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        離子推力器擋板通道等離子體模型研究進(jìn)展

        2018-07-29 03:05:26魯曉進(jìn)楊福全
        真空與低溫 2018年3期
        關(guān)鍵詞:磁場模型

        魯曉進(jìn),楊福全

        (蘭州空間技術(shù)物理研究所 真空技術(shù)與物理重點實驗室,蘭州 730000)

        0 引言

        離子推力器具有比沖高、壽命長、工作模式可調(diào)等顯著特點,采用離子推力器已成為提升航天器整體性能與技術(shù)水平的重要手段,美國、俄羅斯、歐洲等航天技術(shù)先進(jìn)國家和地區(qū)在20世紀(jì)90年代中期,就已經(jīng)實現(xiàn)了電推力器在航天器中的商業(yè)應(yīng)用,取得了顯著的經(jīng)濟(jì)效益[1-2]。對于功率在千瓦以下的離子推力器,電離室原初電子分布不均勻,而通過設(shè)置擋板,可以阻止電子的軸向運動,從而提高原初電子的均勻性,使得放電損失更低,離子束流更加均勻。

        離子推力器設(shè)置陰極擋板,目的是提高離子光學(xué)系統(tǒng)引出束流分布的均勻性,進(jìn)而改善推力器的連續(xù)工作穩(wěn)定性[24],一般運用到體積較小的推力器上,如10 cm離子推力器[8]等。10 cm離子推力器為Kaufman型離子推力器[14],束流口徑10 cm,推力能在1~20 mN范圍內(nèi)連續(xù)調(diào)節(jié)。影響10 cm離子推力器放電室工作穩(wěn)定性和性能的因素較多,如磁場構(gòu)型、氣體分配方式、陰極性能及位置、擋板通道幾何參數(shù)等。其中擋板通道幾何參數(shù)是眾多影響參數(shù)中比較敏感的參數(shù)之一,擋板通道幾何參數(shù)對放電性能的影響通過在擋板通道附近的等離子體參數(shù)反映出來。

        分析國內(nèi)外關(guān)于陰極擋板通道等離子體模型、典型離子推力器擋板通道等離子體的測量方式、等離子體參數(shù)分布,對10 cm離子推力器進(jìn)行試驗研究有重要意義。

        1 國外研究現(xiàn)狀

        1.1 美國Brophy擋板通道設(shè)計模型

        1981年Brophy等[7]發(fā)表了關(guān)于擋板通道模型的設(shè)計,其可以用作研究電子轟擊型離子推力器的擋板通道性能的輔助。以前陰極極靴和擋板組件的設(shè)計和優(yōu)化很大程度上通過反復(fù)的實驗來完成[5]。通過設(shè)計擋板通道模型,來達(dá)到減少研究成本的目的。模型將磁場密度、極靴幾何形狀以及擋板孔區(qū)域的等離子體與通過通道的電子電流建立起聯(lián)系。

        模型將擋板通道的電子電流、磁場和等離子體相關(guān)聯(lián)區(qū)域的電子群作為流體處理[13]。僅考慮作用于流體運動微觀的作用力,而不考慮單獨的電子運動以及離子運動。流體模型適用的情況為:(1)涉及太多顆粒及跟蹤單個顆粒運動;(2)磁場可以限制電子的自由運動。對于垂直于磁場的運動,流體模型是一個良好的近似[3]。電子的流體運動方程稱為動量傳遞方程:

        該方程定義了所考慮的局部系統(tǒng)的平均速度,并假定壓力為局部各向同性。假設(shè)平均流速沒有凈變化,那么穩(wěn)態(tài)條件方程式(1)改寫為:

        電流密度j的方程為:

        并且根據(jù)電場的等離子體電勢的定義:ΔV=-E,那么式(1)可以寫為:

        式(4)適合于規(guī)定的坐標(biāo)系,坐標(biāo)系軸線平行或垂直于磁場線,如圖1所示。在此坐標(biāo)系下,電流密度可寫為:

        并且磁場強度為:

        式中:i⊥,iP和iθ分別是垂直方位和平行方向上的單位矢量。

        圖1 局部坐標(biāo)示意圖Fig.1 Partial coordinates of the schematic

        由于沿磁場線的電子遷移率比跨場的遷移率大得多,因此可以假設(shè)沒有穩(wěn)態(tài)勢或平行于磁場的密度梯度。此外,由于對稱性,在方位角方向上沒有穩(wěn)態(tài)電位或密度梯度。根據(jù)這些假設(shè),相對于磁場的平行,方位角和法線方向的凈電流密度可以從式(7)中獲得:

        式(9)可以用經(jīng)典擴(kuò)散系數(shù)式(10)表示:

        帶入式(9)可得:

        對于通道區(qū)域中的磁場強度和密度,發(fā)現(xiàn)式[6]w/v>>1 ,因此在式(10)中,v2可以相對于w2忽略。那么式(10)可以改為:

        經(jīng)常發(fā)現(xiàn)由式(12)計算的擴(kuò)散系數(shù)不適用于典型的離子推力器,有時預(yù)測系數(shù)數(shù)量級小于試驗測量值,這可能是因為通過等離子體湍流的擴(kuò)散機(jī)制的增強。Bohm提出了一種簡單的湍流電子擴(kuò)散的半經(jīng)驗方程式(13):

        式(13)在離子推進(jìn)器中比在經(jīng)典理論中表現(xiàn)得更好,盡管其有兩個或三個不確定性的因素,但基于其簡單和試驗結(jié)果一致,Bohm擴(kuò)散仍將用于分析其余部分。使用方程式(13)代替方程中的經(jīng)典擴(kuò)散系數(shù),帶入式(11)得:

        當(dāng)凈電子電流徑向流出圓柱對稱的擋板通道時,將?⊥改寫為d/dr,這時方程(14)可以寫為:

        其中電流密度 j⊥為:

        然而,由于圓柱幾何形狀和磁場構(gòu)造,電流流過的區(qū)域不是恒定的,因此必須留在積分符號下,因此式(15)可以寫為:

        這是擋板通道的電子電流與擋板通道區(qū)域周圍的幾何形狀、磁場和等離子體參數(shù)之間的理想關(guān)系。

        1.2 英國考夫曼型離子推力器通道參數(shù)分布

        2009年Milligan等[20]研究了擋板通道周圍等離子體的分布情況,通過實驗,用朗繆爾探針[11]測得數(shù)據(jù)。實驗詳細(xì)分析了二維的等離子體參數(shù)分布,通過分析探針測得的數(shù)據(jù),得到等離子體電勢分布、原初電子能量和密度分布。實驗使用的是UK-25推力器,通過研究UK-25推力器可以延伸到其他類似推力器。擋板通道區(qū)域?qū)τ陔x子推力器的設(shè)計至關(guān)重要,這一區(qū)域作用為加速原初電子進(jìn)入放電室中,這對于放電等離子體參數(shù)的影響很大,進(jìn)而影響整個推力器的性能和效率。

        UK-25離子推力器要求高真空、壓力在10-5Pa范圍,以避免氧氣泄露到空心陰極。真空艙是一個直徑為500 mm的圓柱體,長500 mm,通過外加抽氣泵實現(xiàn)真空條件。圖2為UK-25離子推力器結(jié)構(gòu)。

        圖2 發(fā)散場離子推力器示意圖Fig.2 Schematic of the ion thruster

        試驗使用的朗繆爾探針[12]為絕緣的玻璃和鎢材質(zhì)制成,圓柱形的尖端被用來跟蹤伏安特特性,探針的尖端是0.1 mm的圓柱體,長度是1.0 mm,如圖3所示。

        朗繆爾探針的工作原理[15]是將傳感器浸入等離子體中,傳感器會收集等離子體中的電子和離子形成電流。當(dāng)給傳感器外加一個掃描電壓K,傳感器收集的等離子體電流,會隨著外加掃描電壓的變化而變化,從而得到傳感器與等離子體相互作用的伏安特性曲線。通過二階導(dǎo)數(shù)分析該伏安特性曲線,可以得到等離子體密度、溫度和電位等參數(shù)。

        圖3 朗繆爾探針圖Fig.3 Langmuir probe design

        獲得等離子體參數(shù)的起始點為方程式(18)的二階導(dǎo)數(shù),因為其不需要假定的電子群體類型:

        式中:f(V)為EEDF;e為電子電荷;Ap為探針尖端面積;me為電子的質(zhì)量;ΔV為探針和等離子體電勢之間的差;Ie為到探針的電子電流;Vp為探頭電壓。預(yù)飽和離子電流幅值的估計可以從式(19)得到,這是通過等離子體和電子密度(準(zhǔn)中性)在麥克斯韋等離子體獲得的。對于氙離子,電子與離子電流的預(yù)期比率為694,在這種情況下使得離子電流可忽略。

        由于離子電流是可忽略的,所以探針電子電流在式(18)可以用總探針電流代替。在沒有關(guān)于EEDF的先前假設(shè)的情況下找到等離子體電位,最后通過積分獲得電子密度:

        圖4為獲得的等離子體參數(shù)圖,X軸以擋板孔徑線為中心,Y軸沿著推力器軸線居中,流動方向從右到左,空心陰極孔在測量區(qū)域之外,在圖4所示的位置x=55,y=0處。還顯示了極靴和非磁性擋板盤。在圖4中,原初電子密度和能量顯示在曲線A和B上,原初電子壓力和等離子體電勢顯示在曲線C和D上。四個曲線圖的等離子體參數(shù)都是從Langmuir探針在圖A和B中用“X”標(biāo)記的位置處獲得的測量結(jié)果。然后通過在用“X”標(biāo)記的每個位置處獲得的參數(shù)值的值之間進(jìn)行內(nèi)插來生成圖譜。在曲線C和D中,為施加磁場強度的矢量圖,其疊加在電子壓力和等離子體電勢的等離子體參數(shù)圖上。在沒有等離子體的推力器情況下,使用高斯計獲得磁場參數(shù)。

        圖4 磁場條件下的等離子體參數(shù)分布圖Fig.4 Plasma parameter distribution in Magnetic field

        從試驗得到結(jié)論為:磁場對于等離子體參數(shù)的分布起到至關(guān)重要的影響,原初電子優(yōu)先匯聚于擋板環(huán)下游軸向錐區(qū)域,從而獲得較高的磁場強度。所施加的磁場強度變低時,原初電子在不同位置被發(fā)現(xiàn),且靠近等離子體雙鞘層下游。

        2 國內(nèi)研究現(xiàn)狀

        當(dāng)前國內(nèi)正在開展電推進(jìn)技術(shù)研究的已經(jīng)有多家單位,主要包括五院510所[22],六院801所[28],哈爾濱工業(yè)大學(xué)[23]等。510所是我國電推進(jìn)技術(shù)研究和產(chǎn)品研制的主要單位[26],依托真空技術(shù)與物理國防重點實驗室和中國空間技術(shù)研究院空間電推進(jìn)技術(shù)核心實驗室,結(jié)合型號產(chǎn)品壽命和可靠性評估、新產(chǎn)品研發(fā)設(shè)計分析、預(yù)研和基金課題等,在電推進(jìn)專業(yè)技術(shù)基礎(chǔ)研究方面實現(xiàn)了新突破。根據(jù)重力梯度衛(wèi)星應(yīng)用背景需求,開展了10 cm離子推力器(LIPS-100)的研制。

        510所楊福全等[9]研究了10 cm離子推力器擋板通道模型的設(shè)計,通過將擋板通道的幾何尺寸與等離子體參數(shù)聯(lián)系起來,得到擋板通道截面。如式(21):

        可根據(jù)分析或?qū)嶒灚@得等離子密度、磁流密度以及初始設(shè)計的推力器工作參數(shù),在理論上計算發(fā)散場離子推力器擋板通道面積。

        擋板通道是由擋板和陰極極靴構(gòu)成,其面積計算如式(22):

        最終得到擋板直徑理論計算模型式(23):

        通過性能驗證實驗得出[29],在優(yōu)化的勵磁電流和放電室流率比條件下,推力器設(shè)計工作點(束流0.3 A、比沖3 100 s)的放電損耗在251 W/A左右,放電室推進(jìn)劑利用率達(dá)到91%,從而表明放電室整體性能比較優(yōu)良。

        3 總結(jié)

        國外對于擋板通道等離子體模型研究早已開展,對于擋板尺寸的設(shè)計通過試驗進(jìn)行驗證,驗證結(jié)果較為理想。國內(nèi)在研究離子推力器擋板通道模型存在著不足,對擋板的設(shè)計大部分還是通過反復(fù)的試驗來獲得最優(yōu)擋板尺寸,與國外技術(shù)尚存在很大的差距。鑒于國內(nèi)外之間的差距,可以從離子推力器擋板通道等離子擴(kuò)散物理特性入手,推導(dǎo)建立擋板通道理論模型,根據(jù)試驗收集的數(shù)據(jù),將等離子參數(shù)與宏觀參數(shù)之間聯(lián)系起來,利用建立的模型對擋板尺寸進(jìn)行設(shè)計優(yōu)化。研制一套可以準(zhǔn)確測量的朗繆爾探針,這為數(shù)據(jù)的收集以及分析提供保障。

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