換效率

        多晶硅電池表面缺陷多、復(fù)合速率高,會(huì)影響太陽電池的效率。背鈍化作為鋁背場的作用之一,它的主要目的是降低表面復(fù)合速率減少載流子損失。對(duì)兩種不同重量鋁背場的電池片開路電壓和短路電流進(jìn)行散點(diǎn)圖對(duì)比分析,見圖2,漿重為1.27 g時(shí)其開路電壓和短路電流都更優(yōu)于漿重為1.19 g時(shí)的數(shù)據(jù),原因是漿重為1.19 g時(shí),意味著印刷的鋁背場厚度較低,此時(shí)的鋁背場不利于長波的吸收,光生載流子的數(shù)目也隨之降低。而漿重為1.27 g時(shí),背電場充分發(fā)揮了背反射器的作用,它增加了光程,提高了短路電流,增長了少數(shù)光生載流子的壽命,從而最終提高了電池的轉(zhuǎn)換效率[6]。

        圖2 兩種漿重開路電壓和短路電流散點(diǎn)對(duì)比圖

        3 結(jié)語

        本文以優(yōu)化多晶硅太陽電池絲網(wǎng)印刷工藝為研究目標(biāo),通過對(duì)影響電池片轉(zhuǎn)換效率的因素進(jìn)行實(shí)驗(yàn)分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,改變網(wǎng)印網(wǎng)版的柵線數(shù)量與柵線寬度,提高了正面柵線的受光面積,避免了因柵線遮擋造成的效率損耗。設(shè)定合理的與所用銀漿相匹配的燒結(jié)窗口,才能得到較小的串聯(lián)電阻,形成良好的歐姆接觸。此外,印刷過程中,按照工藝控制點(diǎn)測(cè)定漿重范圍,以盡可能發(fā)揮背場的鈍化作用,提高電池片的轉(zhuǎn)換效率。

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