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        PZT 壓電陶瓷La摻雜改性研究*

        2018-08-21 09:10:48王厚山
        陶瓷 2018年8期
        關鍵詞:鐵電壓電陶瓷

        王厚山

        (山東工業(yè)職業(yè)學院 山東 淄博 256414)

        前言

        隨著電子通訊技術與信息行業(yè)的迅速發(fā)展,壓電材料作為智能材料的一種,受到越來越多研究工作者的廣泛關注?,F(xiàn)在壓電材料常用的有石英、A1N[1~2]、ZnO[3]和PZT[4]等,由于壓電材料能夠根據(jù)環(huán)境變化自適應實現(xiàn)機械能與電能間的轉換,可集傳感、執(zhí)行和控制于一體,在生活中具有廣泛應用[5]。壓電材料的應用已經(jīng)遍及日常生活的每個角落。在壓電陶瓷領域,長期以來都以鋯鈦酸鉛PZT占統(tǒng)治地位[6]。加快其應用速度,使壓電材料的應用開始嶄新的局面。

        鋯鈦酸鉛是具有典型鈣鈦礦結構的陶瓷材料,一直是人們關注和研究的熱點,至今仍在壓電陶瓷領域中占有主導地位。而在PZT的摻雜改性方面,稀土摻雜PZT的研究相對較少,筆者主要是研究稀土元素La不同濃度摻雜對PZT壓電陶瓷的影響。

        1 實驗

        首先,根據(jù)化學計量比分別稱量 Pb3O4、ZrO2、TiO2、La2O3四粉料,混合后放入聚乙烯罐中,研磨介質選擇去離子水,氧化鋯作磨球,研磨12 h,取出在100 ℃下烘干。烘干好的干料50目篩分。用2 MPa左右的壓力將料粉制備成大塊后,轉移至剛玉坩堝里,850 ℃下煅燒2 h。然后磨為細粉,再按照上述球磨的方法繼續(xù)研磨24 h后,烘干、過篩,獲得熟粉。然后造粒、壓片。接著在相應設計溫度下燒結為陶瓷樣片。

        采用德國Bruker公司D8 ADVANCE型 X射線衍射儀對所得樣品,進行了進行X-射線粉末衍射(XRD)物相和結構分析,工作時掃描速度調節(jié)到4°/min ,掃描角度范圍為20°~80°。

        采用HP4294A精密交流阻抗儀和HP4291B阻抗分析儀,測量樣品在室溫下的電容和介電損耗tanδ,測試溫度為室溫至350 ℃,升溫速率為2 ℃/min,測試頻率為1~10 MHz。

        樣品的形貌使用日本日立公司帶有X-ray能量分散光譜(EDS)的S-4800型場發(fā)射掃描電鏡,場發(fā)射掃描電鏡(SEM)來確定。

        2 結果與討論

        2.1 燒結溫度對體積收縮率的影響

        圖1 燒結溫度對體積收縮率的影響

        提高材料的致密性和密度是改善材料性能的關鍵因素。壓電陶瓷的性能與其晶粒大小和密度有關,由于原子的擴散,陶瓷坯體在燒結過程中,會發(fā)生體積收縮,從圖1可以看出,樣品密度是先隨著溫度的升高而增大,當燒結溫度為1 200 ℃時,此時樣品的密度達到最大。1at%時6.7 g/cm3,3at%時6.9 g/cm3,5at%時7.27 g/cm3,7at%時7.03 g/cm3,這說明當燒結溫度為1 200 ℃時,樣品的致密性最好。過高的溫度可能會導致樣品的組分發(fā)生改變,因此確定優(yōu)化的燒結溫度為1 200 ℃。之后又隨著溫度的升高逐漸下降,這可能是因為過量液相產(chǎn)生的同時也抑制了大部分晶粒的生長,且燒結溫度上升也會使得PbO揮發(fā),陶瓷內(nèi)部產(chǎn)生缺陷。

        2.2 添加量對陶瓷結構的影響

        如圖2所示,在1 200 ℃的燒結溫度下,當添加量為1at%,3at%,5at%,7at%時均得到了鈣鐵礦結構,(200)兩個衍射峰證明了陶瓷內(nèi)部的四方和三方兩相共存。根據(jù)研究結果表明:陶瓷在兩相共存處即準同型相界附近具有較優(yōu)的性能。從圖中也可以看出,隨著La添加量的增大,陶瓷的晶體結構沒有發(fā)生明顯變化,La的加入并未引起晶格崎變。

        圖2 四個樣品的XRD圖譜

        2.3 對PZT陶瓷微觀形貌的影響

        圖3 添加量不同的條件下的SEM圖

        圖3是摻雜La的PZT陶瓷的微觀形貌圖,從圖3可以看出,摻雜后得到的材料孔洞很少,均勻致密,而且隨著摻雜含量的增加,顆粒變得越來越小,說明La摻入PZT陶瓷可以具有細化晶粒的作用。

        2.4 PLZT 的電性能分析

        圖4 添加量不同的條件下的介電常數(shù)和介電損耗圖

        如圖4所示,可以看到,隨著壓電陶瓷中鑭的含量增加,介電常數(shù)先是快速增大,然后再減小,當鑭含量是5at%時達到峰值。當材料中鑭的含量由 1at%提高至5at%時,樣品的介電損耗呈增加趨勢,5at%時,達到峰值,隨后樣品的介電損耗又呈下降趨勢。

        這是因為,當鑭含量增加時,形成樣品的晶粒尺寸也會隨之增加,但由于MBP相界組分是一個復雜的相界。當樣品中鑭的含量達到 5at%以上時,樣品內(nèi)部過剩的三價鑭離子,和別的離子生成一種新的非鐵電相,這個現(xiàn)象導致如圖4所示的下降趨勢。

        3 結論

        筆者討論了PZT系列鐵電陶瓷材料中鑭的摻雜含量對其電性能的影響關系,結論如下:

        1)根據(jù)XRD檢測結果可知, 本研究成功制備了純度較高的Pb(Zr0.55Ti0.45)O3鐵電陶瓷。

        2)在保溫時間是2 h的條件下,比較了不同的燒結溫度對其密度的影響,研究最終確定1 200 ℃下,保溫2 h的燒結條件為較優(yōu)的操作條件。

        3)在溫度為1 200 ℃下,燒結時間為2 h下進行燒結,鑭含量為5at%的PZT就有最大的密度。

        4)當壓電陶瓷中鑭的含量由1at%提高至7at%時,介電常數(shù)和介電損耗先是增大后降低,鑭含量5at%時達到峰值。

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