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        基于加權(quán)最小二乘的變流器雜散電感提取方法

        2018-09-04 16:36:22
        制造業(yè)自動化 2018年8期
        關(guān)鍵詞:雜散變化率電感

        (河南理工大學(xué) 電氣工程及自動化學(xué)院,焦作 454000)

        0 引言

        隨著社會經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,基于電力電子器件的大容量功率變流器的研究與應(yīng)用越來越多。目前,絕緣柵雙極型晶體管在商業(yè)化下成為廣泛應(yīng)用的開關(guān)器件,其電壓等級可達(dá)6500V,電流等級可達(dá)3600A,開關(guān)時間約0.2us[1],具有很高的電流變化率di/dt。在較高的di/dt和線路雜散電感共同作用下,IGBT關(guān)斷過程中會承受比較高的電壓尖峰,這樣就增加了開關(guān)器件的電應(yīng)力、開關(guān)損耗及電磁干擾問題[2],加速了IGBT模塊老化[3]。線路雜散參數(shù)的存在還會改變主回路的參數(shù)和拓?fù)?,并且會使電路中的阻抗特性產(chǎn)生變化,進(jìn)而對性能造成偏差結(jié)果[4]。

        功率變流器雜散電感的提取方法可分為解析計算法[5,6],數(shù)值計算法[7,8]、測量法[9,10]。目前比較實用的測量方法是間接測量,該方法是通過測試電路開關(guān)器件的開通關(guān)斷瞬態(tài)電壓過沖及其對應(yīng)的電流變化率,并利用電感計算公式L=ΔU·(dt/di)計算雜散電感??梢姡娏髯兓蔰i/dt的準(zhǔn)確度直接影響雜散電感的提取精度。針對電流變化率di/dt的分析,文獻(xiàn)[2]采用加入緩沖電路形成某一時段內(nèi)的恒定的電流變化率,但成本較高;文獻(xiàn)[1,2]將IGBT開關(guān)過程分為多個時間段進(jìn)行分析,并確定其最適合提取雜散電感的時間段,利用積分運算進(jìn)行計算;文獻(xiàn)[11,12]把某一時間段的電流變化率視為恒定不變,而在關(guān)斷過程中實際的電流變化率在時刻變化,把其視為恒定值會引起較大的計算誤差;文獻(xiàn)[13]考慮了吸收電容和二極管的反向恢復(fù),基于LC諧振測量IGBT開通關(guān)斷過程的諧振參數(shù)進(jìn)行雜散電感的計算,計算結(jié)果有一定的誤差。

        本文基于電容兩端布局的電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析方法,針對間接測量法中不易準(zhǔn)確提取導(dǎo)致的計算誤差較大這一問題,提出一種利用加權(quán)最小二乘法對電流i(t)取點進(jìn)行擬合計算的優(yōu)化方法,通過尋求最優(yōu)點所對應(yīng)的電壓過沖值來計算回路總雜散電感。

        1 加權(quán)最小二乘法的分析

        由于IGBT關(guān)斷瞬態(tài)過程的電流ic并非是線性變化的,傳統(tǒng)雙脈沖測試提取雜散電感的過程中視電流為線性變化,把非線性近似為線性的計算會使計算結(jié)果的精度受到影響。非線性問題轉(zhuǎn)化為線性問題后,由于會產(chǎn)生數(shù)據(jù)隨機誤差分布的改變,利用加權(quán)最小二乘法對線性化后的問題進(jìn)行線性回歸處理,能夠使殘差進(jìn)一步降低,可提高回路雜散電感參數(shù)測定結(jié)果的準(zhǔn)確度,因此求解時利用加權(quán)最小二乘法是有益的。

        根據(jù)IGBT關(guān)斷瞬態(tài)波形的分析可得加權(quán)最小二乘法目標(biāo)函數(shù)Q,Q為電流的殘差平方和,如式(1)所示。為了使得所有測量點的值對曲線具有同等的影響水平,在殘差之前加以權(quán)值Si,權(quán)值一般取橫坐標(biāo)平方的倒數(shù)。

        式中:Si為權(quán)值,權(quán)值?。?/ti)2,i取1,2,3,…,n。

        為求得使Q值最小時的K、B,根據(jù)求極值特點,那么存在唯一K、B值使Q得值最小,因此Q對K、B的導(dǎo)數(shù)為零,即:

        可得:

        由式(2)、式(3)可得截距B和斜率K的表達(dá)式為:

        根據(jù)式(4)求得K值后,可以利用式(1)求出最佳的di/dt點以及其對應(yīng)的電壓值。

        2 基于IGBT關(guān)斷瞬態(tài)的雜散電感提取優(yōu)化

        傳統(tǒng)的計算方法是基于IGBT關(guān)斷的波形,取電流變化率di/dt變化較大的時間段內(nèi)對應(yīng)的電壓過沖ΔU,并利用電感伏安關(guān)系式進(jìn)行計算:

        由于di/dt在關(guān)斷過程中變化較大,若該時間段選取的較長,則di/dt并非恒定值,導(dǎo)致計算值不準(zhǔn)確;若該時間段選取較短,容易產(chǎn)生測量誤差,同樣會對結(jié)果造成較大影響。本文在分析IGBT關(guān)斷電流波形的基礎(chǔ)之上,利用加權(quán)最小二乘法在合適時間段內(nèi)進(jìn)行取點擬合,通過仿真實驗驗證該優(yōu)化方法的準(zhǔn)確性和實用性。在di/dt變化率較大的一小段時間內(nèi),取n個時間點所對應(yīng)的ic值,得到加權(quán)最小二乘目標(biāo)函數(shù)Q。

        利用程序計算出當(dāng)Q值最小時的K、B的值,K值為di/dt,進(jìn)而得出擬合函數(shù)ic(ti)和最優(yōu)點ti,并求該點所對應(yīng)的UM值。

        具體求解流程如圖1所示。

        圖1 總雜散電感計算流程

        由于IGBT模塊自身電感LIGBT的存在,則電感LIGBT兩端電壓為:

        那么IGBT關(guān)斷時兩端的實際值Uce為:

        式中:Uce為圖2中T1的c、e兩點電壓,UM為圖2中電壓表測量值。

        此外,Uce還可以用式(9)表示:

        將式(8)代入式(9)可得線路總的雜散電感LS為:

        式中:Usteady為關(guān)斷電壓回落后的穩(wěn)定值,約為母排直流側(cè)電壓。

        本文以電容兩端布局的電路為測試對象如圖2所示,電路參數(shù)如表1所示。本文假設(shè)母排的雜散電感確定已知的情況下,為了減小回路總雜散電感值,只有通過改變電路的布局,進(jìn)而改變回路中的雜散電感大小。本文采用電容分側(cè)布局,基于IGBT關(guān)斷過程波形進(jìn)行回路總雜散電感的提取。

        圖2 電容兩側(cè)布局電路圖

        在IGBT關(guān)斷時刻,由于存在較大的Lwire,電路中會形成兩個不同的環(huán)流回路I1、I2、I3,三個回路的雜散電感產(chǎn)生的電壓共同作用于IGBT的集電極c和發(fā)射極e;由電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可知,兩回路不重疊的部分的電感相當(dāng)于并聯(lián),可得關(guān)斷時引起電壓過沖的總雜散電感LS:

        式中:LS為總雜散電感,Lbus為母排雜散電感,Lc1、Lc2為電容電感,Lwire為直流電源連接線路雜散電感。

        3 仿真實驗與結(jié)果驗證

        根據(jù)以上分析,按照圖2的測試電路進(jìn)行仿真實驗分析,圖中參數(shù)如表1所示。使用電路仿真分析軟件Simplorer 11.0對圖2的電路進(jìn)行仿真,根據(jù)表1設(shè)置電路的參數(shù)并運行,得出IGBT關(guān)斷時電壓UM和IGBT流通電流ic的波形,如圖3所示。

        表1 電路參數(shù)

        圖3 電容分側(cè)布局IGBT關(guān)斷瞬態(tài)波形圖

        基于以上分析,圖3中t1~t3階段中電流變化率di/dt變化明顯,并且UM的幅值變化較大,且該階段中IGBT的結(jié)電容和位移電流有較小的影響[1]。圖3中在t2時刻對應(yīng)的電流值附近(約20ns時間段)進(jìn)行取點,利用加權(quán)最小二乘法進(jìn)行擬合。仿真中假定母排雜散電感Lbus為固定變量,以FZ1500R33HE3型號的IGBT為例(其內(nèi)部雜散電感為5nH),得出電容分側(cè)布局的總雜散電感值LS及與參考值的誤差,如表2所示。

        表2 總雜散電感值仿真對比

        表2中Lbus為母排雜散電感,LC為由公式計算所得總雜散電感,LS為基于仿真得到的關(guān)斷波形利用本文方法計算所得總雜散電感。

        根據(jù)表2數(shù)據(jù)結(jié)果分析可知,每組的總雜散電感值LS和由公式計算的總雜散電感值LC的相對誤差都比較小,偏差在1%以內(nèi)。文獻(xiàn)可見的方法誤差在2%~4%之間,可見本文把ULIGBT考慮在內(nèi),并通過加權(quán)最小二乘法進(jìn)行優(yōu)化計算,使得總雜散電感的提取誤差減小,提高了準(zhǔn)確度。

        4 平臺測試

        本文以FZ1500R33HE3構(gòu)成的1.3MVA的三相兩電平變流器進(jìn)行試驗,并以V相為例;其中電容的雜散電感經(jīng)查閱相關(guān)參數(shù)為40nH;疊層母排的電感可利用阻抗分析儀測得,也可根據(jù)其實際結(jié)構(gòu)參數(shù)通過ANSYS Q3D仿真提取。電壓測量采用高壓差分探頭,電流波形的提取采用羅氏線圈,直流側(cè)電壓1500V,采用雙脈沖觸發(fā),測得IGBT關(guān)斷過程中的電流和測量壓波形如圖4所示。

        圖4 IGBT關(guān)斷時的波形圖

        本文實驗平臺的母排雜散電感約為93.1nH,電源與母排間的連線雜散電感約為51.3nH,其他參數(shù)參考表1。根據(jù)本文方法在圖3中箭頭所指位置附近取點擬合,利用MATLAB編寫的加權(quán)最小二乘法程序?qū)?shù)據(jù)點進(jìn)行擬合得出總雜散電感值為73nH,利用式(11)計算的總雜散電感值為72.05nH,誤差率1.32%,誤差范圍較小,測量精度較高。

        5 結(jié)束語

        本文以電容兩側(cè)布局拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為基礎(chǔ),利用加權(quán)最小二乘法對波形取點擬合,通過MATLAB編程對雜散電感提取進(jìn)行優(yōu)化分析。通過仿真和實驗分析表明,該優(yōu)化方法能夠減小誤差,提高雜散電感值的準(zhǔn)確度,對功率變流器疊層母排的結(jié)構(gòu)優(yōu)化有一定的指導(dǎo)性意義。

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