毛 強(qiáng)

1.宿州學(xué)院自旋電子與納米材料安徽省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，宿州,234000;

1 QCD求和規(guī)則分析

前期已對(duì)P波粲重子的試探流進(jìn)行了系統(tǒng)的分類(lèi)[6-7]，因此在構(gòu)造P波底重子的試探流結(jié)構(gòu)時(shí)只需將原來(lái)的粲夸克替換為底夸克即可，重新構(gòu)造的P波底重子的試探流結(jié)構(gòu)如圖1所示。

圖1 P波底重子的分類(lèi)結(jié)構(gòu)標(biāo)記圖

(1)

(2)

其中Γα1α2,μν為投影算符，且

(3)

運(yùn)用QCD求和規(guī)則求得P波底重子的質(zhì)量表達(dá)式為：

(4)

(5)

(6)

2 數(shù)值分析和計(jì)算

參照文獻(xiàn)[1,8-16]的方法對(duì)以下參量進(jìn)行賦值：

=-(0.24±0.01)3GeV3；

ms=0.15 GeV；

mb=4.66±0.03 GeV。

(7)

KΛb,1,1,ρ=-0.99 GeV2

ΣΛb,1,1,ρ=0.042 GeV2

(8)

mΛb(1/2-)=5.87 GeV

mΛb(3/2-)=5.88 GeV

Δm[Λb,1,1ρ]=11 MeV

(9)

其中(mΛb(1/2-),mΛb(3/2-))分別表示兩個(gè)底重子的質(zhì)量，Δm[Λb,1,1ρ]≡mΛb(3/2-)-mΛb(1/2-)表示兩個(gè)底重子的質(zhì)量差，并可得到mΛb(1/2-)—T和Δm[Λb,1,1ρ]—T變化曲線(xiàn)圖，如圖2、圖3所示。

然后再選取不同的ωc取值重復(fù)以上計(jì)算過(guò)程，ωc取值的標(biāo)準(zhǔn)是要求ωc對(duì)質(zhì)量的依賴(lài)達(dá)到最弱，根據(jù)得到的mΛb(1/2-)-ωc和Δm[Λb,1,1ρ]-ωc變化關(guān)系圖(圖4、圖5)可以看出，在2.9 GeV<ωc<3.3 GeV區(qū)間內(nèi)這種依賴(lài)關(guān)系很弱，在ωc2.9 GeV附近達(dá)到最弱，但為了研究質(zhì)量的不確定度仍選取整個(gè)區(qū)間進(jìn)行計(jì)算。而對(duì)于ωc≤2.85 GeV部分則選取滿(mǎn)足PC值在20%附近時(shí)的T取值進(jìn)行計(jì)算。

圖2 mΛb(1/2-)—T變化曲線(xiàn)圖

圖3 Δm[Λb,1,1ρ]—T變化曲線(xiàn)圖

圖4 mΛb(1/2-)—ωc變化關(guān)系圖

圖5 Δm[Λb,1,1ρ]—ωc變化關(guān)系圖

最后，選取2.9 GeV<ωc<3.3 GeV、0.538 GeV

(10)

計(jì)算結(jié)果表明Δm[Λb,1,1ρ]對(duì)粲夸克的質(zhì)量和閾值依懶性不強(qiáng)，誤差也較小，與實(shí)驗(yàn)測(cè)量值[3,4]符合較好。

(11)

這一結(jié)果也說(shuō)明選取mb=4.66±0.03 GeV是合理的。

3 結(jié) 語(yǔ)